JP2014143350A - 積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの実装構造 - Google Patents

Abstract

【課題】端面外部電極と側面外部電極とを有する積層セラミックコンデンサにおいて鳴きの音量を低減する。
【解決手段】第１の端面外部電極１５は、第１の端面１０ｅ上から第２の主面１０ｂ上に跨がって設けられている。第２の端面外部電極１６は、第２の端面１０ｆ上から第２の主面１０ｂ上に跨がって設けられている。第１の側面外部電極１７は、第１の側面１０ｃ上から第２の主面１０ｂ上に跨がって設けられている。第２の側面外部電極１８は、第２の側面１０ｄ上から第２の主面１０ｂ上に跨がって設けられている。第１の側面外部電極１７と第２の側面外部電極１８とは、第２の主面１０ｂ上において隔離されている。第１及び第２の側面外部電極１７，１８のそれぞれの第２の主面１０ｂ上に位置する部分の少なくとも一部が、厚み方向Ｔから視た際に、第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに対向している領域に位置している。
【選択図】図８

Description

本発明は、積層セラミックコンデンサ及び積層セラミックコンデンサの実装構造に関する。

近年、携帯電話、ノートパソコン、等の電子機器は小型化・高機能化が進んでいる。これら電子機器には、小型かつ大容量の積層セラミックコンデンサが多数用いられている。

通常、積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、セラミック素体の内部においてセラミック部を介して厚み方向に対向する第１及び第２の内部電極と、セラミック素体の外表面上に形成された外部端子電極とを備える。積層セラミックコンデンサは、実装基板の導電ランド上に配置され、はんだなどの導電性接合材を介して実装基板上に実装される。

積層セラミックコンデンサの１つとして、例えば、特許文献１に示すような、端面外部電極に加えて、側面外部電極を備える積層セラミックコンデンサが知られている。このような積層セラミックコンデンサにも大容量化が求められている。

特開２００３−７７７７５号公報

積層セラミックコンデンサは、電圧が印加された際に生じる電歪現象によって伸縮する。このため、基板に搭載された積層セラミックコンデンサにリップル等のＡＣ電圧が印加されると、積層セラミックコンデンサの伸縮に伴って基板が振動する。基板の振動数が可聴域（２０Ｈｚ〜２０ｋＨｚ程度）になると人間の耳に認識され、人間に不快感を与えかねない。この基板の振動に起因した発音現象は一般的に「鳴き」と言われている。

例えば、積層セラミックコンデンサの容量が小さい場合は、セラミック部への印加電界がそれほど大きくないため、強い鳴きは発生し難く、鳴きは問題になりにくい。しかしながら、近年、積層セラミックコンデンサの容量増大、小型・薄型化が進むにつれ、セラミック部への印加電界が大きくなってきているため、電歪現象に伴う鳴きの問題が無視できなくなってきている。鳴きの問題は、特に、携帯電話、ノートパソコン等で問題となっている。

従来、鳴きの問題は、小型・薄型化及び大容量化が進んでいる端面外部電極のみを有するいわゆる２端子型の積層セラミックコンデンサ特有の問題として扱われていた。

ところが、端面外部電極に加えて側面外部電極をも有する積層セラミックコンデンサに対しても、小型・薄型化及び大容量化が進んできたため、鳴きを抑制することが求められるようになってきている。しかしながら、現在のところ、このような積層セラミックコンデンサにおいては、鳴きを抑制し得る構造は、十分に検討されていないのが現状である。

