JP2014143210A - プラズマ源用粒子捕獲 - Google Patents
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Abstract
【課題】プラズマ発生機器によって発生した活性化ガスにおける汚染粒子の数を減少させる遠隔プラズマ源用粒子捕獲器の提供。
【解決手段】粒子捕獲器１４０は遠隔プラズマ源１１０のチェンバ１２０に結合する入口１３５と、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０に結合する出口１５５とを有する本体構造１５０を含む。また、粒子捕獲器１４０は、本体構造１５０内に形成されており、本体構造１５０の入口１３５と本体構造１５０の出口１５５と流体連通するガス・チャネル１４５を含む。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定めることができ、ガス・チャネル１４５の第１部分１６５から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２部分１７５を定める障害物１８７の壁１７０に、壁１７０の表面に対してある角度で衝突させる。冷却部材１９５が、ガス・チャネル１４５と熱連通することができる。
【選択図】図１
【解決手段】粒子捕獲器１４０は遠隔プラズマ源１１０のチェンバ１２０に結合する入口１３５と、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０に結合する出口１５５とを有する本体構造１５０を含む。また、粒子捕獲器１４０は、本体構造１５０内に形成されており、本体構造１５０の入口１３５と本体構造１５０の出口１５５と流体連通するガス・チャネル１４５を含む。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定めることができ、ガス・チャネル１４５の第１部分１６５から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２部分１７５を定める障害物１８７の壁１７０に、壁１７０の表面に対してある角度で衝突させる。冷却部材１９５が、ガス・チャネル１４５と熱連通することができる。
【選択図】図１
Description
[0001] 本発明は、一般的には、プラズマ発生および処理機器に関する。特に、本発明
は、汚染粒子を活性化されたガスから除去するための方法および装置に関する。
は、汚染粒子を活性化されたガスから除去するための方法および装置に関する。
[0002] ガスを活性化するためにプラズマが用いられることが多く、ガスの化学的反応
性を高めるように、プラズマは活性化状態に置かれる。場合によっては、ガスを活性化さ
せて、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する解離ガス(dissociated gases)を生
成する。解離ガスは、多数の工業および化学的用途に用いられており、半導体ウェハのよ
うな固体材料、粉体、およびその他のガスの処理がこれらの用途に含まれる。活性化ガス
の特性、および材料をこれらのガスに露出させる条件は、用途に応じて幅広く異なる。プ
ラズマの解離を起こすためには、大量の電力が必要となることもある。
性を高めるように、プラズマは活性化状態に置かれる。場合によっては、ガスを活性化さ
せて、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する解離ガス(dissociated gases)を生
成する。解離ガスは、多数の工業および化学的用途に用いられており、半導体ウェハのよ
うな固体材料、粉体、およびその他のガスの処理がこれらの用途に含まれる。活性化ガス
の特性、および材料をこれらのガスに露出させる条件は、用途に応じて幅広く異なる。プ
ラズマの解離を起こすためには、大量の電力が必要となることもある。
[0003] プラズマ源がプラズマを発生する際、例えば、十分な大きさの電位をプラズマ
・ガス（例えば、Ｏ２Ｎ２、Ａｒ、ＮＦ３、Ｈ２、およびＨｅ）、またはガスの混合体に
印加して、ガスの少なくとも一部をイオン化する。プラズマは、ＤＣ放電、無線周波数（
ＲＦ）放電、およびマイクロ波放電を含む、種々の方法で発生することができる。ＤＣ放
電プラズマは、プラズマ・ガスの中にある２つの電極間に電位を印加することによって得
られる。ＲＦ放電プラズマは、容量的または誘導的に電源からのエネルギをプラズマに結
合することによって得られる。マイクロ波放電プラズマは、直接マイクロ波エネルギを、
マイクロ波通過窓を通じて、プラズマ・ガスを収容している放電チェンバに結合すること
によって得られる。通例、プラズマは、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属材
料、あるいはクオーツ、サファイア、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、および／ま
たは窒化アルミニウムのような誘電体材料で構成されたチェンバ内部に収容される。
・ガス（例えば、Ｏ２Ｎ２、Ａｒ、ＮＦ３、Ｈ２、およびＨｅ）、またはガスの混合体に
印加して、ガスの少なくとも一部をイオン化する。プラズマは、ＤＣ放電、無線周波数（
ＲＦ）放電、およびマイクロ波放電を含む、種々の方法で発生することができる。ＤＣ放
電プラズマは、プラズマ・ガスの中にある２つの電極間に電位を印加することによって得
られる。ＲＦ放電プラズマは、容量的または誘導的に電源からのエネルギをプラズマに結
合することによって得られる。マイクロ波放電プラズマは、直接マイクロ波エネルギを、
マイクロ波通過窓を通じて、プラズマ・ガスを収容している放電チェンバに結合すること
によって得られる。通例、プラズマは、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属材
料、あるいはクオーツ、サファイア、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、および／ま
たは窒化アルミニウムのような誘電体材料で構成されたチェンバ内部に収容される。
[0004] プラズマ発生の技術において知られている問題として、例えば、プラズマ発生
器、またはプラズマ・チェンバの出力に結合されているチェンバを汚染する可能性のある
粒子が発生することが多いことが挙げられる。したがって、プラズマ発生機器によって発
生した活性化ガスにおける汚染粒子の数を減少させるという要望がある。
器、またはプラズマ・チェンバの出力に結合されているチェンバを汚染する可能性のある
粒子が発生することが多いことが挙げられる。したがって、プラズマ発生機器によって発
生した活性化ガスにおける汚染粒子の数を減少させるという要望がある。
[0005] 本発明は、一般的には、活性化ガスにおける粒子個数を低減することができる
装置および方法を特徴とする。１つの利点は、本発明が、処理すべき材料（例えば、半導
体ウェハ）上における粒子または欠陥の混入を最小限に抑えることである。別の利点は、
本発明が、処理すべき材料（例えば、半導体ウェハ）の製造において歩留まりを高めるこ
とである。更に別の利点は、本発明が、交換すると製造ダウンタイムを最小限に抑えるこ
とができる装置を提供することである。別の利点は、本発明が、活性化ガスの再結合を最
小限に抑えつつ粒子個数を低減することである。
装置および方法を特徴とする。１つの利点は、本発明が、処理すべき材料（例えば、半導
体ウェハ）上における粒子または欠陥の混入を最小限に抑えることである。別の利点は、
本発明が、処理すべき材料（例えば、半導体ウェハ）の製造において歩留まりを高めるこ
とである。更に別の利点は、本発明が、交換すると製造ダウンタイムを最小限に抑えるこ
とができる装置を提供することである。別の利点は、本発明が、活性化ガスの再結合を最
小限に抑えつつ粒子個数を低減することである。
[0006] 一態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この
粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合する入口と、プロセス・チェンバの入口
に結合する出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成
されており、本体構造の入口と本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含む。こ
のガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第１部分から通過する
ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、この壁の表面に対して
ある角度で衝突させる。
粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合する入口と、プロセス・チェンバの入口
に結合する出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成
されており、本体構造の入口と本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含む。こ
のガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第１部分から通過する
ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、この壁の表面に対して
ある角度で衝突させる。
[0007] 実施形態によっては、壁が、本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である
場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物を含む場合もある。実施形
態によっては、障害物が、この障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある
。この冷却部材は、障害物の壁の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことが
できる。
場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物を含む場合もある。実施形
態によっては、障害物が、この障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある
。この冷却部材は、障害物の壁の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことが
できる。
[0008] 実施形態によっては、前述の角度が約４５度および１３５度の間である場合も
ある。実施形態によっては、前述のチャネルの第１部分が、このチャネルの第２部分に対
して実質的に直角となっている場合もある。ガス・チャネルは第３部分を有することがで
き、第２部分から通過するガスの中にある粒子が、第３部分を定める第２の壁に、第２の
壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する。実施形態によっては、第２の角度が約４５
度および１３５度の間である場合もある。実施形態によっては、第１区間および第２区間
が曲線を定める場合もある。壁の表面は、不規則または模様付きの内少なくとも１つであ
る。実施形態によっては、本体構造が遠隔プラズマ源の中に配置されている場合もある。
実施形態によっては、本体構造の入口と本体構造の出口との間における圧力降下が、約１
００milliTorr未満である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス
・チャネルの第１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えている場合も
あり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
ある。実施形態によっては、前述のチャネルの第１部分が、このチャネルの第２部分に対
して実質的に直角となっている場合もある。ガス・チャネルは第３部分を有することがで
き、第２部分から通過するガスの中にある粒子が、第３部分を定める第２の壁に、第２の
壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する。実施形態によっては、第２の角度が約４５
度および１３５度の間である場合もある。実施形態によっては、第１区間および第２区間
が曲線を定める場合もある。壁の表面は、不規則または模様付きの内少なくとも１つであ
る。実施形態によっては、本体構造が遠隔プラズマ源の中に配置されている場合もある。
実施形態によっては、本体構造の入口と本体構造の出口との間における圧力降下が、約１
００milliTorr未満である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス
・チャネルの第１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えている場合も
あり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
[0009] 実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス・チャネルと熱連通する冷却
部材を含む場合もある。この冷却部材は、ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一
部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成された少なくとも１つの冷媒チャネ
ルを含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。実施
形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を間接的
に冷却する場合もある。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。実施形態に
よっては、少なくとも１つの冷媒チャネルの経路が、ガス・チャネルの経路に対して少な
くとも実質的に平行である場合もある。
部材を含む場合もある。この冷却部材は、ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一
部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成された少なくとも１つの冷媒チャネ
ルを含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。実施
形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を間接的
に冷却する場合もある。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。実施形態に
よっては、少なくとも１つの冷媒チャネルの経路が、ガス・チャネルの経路に対して少な
くとも実質的に平行である場合もある。
[0010] 別の態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。こ
の粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェン
バの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本
体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネ
ルも含み、このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定める。また、粒子捕獲器
は、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材も含む。
の粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェン
バの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本
体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネ
ルも含み、このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定める。また、粒子捕獲器
は、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材も含む。
[0011] 実施形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷
却する流体を受けるために、本体構造内に形成されている少なくとも１つの冷媒チャネル
を備えている場合もある。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。冷
却部材は、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却することができる。冷却
部材は、本体構造の中に配置することができる。
却する流体を受けるために、本体構造内に形成されている少なくとも１つの冷媒チャネル
を備えている場合もある。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。冷
却部材は、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却することができる。冷却
部材は、本体構造の中に配置することができる。
[0012] 実施形態によっては、本体構造を貫通する経路が、チャネルの第１部分から通
過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、壁の表面に対し
てある角度で衝突させる場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが第３部分を
有し、第２部分から通過するガスの中にある粒子が、第３部分を定める第２の壁に、第２
の壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する場合もある。本体構造は、遠隔プラズマ源
の中に配置することができる。実施形態によっては、粒子捕獲器が、ガス・チャネルの第
１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪み
がガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、壁の表面に対し
てある角度で衝突させる場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが第３部分を
有し、第２部分から通過するガスの中にある粒子が、第３部分を定める第２の壁に、第２
の壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する場合もある。本体構造は、遠隔プラズマ源
の中に配置することができる。実施形態によっては、粒子捕獲器が、ガス・チャネルの第
１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪み
がガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
[0013] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去
する方法を特徴とする。この方法は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性
化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、ガス・チャネルの第１部
分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、
この壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・
チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、ガス
・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップも含む。
する方法を特徴とする。この方法は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性
化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、ガス・チャネルの第１部
分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、
この壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・
チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、ガス
・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップも含む。
[0014] 本方法は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少
なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、
チャネルの第３部分を定める第２壁に、この第２壁の第２表面に対して第２の角度で衝突
させるために、チャネルの第２部分から本体構造のガス・チャネルを通過するように活性
化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第
２の壁上に蓄積させるために、第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むこと
ができる。本方法は、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造の中にある冷媒チ
ャネルに流体を流すステップを含むことができる。実施形態によっては、壁を間接的に冷
却する場合もある。本方法は、壁の温度を調節するステップを含むことができる。実施形
態によっては、本方法は、粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップ
