JP2014150453A - 圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】温度情報の差異を低減し、発振周波数が変動することを防ぐようにした圧電デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明の圧電デバイスは、少なくとも半導体回路５１を搭載した半導体回路基板５０と、半導体回路基板５０の半導体回路５１上に配置された圧電振動素子５３と、圧電振動素子５３を励振駆動する励振電極５４と、励振電極５４の端部に設けられた引出電極５５とを備えた圧電デバイスである。励振電極５４の中央位置及び引出電極５５の近傍位置に配置された複数の温度センサ５６，５７を備えているとともに、半導体回路５１に、複数の温度センサ５６，５７から任意の温度センサを選択可能にする温度センサ選択回路を備えている。
【選択図】図３

Description

本発明は、電子機器などに用いられる圧電デバイスに関し、より詳細には、温度情報の差異を低減して発振周波数が変動することを防ぐようにした圧電デバイスに関する。

近年、移動体通信の市場においては、各種電装部品の実装性、保守・取扱性、装置間での部品の共通性などを考慮して、機能毎に部品群のモジュール化を推進することが増えている。また、モジュール化に伴って、小型化や低コスト化も強く求められている。
特に、基準周波数信号発生用発振回路、ＰＬＬ回路（ｐｈａｓｅ ｌｏｃｋｅｄ ｌｏｏｐ；位相同期回路）及びシンセサイザー回路など、機能及びハード構成が確立し、かつ高安定性や高性能化が要求される回路部品に関してモジュール化への傾向が強まっている。更に、これらの部品群をモジュールとしてパッケージ化することによりシールド構造が確立しやすくなるという利点がある。
このような複数の関連部品をモジュール化やパッケージ化することにより構築される表面実装用のＩＣ部品としては、例えば、圧電振動子や圧電発振器，ＳＡＷ（Ｓｕｒｆａｃｅ Ａｃｏｕｓｔｉｃ Ｗａｖｅ；弾性表面波）デバイスなどがある。

一般に、従来の圧電デバイスとしては、素子搭載部材と圧電振動子とサーミスタ素子と蓋体とから主に構成されている構造が知られている。つまり、更なる小型化を図るために圧電振動子のパッケージ外部に発振回路や温度補償回路を含んだＩＣ部品を組み付けた構造の表面実装型圧電発振器が知られている。この種の圧電発振器において、圧電振動子の温度と、圧電振動子の外部に接続されたＩＣ部品に搭載された温度センサによる検知温度との間に差が発生し易く、温度差がある場合には、発振器の発信周波数が誤った温度データに基づいた温度センサの出力に基づいて補正されるため、安定した温度・周波数特性を得ることができず、また、起動時の周波数ドリフト特性が悪化するという問題がある。

このような不具合に対処するために、従来では圧電振動素子が直接に接続されている絶縁基板側の温度を測定点とした構成が考えられてきた。
例えば、特許文献１に記載のものは、圧電振動子のパッケージ外部に温度センサ付き電子部品を組み込んだ圧電デバイスにおいて、電子部品の熱的状態を圧電振動素子に近づけることにより、起動時の周波数ドリフト特性を含めた高精度な温度特性を実現することを可能とした圧電デバイス及びこれを内蔵した電子機器に関するものである。

圧電振動子のパッケージの外部に温度センサを備えたＩＣ部品を組み込んだ表面実装型圧電発振器において、圧電振動素子の直近に位置しているために同等の熱的状態にある金属製の蓋部材とＩＣ部品とを熱的に結合することによって、起動時の周波数ドリフト特性を含めた高精度な温度特性を実現したものである。

図１は、特許文献１に記載されている圧電デバイスである表面実装型圧電発振器としての水晶発振器の断面図で、図２は、図１に示した水晶発振器の回路構成図である。この水晶発振器１は、パッケージ２を構成する絶縁容器４と、素子搭載パッド５上に導電性接着剤７を介して搭載される圧電振動素子２０と、この圧電振動素子２０を気密封止する金属製の蓋部材１０と、絶縁容器４の外部に配置された外部パッド１２と、ＩＣ部品３０内の発振回路３１と温度補償回路３３と温度センサ４０とを備え、蓋部材１０と温度センサ４０との間、或いは蓋部材１０とＩＣ部品３０との間を熱伝導可能に接続し、かつ絶縁容器４の材料よりも熱伝導率が高い熱伝導部材１５を備えている。なお、パッケージ２と圧電振動素子２０は、圧電振動子２５を構成している。図中符号３は上部凹所、９は接続導体、１１は下部凹所、３５はＡ／Ｄコンバータ、４２は温度センサ端子、ＭＢはマザーボードを示している。