本発明の主な目的は、端面外部電極と側面外部電極とを有する積層セラミックコンデンサにおいて鳴きの音量を低減することにある。

本発明に係る積層セラミックコンデンサは、セラミック素体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１の端面外部電極と、第２の端面外部電極と、第１の側面外部電極と、第２の側面外部電極とを備える。セラミック素体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向及び幅方向に沿って延びる。第１及び第２の側面は、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる。第１及び第２の端面は、幅方向及び厚み方向に沿って延びる。セラミック素体の厚み方向における寸法は、セラミック素体の幅方向における寸法以上である。第１の内部電極は、セラミック素体内に設けられている。第１の内部電極は、第１及び第２の端面のそれぞれに引き出されている。第２の内部電極は、セラミック素体内において第１の内部電極とセラミック部を介して厚み方向に対向するように設けられている。第２の内部電極は、第１及び第２の側面のそれぞれに引き出されている。第１の端面外部電極は、第１の端面上から第２の主面上に跨がって設けられている。第１の端面外部電極は、第１の内部電極に接続されている。第２の端面外部電極は、第２の端面上から第２の主面上に跨がって設けられている。第２の端面外部電極は、第１の内部電極に接続されている。第１の側面外部電極は、第１の側面上から第２の主面上に跨がって設けられている。第１の側面外部電極は、第２の内部電極に接続されている。第２の側面外部電極は、第２の側面上から第２の主面上に跨がって設けられている。第２の側面外部電極は、第２の内部電極に接続されている。第１の側面外部電極と第２の側面外部電極とは、第２の主面上において隔離されている。第１及び第２の側面外部電極のそれぞれの第２の主面上に位置する部分の少なくとも一部が、厚み方向から視た際に、第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している領域に位置している。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの別の特定の局面では、厚み方向における第１の主面側を一方側とし、第２の主面側を他方側としたときに、第１及び第２の側面外部電極のそれぞれの第２の主面上に位置する部分のうち、第１の内部電極と厚み方向において重なっている部分の少なくとも一部の表面は、重なっていない部分の表面よりも厚み方向の他方側に位置している。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの実装構造は、本発明に係る積層セラミックコンデンサと、実装基板とを備える。実装基板には、積層セラミックコンデンサが実装されている。実装基板は、基板本体と、第１のランドと、第２のランドとを有する。第１のランドは、基板本体の上に設けられている。第１のランドは、端面外部電極が電気的に接続されている。第２のランドは、基板本体の上に設けられている。第２のランドは、側面外部電極が電気的に接続されている。本発明に係る積層セラミックコンデンサの実装構造は、第１の接合材と、第２の接合材とをさらに備える。第１の接合材は、第１のランドと端面外部電極とを接合している。第２の接合材は、第２のランドと側面外部電極とを接合している。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの実装構造のある特定の局面では、第２の接合材の少なくとも一部は、厚み方向から視た際に、第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している領域に位置している。

本発明に係る積層セラミックコンデンサの実装構造の別の特定の局面では、第２のランドの全体が、積層セラミックコンデンサと重なるように設けられている。

本発明によれば、端面外部電極と側面外部電極とを有する積層セラミックコンデンサにおいて鳴きの音量を低減することができる。

本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。 本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的裏面図である。 本発明の一実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的側面図である。 図１の線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。 図４の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。 図４の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。 本発明の一実施形態における実装構造の略図的側面図である。 本発明の一実施形態の実装構造における積層セラミックコンデンサとランドとの位置関係を説明するための略図的平面図である。 積層セラミックコンデンサの伸縮を説明するためのセラミック素体の模式的側面図である。 積層セラミックコンデンサが実装された基板の変形を説明するための模式的側面図である。 図１０のＸＩ部分の模式的側面図である。

以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について説明する。但し、下記の実施形態は、単なる例示である。本発明は、下記の実施形態に何ら限定されない。

また、実施形態等において参照する各図面において、実質的に同一の機能を有する部材は同一の符号で参照することとする。また、実施形態等において参照する図面は、模式的に記載されたものである。図面に描画された物体の寸法の比率などは、現実の物体の寸法の比率などとは異なる場合がある。図面相互間においても、物体の寸法比率等が異なる場合がある。具体的な物体の寸法比率等は、以下の説明を参酌して判断されるべきである。

図１は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的斜視図である。図２は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的裏面図である。図３は、本実施形態に係る積層セラミックコンデンサの略図的側面図である。図４は、図１の線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。図５は、図４の線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。図６は、図４の線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。