を含む場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが、本体構造の入口と本体構造
の出口との間において、約１００milliTor未満の圧力降下を生ずる場合もある。
なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、
チャネルの第３部分を定める第２壁に、この第２壁の第２表面に対して第２の角度で衝突
させるために、チャネルの第２部分から本体構造のガス・チャネルを通過するように活性
化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第
２の壁上に蓄積させるために、第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むこと
ができる。本方法は、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造の中にある冷媒チ
ャネルに流体を流すステップを含むことができる。実施形態によっては、壁を間接的に冷
却する場合もある。本方法は、壁の温度を調節するステップを含むことができる。実施形
態によっては、本方法は、粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップ
を含む場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが、本体構造の入口と本体構造
の出口との間において、約１００milliTor未満の圧力降下を生ずる場合もある。
[0015] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去
する方法を特徴とする。この方法は、チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化
ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、本体構造内に形成されたガ
ス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、
活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、ガス・チャネルの壁の少なくとも
一部を冷却するステップも含む。
する方法を特徴とする。この方法は、チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化
ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、本体構造内に形成されたガ
ス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、
活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、ガス・チャネルの壁の少なくとも
一部を冷却するステップも含む。
[0016] 実施形態によっては、壁の少なくとも一部を間接的に冷却する場合もある。実
施形態によっては、本方法が壁の温度を調節するステップを含む場合もある。実施形態に
よっては、本方法が、チャネルの第２部分を定める第２壁に、壁の表面に対してある角度
で衝突させるために、チャネルの第１部分から本体構造内のガス・チャネルを通過するよ
うに活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある
粒子を第２の壁上に蓄積させるために、第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを
含むことができる。実施形態によっては、本方法が、壁の少なくとも一部を冷却するため
に、本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含む場合もある。
施形態によっては、本方法が壁の温度を調節するステップを含む場合もある。実施形態に
よっては、本方法が、チャネルの第２部分を定める第２壁に、壁の表面に対してある角度
で衝突させるために、チャネルの第１部分から本体構造内のガス・チャネルを通過するよ
うに活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある
粒子を第２の壁上に蓄積させるために、第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを
含むことができる。実施形態によっては、本方法が、壁の少なくとも一部を冷却するため
に、本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含む場合もある。
[0017] 別の態様では、本発明はシステムを特徴とする。このシステムは、遠隔プラズ
マ源を含む。また、本システムは、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、
プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、本シ
ステムは、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通する
ガス・チャネルを含み、このガス・チャネルが本体構造を貫通する経路を定め、チャネル
の第１部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に
、壁の表面に対してある角度で衝突させる。
マ源を含む。また、本システムは、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、
プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、本シ
ステムは、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通する
ガス・チャネルを含み、このガス・チャネルが本体構造を貫通する経路を定め、チャネル
の第１部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に
、壁の表面に対してある角度で衝突させる。
[0018] 別の態様では、本発明は、粒子捕獲器の製造方法を特徴とする。この方法は、
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップを含み、このガス・チャネルが、遠隔プ
ラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合す
ることができる出口とを有し、ガス・チャネルが、チャネルの第１部分から通過するガス
の中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、この壁の表面に対してある
角度で衝突させるように構成されている。
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップを含み、このガス・チャネルが、遠隔プ
ラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合す
ることができる出口とを有し、ガス・チャネルが、チャネルの第１部分から通過するガス
の中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、この壁の表面に対してある
角度で衝突させるように構成されている。
[0019] 実施形態によっては、前述の方法が、冷却部材をガス・チャネルに熱的に結合
するステップを含む場合もある。実施形態によっては、この方法が、ガス・チャネルの第
２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造の中に少なくとも
１つの冷媒チャネルを形成するステップを含む場合もある。
するステップを含む場合もある。実施形態によっては、この方法が、ガス・チャネルの第
２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造の中に少なくとも
１つの冷媒チャネルを形成するステップを含む場合もある。
[0020] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒
子捕獲器は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受
ける手段を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通
過するように活性化ガスを誘導し、ガス・チャネルの第１部分から通過する活性化ガスの
中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で
衝突させるように構成されている手段を含む。また、この粒子捕獲器は、活性化ガスの中
にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却する手段を含む。
子捕獲器は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受
ける手段を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通
過するように活性化ガスを誘導し、ガス・チャネルの第１部分から通過する活性化ガスの
中にある粒子を、ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で
衝突させるように構成されている手段を含む。また、この粒子捕獲器は、活性化ガスの中
にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却する手段を含む。
[0021] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒
子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの
入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構
造内に少なくとも１つの障害物を含む。この少なくとも１つの障害物は、ガスの中にある
粒子を障害物の表面に衝突させるために、入口から出口に流れるガスを偏向させるように
構成されている。実施形態によっては、少なくとも１つの障害物が複数の障害物である場
合もある。実施形態によっては、少なくとも１つの障害物が、当該少なくとも１つの障害
物の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、少なくとも１つの障
害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によって
は、少なくとも１つの障害物が、本体構造の外壁の内部にある壁である場合もある。
子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの
入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構
造内に少なくとも１つの障害物を含む。この少なくとも１つの障害物は、ガスの中にある
粒子を障害物の表面に衝突させるために、入口から出口に流れるガスを偏向させるように
構成されている。実施形態によっては、少なくとも１つの障害物が複数の障害物である場
合もある。実施形態によっては、少なくとも１つの障害物が、当該少なくとも１つの障害
物の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、少なくとも１つの障
害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によって
は、少なくとも１つの障害物が、本体構造の外壁の内部にある壁である場合もある。
[0022] 本発明の以上に述べたおよびその他の目的、特徴および利点、ならびに発明自体は、以下の例示的説明を、添付図面と合わせて読むことによって、一層深く理解されよう。図面は、必ずしも同じ拡縮率で描かれている訳ではない。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
（項目２）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記角度が約４５度および１３５度の間である、粒子捕獲器。
（項目３）
項目２記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルの第１部分が、前記ガス・チャネルの第２部分に対して実質的に直角となっている、粒子捕獲器。
（項目４）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第３部分を有し、前記第２部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第３部分を定める第２の壁に、前記第２の壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する、粒子捕獲器。
（項目５）
項目４記載の粒子捕獲器において、前記第２の角度が約４５度および１３５度の間である、粒子捕獲器。
（項目６）
項目１記載の粒子捕獲器において、少なくとも前記第１区間および前記第２区間が曲線を定める、粒子捕獲器。
（項目７）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記壁の表面が、不規則または模様付きの内少なくとも１つである、粒子捕獲器。
（項目８）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
（項目９）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間における圧力降下が、約１００milliTorr未満である、粒子捕獲器。
（項目１０）
項目１記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
（項目１１）
項目１記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
（項目１２）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成された少なくとも１つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
（項目１３）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
（項目１４）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
（項目１５）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
（項目１６）
項目１２記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも１つの冷媒チャネルの経路が、前記ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である、粒子捕獲器。
（項目１７）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記壁が、前記本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である、粒子捕獲器。
（項目１８）
項目１７記載の粒子捕獲器において、前記障害物が、当該障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
（項目１９）
項目１８記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記障害物の壁の表面を冷却する流体を受けるための冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
（項目２０）
項目１７記載の粒子捕獲器であって、更に、複数の障害物を備えている、粒子捕獲器。
（項目２１）
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
ガス・チャネルの第１部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させ付着係数を有する材料で作られている、方法。
（項目２２）
項目２１記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
（項目２３）
項目２１記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第３部分を定める第２壁に、当該第２壁の第２表面に対して第２の角度で衝突させるために、前記ガス・チャネルの第２部分から前記本体構造のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
（項目２４）
項目２３記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第２の壁上に蓄積させるために、前記第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
（項目２５）
項目２２記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
（項目２６）
項目２２記載の方法において、前記壁を間接的に冷却する、方法。
（項目２７）
項目２２記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
（項目２８）
項目２１記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの粒子量を、電子デバイスによって監視するステップを備えている、方法。
（項目２９）
項目２８記載の方法であって、更に、前記粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを備えている、方法。
（項目３０）
項目２１記載の方法において、前記ガス・チャネルが、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間において、約１００milliTor未満の圧力降下を生ずる、方法。
（項目３１）
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、システム。
（項目３２）
粒子捕獲器の製造方法であって、
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップであって、前記ガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、前記ガス・チャネルが、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている、ステップを備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、粒子捕獲器の製造方法。
（項目３３）
項目３２記載の方法であって、更に、冷却部材を前記ガス・チャネルに熱的に結合するステップを備えている、方法。
（項目３４）
項目３３記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造の中に少なくとも１つの冷媒チャネルを形成するステップを備えている、方法。
図１は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面 図である。
図２は、例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システム の模式断面図である。
図３は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面 図である。
図４は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲の模式断面図である。
図５Ａは、粒子捕獲器の異なる実施形態の模式断面図である。
図５Ｂは、粒子捕器の異なる実施形態の模式断面図である。
図６は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図７は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図８は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図９は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図１０は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図１１は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
図１２は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
例えば、本発明は以下の項目を提供する。
（項目１）
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
（項目２）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記角度が約４５度および１３５度の間である、粒子捕獲器。
（項目３）
項目２記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルの第１部分が、前記ガス・チャネルの第２部分に対して実質的に直角となっている、粒子捕獲器。
（項目４）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第３部分を有し、前記第２部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第３部分を定める第２の壁に、前記第２の壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する、粒子捕獲器。
（項目５）
項目４記載の粒子捕獲器において、前記第２の角度が約４５度および１３５度の間である、粒子捕獲器。
（項目６）
項目１記載の粒子捕獲器において、少なくとも前記第１区間および前記第２区間が曲線を定める、粒子捕獲器。
（項目７）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記壁の表面が、不規則または模様付きの内少なくとも１つである、粒子捕獲器。