また、図２において、水晶振動素子２０を備えた水晶振動子２５に対して外付けされたＩＣ部品３０には、発振回路３１と温度補償回路３３と温度センサ（サーミスタ）４０とＡ／Ｄコンバータ３５などが搭載されている。温度センサ４０の出力（温度情報）は、Ａ／Ｄコンバータ３５によってデジタル信号化されて温度補償回路３３に入力され、この温度補償回路３３は、この温度情報に基づいて生成した周波数制御情報を発振回路３１に出力する。この発振回路３１は、この温度制御情報に基づいて温度補償周波数情報を出力する。

また、例えば、特許文献２に記載のものは、水晶発振器の周波数安定化装置に関するもので、恒温槽に水晶発振器と温度センサが設けられ、恒温槽内の温度を一定に保って水晶発振器の安定した発振出力を得るようするために、恒温槽内に配置される温度センサを複数の場所に設けるようにしたことが開示されている。

特開２０１２−１９１４８４号公報 実開昭６３−５５６１４号公報

しかしながら、上述した特許文献１のように、圧電振動子の外部に温度センサを含むＩＣ部品を接続した従来の表面実装型圧電発振器にあっては、圧電振動子内の圧電振動素子の温度と、圧電振動子外部に配置された温度センサによる検知温度との間に差が発生し易く、安定した温度・周波数特性を得ることができず、また、起動時の周波数ドリフト特性が悪化するという問題があった。

また、従来の圧電デバイスにおいては、凹部空間内にサーミスタ素子が導電性接着剤を介してサーミスタ搭載パッドに搭載されているため、導電性接着剤から発生したガスが圧電振動素子に付着することで発振周波数が変動してしまうといった問題もあった。また、導電性接着剤から発生したガスがサーミスタ素子に付着することでサーミスタ素子が劣化してしまうといった問題があった。したがって、サーミスタ素子から出力された電圧を換算することで得られた温度情報と、実際の圧電振動素子の周囲の温度情報との差異が大きくなってしまうという問題があった。
本発明は、このような問題に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、温度情報の差異を低減し、発振周波数が変動することを防ぐようにした圧電デバイスを提供することにある。

本発明は、このような目的を達成するためになされたもので、請求項１に記載の発明は、少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に配置された圧電振動素子と、該圧電振動素子を励振駆動する励振電極と、該励振電極の端部に設けられた引出電極とを備えた圧電デバイスにおいて、複数の温度センサを備えているとともに、前記半導体回路に、前記複数の温度センサから任意の温度センサを選択可能にする温度センサ選択回路を備えていることを特徴とする。

また、請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記複数の温度センサが、前記励振電極の近傍又は前記圧電振動素子の中央位置の前記半導体回路基板側に配置される第１の温度センサを含んでいることを特徴とする。
また、請求項３に記載の発明は、請求項２に記載の発明において、前記第１の温度センサが、前記圧電振動素子の励振電極の中心付近又は前記圧電振動素子を平面視したときの中心付近に配置されていることを特徴とする。

また、請求項４に記載の発明は、請求項２又は３に記載の発明において、前記圧電振動素子が、窒素封止されている場合には、前記第１の温度センサにより温度測定することを特徴とする。
また、請求項５に記載の発明は、請求項１乃至４のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、前記引出電極の近傍の前記半導体回路基板側又は前記圧電振動素子の引出電極と導電性接着材で接続されている前記半導体回路基板上の再配線により設けられた再配線電極の下部に配置される第２の温度センサを含んでいることを特徴とする。

また、請求項６に記載の発明は、請求項５に記載の発明において、前記圧電振動素子が、真空封止されている場合には、前記第２の温度センサにより温度測定することを特徴とする。
また、請求項７に記載の発明は、請求項１乃至６のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、前記圧電振動素子の引出電極間の中心下部に配置される第３の温度センサを含んでいることを特徴とする。