図１〜図６に示される積層セラミックコンデンサ１は、３端子型の積層セラミックコンデンサである。積層セラミックコンデンサ１は、セラミック素体１０を備えている。セラミック素体１０は、誘電体セラミックスにより構成されている。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ_３、ＣａＴｉＯ_３、ＳｒＴｉＯ_３、ＣａＺｒＯ_３などが挙げられる。なお、セラミック素体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。

本実施形態では、セラミック素体１０は、略直方体状に形成されている。セラミック素体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆ（図５及び図６を参照）とを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれは、長さ方向Ｌと幅方向Ｗとに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれは、長さ方向Ｌと厚み方向Ｔとに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆのそれぞれは、幅方向Ｗと厚み方向Ｔとに沿って延びている。なお、セラミック素体１０の角部や稜線部は、丸められた形状を有していてもよい。

セラミック素体１０の厚み方向Ｔに沿った寸法は、幅方向Ｗに沿った寸法以上である（（セラミック素体１０の厚み方向Ｔに沿った寸法）≧（セラミック素体１０の幅方向Ｗに沿った寸法））。

図４に示されるように、セラミック素体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが設けられている。第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、厚み方向Ｔにおいて交互に設けられている。厚み方向Ｔにおいて隣り合う第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とは、セラミック部１３を介して厚み方向Ｔに対向している。第１及び第２の内部電極１１，１２は、それぞれ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと略平行に設けられている。なお、セラミック部１３の厚みは、例えば、０．５μｍ〜１０μｍ程度であることが好ましい。

図６に示されるように、第１の内部電極１１は、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆのそれぞれに引き出されている。第１の内部電極１１は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには引き出されていない。第１の内部電極１１は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと離間している。

図５に示されるように、第２の内部電極１２は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれに引き出されている。第２の内部電極１２は、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには引き出されていない。第２の内部電極１２は、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆと離間している。

具体的には、第２の内部電極１２は、対向部１２ａと、第１の引き出し部１２ｂと、第２の引き出し部１２ｃとを有する。対向部１２ａは、第１の内部電極１１と厚み方向に対向している部分である。対向部１２ａの幅方向Ｗに沿った寸法は、第１の内部電極１１の幅方向Ｗに沿った寸法と実質的に等しい。第１の引き出し部１２ｂは、対向部１２ａに接続されている。第１の引き出し部１２ｂは、第１の側面１０ｃに引き出されている。第１の引き出し部１２ｂは、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔに対向していない。第２の引き出し部１２ｃは、対向部１２ａに接続されている。第２の引き出し部１２ｃは、第２の側面１０ｄに引き出されている。第２の引き出し部１２ｂは、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔに対向していない。

上述のように、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２との積層方向である厚み方向Ｔに沿ったセラミック素体１０の寸法は、セラミック素体１０の幅方向Ｗに沿った寸法以上である。このため、第１及び第２の内部電極１１，１２の枚数を多くすることができる。従って、積層セラミックコンデンサ１は、大容量化が可能である。

セラミック素体１０のうち、厚み方向Ｔから見た際に第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられた領域Ａ（図２を参照）に位置する部分の厚み方向Ｔに沿った寸法は、領域Ａ以外の領域に位置する部分の厚み方向Ｔに沿った寸法よりも、ほぼ内部電極１１，１２の総厚み分大きい。すなわち、セラミック素体１０の第２の主面１０ｂは、領域Ａと領域Ａ以外の領域との間に段差を有する。

なお、第１及び第２の内部電極１１，１２の形成材料は特に限定されないが、第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ、Ｐｄ及びＡｕの少なくとも一種により構成されていてもよい。第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金により構成されていてもよい。

第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの厚みは、例えば、０．３μｍ〜２μｍ程度であることが好ましい。