（項目８）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
（項目９）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間における圧力降下が、約１００milliTorr未満である、粒子捕獲器。
（項目１０）
項目１記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
（項目１１）
項目１記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
（項目１２）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成された少なくとも１つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
（項目１３）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
（項目１４）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
（項目１５）
項目１１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
（項目１６）
項目１２記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも１つの冷媒チャネルの経路が、前記ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である、粒子捕獲器。
（項目１７）
項目１記載の粒子捕獲器において、前記壁が、前記本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である、粒子捕獲器。
（項目１８）
項目１７記載の粒子捕獲器において、前記障害物が、当該障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
（項目１９）
項目１８記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記障害物の壁の表面を冷却する流体を受けるための冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
（項目２０）
項目１７記載の粒子捕獲器であって、更に、複数の障害物を備えている、粒子捕獲器。
（項目２１）
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
ガス・チャネルの第１部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させ付着係数を有する材料で作られている、方法。
（項目２２）
項目２１記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
（項目２３）
項目２１記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第３部分を定める第２壁に、当該第２壁の第２表面に対して第２の角度で衝突させるために、前記ガス・チャネルの第２部分から前記本体構造のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
（項目２４）
項目２３記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第２の壁上に蓄積させるために、前記第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
（項目２５）
項目２２記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
（項目２６）
項目２２記載の方法において、前記壁を間接的に冷却する、方法。
（項目２７）
項目２２記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
（項目２８）
項目２１記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの粒子量を、電子デバイスによって監視するステップを備えている、方法。
（項目２９）
項目２８記載の方法であって、更に、前記粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを備えている、方法。
（項目３０）
項目２１記載の方法において、前記ガス・チャネルが、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間において、約１００milliTor未満の圧力降下を生ずる、方法。
（項目３１）
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、システム。
（項目３２）
粒子捕獲器の製造方法であって、
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップであって、前記ガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、前記ガス・チャネルが、前記ガス・チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている、ステップを備えており、前記ガス・チャネルの前記第２部分を定める前記壁は、ガス中の粒子を前記第２部分上に付着させて蓄積させる付着係数を有する材料で作られている、粒子捕獲器の製造方法。
（項目３３）
項目３２記載の方法であって、更に、冷却部材を前記ガス・チャネルに熱的に結合するステップを備えている、方法。
（項目３４）
項目３３記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第２部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造の中に少なくとも１つの冷媒チャネルを形成するステップを備えている、方法。
[0035] 図１は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システム１００の模式
断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス・チェンバ１３０、
および粒子捕獲器１４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５は、粒子捕獲器１４
０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５が直接入口１３５に
結合されていることもある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造に
よって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもある。プラズマは、例
えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス（例えば、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ、ＮＦ３、Ｈ２
、およびＨｅ）、またはガスの混合体に印加して、チェンバ１２０内においてガスの少な
くとも一部をイオン化することによって、チェンバ１２０内において生成される。プラズ
マは、プラズマ源１１０のチェンバ１２０内に導入される追加のガスを活性化するために
用いられ、これらのガスが、例えば、反応性を向上させるように、追加のガスを活性化さ
れた状態にする。活性化されたガスは、プラズマ源１１０の出口から外に出され、粒子捕
獲器１４０の入口１３５に誘導される。
断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス・チェンバ１３０、
および粒子捕獲器１４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５は、粒子捕獲器１４
０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５が直接入口１３５に
結合されていることもある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造に
よって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもある。プラズマは、例
えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス（例えば、Ｏ２、Ｎ２、Ａｒ、ＮＦ３、Ｈ２
、およびＨｅ）、またはガスの混合体に印加して、チェンバ１２０内においてガスの少な
くとも一部をイオン化することによって、チェンバ１２０内において生成される。プラズ
マは、プラズマ源１１０のチェンバ１２０内に導入される追加のガスを活性化するために
用いられ、これらのガスが、例えば、反応性を向上させるように、追加のガスを活性化さ
れた状態にする。活性化されたガスは、プラズマ源１１０の出口から外に出され、粒子捕
獲器１４０の入口１３５に誘導される。
[0036] ガス・チャネル１４５が、粒子捕獲器１４０の本体構造１５０の中に作られて
いる。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０の入口１３５および出口１５５と流体連
通している。本体構造１５０の内壁１０５ａから外壁１０５ｂにわたり、障害物１８７が
位置している。障害物１８７と外壁１０５ａおよび内壁１０５ｂとの組み合わせが、ガス
・チャネル１４５を定める。本体構造１５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０
の入口１６０に結合されている。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結
合されている場合もある。実施形態によっては、出口１５５が、例えば、導管またはその
他の適した構造によって、間接的に入口１６０に結合されている場合もある。ガス・チャ
ネル１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル１４５の
第１部分１６５から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２
部分１７５を定める障害物１８７の壁１７０に衝突させる。壁１７０は、ガス・チャネル
１４５の第２部分１７５を、壁１７０の表面１８０に対して角度Φ１（例えば、この実施
形態では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル１４５の第１部分１６５に沿
って（負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル
１４５の第２部分１７５において方向を変える（次いで、概略的に正および負のｘ−軸方
向に沿って進む）ときに、粒子を壁１７０の表面１８０に衝突させる。実施形態によって
は、壁１７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸
化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１７０の表面１８０に蓄積させる。実施形態によっ
ては、角度θ１は約４５から１３５度の間である。
いる。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０の入口１３５および出口１５５と流体連
通している。本体構造１５０の内壁１０５ａから外壁１０５ｂにわたり、障害物１８７が
位置している。障害物１８７と外壁１０５ａおよび内壁１０５ｂとの組み合わせが、ガス
・チャネル１４５を定める。本体構造１５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０
の入口１６０に結合されている。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結
合されている場合もある。実施形態によっては、出口１５５が、例えば、導管またはその
他の適した構造によって、間接的に入口１６０に結合されている場合もある。ガス・チャ
ネル１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル１４５の
第１部分１６５から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２
部分１７５を定める障害物１８７の壁１７０に衝突させる。壁１７０は、ガス・チャネル
１４５の第２部分１７５を、壁１７０の表面１８０に対して角度Φ１（例えば、この実施
形態では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル１４５の第１部分１６５に沿
って（負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル
１４５の第２部分１７５において方向を変える（次いで、概略的に正および負のｘ−軸方
向に沿って進む）ときに、粒子を壁１７０の表面１８０に衝突させる。実施形態によって
は、壁１７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸
化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１７０の表面１８０に蓄積させる。実施形態によっ
ては、角度θ１は約４５から１３５度の間である。
[0037] この実施形態では、ガス・チャネル１４５は第３部分１８５を有する。ガス・
チャネル１４５の第２部分１７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁１
９０の第２表面１９２に対して第２の角度Φ２（例えば、この実施形態では約９０度）で
第２の壁１９０に衝突する。ガス・チャネル１４５の第２部分１７５に沿って移動する粒
子の運動量が、経路がガス・チャネル１４５の第３部分１８５において方向を変える（そ
して、負のｙ−軸方向に沿って進む）ときに、これらの粒子を第２の壁１９０の第２表面
１９２に衝突させる。実施形態によっては、壁１９０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１９０上に
蓄積させる。実施形態によっては、角度θ２は約４５から１３５度の間である場合もある
。実施形態によっては、粒子捕獲器は、本体構造１５０の入口１３５と出口１５５との間
に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約１００milliT
orr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源１１０によって発生された活性化ガス
の活動を弱め、このためプラズマ発生システムの有効性および有用性を低下させる可能性
がある。
チャネル１４５の第２部分１７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁１
９０の第２表面１９２に対して第２の角度Φ２（例えば、この実施形態では約９０度）で
第２の壁１９０に衝突する。ガス・チャネル１４５の第２部分１７５に沿って移動する粒
子の運動量が、経路がガス・チャネル１４５の第３部分１８５において方向を変える（そ
して、負のｙ−軸方向に沿って進む）ときに、これらの粒子を第２の壁１９０の第２表面
１９２に衝突させる。実施形態によっては、壁１９０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１９０上に
蓄積させる。実施形態によっては、角度θ２は約４５から１３５度の間である場合もある
。実施形態によっては、粒子捕獲器は、本体構造１５０の入口１３５と出口１５５との間
に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約１００milliT
orr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源１１０によって発生された活性化ガス
の活動を弱め、このためプラズマ発生システムの有効性および有用性を低下させる可能性
がある。
[0038] 冷却部材１９５が、第２の壁１９０に隣接するガス・チャネル１４５と熱連通
している。この実施形態では、冷却部材１９５は、本体構造１５０の壁の中にある冷却板
である。実施形態によっては、粒子捕獲器１４０が複数の冷却部材を含む場合もある。実
施形態によっては、冷却部材１９５が流体（例えば、水）によって冷却される場合もある
。冷却部材１９５は、第２の壁１９０の第２表面１９２を冷却する。実施形態によっては
、第２の壁１９０の第２表面１９２を約２５〜３０゜Ｃに冷却する場合もある。入口１３
５を通って粒子捕獲器１４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源１２０において熱的に活性
化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１４０に入るガスが約２０００゜Ｃにな
る場合もある。熱的に活性化された粒子と第２の壁１９０の第２表面１９２との間におけ
る温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０
００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒
素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大き
な温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、
伝熱力(thermophoretic force)と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。第２の
壁１９０の第２表面１９２が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝
熱力が、第２の壁１９０の冷たい方の第２表面１９２に向けて粒子を押し出すように作用
する。第２の壁１９０の第２表面１９２と衝突した粒子は、経路方向の変化、第２の壁１
９０の材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特
性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用(combination)のために、蓄積す
る。
している。この実施形態では、冷却部材１９５は、本体構造１５０の壁の中にある冷却板
である。実施形態によっては、粒子捕獲器１４０が複数の冷却部材を含む場合もある。実
施形態によっては、冷却部材１９５が流体（例えば、水）によって冷却される場合もある
。冷却部材１９５は、第２の壁１９０の第２表面１９２を冷却する。実施形態によっては
、第２の壁１９０の第２表面１９２を約２５〜３０゜Ｃに冷却する場合もある。入口１３
５を通って粒子捕獲器１４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源１２０において熱的に活性
化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１４０に入るガスが約２０００゜Ｃにな
る場合もある。熱的に活性化された粒子と第２の壁１９０の第２表面１９２との間におけ
る温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０
００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒
素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大き
な温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、
伝熱力(thermophoretic force)と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。第２の
壁１９０の第２表面１９２が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝
熱力が、第２の壁１９０の冷たい方の第２表面１９２に向けて粒子を押し出すように作用
する。第２の壁１９０の第２表面１９２と衝突した粒子は、経路方向の変化、第２の壁１
９０の材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特
性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用(combination)のために、蓄積す
る。
[0039] 障害物１８７は、障害物１８７の壁１７０の表面１８０と熱連通する冷却部材
を含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷媒チャネルを含み、障害物１８
７の壁１７０の表面１８０を冷却する流体を受ける場合もある。実施形態によっては、粒
子捕獲器が複数の障害物１８７を含む場合もある。
を含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷媒チャネルを含み、障害物１８
７の壁１７０の表面１８０を冷却する流体を受ける場合もある。実施形態によっては、粒
子捕獲器が複数の障害物１８７を含む場合もある。
[0040] 活性化ガスが粒子捕獲器１４０を通過するように誘導された後、活性化ガスは
プロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁１７０および１９０の表面１８０およ
び１９２にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒子
捕獲器１４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁１７０および１９０の表面１８０およ
び１９２にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒子
捕獲器１４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0041] 実施形態によっては、本発明の原理を組み込んだ特徴が、プラズマ源１１０に
（またはその一部として）設けられる場合がある。実施形態によっては、プラズマ源１１
０が、粒子捕獲器１４０の種々の特徴に対応するように構成されている場合もある。例え