また、請求項８に記載の発明は、請求項７に記載の発明において、前記圧電振動素子が、前記真空封止されている場合で、かつ前記圧電振動素子と半導体回路基板との接合における応力が大きい場合には、前記第３の温度センサにより温度測定することを特徴とする。
また、請求項９に記載の発明は、請求項１乃至８のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、前記半導体回路基板上に存在する発振回路や消費電力が大きく発熱が大きい回路から離れた位置に配置される第４の温度センサを含んでいることを特徴とする。

また、請求項１０に記載の発明は、請求項９に記載の発明において、前記半導体回路基板の発熱の影響を回避する場合には、前記第４の温度センサにより温度測定することを特徴とする。
また、請求項１１に記載の発明は、請求項１乃至１０のいずれかに記載の発明において、前記圧電振動素子が、前記半導体回路基板の前記半導体回路上に配置されていることを特徴とする。

また、請求項１２に記載の発明は、請求項１乃至１１のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、温度センサ選択状態を保持するメモリと前記複数の温度センサを選択する前記温度センサ選択回路により選択されることを特徴とする。
また、請求項１３に記載の発明は、請求項１２に記載の発明において、前記半導体回路が、前記圧電振動素子を励振駆動するための発振回路と、前記温度センサからの温度情報に基づいて周波数温度制御情報を生成する温度補償回路とを備え、前記発振回路が、前記周波数温度制御情報に基づいて温度補償周波数情報を出力することを特徴とする。

また、請求項１４に記載の発明は、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、サーミスタ素子であることを特徴とする。
また、請求項１５に記載の発明は、請求項１乃至１３のいずれかに記載の発明において、前記複数の温度センサが、半導体温度センサであることを特徴とする。

本発明によれば、温度情報の差異を低減し、発振周波数が変動することを防ぐようにした圧電デバイスを実現することができる。また、圧電振動素子の実温度をより正確に検出できるため、外部温度の変化時にも圧電振動素子の実温度に追従した出力データを得ることが可能で、安定した発振周波数を得ることができる。

特許文献１に記載されている圧電デバイスである表面実装型圧電発振器としての水晶発振器の断面図である。 図１に示した水晶発振器の回路構成図である。 本発明に係る圧電デバイスの実施例１を説明するための上面図である。 図３のＡ−Ａ線断面図である。 （ａ），（ｂ）は、図４に示した圧電デバイスにおける圧電振動素子の異なる環境下における温度センサの選択状況を説明するための構成図である。 図４に示した圧電デバイスにおける半導体回路のブロック図である。 （ａ），（ｂ）は、本発明に係る圧電デバイスの実施例２を説明するための断面図及び上面図である。

以下、図面を参照して本発明の各実施例について説明する。

図３は、本発明に係る圧電デバイスの実施例１を説明するための上面図で、図４は、図３のＡ−Ａ線断面図である。図中符号５０は半導体回路基板、５１は半導体回路（ＩＣチップ）、５２は電極端子、５３は圧電振動素子、５４は励振電極、５５は引出電極、５６は第１の温度センサ、５７は第２の温度センサ、５８は空間部、６１はパッケージ、６２はＳｉ接着剤、６３は振動素子接合材（導電性接着剤）、６４は圧電振動素子取付端子、６５は再配線電極、６６はＳｉ貫通電極（ビア）、６７は貫通電極配線、６８はパッシベーション、６９は外部接続端子を示している。

本発明の圧電デバイスは、少なくとも半導体回路５１を搭載した半導体回路基板５０と、この半導体回路基板５０の半導体回路５１上に配置された圧電振動素子５３と、この圧電振動素子５３を励振駆動する励振電極５４と、この励振電極５４の端部に設けられた引出電極５５とを備えた圧電デバイスである。つまり、圧電振動素子５３は、半導体回路基板５０の半導体回路５１上に配置されている。

また、本発明の圧電デバイスは、励振電極５４の近傍位置（中央位置）及び引出電極５５の近傍位置に配置された複数の温度センサ５６，５７を備えているとともに、半導体回路５１に、複数の温度センサ５６，５７から任意の温度センサを選択可能にする温度センサ選択回路８１（図６参照）を備えている。
また、図４から分かるように、複数の温度センサが、励振電極５４の近傍又は圧電振動素子５３の中央位置の半導体回路基板５０側に配置される第１の温度センサ５６を含んでいる。また、この第１の温度センサ５６が、圧電振動素子５３の励振電極５４の中心付近又は圧電振動素子５３を平面視したときの中心付近に配置されている。