図１〜図３に示されるように、セラミック素体１０の上には、第１の端面外部電極１５，第２の端面外部電極１６，第１の側面外部電極１７及び第２の側面外部電極１８が設けられている。

第１の端面外部電極１５は、第１の端面１０ｅ上から第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に跨がって設けられている。第１の端面外部電極１５は、第１の端面１０ｅの実質的に全体と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの長さ方向Ｌにおける一方側端部を覆っている。図６に示されるように、第１の端面外部電極１５は、第１の端面１０ｅにおいて第１の内部電極１１と電気的に接続されている。

図１〜図３に示されるように、第２の端面外部電極１６は、第２の端面１０ｆ上から第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ上に跨がって設けられている。第２の端面外部電極１６は、第２の端面１０ｆの実質的に全体と、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄの長さ方向Ｌにおける他方側端部を覆っている。図６に示されるように、第２の端面外部電極１６は、第２の端面１０ｆにおいて第１の内部電極１１と電気的に接続されている。従って、第２の端面外部電極１６と第１の端面外部電極１５とは同電位である。

図４に示されるように、第１の側面外部電極１７は、第１の側面１０ｃ上から第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に跨がって設けられている。図１〜図３に示されるように、第１の側面１０ｃにおいて、第１の側面外部電極１７は、長さ方向Ｌにおける略中央部を、厚み方向Ｔの一方側端から他方側端にわたって設けられている。図５に示されるように、第１の側面外部電極１７は、第２の内部電極１２と電気的に接続されている。

図４に示されるように、第２の側面外部電極１８は、第２の側面１０ｄ上から第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上に跨がって設けられている。図１〜図３に示されるように、第２の側面１０ｄにおいて、第２の側面外部電極１８は、長さ方向Ｌにおける略中央部を、厚み方向Ｔの一方側端から他方側端にわたって設けられている。図５に示されるように、第２の側面外部電極１８は、第２の内部電極１２と電気的に接続されている。このため、第２の側面外部電極１８と、第１の側面外部電極１７とは同電位である。

図２に示されるように、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれにおいて、第１の側面外部電極１７と第２の側面外部電極１８とは隔離されている。すなわち、第１の側面外部電極１７と第２の側面外部電極１８とは直接接続されていない。

図２及び図４に示されるように、積層セラミックコンデンサ１では、第１の側面外部電極１７の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１７ａが、厚み方向Ｔから視た際に、第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔにおいて重なっている領域Ａに位置している。よって、図４に示されるように、部分１７ａのうち、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔにおいて重なっている部分（領域Ａに位置している部分）の少なくとも一部の表面は、重なっていない部分の表面よりも厚み方向Ｔにおいて、積層セラミックコンデンサ１の外側（Ｔ２側）に位置している。すなわち、部分１７ａのうち、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔにおいて重なっている部分（領域Ａに位置している部分）の少なくとも一部は、重なっていない部分よりも出っ張っている。

積層セラミックコンデンサ１では、第２の側面外部電極１８の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１８ａが、厚み方向Ｔから視た際に、第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔにおいて重なっている領域Ａに位置している。よって、図４に示されるように、部分１８ａのうち、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔにおいて重なっている部分（領域Ａに位置している部分）の少なくとも一部の表面は、重なっていない部分の表面よりも厚み方向Ｔにおいて、積層セラミックコンデンサ１の外側（Ｔ２側）に位置している。すなわち、部分１８ａのうち、第１の内部電極１１と厚み方向Ｔにおいて重なっている部分（領域Ａに位置している部分）の少なくとも一部は、重なっていない部分よりも出っ張っている。

一方、図２に示されるように、第１及び第２の端面外部電極１５，１６の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１５ａ、１６ａは、厚み方向Ｔから視た際に、第２の内部電極１２が設けられていない領域Ａに位置していない。このため、部分１７ａ、１８ａは、部分１５ａ、１６ａよりも、出っ張っている。なお、第１及び第２の端面外部電極１５，１６の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１５ａ、１６ａは、厚み方向Ｔから視た際に、第２の内部電極１２が設けられていない領域Ａに位置していてもよい。また、部分１７ａ、１８ａは、部分１５ａ、１６ａと同じ高さでもよく、部分１５ａ、１６ａが部分１７ａ、１８ａよりも出っ張っていてもよい。