ば、ガス・チャネル１４５ならびに壁１７０および１９０をプラズマ源１１０に組み込む
ことができ、動作の間、壁１７０および１９０が、本明細書において既に述べたように、
粒子を蓄積することができる。実施形態によっては、冷却部材１９５を一部（例えば、プ
ラズマ源１１０のチェンバ１２０の出口の壁の一部）に組み込んで、活性化ガスとチェン
バの一部との間に温度勾配を発生させて、活性化ガスの中にある粒子をチェンバの冷却さ
れた部分に向かって移動させてここに吸着させる場合もある。
（またはその一部として）設けられる場合がある。実施形態によっては、プラズマ源１１
０が、粒子捕獲器１４０の種々の特徴に対応するように構成されている場合もある。例え
ば、ガス・チャネル１４５ならびに壁１７０および１９０をプラズマ源１１０に組み込む
ことができ、動作の間、壁１７０および１９０が、本明細書において既に述べたように、
粒子を蓄積することができる。実施形態によっては、冷却部材１９５を一部（例えば、プ
ラズマ源１１０のチェンバ１２０の出口の壁の一部）に組み込んで、活性化ガスとチェン
バの一部との間に温度勾配を発生させて、活性化ガスの中にある粒子をチェンバの冷却さ
れた部分に向かって移動させてここに吸着させる場合もある。
[0042] 図２は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生シ
ステム１００の模式断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス
・チェンバ１３０、および粒子捕獲器１４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５
は、粒子捕獲器１４０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５
が直接入口１３５に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管また
は他の適した構造によって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもあ
る。活性化ガスは、プラズマ源１１０の出口１２５から出て、粒子捕獲器１４０の入口１
３５に入るように誘導される。
ステム１００の模式断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス
・チェンバ１３０、および粒子捕獲器１４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５
は、粒子捕獲器１４０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５
が直接入口１３５に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管また
は他の適した構造によって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもあ
る。活性化ガスは、プラズマ源１１０の出口１２５から出て、粒子捕獲器１４０の入口１
３５に入るように誘導される。
[0043] ガス・チャネル１４５が、粒子捕獲器１４０の本体構造１５０の中に形成され
ている。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０の入口１３５および出口１５５と流体
連通している。本体構造１５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０
に結合されている場合もある。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結合
されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造に
よって、出口１５５が間接的に入口１６０に結合されている場合もある。ガス・チャネル
１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル１４５の第１
部分１６５から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２部分
１７５を定める障害物１８７の壁１７０に衝突させる。壁１７０は、ガス・チャネル１４
５の第２部分１７５を、壁１７０の表面１８０に対して角度Φ１（例えば、この実施形態
では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル１４５の第１部分１６５に沿って
（負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル１４
５の第２部分１７５において方向を変える（次いで、概略的に正および負のｘ−軸方向に
沿って進む）ときに、粒子を壁１７０の表面１８０に衝突させる。実施形態によっては、
壁１７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化ア
ルミニウム）で作られ、粒子を壁１７０の表面１８０に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ１は約４５から１３５度の間である。
ている。ガス・チャネル１４５は、本体構造１５０の入口１３５および出口１５５と流体
連通している。本体構造１５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０
に結合されている場合もある。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結合
されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造に
よって、出口１５５が間接的に入口１６０に結合されている場合もある。ガス・チャネル
１４５は、本体構造１５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル１４５の第１
部分１６５から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル１４５の第２部分
１７５を定める障害物１８７の壁１７０に衝突させる。壁１７０は、ガス・チャネル１４
５の第２部分１７５を、壁１７０の表面１８０に対して角度Φ１（例えば、この実施形態
では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル１４５の第１部分１６５に沿って
（負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル１４
５の第２部分１７５において方向を変える（次いで、概略的に正および負のｘ−軸方向に
沿って進む）ときに、粒子を壁１７０の表面１８０に衝突させる。実施形態によっては、
壁１７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化ア
ルミニウム）で作られ、粒子を壁１７０の表面１８０に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ１は約４５から１３５度の間である。
[0044] この実施形態では、ガス・チャネル１４５は第３部分１８５を有する。ガス・
チャネル１４５の第２部分１７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁１
９０の第２表面１９２に対して第２の角度Φ２（例えば、この実施形態では約９０度）で
第２の壁１９０に衝突する。ガス・チャネル１４５の第２部分１７５に沿って移動する粒
子の運動量が、経路がガス・チャネル１４５の第３部分１８５において方向を変える（そ
して、負のｙ−軸方向に沿って進む）ときに、これらの粒子を第２の壁１９０の第２表面
１９２に衝突させる。実施形態によっては、壁１９０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１９０に蓄
積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ２は約４５から１３５度の間である。
チャネル１４５の第２部分１７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁１
９０の第２表面１９２に対して第２の角度Φ２（例えば、この実施形態では約９０度）で
第２の壁１９０に衝突する。ガス・チャネル１４５の第２部分１７５に沿って移動する粒
子の運動量が、経路がガス・チャネル１４５の第３部分１８５において方向を変える（そ
して、負のｙ−軸方向に沿って進む）ときに、これらの粒子を第２の壁１９０の第２表面
１９２に衝突させる。実施形態によっては、壁１９０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁１９０に蓄
積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ２は約４５から１３５度の間である。
[0045] 活性化ガスが粒子捕獲器１４０を通過するように誘導された後、活性化ガス
はプロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁１７０および１９０の表面１８０お
よび１９２にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒
子捕獲器１４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
はプロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁１７０および１９０の表面１８０お
よび１９２にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒
子捕獲器１４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0046] 図３は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生シ
ステム１００の模式断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス
・チェンバ１３０、および粒子捕獲器３４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５
は、粒子捕獲器３４０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５
が直接入口１３５に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管また
は他の適した構造によって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもあ
る。活性化ガスは、プラズマ源１１０の出口１２５から出て、粒子捕獲器３４０の入口１
３５に入るように誘導される。
ステム１００の模式断面図である。システム１００は、遠隔プラズマ源１１０、プロセス
・チェンバ１３０、および粒子捕獲器３４０を含む。遠隔プラズマ源１１０の出口１２５
は、粒子捕獲器３４０の入口１３５に結合されている。実施形態によっては、出口１２５
が直接入口１３５に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管また
は他の適した構造によって、出口１２５が間接的に入口１３５に結合されていることもあ
る。活性化ガスは、プラズマ源１１０の出口１２５から出て、粒子捕獲器３４０の入口１
３５に入るように誘導される。
[0047] ガス・チャネル３４５が、粒子捕獲器３４０の本体構造３５０の中に形成され
ている。ガス・チャネル３４５は、本体構造３５０の入口１３５および出口１５５と流体
連通している。本体構造３５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０
に結合されている。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結合されている
場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出
口１５５が間接的に入口１６０に結合されている場合もある。実施形態によっては、粒子
捕獲器が、本体構造１５０の入口１３５と出口１５５との間に圧力降下が生ずるように構
成されている場合もある。この圧力降下は、約１００milliTorr未満である。高い圧力降
下は、遠隔プラズマ源１１０によって発生された活性化ガスの活動を弱める可能性がある
。
ている。ガス・チャネル３４５は、本体構造３５０の入口１３５および出口１５５と流体
連通している。本体構造３５０の出口１５５は、プロセス・チェンバ１３０の入口１６０
に結合されている。実施形態によっては、出口１５５が入口１６０に直接結合されている
場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出
口１５５が間接的に入口１６０に結合されている場合もある。実施形態によっては、粒子
捕獲器が、本体構造１５０の入口１３５と出口１５５との間に圧力降下が生ずるように構
成されている場合もある。この圧力降下は、約１００milliTorr未満である。高い圧力降
下は、遠隔プラズマ源１１０によって発生された活性化ガスの活動を弱める可能性がある
。
[0048] 冷却部材３９０が、壁３７０に隣接するガス・チャネル３４５と熱連通してい
る。この実施形態では、冷却部材３９０は、壁３７０の表面３８０を含む、壁３７０の少
なくとも一部を冷却する。実施形態によっては、の壁３７０の表面３８０を約２５〜３０
゜Ｃに冷却する場合もある。冷却部材３９０は、複数の冷却チャネル３９５を有する。冷
媒（例えば、水）がチャネルを通過して流れ、冷却部材３９０および壁３７０を冷却する
。入口１３５を通って粒子捕獲器３４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源１２０において
熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器３４０に入るガスが約２００
０゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁３７０の表面３８０との間におけ
る温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０
００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒
素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大き
な温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、
伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁３７０の表面３８０が低温で
あるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁３７０の冷たい方の表面
３８０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁３７０が高い付
着特性を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作
ることができ、粒子を壁３７０の表面３８０上に蓄積させる場合もある。
る。この実施形態では、冷却部材３９０は、壁３７０の表面３８０を含む、壁３７０の少
なくとも一部を冷却する。実施形態によっては、の壁３７０の表面３８０を約２５〜３０
゜Ｃに冷却する場合もある。冷却部材３９０は、複数の冷却チャネル３９５を有する。冷
媒（例えば、水）がチャネルを通過して流れ、冷却部材３９０および壁３７０を冷却する
。入口１３５を通って粒子捕獲器３４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源１２０において
熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器３４０に入るガスが約２００
０゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁３７０の表面３８０との間におけ
る温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０
００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒
素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大き
な温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、
伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁３７０の表面３８０が低温で
あるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁３７０の冷たい方の表面
３８０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁３７０が高い付
着特性を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作
ることができ、粒子を壁３７０の表面３８０上に蓄積させる場合もある。
[0049] 活性化ガスが粒子捕獲器３４０を通過するように誘導された後、活性化ガスは
プロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁３９０の表面３８０に蓄積するので、
プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒子捕獲器３４０に入る活性化ガスより
も粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバ１３０に誘導される。粒子は壁３９０の表面３８０に蓄積するので、
プロセス・チェンバ１３０に入る活性化ガスは、粒子捕獲器３４０に入る活性化ガスより
も粒子が少なくなる。
[0050] 図４は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器４４０の模式断面図で
ある。粒子捕獲器４４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器４４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器４４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。実施形態によっては、本体構造１５０を
遠隔プラズマ源（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０）のチェンバ
（例えば、図１、図２、または図３のチェンバ１２０）に配置する場合もある。
ある。粒子捕獲器４４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器４４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器４４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。実施形態によっては、本体構造１５０を
遠隔プラズマ源（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０）のチェンバ
（例えば、図１、図２、または図３のチェンバ１２０）に配置する場合もある。
[0051] ガス・チャネル４４５が、粒子捕獲器４４０の本体構造４５０の中に形成され
、入口１３５および出口１５５と流体連通している。ガス・チャネル４４５は、当該ガス
・チャネル４４５の第１部分４６５から通過するガスの中にある粒子を、壁４７０の表面
４８０に対して角度Φ４（この実施形態では、約１３５度）をなすようにガス・チャネル
４４５の第２部分４７５を定める壁４７０に衝突させる。ガス・チャネル４４５の第１部
分４６５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル４４５の第２部
分４７５において方向を変えるときに、粒子を壁４７０の表面４８０に衝突させる。実施
形態によっては、壁４７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウ
ム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁４７０に蓄積させる場合もある。実施
形態によっては、第１部分４６５がガス・チャネル４４５の第２部分４７５に対して実質
的に直角となることもある（例えば、Φ４が実質的に９０度に等しい）。実施形態によっ
ては、角度θ４は約４５から１３５度の間である。
、入口１３５および出口１５５と流体連通している。ガス・チャネル４４５は、当該ガス
・チャネル４４５の第１部分４６５から通過するガスの中にある粒子を、壁４７０の表面
４８０に対して角度Φ４（この実施形態では、約１３５度）をなすようにガス・チャネル
４４５の第２部分４７５を定める壁４７０に衝突させる。ガス・チャネル４４５の第１部
分４６５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル４４５の第２部
分４７５において方向を変えるときに、粒子を壁４７０の表面４８０に衝突させる。実施
形態によっては、壁４７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウ
ム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁４７０に蓄積させる場合もある。実施
形態によっては、第１部分４６５がガス・チャネル４４５の第２部分４７５に対して実質
的に直角となることもある（例えば、Φ４が実質的に９０度に等しい）。実施形態によっ
ては、角度θ４は約４５から１３５度の間である。
[0052] オプションの冷媒チャネル４９５ａおよび４９５ｂ（纏めて、冷却部材４９５
）が、本発明の代替実施形態に含まれている。冷却部材４９５は、ガス・チャネル４４５
と熱連通している。冷媒チャネル４９５ａは、本体構造４５０の中に形成されており、ガ
ス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４７０の表面４８０を含む、壁４７０の少な
くとも一部を冷却する流体（例えば、水）を受ける。実施形態によっては、壁４７０の表