また、第２の温度センサ５７は、引出電極５５の近傍の半導体回路基板５０側又は圧電振動素子５３の引出電極５５と圧電振動素子取付端子６４を介して導電性接着材６３で接続されている半導体回路基板５０上の再配線により設けられた再配線電極６５の下部に配置される。
つまり、本発明の圧電デバイスは、水晶などの圧電振動素子と温度センサを複数有する半導体回路（ＩＣチップ）が一体になっている圧電デバイスである。そして、半導体回路５１内の複数の温度センサが、圧電デバイスのパッケージの構造や封止状態や圧電振動素子の形状などに応じて最適な箇所の温度測定ができるように、温度センサを選択可能に構成したものである。なお、複数の温度センサ５６，５７としては、サーミスタ素子または半導体温度センサであることが好ましい。

このようにすることにより、圧電振動素子の実温度をより正確に検出できるため、外部温度の変化時にも圧電振動素子の実温度に追従した出力データを得ることが可能で、安定した発振周波数を得ることができる。
図５（ａ），（ｂ）は、図４に示した圧電デバイスにおける圧電振動素子の異なる環境下における温度センサの選択状況を説明するための構成図で、図５（ａ）は窒素雰囲気の場合で、図５（ｂ）は真空封止の場合を示している。なお、図４と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。

半導体回路基板５０には、半導体回路５１とＳｉ貫通電極（ＴＳＶ；ｔｈｒｏｕｇｈ−ｓｉｌｉｃｏｎ ｖｉａ）６６が設けられており、このＳｉ貫通電極６６は、電子部品である半導体の実装技術の１つであり、シリコン製半導体チップの内部を垂直に貫通する電極である。また、半導体回路５１上の中央位置には、励振電極５４が設けられているとともに、この励振電極５４の端部には引出電極５５が設けられている。また、引出電極５５の周辺の半導体回路５１上には、蒸着法やめっき法又は印刷法により形成された圧電振動素子取付端子６４が設けられている。この圧電振動子取付端子６４には、配線用リードとしての再配線電極６５が設けられている。

このような半導体回路基板５０上に、パッケージ６１が、Ｓｉ接着剤６２によって取り付けられており、半導体回路５１上に空間部５８が形成されている。この空間部５８中に圧電振動素子５３が配置され、端部が振動素子接合材６３により圧電振動素子取付端子６４に取り付けられている。圧電振動素子５３を励振する励振電極５４の中央下部の位置における半導体回路５１内の中央位置に第１の温度センサ５６が配置されているとともに、再配線電極６５の下部における半導体回路５１内に第２の温度センサ５７が配置されている。

図５（ａ）において、空間部５８は窒素封止されており、圧電振動素子５３は窒素雰囲気中に配置されている。この場合には、図中の矢印で示すように、窒素分子を媒体として圧電振動素子５３の温度が半導体回路基板５０に伝搬されるため、圧電振動素子５３の中心、つまり、励振電極５４の中心の下部にある第１の温度センサ５６を選択することが最適である。このように、圧電振動素子５３が、窒素封止されている場合には、第１の温度センサ５６により温度測定する。

次に、図５（ｂ）において、空間部５８は真空封止されており、圧電振動素子５３は真空雰囲気中に配置されている。この場合には、図中の矢印で示すように、圧電振動素子５３の温度は、圧電振動素子５３から振動素子接合材（導電性接着剤）６３と再配線電極６５を介して半導体回路基板５０に伝搬されるため、再配線電極６５の下部にある第２の温度センサ５７を選択することが最適である。このように、圧電振動素子５３が、真空封止されている場合には、第２の温度センサ５７により温度測定する。

つまり、圧電振動素子５３が、窒素封止されている場合には、第１の温度センサ５６により温度測定し、圧電振動素子５３が、真空封止されている場合には、第２の温度センサ５７により温度測定する。つまり、パッケージ６１を窒素雰囲気にて封止する場合には、第１の温度センサを選択し、真空封止する場合には、第２の温度センサを選択することが最適であることが理解できる。

このように、複数の温度センサ５６，５７は、圧電振動素子５３の中央位置の半導体回路基板５０側に配置された第１の温度センサ５６と、引出電極５５の半導体回路基板５０側に配置された第２の温度センサ５７である。
また、第１の温度センサ５６は、圧電振動素子５３を平面視したときの中心付近又は圧電振動素子５３の励振電極５４の中心付近に配置され、第２の温度センサ５７は、圧電振動素子５３の引出電極５５と導電性接着材６３で接続されている半導体回路基板５０上の再配線により設けられた再配線電極６５の下部に設けられている。