外部電極１５〜１８は、それぞれ、例えば、Ｎｉ，Ｃｕ，Ａｇ、Ｐｄ及びＡｕの少なくとも一種により構成されていてもよい。外部電極１５〜１８は、それぞれ、例えば、Ａｇ−Ｐｄ合金等の合金により構成されていてもよい。外部電極１５〜１８は、それぞれ、複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。外部電極１５〜１８は、それぞれ、ＮｉめっきとＳｎめっきとの積層体を有していてもよい。その場合、各めっき膜の厚みは、１μｍ〜２０μｍ程度であることが好ましい。

積層セラミックコンデンサ１は、例えば、実装基板の上に実装されて使用される。図７は、本実施形態における実装構造２の略図的側面図である。図８は、実装構造２における積層セラミックコンデンサ１とランドとの位置関係を説明するための略図的平面図である。図７に示されるように、実装構造２は、積層セラミックコンデンサ１と、実装基板２０とを備える。

積層セラミックコンデンサ１は、第２の主面１０ｂが実装基板２０と対向するように実装基板２０に実装されている。実装基板２０は、基板本体２１を有する。基板本体２１は、例えば、セラミック基板、ガラスエポキシ基板などの樹脂基板により構成することができる。

基板本体２１の上には、２つの第１のランド２２と、２つの第２のランド２３とが配されている。２つの第１のランド２２の一方に第１の端面外部電極１５が電気的に接続され、他方に第２の端面外部電極１６が電気的に接続される。２つの第２のランド２３の一方に第１の側面外部電極１７が電気的に接続され、他方に第２の側面外部電極１８が電気的に接続される。

図７及び図８に示されるように、第１のランド２２は、厚み方向Ｔから視た際に、端面外部電極１５，１６の長さ方向Ｌにおける中央側端部よりも外側に設けられている。第１のランド２２の長さ方向Ｌにおける外側端は、端面外部電極１５，１６よりも外側にまで至っている。第１のランド２２の幅方向Ｗにおける寸法は、端面外部電極１５，１６の幅方向Ｗにおける寸法よりも小さい。

図７に示されるように、第１のランド２２は、端面外部電極１５，１６と、導電性を有する第１の接合材２４により接合されている。第１の接合材２４は、例えば、半田や導電性粒子を含む樹脂等により構成することができる。

図８に示されるように、第２のランド２３は、厚み方向Ｔから視た際に、積層セラミックコンデンサ１と重なるように設けられている。具体的には、厚み方向Ｔから視た際に、第２のランド２３は、第２のランド２３の全体が積層セラミックコンデンサ１と重なるように設けられている。第２のランド２３の幅方向Ｗにおける内側部分は、第１及び第２の内部電極１１，１２が厚み方向Ｔに対向している領域Ａと厚み方向Ｔにおいて重なっている。すなわち、第２のランド２３は、厚み方向Ｔから視た際に、領域Ａにまで至るように設けられている。

図７に示されるように、第２のランド２３は、側面外部電極１７，１８と、導電性を有する第２の接合材２５により接合されている。第２の接合材２５は、例えば、半田や導電性粒子を含む樹脂等により構成することができる。第２の接合材２５の少なくとも一部は、厚み方向Ｔから視た際に、領域Ａと重なっている。すなわち、第厚み方向Ｔから視た際に、第２の接合材２５の少なくとも一部は、領域Ａに位置している。

図９は、積層セラミックコンデンサの伸縮を説明するためのセラミック素体の略図的側面図である。図９に示されるように、第１の内部電極と第２の内部電極とが厚み方向に対向している積層セラミックコンデンサでは、電圧が印加された際に、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆがへこみ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂが膨らむようにセラミック素体１０が変形する。