面４８０を約２５〜３０゜Ｃに冷却することもある。粒子捕獲器３４０に入った粒子は、
遠隔プラズマ源において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１４
０に入るガスが約２０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁４７０の
表面４８０との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度
勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガ
ス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば
、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有する。この局所的温度勾配は、力を、熱的に活性
化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用す
る。壁４７０の表面４８０が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝
熱力が、壁４７０の冷たい方の表面４８０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施
形態によっては、壁３７０が高い付着特性を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウ
ム、または酸化アルミニウム）で作ることができ、粒子を壁３７０の表面３８０上に蓄積
させる場合もある。壁４７０の表面４８０と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁４９０
の材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特性、
および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
）が、本発明の代替実施形態に含まれている。冷却部材４９５は、ガス・チャネル４４５
と熱連通している。冷媒チャネル４９５ａは、本体構造４５０の中に形成されており、ガ
ス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４７０の表面４８０を含む、壁４７０の少な
くとも一部を冷却する流体（例えば、水）を受ける。実施形態によっては、壁４７０の表
面４８０を約２５〜３０゜Ｃに冷却することもある。粒子捕獲器３４０に入った粒子は、
遠隔プラズマ源において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１４
０に入るガスが約２０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁４７０の
表面４８０との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度
勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガ
ス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば
、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有する。この局所的温度勾配は、力を、熱的に活性
化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用す
る。壁４７０の表面４８０が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝
熱力が、壁４７０の冷たい方の表面４８０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施
形態によっては、壁３７０が高い付着特性を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウ
ム、または酸化アルミニウム）で作ることができ、粒子を壁３７０の表面３８０上に蓄積
させる場合もある。壁４７０の表面４８０と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁４９０
の材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特性、
および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
[0053] 実施形態によっては、冷媒チャネル４９５ａが粒子捕獲器４４０の外側に配置
されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル４９５ａは、本体構造４５
０を通じて、ガス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４７０の表面４８０を含む、
壁４７０の少なくとも一部を間接的に冷却する。一実施形態では、冷媒チャネル４９５ａ
は粒子捕獲器４４０の外部にあり、熱伝導性接着剤によって粒子捕獲器の壁に結合されて
いる。実施形態によっては、冷媒チャネル４９５ａが、図４に示した冷媒チャネルに対し
て対角線方向に配置され、冷媒チャネル４９５ａの経路が、壁４７０の表面４８０に隣接
するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある
。
されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル４９５ａは、本体構造４５
０を通じて、ガス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４７０の表面４８０を含む、
壁４７０の少なくとも一部を間接的に冷却する。一実施形態では、冷媒チャネル４９５ａ
は粒子捕獲器４４０の外部にあり、熱伝導性接着剤によって粒子捕獲器の壁に結合されて
いる。実施形態によっては、冷媒チャネル４９５ａが、図４に示した冷媒チャネルに対し
て対角線方向に配置され、冷媒チャネル４９５ａの経路が、壁４７０の表面４８０に隣接
するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある
。
[0054] 冷媒チャネル４９５ｂは、本体構造４５０の中に形成され、内壁４９０の少な
くとも一部を冷却する流体を受ける。熱的に活性化された粒子と内壁４９０との間におけ
る温度差のために、第２の局所的温度勾配が生ずる。この第２の局所的温度勾配によって
、壁４７０に付着されなかった熱活性化粒子を、第２の温度勾配に付随する伝熱力によっ
て、壁４９０の低温箇所に付着させる。実施形態によっては、冷媒チャネル４９５ｂが粒
子捕獲器４４０の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネ
ル４９５ａは、本体構造４５０を通じてガス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４
９０の表面４９２を含む、壁４９０の少なくとも一部を間接的に冷却する。実施形態によ
っては、冷媒チャネル４９５ｂが図４に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置さ
れ、冷媒チャネル４９５ａの経路が、壁４９０の表面４９２に隣接するガス・チャネルの
経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
くとも一部を冷却する流体を受ける。熱的に活性化された粒子と内壁４９０との間におけ
る温度差のために、第２の局所的温度勾配が生ずる。この第２の局所的温度勾配によって
、壁４７０に付着されなかった熱活性化粒子を、第２の温度勾配に付随する伝熱力によっ
て、壁４９０の低温箇所に付着させる。実施形態によっては、冷媒チャネル４９５ｂが粒
子捕獲器４４０の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネ
ル４９５ａは、本体構造４５０を通じてガス・チャネル４４５の第２部分４７５の、壁４
９０の表面４９２を含む、壁４９０の少なくとも一部を間接的に冷却する。実施形態によ
っては、冷媒チャネル４９５ｂが図４に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置さ
れ、冷媒チャネル４９５ａの経路が、壁４９０の表面４９２に隣接するガス・チャネルの
経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
[0055] 活性化ガスが粒子捕獲器４４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁４７０および４９０の表面４８０
および４９０にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕
獲器４４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁４７０および４９０の表面４８０
および４９０にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕
獲器４４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0056] 図５Ａおよび図５Ｂは、粒子捕獲器５４０の異なる例示的な実施形態の模式断
面図である。粒子捕獲器５４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または
図３のプラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器５４０は
、遠隔プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出
口１２５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器５４０は、プロセス
・チェンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口
１６０）に結合することができる出口１５５を有する。ガス・チャネル５４５が、粒子捕
獲器５４０の本体構造５５０の中に形成され、入口１３５および出口１５５と流体連通し
ている。
面図である。粒子捕獲器５４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または
図３のプラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器５４０は
、遠隔プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出
口１２５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器５４０は、プロセス
・チェンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口
１６０）に結合することができる出口１５５を有する。ガス・チャネル５４５が、粒子捕
獲器５４０の本体構造５５０の中に形成され、入口１３５および出口１５５と流体連通し
ている。
[0057] 図５Ａを参照すると、ガス・チャネル５４５ａは、本体構造５５０を通過する
経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル５４５ａの第１部分５６５ａ（例えば、
負のｙ軸に沿って）から通過するガスの中にある粒子を、壁５７０ａに衝突させる。壁５
７０ａは、壁５７０ａの表面５８０ａに対して局部角度Φ５ａ（この実施形態では、約１
３５度）をなすガス・チャネル５４５ａの第２部分５７５ａを定める。この実施形態では
、第１部分５６５ａおよび第２部分５７５ａが、チャネル５４５ａの経路の湾曲部分を形
成する。ガス・チャネル５４５ａの第１部分５６５ａに沿って移動する粒子の運動量のた
めに、経路がガス・チャネル５４５ａの第２部分５７５ａにおいて方向を変えるときに、
粒子を壁５７０ａの表面５８０ａに衝突させる。実施形態によっては、壁５７０ａは高い
付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で
作られ、粒子を壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積させる場合もある。実施形態によっては
、角度Φ５ａは約４５から１３５度の間である。
経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル５４５ａの第１部分５６５ａ（例えば、
負のｙ軸に沿って）から通過するガスの中にある粒子を、壁５７０ａに衝突させる。壁５
７０ａは、壁５７０ａの表面５８０ａに対して局部角度Φ５ａ（この実施形態では、約１
３５度）をなすガス・チャネル５４５ａの第２部分５７５ａを定める。この実施形態では
、第１部分５６５ａおよび第２部分５７５ａが、チャネル５４５ａの経路の湾曲部分を形
成する。ガス・チャネル５４５ａの第１部分５６５ａに沿って移動する粒子の運動量のた
めに、経路がガス・チャネル５４５ａの第２部分５７５ａにおいて方向を変えるときに、
粒子を壁５７０ａの表面５８０ａに衝突させる。実施形態によっては、壁５７０ａは高い
付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で
作られ、粒子を壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積させる場合もある。実施形態によっては
、角度Φ５ａは約４５から１３５度の間である。
[0058] 活性化ガスが粒子捕獲器５４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積す
るので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器５４０に入る活性化ガスよ
りも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積す
るので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器５４０に入る活性化ガスよ
りも粒子が少なくなる。
[0059] 図５Ｂを参照すると、ガス・チャネル５４５ｂは、本体構造５５０を通過する
経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル５４５ｂの第１部分５６５ｂ（例えば、
負のｙ軸に沿って）から通過するガスの中にある粒子を、壁５７０ｂの表面５８０ｂに衝
突させる。壁５７０ｂは、壁５７０ｂの表面５８０ｂに対して角度Φ５ｂをなすガス・チ
ャネル５４５ｂの第２部分５７５ｂを定める。この実施形態では、ガス・チャネル５４５
ｂの第１部分５６５ｂは、第２部分５７５ｂに対して実質的に直角となる（例えば、Φ５
ｂは実質的に９０度に等しい）。ガス・チャネル５４５ｂの第１部分５６５ｂに沿って移
動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル５４５ｂの第２部分５７５ｂにおい
て方向を変えるときに、粒子を壁５７０ｂの表面５８０ｂに衝突させる。実施形態によっ
ては、壁５７０ｂは高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、また
は酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁５７０ｂの表面５８０ｂに蓄積させる場合もあ
る。
経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル５４５ｂの第１部分５６５ｂ（例えば、
負のｙ軸に沿って）から通過するガスの中にある粒子を、壁５７０ｂの表面５８０ｂに衝
突させる。壁５７０ｂは、壁５７０ｂの表面５８０ｂに対して角度Φ５ｂをなすガス・チ
ャネル５４５ｂの第２部分５７５ｂを定める。この実施形態では、ガス・チャネル５４５
ｂの第１部分５６５ｂは、第２部分５７５ｂに対して実質的に直角となる（例えば、Φ５
ｂは実質的に９０度に等しい）。ガス・チャネル５４５ｂの第１部分５６５ｂに沿って移
動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル５４５ｂの第２部分５７５ｂにおい
て方向を変えるときに、粒子を壁５７０ｂの表面５８０ｂに衝突させる。実施形態によっ
ては、壁５７０ｂは高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、また
は酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁５７０ｂの表面５８０ｂに蓄積させる場合もあ
る。
[0060] 活性化ガスが粒子捕獲器５４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積す
るので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器５４０に入る活性化ガスよ
りも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁５７０ａの表面５８０ａに蓄積す
るので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器５４０に入る活性化ガスよ
りも粒子が少なくなる。
[0061] 図６は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器６４０の模式断面図で
ある。粒子捕獲器６４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器６４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器６４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。ガス・チャネル６４５が、粒子捕獲器６
４０の本体構造６５０の中に形成され、入口１３５および出口１５５と流体連通している
。ガス・チャネル６４５は、本体構造６５０を通過する経路を定め、当該ガス・チャネル
６４５の第１部分６６５から通過するガスの中にある粒子を、壁６７０の第２表面６８０
に対して角度Φ６（この実施形態では、約１３５度）をなすようにガス・チャネル６４５
の第２部分６７５を定める壁６７０に衝突させる。ガス・チャネル６４５の第１部分６６
５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル６４５の第２部分６７
５において方向を変えるときに、粒子を第２の壁６７０の第２表面６８０に衝突させる。
ある。粒子捕獲器６４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器６４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器６４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。ガス・チャネル６４５が、粒子捕獲器６
４０の本体構造６５０の中に形成され、入口１３５および出口１５５と流体連通している
。ガス・チャネル６４５は、本体構造６５０を通過する経路を定め、当該ガス・チャネル
６４５の第１部分６６５から通過するガスの中にある粒子を、壁６７０の第２表面６８０
に対して角度Φ６（この実施形態では、約１３５度）をなすようにガス・チャネル６４５
の第２部分６７５を定める壁６７０に衝突させる。ガス・チャネル６４５の第１部分６６
５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル６４５の第２部分６７
５において方向を変えるときに、粒子を第２の壁６７０の第２表面６８０に衝突させる。
[0062] この実施形態では、第１の壁６１０の第１表面６１５が不規則となっており、
第１の壁６１０の第１表面６１５上に複数の窪み６２０が設けられている。ガス・チャネ
ル６４５の第１区間６６５に沿って移動する粒子は、窪み６２０を含む第１の壁６１０の
第１表面６１５に衝突する。ガス・チャネル６４５の第１部分６６５に沿って移動するガ
スの中にある粒子は、窪み６２０によって捕獲される。実施形態によっては、第１の壁６
１０が高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミ
ニウム）で作られ、第１の壁６１０の第１表面６１５上への粒子の蓄積を更に促進する場
合もある。
第１の壁６１０の第１表面６１５上に複数の窪み６２０が設けられている。ガス・チャネ
ル６４５の第１区間６６５に沿って移動する粒子は、窪み６２０を含む第１の壁６１０の
第１表面６１５に衝突する。ガス・チャネル６４５の第１部分６６５に沿って移動するガ
スの中にある粒子は、窪み６２０によって捕獲される。実施形態によっては、第１の壁６
１０が高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミ
ニウム）で作られ、第１の壁６１０の第１表面６１５上への粒子の蓄積を更に促進する場
合もある。
[0063] 第２の壁６７０の第２表面６８０は不規則となっており、第２の壁６７０の第
２表面６８０上に複数の窪み６８５が設けられている。ガス・チャネル６４５の第１区間
６６５に沿って移動する粒子は、第２の壁６７０の第２表面６８０に沿った分布で第２の
壁６７０の第２表面６８０に衝突する。ガス・チャネル６４５の第２部分６７５に沿って
移動する粒子は、窪み６８５を含む第２の壁６７０の第２表面６８０に衝突する。ガス・
チャネル６４５の第２部分６７５に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み６８５に
よって捕獲され、システムにおける機械的振動によって粒子が移動させられるのを防止す
る。実施形態によっては、壁６７０または６７０のそれぞれの表面６１５または６８０の
少なくとも１つが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。実施形態によっては、
壁６１０または６７０の内一方のみが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。表
面に模様を付けることによって、粒子が表面６１５または６８０に付着する可能性が高く
なる。何故なら、模様がある表面は局部的にポケットまたは窪みを有し、その中に粒子を