図６は、図４に示した圧電デバイスにおける半導体回路のブロック図で、図中符号８１は温度センサ選択回路、８２はメモリ、８３は外部電極端子を示している。なお、図３と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
圧電振動素子５３に電極端子５２により接続された半導体回路５１には、第１の温度センサ５６と第２の温度センサ５７と、これらの温度センサとの接続を選択するスイッチＳＷと、このスイッチＳＷの切替操作信号を発生する温度センサ選択回路８１と、この温度センサ選択回路８１の温度センサ選択状態を記憶するメモリ８２とを備えている。つまり、複数の温度センサは、温度センサ選択状態を保持するメモリ８２と複数の温度センサを選択する温度センサ選択回路８１により選択される。

なお、図６には図示していないが、図２に示すように、半導体回路５１は、圧電振動素子５３を励振駆動するための発振回路と、温度センサ５６，５７からの温度情報に基づいて周波数温度制御情報を生成する温度補償回路とを備え、発振回路は、周波数温度制御情報に基づいて温度補償周波数情報を出力するように構成しても良い。
つまり、第１及び第２の温度センサ５６，５７は、温度センサ選択状態を保持するメモリ８２と第１及び第２の温度センサ５６，５７を選択する温度センサ選択回路８１により選択される。この温度センサ選択回路８１は、メモリ８２のデータにより温度センサを選択する信号を生成する。

図７（ａ），（ｂ）は、本発明に係る圧電デバイスの実施例２を説明するための断面図及び上面図で、図７（ａ）は図７（ｂ）のＡ−Ａ線断面図、図７（ｂ）は上面図である。図中符号７１は第３の温度センサ、７２は第４の温度センサを示している。なお、図４と同じ機能を有する構成要素には同一の符号を付してある。
貫通電極６６上の貫通電極配線６７上には電極端子５２が配置され、パッケージ６１内の空間部５８に露出している。外部接続端子６９は貫通電極配線６７と接続されている。

また、第３の温度センサ７１は、圧電振動素子５３の引出電極間の中心下部に配置され、真空封止時かつ圧電振動素子と回路基板の接合における応力が大きい場合には、第２の温度センサ５７の特性が劣化するため、第２の温度センサ５７と比べて、圧電振動素子５３の温度をより正確に検知することができる。つまり、複数の温度センサは、圧電振動素子５３の引出電極５５間の中心下部に配置される第３の温度センサ７１を含んでおり、圧電振動素子５３が、真空封止されている場合で、かつ圧電振動素子５３と半導体回路基板５０との接合における応力が大きい場合には、第３の温度センサ７１により温度測定する。

また、第４の温度センサ７２は、励振電極５４の近傍位置（離れた位置）に設けられ、半導体回路基板５０上に存在する発振回路や、出力バッファなどの消費電力が大きく発熱が大きい回路から離れた位置に配置され、回路基板の発熱の影響を低減でき、振動素子の温度をより正確に検知することができる。つまり、複数の温度センサは、半導体回路基板５０上に存在する発振回路や消費電力が大きく発熱が大きい回路から離れた位置に配置される第４の温度センサ７２を含んでおり、半導体回路基板５０の発熱の影響を回避する場合には、第４の温度センサ７２により温度測定する。

また、図示していないが、第３及び第４の温度センサ７１，７２は、温度センサ選択状態を保持するメモリ８２と第３及び第４の温度センサ７１，７２を選択する温度センサ選択回路８１により選択される。この温度センサ選択回路８１は、メモリ８２のデータにより温度センサを選択する信号を生成する。
以上のように、本発明の圧電デバイスによれば、圧電振動素子の実温度をより正確に検出できるため、外部温度の変化時にも圧電振動素子の実温度に追従した出力データを得ることが可能で、温度情報の差異を低減し、安定した発振周波数を得ることができる。