このため、図１０及び図１１に示されるように、例えば２端子型の積層セラミックコンデンサ１００が長さ方向Ｌに収縮すると、積層セラミックコンデンサ１００が端面外部電極によって実装された基板１２０の固定部１２０ａ、１２０ｂのそれぞれに上向きの力が加わる。その結果、基板１２０は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌにおける中央を中心としてＴ２側に凸状となるように変形する。この変形に起因して、基板１２０の鳴きが生じる。

図１１に示されるように、２端子型の積層セラミックコンデンサ１００の場合は、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌにおける中央部と、基板１２０とは固定されていない。このため、基板１２０の固定部１２０ａ、１２０ｂが振動の節となり、長さ方向Ｌにおける積層セラミックコンデンサ１００の中央部と厚み方向Ｔに重なる部分が振動の腹となる。積層セラミックコンデンサ１００が収縮した際に、積層セラミックコンデンサ１００の長さ方向Ｌにおける中央部と、基板１２０との間の距離が長くなる。よって、基板１２０が大きく変形しやすい。よって、基板１２０の振動の振幅が大きく、鳴きの音量が大きくなりやすい。

一方、図７に示されるように、積層セラミックコンデンサ１では、側面外部電極１７，１８が設けられているため、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌにおける中央部と実装基板２０とが固定されている。このため、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌにおける中央を中心とするＴ２側への凸状の変形が、積層セラミックコンデンサ１の長さ方向Ｌにおける中央部が固定されていない場合に比べて、抑えられる。従って、実装基板２０の振動の振幅が小さくなり、鳴きが抑制される。

特に、積層セラミックコンデンサ１では、第１及び第２の側面外部電極１７，１８のそれぞれの第２の主面１０ｂ上に位置する部分１７ａ、１８ａの少なくとも一部が、第１の内部電極１１と第２の内部電極１２とが対向している領域Ａと厚み方向Ｔにおいて重なっている。このため、積層セラミックコンデンサ１の伸縮の発生源である内部電極１１，１２の対向部付近を固定することができるため、実装基板２０の振動をより効果的に抑えられる。

また、第１及び第２の側面外部電極１７，１８の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１７ａ、１８ａの第１の内部電極１１（領域Ａ）と厚み方向Ｔにおいて重なっている部分がＴ２側に出っ張っている。部分１７ａ、１８ａが部分１５ａ、１６ａよりも出っ張っていると、実装基板２０の振動を引き起こす端面外部電極１５，１６への接合材２４の濡れ上がり、すなわちセラミック素体１０のＴ１側における接合材２４の到達高さを低くすることができる。よって、実装基板２０の振動がより効果的に規制され、振幅が小さくなる。その結果、鳴きの音量がより効果的に低減される。

また、第１及び第２の側面外部電極１７，１８の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１７ａ、１８ａは、第１及び第２の端面外部電極１５，１６の第２の主面１０ｂ上に位置する部分１５ａ、１６ａよりも、出っ張っているため、部分１５ａ、１６ａと実装基板２０との間の距離が長い。このため、半田等により第１の接合材２４を形成する際に、半田等が部分１５ａ、１６ａの下方に入り込みやすく、積層セラミックコンデンサ１をＴ１側に押し上げやすくなる。積層セラミックコンデンサ１がＴ１側に押し上げられると、端面外部電極１５，１６の端面１０ｅ、１０ｆの上に位置する部分に半田等の接合材２４が濡れ上がりにくくなる。このため、積層セラミックコンデンサ１の振動が、第１の接合材２４を介して実装基板２０に伝わり難い。従って、実装基板２０の鳴きを抑制することができる。