捕獲することができるからである。
２表面６８０上に複数の窪み６８５が設けられている。ガス・チャネル６４５の第１区間
６６５に沿って移動する粒子は、第２の壁６７０の第２表面６８０に沿った分布で第２の
壁６７０の第２表面６８０に衝突する。ガス・チャネル６４５の第２部分６７５に沿って
移動する粒子は、窪み６８５を含む第２の壁６７０の第２表面６８０に衝突する。ガス・
チャネル６４５の第２部分６７５に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み６８５に
よって捕獲され、システムにおける機械的振動によって粒子が移動させられるのを防止す
る。実施形態によっては、壁６７０または６７０のそれぞれの表面６１５または６８０の
少なくとも１つが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。実施形態によっては、
壁６１０または６７０の内一方のみが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。表
面に模様を付けることによって、粒子が表面６１５または６８０に付着する可能性が高く
なる。何故なら、模様がある表面は局部的にポケットまたは窪みを有し、その中に粒子を
捕獲することができるからである。
[0064] 実施形態によっては、壁６７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオー
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁４７０に蓄積させる場
合もある。実施形態によっては、第１部分６６５が、ガス・チャネル６４５の第２部分６
７５に対して実質的に直角になっている（例えば、θ６は約９０度）場合もある。実施形
態によっては、Φ６が約４５〜１３５度の間である場合もある。
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁４７０に蓄積させる場
合もある。実施形態によっては、第１部分６６５が、ガス・チャネル６４５の第２部分６
７５に対して実質的に直角になっている（例えば、θ６は約９０度）場合もある。実施形
態によっては、Φ６が約４５〜１３５度の間である場合もある。
[0065] 活性化ガスが粒子捕獲器６４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁６１０または６７０それぞれの表
面６１５または６８０に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕
獲器６４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁６１０または６７０それぞれの表
面６１５または６８０に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕
獲器６４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0066] 図７は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器７４０の模式断面図で
ある。粒子捕獲器７４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器７４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器７４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
ある。粒子捕獲器７４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器７４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器７４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
[0067] ガス・チャネル７４５が、粒子捕獲器７４０の本体構造７５０の中に作られて
おり、入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造７５０の内壁７０５ａ
から外壁７０５ｂにわたり、障害物７８７が位置している。障害物７８７と外壁７０５ａ
および内壁７０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル１４５を定める。ガス・チャネル
７４５は、本体構造７５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル７４５の第１
部分７６５から（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）流れてくるガスの中にある粒子を、
ガス・チャネル７４５の第２部分７７５を定める障害物７８７の壁７７０に衝突させる。
壁７７０は、ガス・チャネル７４５の第２部分７７５を、壁７７０の表面７８０に対して
角度Φ７ａ（例えば、この実施形態では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネ
ル７４５の第１部分７６５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネ
ル７４５の第２部分７７５において方向を変えるときに、粒子を壁７７０の表面７８０に
衝突させる。第２部分に沿って（例えば、正および負のｘ−軸方向に沿って）移動する粒
子は、壁７７０にある窪み７３５の表面７３０に衝突する。窪み７３５は、ガス・チャネ
ル７４５の第２部分７７５に沿って流れるガスから粒子を捕獲して、これらの粒子を窪み
７３５の表面７３０に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するの
を防止する役割を果たす。実施形態によっては、壁７７０は高い付着係数を有する材料（
例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁７７０
の表面７８０または壁７７０の窪み７３５の表面７３０に蓄積させる。実施形態によって
は、角度θ７ａは約４５から１３５度の間である。
おり、入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造７５０の内壁７０５ａ
から外壁７０５ｂにわたり、障害物７８７が位置している。障害物７８７と外壁７０５ａ
および内壁７０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル１４５を定める。ガス・チャネル
７４５は、本体構造７５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル７４５の第１
部分７６５から（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）流れてくるガスの中にある粒子を、
ガス・チャネル７４５の第２部分７７５を定める障害物７８７の壁７７０に衝突させる。
壁７７０は、ガス・チャネル７４５の第２部分７７５を、壁７７０の表面７８０に対して
角度Φ７ａ（例えば、この実施形態では、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネ
ル７４５の第１部分７６５に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネ
ル７４５の第２部分７７５において方向を変えるときに、粒子を壁７７０の表面７８０に
衝突させる。第２部分に沿って（例えば、正および負のｘ−軸方向に沿って）移動する粒
子は、壁７７０にある窪み７３５の表面７３０に衝突する。窪み７３５は、ガス・チャネ
ル７４５の第２部分７７５に沿って流れるガスから粒子を捕獲して、これらの粒子を窪み
７３５の表面７３０に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するの
を防止する役割を果たす。実施形態によっては、壁７７０は高い付着係数を有する材料（
例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁７７０
の表面７８０または壁７７０の窪み７３５の表面７３０に蓄積させる。実施形態によって
は、角度θ７ａは約４５から１３５度の間である。
[0068] 実施形態によっては、障害物７８７が窪み（例えば、窪み７８５）を含む場合
もある。障害物７８７は、この障害物７８７の壁７７０の表面７８０と熱連する冷却部材
を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物７８７の壁７７０の
表面７８０を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては
、粒子捕獲器が複数の障害物７８７を含む場合もある。
もある。障害物７８７は、この障害物７８７の壁７７０の表面７８０と熱連する冷却部材
を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物７８７の壁７７０の
表面７８０を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては
、粒子捕獲器が複数の障害物７８７を含む場合もある。
[0069] 更に図７を参照すると、ガス・チャネル７４５は第３部分７８５を有する。ガ
ス・チャネル７４５の第２部分７７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の
壁７９０の第２表面７９２に対して第２の角度Φ７ｂ（例えば、この実施形態では約９０
度）で第２の壁７９０に衝突する。ガス・チャネル７４５の第２部分７７５に沿って移動
する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル７４５の第３部分７８５において方向を変え
るときに、これらの粒子を第２の壁７９０の第２表面７９２に衝突させる。実施形態によ
っては、壁７９０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、また
は酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁７９０上に蓄積させる場合もある。実施形態に
よっては、角度θ７ｂは約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によっては
、第２の壁７９０が窪みを含む場合もある。
ス・チャネル７４５の第２部分７７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の
壁７９０の第２表面７９２に対して第２の角度Φ７ｂ（例えば、この実施形態では約９０
度）で第２の壁７９０に衝突する。ガス・チャネル７４５の第２部分７７５に沿って移動
する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル７４５の第３部分７８５において方向を変え
るときに、これらの粒子を第２の壁７９０の第２表面７９２に衝突させる。実施形態によ
っては、壁７９０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、また
は酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁７９０上に蓄積させる場合もある。実施形態に
よっては、角度θ７ｂは約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によっては
、第２の壁７９０が窪みを含む場合もある。
[0070] オプションの冷媒チャネル７９５が、第２の壁７９０に隣接するガス・チャネ
ル７４５と熱連通している。冷媒チャネル７９５は、本体構造７５０を通じて、第２の壁
７９０の第２表面７９２を間接的に冷却する。実施形態によっては、壁７７０の表面７９
２を約２５〜３０゜Ｃに冷却することもある。粒子捕獲器７４０に入った粒子は、遠隔プ
ラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲
器７４０に入るガスが約２０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁７
７０との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の
大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（
例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アル
ゴン）よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒
子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁７９
０の表面７９２が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁
７９０の冷たい方の表面７９２に向けて粒子を押し出すように作用する。第２の壁７９０
の第２表面７９２と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁７９０の材料（例えば、クオー
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特性、および局所的温度勾配に
付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
ル７４５と熱連通している。冷媒チャネル７９５は、本体構造７５０を通じて、第２の壁
７９０の第２表面７９２を間接的に冷却する。実施形態によっては、壁７７０の表面７９
２を約２５〜３０゜Ｃに冷却することもある。粒子捕獲器７４０に入った粒子は、遠隔プ
ラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲
器７４０に入るガスが約２０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁７
７０との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の
大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（
例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アル
ゴン）よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒
子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁７９
０の表面７９２が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁
７９０の冷たい方の表面７９２に向けて粒子を押し出すように作用する。第２の壁７９０
の第２表面７９２と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁７９０の材料（例えば、クオー
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）の高い付着特性、および局所的温度勾配に
付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
[0071] 活性化ガスが粒子捕獲器７４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面７８０、７３０、および７９２
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器７４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面７８０、７３０、および７９２
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器７４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0072] 図８は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器８４０の模式断面図で
ある。粒子捕獲器８４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器８４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器７４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
ある。粒子捕獲器８４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器８４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器７４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
[0073] ガス・チャネル８４５が、粒子捕獲器８４０の本体構造８５０の中に作られて
おり、入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造８５０の内壁８０５ａ
から外壁８０５ｂにわたり、障害物８８７が位置している。障害物８８７と外壁８０５ａ
および内壁８０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル８４５を定める。ガス・チャネル
８４５は、本体構造８５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル８４５の第１
部分８６５から通過する（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）ガスの中にある粒子を、障
害物８８７の壁８７０の表面８８０に衝突させる。壁８７０は、ガス・チャネル８４５の
第２部分８７５を、壁８７０の表面８８０に対して角度Φ８ａ（例えば、この実施形態で
は、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル８４５の第１部分８６５に沿って移
動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル８４５の第２部分８７５において方
向を変えるときに、粒子を壁８７０の表面８８０に衝突させる。実施形態によっては、壁
８７０が高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アル
ミニウム）で作られ、粒子を壁８７０の表面８８０上に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ８ａは約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によって
は、第１の壁８７０が少なくとも１つの窪み（例えば、図７の窪み７３５）を含む場合も
ある。
おり、入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造８５０の内壁８０５ａ
から外壁８０５ｂにわたり、障害物８８７が位置している。障害物８８７と外壁８０５ａ
および内壁８０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル８４５を定める。ガス・チャネル
８４５は、本体構造８５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル８４５の第１
部分８６５から通過する（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）ガスの中にある粒子を、障
害物８８７の壁８７０の表面８８０に衝突させる。壁８７０は、ガス・チャネル８４５の
第２部分８７５を、壁８７０の表面８８０に対して角度Φ８ａ（例えば、この実施形態で
は、約９０度）をなすように定める。ガス・チャネル８４５の第１部分８６５に沿って移
動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル８４５の第２部分８７５において方
向を変えるときに、粒子を壁８７０の表面８８０に衝突させる。実施形態によっては、壁
８７０が高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アル
ミニウム）で作られ、粒子を壁８７０の表面８８０上に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ８ａは約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によって
は、第１の壁８７０が少なくとも１つの窪み（例えば、図７の窪み７３５）を含む場合も
ある。
[0074] 更に図８を参照すると、ガス・チャネル８４５は第３部分８８５を有する。ガ
ス・チャネル８４５の第２部分８７５から（例えば、正および負のｘ−軸方向に沿って）
誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁８９０の第２表面８９２に対して第２の
角度Φ８ｂ（例えば、この実施形態では約９０度）で第２の壁８９０の第２表面８９２に
衝突する。ガス・チャネル８４５の第２部分８７５に沿って移動する粒子の運動量が、経
路がガス・チャネル８４５の第３部分８８５において方向を変えるときに、これらの粒子
を第２の壁８９０の第２表面８９２に衝突させる。
ス・チャネル８４５の第２部分８７５から（例えば、正および負のｘ−軸方向に沿って）
誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の壁８９０の第２表面８９２に対して第２の
角度Φ８ｂ（例えば、この実施形態では約９０度）で第２の壁８９０の第２表面８９２に
衝突する。ガス・チャネル８４５の第２部分８７５に沿って移動する粒子の運動量が、経
路がガス・チャネル８４５の第３部分８８５において方向を変えるときに、これらの粒子
を第２の壁８９０の第２表面８９２に衝突させる。
[0075] 実施形態によっては、壁８９０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオー
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁８９０に蓄積させる場