１ 水晶発振器
２ パッケージ
３ 上部凹所
４ 絶縁容器
５ 素子搭載パッド
７ 導電性接着剤
９ 接続導体
１０ 蓋部材
１１ 下部凹所
１２ 外部パッド
１５ 熱伝導部材
２０ 圧電振動素子
２５ 圧電振動子
３０ ＩＣ部品
３１ 発振回路
３３ 温度補償回路
３５ Ａ／Ｄコンバータ
４０ 温度センサ
４２ 温度センサ端子
５０ 半導体回路基板
５１ 半導体回路（ＩＣチップ）
５２ 電極端子
５３ 圧電振動素子
５４ 励振電極
５５ 引出電極
５６ 第１の温度センサ
５７ 第２の温度センサ
５８ 空間部
６１ パッケージ
６２ Ｓｉ接着剤
６３ 振動素子接合材（導電性接着剤）
６４ 圧電振動素子取付端子
６５ 再配線電極
６６ Ｓｉ貫通電極（ビア）
６７ 貫通電極配線
６８ パッシベーション
６９ 外部接続端子
７１ 第３の温度センサ
７２ 第４の温度センサ
８１ 温度センサ選択回路
８２ メモリ
８３ 外部電極端子

Claims (15)

1. 少なくとも半導体回路を搭載した半導体回路基板と、該半導体回路基板上に配置された圧電振動素子と、該圧電振動素子を励振駆動する励振電極と、該励振電極の端部に設けられた引出電極とを備えた圧電デバイスにおいて、
   複数の温度センサを備えているとともに、前記半導体回路に、前記複数の温度センサから任意の温度センサを選択可能にする温度センサ選択回路を備えていることを特徴とする圧電デバイス。
2. 前記複数の温度センサが、前記励振電極の近傍又は前記圧電振動素子の中央位置の前記半導体回路基板側に配置される第１の温度センサを含んでいることを特徴とする請求項１に記載の圧電デバイス。
3. 前記第１の温度センサが、前記圧電振動素子の励振電極の中心付近又は前記圧電振動素子を平面視したときの中心付近に配置されていることを特徴とする請求項２に記載の圧電デバイス。
4. 前記圧電振動素子が、窒素封止されている場合には、前記第１の温度センサにより温度測定することを特徴とする請求項２又は３に記載の圧電デバイス。
5. 前記複数の温度センサが、前記引出電極の近傍の前記半導体回路基板側又は前記圧電振動素子の引出電極と導電性接着材で接続されている前記半導体回路基板上の再配線により設けられた再配線電極の下部に配置される第２の温度センサを含んでいることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の圧電デバイス。
6. 前記圧電振動素子が、真空封止されている場合には、前記第２の温度センサにより温度測定することを特徴とする請求項５に記載の圧電デバイス。
7. 前記複数の温度センサが、前記圧電振動素子の引出電極間の中心下部に配置される第３の温度センサを含んでいることを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の圧電デバイス。
8. 前記圧電振動素子が、前記真空封止されている場合で、かつ前記圧電振動素子と半導体回路基板との接合における応力が大きい場合には、前記第３の温度センサにより温度測定することを特徴とする請求項７に記載の圧電デバイス。
9. 前記複数の温度センサが、前記半導体回路基板上に存在する発振回路や消費電力が大きく発熱が大きい回路から離れた位置に配置される第４の温度センサを含んでいることを特徴とする請求項１乃至８のいずれかに記載の圧電デバイス。
10. 前記半導体回路基板の発熱の影響を回避する場合には、前記第４の温度センサにより温度測定することを特徴とする請求項９に記載の圧電デバイス。
11. 前記圧電振動素子が、前記半導体回路基板の前記半導体回路上に配置されていることを特徴とする請求項１乃至１０のいずれかに記載の圧電デバイス。
12. 前記複数の温度センサが、温度センサ選択状態を保持するメモリと前記複数の温度センサを選択する前記温度センサ選択回路により選択されることを特徴とする請求項１乃至１１のいずれかに記載の圧電デバイス。
13. 前記半導体回路が、前記圧電振動素子を励振駆動するための発振回路と、前記温度センサからの温度情報に基づいて周波数温度制御情報を生成する温度補償回路とを備え、前記発振回路が、前記周波数温度制御情報に基づいて温度補償周波数情報を出力することを特徴とする請求項１２に記載の圧電デバイス。
14. 前記複数の温度センサが、サーミスタ素子であることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の圧電デバイス。
15. 前記複数の温度センサが、半導体温度センサであることを特徴とする請求項１乃至１３のいずれかに記載の圧電デバイス。

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