鳴きの音量をさらに低減する観点からは、第２の接合材２５の少なくとも一部が、厚み方向Ｔから視た際に、領域Ａに位置していることが好ましい。また、第２のランド２３の全体が、積層セラミックコンデンサ１の下方に設けられていることが好ましい。これらの場合、実装基板２０の振動の腹となる部分をより強固に固定できるためである。また、第１及び第２の側面外部電極１７，１８に接合される接合材が、確実に積層セラミックコンデンサ１の下方に入り込むため、接合時に積層セラミックコンデンサ１が押し上げられ、結果的に端面外部電極１５，１６の端面１０ｃ、１０ｄの上に位置する部分に接合材２４が濡れ上がりにくくなるからである。

本実施形態の実装基板２０の鳴きを抑制できる技術は、容量が１μＦ以上、特に１０μＦ以上と大きな積層セラミックコンデンサ１に特に有効である。

１…積層セラミックコンデンサ
２…積層セラミックコンデンサの実装構造
１０…セラミック素体
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１２ａ…対向部
１２ｂ…第１の引き出し部
１２ｃ…第２の引き出し部
１３…セラミック部
１５…第１の端面外部電極
１６…第２の端面外部電極
１７…第１の側面外部電極
１８…第２の側面外部電極
２０…実装基板
２１…基板本体
２２…第１のランド
２３…第２のランド
２４…第１の接合材
２５…第２の接合材

Claims (5)

1. 長さ方向及び幅方向に沿って延びる第１及び第２の主面と、長さ方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の側面と、幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１及び第２の端面とを有し、厚み方向における寸法が幅方向における寸法以上であるセラミック素体と、
   前記セラミック素体内に設けられており、前記第１及び第２の端面のそれぞれに引き出された第１の内部電極と、
   前記セラミック素体内において前記第１の内部電極とセラミック部を介して厚み方向に対向するように設けられており、前記第１及び第２の側面のそれぞれに引き出された第２の内部電極と、
   前記第１の端面上から前記第２の主面上に跨がって設けられており、前記第１の内部電極に接続された第１の端面外部電極と、
   前記第２の端面上から前記第２の主面上に跨がって設けられており、前記第１の内部電極に接続された第２の端面外部電極と、
   前記第１の側面上から前記第２の主面上に跨がって設けられており、前記第２の内部電極に接続された第１の側面外部電極と、
   前記第２の側面上から前記第２の主面上に跨がって設けられており、前記第２の内部電極に接続された第２の側面外部電極と、
   を備え、
   前記第１の側面外部電極と前記第２の側面外部電極とは、前記第２の主面上において隔離されており、
   前記第１及び第２の側面外部電極のそれぞれの前記第２の主面上に位置する部分の少なくとも一部が、厚み方向から視た際に、前記第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している領域に位置している、積層セラミックコンデンサ。
2. 厚み方向における前記第１の主面側を一方側とし、前記第２の主面側を他方側としたときに、
   前記第１及び第２の側面外部電極のそれぞれの前記第２の主面上に位置する部分のうち、前記第１の内部電極と厚み方向において重なっている部分の少なくとも一部の表面は、重なっていない部分の表面よりも厚み方向の他方側に位置している、請求項１に記載の積層セラミックコンデンサ。
3. 請求項１または２に記載の積層セラミックコンデンサと、
   前記積層セラミックコンデンサが実装された実装基板と、
   を備え、
   前記実装基板は、
   基板本体と、
   前記基板本体の上に設けられており、前記端面外部電極が電気的に接続された第１のランドと、
   前記基板本体の上に設けられており、前記側面外部電極が電気的に接続された第２のランドと、
   を有し、
   前記第１のランドと前記端面外部電極とを接合している第１の接合材と、
   前記第２のランドと前記側面外部電極とを接合している第２の接合材と、
   をさらに備える、積層セラミックコンデンサの実装構造。
4. 前記第２の接合材の少なくとも一部は、厚み方向から視た際に、前記第１及び第２の内部電極が厚み方向に対向している領域に位置している、請求項３に記載の積層セラミックコンデンサの実装構造。
5. 前記第２のランドの全体が、前記積層セラミックコンデンサと重なるように設けられている、請求項３または４に記載の積層セラミックコンデンサの実装構造。

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