合もある。実施形態によっては、角度θ８ｂが約４５から１３５度の間である場合もある
。実施形態によっては、第２の壁８９０が窪みを含む場合もある。
ツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁８９０に蓄積させる場
合もある。実施形態によっては、角度θ８ｂが約４５から１３５度の間である場合もある
。実施形態によっては、第２の壁８９０が窪みを含む場合もある。
[0076] この実施形態では、第３部分８８５は第３の壁８２０に窪み８３５を含む。第
３部分８８５に沿って（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子は、第３の壁８
２０の窪み８３５に入る。粒子は、第３の壁８２０の第３表面８３０に衝突する。窪み８
３５は、ガス・チャネル８４５の第３部分８８５に沿って流れるガスの中にある粒子を捕
獲し、これらの粒子を窪み８３５の表面に蓄積させ、システムにおける機械的振動によっ
て粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第３の壁８２０は高
い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）
で作られ、第３の壁８２０上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、冷却
部材が第３の壁８２０における窪み８３５と熱連通し、粒子捕獲器８４０の粒子捕獲特性
を向上させる場合もある。
３部分８８５に沿って（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）移動する粒子は、第３の壁８
２０の窪み８３５に入る。粒子は、第３の壁８２０の第３表面８３０に衝突する。窪み８
３５は、ガス・チャネル８４５の第３部分８８５に沿って流れるガスの中にある粒子を捕
獲し、これらの粒子を窪み８３５の表面に蓄積させ、システムにおける機械的振動によっ
て粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第３の壁８２０は高
い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）
で作られ、第３の壁８２０上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、冷却
部材が第３の壁８２０における窪み８３５と熱連通し、粒子捕獲器８４０の粒子捕獲特性
を向上させる場合もある。
[0077] 活性化ガスが粒子捕獲器８４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面８８０、８９２、および８３０
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器８４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面８８０、８９２、および８３０
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器８４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0078] 図９は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器９４０の模式断面図で
ある。粒子捕獲器９４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器９４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器９４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
ある。粒子捕獲器９４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または図３の
プラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器９４０は、遠隔
プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の出口１２
５）に結合することができる入口１３５を有する。粒子捕獲器９４０は、プロセス・チェ
ンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０の入口１６０
）に結合することができる出口１５５を有する。
[0079] ガス・チャネル９４５が、粒子捕獲器９４０の本体構造９５０の中に作られて
おり、本体構造９５０の入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造９５
０の内壁９０５ａから外壁９０５ｂにわたり、障害物９８７が位置している。障害物９８
７と外壁９０５ａおよび内壁９０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル９４５を定める
。ガス・チャネル９４５は、本体構造９５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャ
ネル９４５の第１部分９６５から（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）通過するガスの中
にある粒子を、第１の壁９７０の表面９８０に衝突させる。第１の壁９７０は、ガス・チ
ャネル９４５の第２部分９７５を、壁９７０の表面９８０に対して角度Φ９ａ（例えば、
この実施形態では、約１２０度）をなすように定める。ガス・チャネル９４５の第１部分
９６５に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル９４５の第２部分９７５
において方向を変えるときに、粒子を第１の壁９７０の表面９８０に衝突させる。実施形
態によっては、壁９７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム
、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁９７０の表面９８０上に蓄積させる場合
もある。実施形態によっては、角度Φ９ａが約４５から１３５度の間である場合もある。
実施形態によっては、第１の壁９７０が少なくとも１つの窪み（例えば、図７の窪み７３
５）を含む場合もある。
おり、本体構造９５０の入口１３５および出口１５５と流体連通している。本体構造９５
０の内壁９０５ａから外壁９０５ｂにわたり、障害物９８７が位置している。障害物９８
７と外壁９０５ａおよび内壁９０５ｂとの組み合わせが、ガス・チャネル９４５を定める
。ガス・チャネル９４５は、本体構造９５０を貫通する経路を定める。この経路は、チャ
ネル９４５の第１部分９６５から（例えば、負のｙ−軸方向に沿って）通過するガスの中
にある粒子を、第１の壁９７０の表面９８０に衝突させる。第１の壁９７０は、ガス・チ
ャネル９４５の第２部分９７５を、壁９７０の表面９８０に対して角度Φ９ａ（例えば、
この実施形態では、約１２０度）をなすように定める。ガス・チャネル９４５の第１部分
９６５に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル９４５の第２部分９７５
において方向を変えるときに、粒子を第１の壁９７０の表面９８０に衝突させる。実施形
態によっては、壁９７０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム
、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁９７０の表面９８０上に蓄積させる場合
もある。実施形態によっては、角度Φ９ａが約４５から１３５度の間である場合もある。
実施形態によっては、第１の壁９７０が少なくとも１つの窪み（例えば、図７の窪み７３
５）を含む場合もある。
[0080] 実施形態によっては、障害物９８７が窪み（例えば、図７からの窪み７８５）
を含む場合もある。障害物９８７は、この障害物９８７の壁９７０の表面９８０と熱連通
する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物９８７
の壁９７０の表面９８０を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形
態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物９８７を含む場合もある。
を含む場合もある。障害物９８７は、この障害物９８７の壁９７０の表面９８０と熱連通
する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物９８７
の壁９７０の表面９８０を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形
態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物９８７を含む場合もある。
[0081] 更に図９を参照すると、ガス・チャネル９４５は第３部分９８５を有する。ガ
ス・チャネル９４５の第２部分９７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の
壁９９０の第２表面９９２に対して第２の角度Φ９ｂ（例えば、この実施形態では約１３
５度）で第２の壁９９０の第２表面に衝突する。ガス・チャネル９４５の第２部分９７５
に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル９４５の第３部分９８５におい
て方向を変えるときに、これらの粒子を第２の壁９９０の第２表面９９２に衝突させる。
この実施形態では、第２の壁９９０の第２表面９９２の一部が曲線を定める。実施形態に
よっては、壁９９０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、ま
たは酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁９９０上に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ９ｂが約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によって
は、第２の壁９９０が窪みを含む場合もある。
ス・チャネル９４５の第２部分９７５から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第２の
壁９９０の第２表面９９２に対して第２の角度Φ９ｂ（例えば、この実施形態では約１３
５度）で第２の壁９９０の第２表面に衝突する。ガス・チャネル９４５の第２部分９７５
に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル９４５の第３部分９８５におい
て方向を変えるときに、これらの粒子を第２の壁９９０の第２表面９９２に衝突させる。
この実施形態では、第２の壁９９０の第２表面９９２の一部が曲線を定める。実施形態に
よっては、壁９９０は高い付着係数を有する材料（例えば、クオーツ、アルミニウム、ま
たは酸化アルミニウム）で作られ、粒子を壁９９０上に蓄積させる場合もある。実施形態
によっては、角度θ９ｂが約４５から１３５度の間である場合もある。実施形態によって
は、第２の壁９９０が窪みを含む場合もある。
[0082] この実施形態では、第３部分９８５は第３の壁９２０に窪みを含む。第３部分
９８５に沿って移動する粒子は、第３の壁９２０の窪み９３５に入る。粒子は、第３の壁
９２０の第３表面９３０に衝突する。窪み９３５は、ガス・チャネル９４５の第３部分９
８５に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み９３５の第３表面
９３０上に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する
役割を果たす。実施形態によっては、第３の壁９２０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、第３の壁９２０の表
面９３０上に粒子を蓄積させる。実施形態によっては、冷却部材が第３の壁９２０におけ
る窪みと熱連通する場合もある。
９８５に沿って移動する粒子は、第３の壁９２０の窪み９３５に入る。粒子は、第３の壁
９２０の第３表面９３０に衝突する。窪み９３５は、ガス・チャネル９４５の第３部分９
８５に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み９３５の第３表面
９３０上に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する
役割を果たす。実施形態によっては、第３の壁９２０は高い付着係数を有する材料（例え
ば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、第３の壁９２０の表
面９３０上に粒子を蓄積させる。実施形態によっては、冷却部材が第３の壁９２０におけ
る窪みと熱連通する場合もある。
[0083] 活性化ガスが粒子捕獲器９４０を通過するように誘導された後、活性化ガスを
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面９８０、９９２、および９３０
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器９４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
プロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面９８０、９９２、および９３０
上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器９４０に入る活
性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0084] 図１０は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器１０４０の模式断面
図である。粒子捕獲器１０４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または
図３のプラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器１０４０
は、遠隔プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の
出口１２５）に結合することができる入口１３５を有する本体構造１０５０を含む。本体
構造１０５０は、プロセス・チェンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセ
ス・チェンバ１３０の入口１６０）に結合することができる出口１５５を有する。粒子捕
獲器は、本体構造１０５０の中に少なくとも１つの障害物１０１０を含む。実施形態によ
っては、少なくとも１つの障害物１０１０が複数の障害物１０１０である場合もある。こ
の実施形態では、粒子捕獲器１０４０が８つの障害物１０１０を含む。実施形態によって
は、少なくとも１つの障害物１０１０が、本体構造１０５０の外壁１０３０ａおよび１０
３０ｂの内側にある壁を有するか、またはその壁である（例えば、図１または図２の壁１
７０）場合もある。少なくとも１つの障害物１０１０は、入口１３５から出口１５５に流
れるガスを偏向させて、ガスの中にある粒子を少なくとも１つの障害物１０１０の表面１
０１５に衝突させるように構成されている。本体構造１０５０の入口１３５から出口１５
５に流れる粒子の運動量が、少なくとも１つの障害物１０１０によってガスが偏向される
ときに、ガス内にある粒子を障害物１０１０の表面１０１５に衝突させる。実施形態によ
っては、少なくとも１つの障害物１０１０の表面１０１５が高い付着係数を有する材料（
例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、少なくとも１つ
の障害物１０１０の表面１０１５上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては
、少なくとも１つの障害物１０１０が窪み（例えば、図９の窪み９３５）を含む場合もあ
る。
図である。粒子捕獲器１０４０は、プラズマ発生システム（例えば、図１、図２、または
図３のプラズマ発生システム１００）において用いることができる。粒子捕獲器１０４０
は、遠隔プラズマ源の出口（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１１０の
出口１２５）に結合することができる入口１３５を有する本体構造１０５０を含む。本体
構造１０５０は、プロセス・チェンバの入口（例えば、図１、図２、または図３のプロセ
ス・チェンバ１３０の入口１６０）に結合することができる出口１５５を有する。粒子捕
獲器は、本体構造１０５０の中に少なくとも１つの障害物１０１０を含む。実施形態によ
っては、少なくとも１つの障害物１０１０が複数の障害物１０１０である場合もある。こ
の実施形態では、粒子捕獲器１０４０が８つの障害物１０１０を含む。実施形態によって
は、少なくとも１つの障害物１０１０が、本体構造１０５０の外壁１０３０ａおよび１０
３０ｂの内側にある壁を有するか、またはその壁である（例えば、図１または図２の壁１
７０）場合もある。少なくとも１つの障害物１０１０は、入口１３５から出口１５５に流
れるガスを偏向させて、ガスの中にある粒子を少なくとも１つの障害物１０１０の表面１
０１５に衝突させるように構成されている。本体構造１０５０の入口１３５から出口１５
５に流れる粒子の運動量が、少なくとも１つの障害物１０１０によってガスが偏向される
ときに、ガス内にある粒子を障害物１０１０の表面１０１５に衝突させる。実施形態によ
っては、少なくとも１つの障害物１０１０の表面１０１５が高い付着係数を有する材料（
例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、少なくとも１つ
の障害物１０１０の表面１０１５上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては
、少なくとも１つの障害物１０１０が窪み（例えば、図９の窪み９３５）を含む場合もあ
る。
[0085] 少なくとも１つの障害物１０１０は、この少なくとも１つの障害物１０１０の
表面１０１５と熱連通している冷却部材１０２０を含む。冷却部材１０２０は、少なくと
も１つの障害物１０１０の表面１０１５を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むこと
ができる。少なくとも１つの部材１０１０の表面１０１５を約２５〜３０゜Ｃに冷却する
ことができる。粒子捕獲器１０４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によっ
て熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１０４０に入るガスが約２
０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と少なくとも１つの部材１０１０
の表面１０１５との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な
温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多
いガス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例
えば、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性
化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用す
る。少なくとも１つの部材１０１０の表面１０１５が低温であるために、ガス内に温度勾
配が生じるので、この伝熱力が、少なくとも１つの部材１０１０の冷たい表面１０１５に
向けて粒子を押し出すように作用する。
表面１０１５と熱連通している冷却部材１０２０を含む。冷却部材１０２０は、少なくと
も１つの障害物１０１０の表面１０１５を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むこと
ができる。少なくとも１つの部材１０１０の表面１０１５を約２５〜３０゜Ｃに冷却する
ことができる。粒子捕獲器１０４０に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によっ
て熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器１０４０に入るガスが約２
０００゜Ｃになる場合もある。熱的に活性化された粒子と少なくとも１つの部材１０１０
の表面１０１５との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な
温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多
いガス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例
えば、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性
化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用す
る。少なくとも１つの部材１０１０の表面１０１５が低温であるために、ガス内に温度勾
配が生じるので、この伝熱力が、少なくとも１つの部材１０１０の冷たい表面１０１５に
向けて粒子を押し出すように作用する。
[0086] 図１１は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器１１４０の模式断面図
である。この実施形態では、粒子捕獲器１１４０の本体構造１１５０が遠隔プラズマ源（
例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１２０）の出口１１６０に配置されて
いる。本体構造１１５０は、第１端部１１３０および第２端部１１３５を含む。本体構造
１１５０は、入口１１３２が第１端部１１３０にあり、出口１１３４が第２端部１１３５
にあるチャネル１１４４を有する。入口１１３２に入るガスは、チャネル１１４４を通過
して出口１１３４まで流れる。この実施形態では、本体構造１１５０は断面が実質的に円
形となっている。第１端部１１３０における入口１１３２の直径ｄ１は、第２端部１１３
５における出口１１３４の直径ｄ２よりも大きい。本体構造１１５０のチャネル１１４４
を通過した粒子は、第２端部の内面１１５２に、第２端部１１３５の内面１１５２に対し
てある角度で衝突する。
である。この実施形態では、粒子捕獲器１１４０の本体構造１１５０が遠隔プラズマ源（
例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１２０）の出口１１６０に配置されて
いる。本体構造１１５０は、第１端部１１３０および第２端部１１３５を含む。本体構造
１１５０は、入口１１３２が第１端部１１３０にあり、出口１１３４が第２端部１１３５
にあるチャネル１１４４を有する。入口１１３２に入るガスは、チャネル１１４４を通過
して出口１１３４まで流れる。この実施形態では、本体構造１１５０は断面が実質的に円
形となっている。第１端部１１３０における入口１１３２の直径ｄ１は、第２端部１１３
５における出口１１３４の直径ｄ２よりも大きい。本体構造１１５０のチャネル１１４４
を通過した粒子は、第２端部の内面１１５２に、第２端部１１３５の内面１１５２に対し
てある角度で衝突する。
[0087] 実施形態によっては、第１端部１１３０の直径ｄ１が第２端部１１３５の直径
ｄ２にほぼ等しい場合もある。実施形態によっては、直径ｄ１が約４．６センチメートル
（１．８インチ）であり、直径ｄ２が約３．８センチメートル（１．５インチ）である場
合もある。実施形態によっては、本体構造１１５０が高い付着係数を有する材料（例えば
、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を本体構造１１５
０の内面上に蓄積させる場合もある。
ｄ２にほぼ等しい場合もある。実施形態によっては、直径ｄ１が約４．６センチメートル
（１．８インチ）であり、直径ｄ２が約３．８センチメートル（１．５インチ）である場
合もある。実施形態によっては、本体構造１１５０が高い付着係数を有する材料（例えば
、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を本体構造１１５
０の内面上に蓄積させる場合もある。
[0088] 本体構造は、導管１１４５に結合されている。導管１１４５は、プロセス・チ
ェンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の入口１１７０
に結合されている。導管１１４５は、本体構造１１５０の出口１１３４からプロセス・チ
ェンバの入口１１７０まで、ガスを移送する。この実施形態では、導管１１４５は実質的
に円筒形となっている。実施形態によっては、導管１１４５の長さｌが約１０．２センチ
メートル（４インチ）である場合もある。また、粒子捕獲器１１４０は冷却部材１１９５
も含む。冷却部材１１９５は、導管１１４５および本体構造１１５０と熱連通している。
実施形態によっては、冷却部材１１９５が１つ又は複数の冷媒チャネルを含み、これらが
冷却部材１１９５の本体内にあり、冷媒がこれらを通過して流れるようにする場合もある
。実施形態によっては、導管１１４５の内面１１７５を約２５〜３０゜Ｃに冷却する場合
もある。導管１１４５に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性
化されている。実施形態によっては、導管１１４５に入るガスが約２０００゜Ｃになる場
合もある。熱的に活性化された粒子と導管１１４５の内面１１７５との間における温度差
が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ
／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒素、水素
）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大きな温度勾
配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝
熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管１１４５の内面１１７５が低
温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管１１４５の冷たい
方の内面１１７５に向けて粒子を押し出すように作用する。
ェンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の入口１１７０
に結合されている。導管１１４５は、本体構造１１５０の出口１１３４からプロセス・チ
ェンバの入口１１７０まで、ガスを移送する。この実施形態では、導管１１４５は実質的
に円筒形となっている。実施形態によっては、導管１１４５の長さｌが約１０．２センチ
メートル（４インチ）である場合もある。また、粒子捕獲器１１４０は冷却部材１１９５
も含む。冷却部材１１９５は、導管１１４５および本体構造１１５０と熱連通している。
実施形態によっては、冷却部材１１９５が１つ又は複数の冷媒チャネルを含み、これらが
冷却部材１１９５の本体内にあり、冷媒がこれらを通過して流れるようにする場合もある
。実施形態によっては、導管１１４５の内面１１７５を約２５〜３０゜Ｃに冷却する場合
もある。導管１１４５に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性
化されている。実施形態によっては、導管１１４５に入るガスが約２０００゜Ｃになる場
合もある。熱的に活性化された粒子と導管１１４５の内面１１７５との間における温度差
が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ
／ｃｍよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒素、水素
）程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大きな温度勾
配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝
熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管１１４５の内面１１７５が低
温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管１１４５の冷たい
方の内面１１７５に向けて粒子を押し出すように作用する。
[0089] 活性化ガスが粒子捕獲器１１４０を通過するように誘導された後、活性化ガス
をプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造１１５０および導管１１
４５の内面上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器１１
４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
をプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造１１５０および導管１１
４５の内面上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器１１
４０に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
[0090] 図１２は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器１２４０の模式断面三
次元図である。この実施形態では、粒子捕獲器１２４０の本体構造１２５０が、遠隔プラ
ズマ源（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１２０）の出口１２６０にあ
る。本体構造１２５０は、長さｌ１ａを有し、第１端部１２３０および第２端部１２３５
を含む。第１端部１２３０の直径ｄ１ａは、第２端部１２３５の直径ｄ２ａよりも大きい
。本体構造１２５０を通過した粒子は、第２端部１２３５の内面１２２０に、第２端部１
２３５の内面１２２０に対して角度Φ１２で衝突する。
次元図である。この実施形態では、粒子捕獲器１２４０の本体構造１２５０が、遠隔プラ
ズマ源（例えば、図１、図２、または図３の遠隔プラズマ源１２０）の出口１２６０にあ
る。本体構造１２５０は、長さｌ１ａを有し、第１端部１２３０および第２端部１２３５
を含む。第１端部１２３０の直径ｄ１ａは、第２端部１２３５の直径ｄ２ａよりも大きい
。本体構造１２５０を通過した粒子は、第２端部１２３５の内面１２２０に、第２端部１
２３５の内面１２２０に対して角度Φ１２で衝突する。
[0091] 実施形態によっては、本体構造１２５０が高い付着係数を有する材料（例えば
、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を本体構造１２５
０の内面１２２０上に蓄積させる場合もある。
、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を本体構造１２５
０の内面１２２０上に蓄積させる場合もある。
[0092] 実施形態によっては、第１端部１２３０の直径ｄ１ａが、第２端部１２３５の
直径ｄ２ａにほぼ等しい場合もある。粒子捕獲器１２４０の有効性（例えば、捕獲される
粒子数）は、直径ｄ１ａの直径ｄ２ａに対する比率が増大するに連れて（即ち、角度Φ１
２が大きくなるにつれて）高くなる。実施形態によっては、直径ｄ１ａが約４．６センチ
メートル（１．８インチ）、直径ｄ２ａが約３．８センチメートル（１．５インチ）、そ
して長さｌ１ａが約２．８センチメートル（１．１インチ）となっている場合もある。実
施形態によっては、本体構造１２５０が冷却部材と熱連通している場合もある。
直径ｄ２ａにほぼ等しい場合もある。粒子捕獲器１２４０の有効性（例えば、捕獲される
粒子数）は、直径ｄ１ａの直径ｄ２ａに対する比率が増大するに連れて（即ち、角度Φ１
２が大きくなるにつれて）高くなる。実施形態によっては、直径ｄ１ａが約４．６センチ
メートル（１．８インチ）、直径ｄ２ａが約３．８センチメートル（１．５インチ）、そ
して長さｌ１ａが約２．８センチメートル（１．１インチ）となっている場合もある。実
施形態によっては、本体構造１２５０が冷却部材と熱連通している場合もある。
[0093] 実施形態によっては、本体構造１２５０の第２端部１２３５がプロセス・チェ
ンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の入口に結合され
ている場合もある。この実施形態では、本体構造１２５０の第２端部１２３５が導管１２
４５に結合されている。導管１２４５は実質的に円筒形となっている。導管１２４５は、
プロセス・チェンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の
入口に結合されている。実施形態によっては、導管１２４５が高い付着係数を有する材料
（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を導管１
２４５の内面１２６０上に蓄積させる場合もある。導管１２４５の有効性（例えば、捕獲
される粒子数）は、長さｌ２ａが増大するに連れて高くなる。
ンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の入口に結合され
ている場合もある。この実施形態では、本体構造１２５０の第２端部１２３５が導管１２
４５に結合されている。導管１２４５は実質的に円筒形となっている。導管１２４５は、
プロセス・チェンバ（例えば、図１、図２、または図３のプロセス・チェンバ１３０）の
入口に結合されている。実施形態によっては、導管１２４５が高い付着係数を有する材料
（例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム）で作られ、粒子を導管１
２４５の内面１２６０上に蓄積させる場合もある。導管１２４５の有効性（例えば、捕獲
される粒子数）は、長さｌ２ａが増大するに連れて高くなる。
[0094] 実施形態によっては、導管１２４５が冷却部材（図示せず）と熱連通している
場合もある。導管１２４５の内面１２６０を冷却部材によって冷却することができる。導
管１２４５に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されてい
る。熱的に活性化された粒子と導管１２４５の内面１２６０との間における温度差が、ガ
スにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍ
よりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、
プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有
する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と
呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管１２４５の内面１２６０が低温であ
るために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管１２４５の冷たい方の内
面１２６０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、長さｌ２ａが
約１０．２センチメートル（４インチ）である場合もある。実施形態によっては、導管１
２４５が後続の粒子捕獲器に結合される場合もある。
場合もある。導管１２４５の内面１２６０を冷却部材によって冷却することができる。導
管１２４５に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されてい
る。熱的に活性化された粒子と導管１２４５の内面１２６０との間における温度差が、ガ
スにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約１０００゜Ｃ／ｃｍ
よりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種（例えば、酸素、窒素、水素）程、
プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種（例えば、アルゴン）よりも大きな温度勾配を有
する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と
呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管１２４５の内面１２６０が低温であ
るために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管１２４５の冷たい方の内
面１２６０に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、長さｌ２ａが
約１０．２センチメートル（４インチ）である場合もある。実施形態によっては、導管１
２４５が後続の粒子捕獲器に結合される場合もある。
[0095] 活性化ガスが粒子捕獲器１２４０および導管１２４５を通過するように誘導さ
れた後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造１２
５の内面１２２０および導管１２６０の内面１２６０上に蓄積するので、プロセス・チェ
ンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器１２４０および部材１２４５に入る活性化ガスより
も粒子が少なくなる。
れた後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造１２
５の内面１２２０および導管１２６０の内面１２６０上に蓄積するので、プロセス・チェ
ンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器１２４０および部材１２４５に入る活性化ガスより
も粒子が少なくなる。
[0096] 本明細書において記載したことの変形、変更、およびその他の実施態様は、本
発明の主旨および範囲から逸脱することなく、当業者には想起され、本発明の範囲に含ま
れるものとする。したがって、本発明は、これまでの例示的な説明のみによって定義され
ることはない。
発明の主旨および範囲から逸脱することなく、当業者には想起され、本発明の範囲に含ま
れるものとする。したがって、本発明は、これまでの例示的な説明のみによって定義され
ることはない。
Claims (22)
- 遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、前記本体構造を貫通する経路を定める、ガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。 - 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成されている少なくとも１つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
- 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
- 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
- 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
- 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造を貫通する前記経路が、前記チャネルの第１部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させる、粒子捕獲器。
- 請求項６記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第３部分を有し、前記第２部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第３部分を定める第２の壁に、前記第２の壁の第２表面に対して第２の角度で衝突する、粒子捕獲器。
- 請求項１記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
- 請求項６記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第１部分または第２部分の内少なくとも１つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
- プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する前記活性化ガスを、プロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えている、方法。 - 請求項１０記載の方法において、前記壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、方法。
- 請求項１０記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
- 請求項１０記載の方法であって、更に、前記チャネルの第２部分を定める第２壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、前記チャネルの第１部分から前記本体構造内のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
- 請求項１３記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第２の壁上に蓄積させるために、前記第２の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
- 請求項１０記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
- システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、システム。 - 遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受ける手段と、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導し、前記ガス・チャネルの第１部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第２部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている手段と、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却する手段と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。 - 遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造の中にある少なくとも１つの障害物であって、前記ガスの中にある粒子を当該障害物の表面に衝突させるために、前記入口から前記出口に流れるガスを偏向させるように構成されている、障害物と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。 - 請求項１８記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも１つの障害物は、当該少なくとも１つの障害物の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
- 請求項１９記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記少なくとも１つの障害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
- 請求項１８記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも１つの障害物が複数の障害物である、粒子捕獲器。
- 請求項１８記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも１つの障害物が、前記本体構造の外壁の内部にある壁である、粒子捕獲器。
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