JP2014132819A - 過熱保護回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】温度依存スイッチの寿命及び/又はスイッチング電力を、設計が簡単かつ安価な方法で改良した電気機器を保護する過熱保護回路を提供する。
【解決手段】電気機器46を保護する過熱保護回路42であって、スイッチング機構11と、スイッチング機構11に配置され、互いに電気的に接続された2つの受け接点27、28を備える電流伝達素子24とを備える温度依存スイッチ10を備え、受け接点が温度により2つの固定接点31、32と接続し、2つの電流端子47、48と制御入力49とを有するAC電圧用の制御可能な半導体バルブ41を備え、2つの電流端子47、48がそれぞれ、接続端子39、40の一方と接続され、少なくとも温度依存スイッチ10が閉じているときに、制御入力49がスイッチング機構11を介して電流伝達素子24の受け接点27、28と電気的に接続されている。
【選択図】図1
【解決手段】電気機器46を保護する過熱保護回路42であって、スイッチング機構11と、スイッチング機構11に配置され、互いに電気的に接続された2つの受け接点27、28を備える電流伝達素子24とを備える温度依存スイッチ10を備え、受け接点が温度により2つの固定接点31、32と接続し、2つの電流端子47、48と制御入力49とを有するAC電圧用の制御可能な半導体バルブ41を備え、2つの電流端子47、48がそれぞれ、接続端子39、40の一方と接続され、少なくとも温度依存スイッチ10が閉じているときに、制御入力49がスイッチング機構11を介して電流伝達素子24の受け接点27、28と電気的に接続されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、2つの電気接続端子を備えた、機器を保護するための過熱保護回路に関する。この過熱保護回路は温度依存スイッチを備え、温度依存スイッチは温度依存スイッチング機構と、接続端子に接続された2つの固定接点と、スイッチング機構に配置され、スイッチング機構によって動作し、互いに電気的に接続された2つの受け接点を備える電流伝達素子とを備える。これらの受け接点は、温度により2つの固定接点と支持接触し、これによって前記固定接点を互いに接続し、電気的に導通させる。
過熱保護回路に用いることの可能な温度依存スイッチが、DE 26 44 411 C2により知られている。
この既知のスイッチは、ハウジングの下部がカップ形状になっており、そこに温度依存スイッチング機構が収納されている。下部は上部により閉じられており、下部の直立リムが上部を支持している。下部は金属でも絶縁材料でもよいが、上部は絶縁材料で作製される。
上部には2本の接点リベットが配置され、その内側頭部はスイッチング機構の固定接点の役割を果たす。リベットの軸は、上部の貫通孔を通って外部へ突出して外側頭部と一体化しており、この外側頭部は外部端子接続のために用いられる。接続用のリッツ線をこれら外側頭部に直接はんだづけしてもよいが、外側頭部上に傾斜接点を置き、この傾斜接点に接続リッツ線をはんだづけ又は圧着することも知られている。
スイッチング機構は、接点ブリッジの形態をした電流伝達素子を有し、2つの受け接点がその上側に設けられている。これらの受け接点は、接点ブリッジを介して互いに電気的に接続されており、温度により2つの固定接点と支持接触し、その結果固定接点を互いに電気的に接続する。
温度依存スイッチング機構はバイメタルスナップアクションディスク及びばねスナップアクションディスクを備え、これらのディスクの中心部を貫通するピンが接点ブリッジを支持している。ばねスナップアクションディスクは、周囲をハウジングに固定されている。バイメタルスナップアクションディスクは温度により下部の肩部又はばねスナップアクションディスクのリムに支持され、その過程で接点ブリッジを2つの固定接点に支持接触させたり、接点ブリッジを受け接点から離し、結果として外部端子間の電気接続を遮断したりする。
この温度依存スイッチは、電気機器の過熱を防ぐ目的において既知の方法で用いられる。このために、スイッチは、保護する電気機器及びそのAC電源電圧と直列になるよう電気的に接続され、電気機器と熱的に接触するような方法で機械的に電気機器上に配置される。
バイメタルスナップアクションディスクの応答温度より低い温度では、接点ブリッジは2つの固定接点に押し付けられ、その結果回路が閉じて、保護する電気機器の負荷電流はスイッチに流れる。温度が許容値を超えて上昇すると、バイメタルスナップアクションディスクは、ばねスナップアクションディスクの作用力に抗して固定接点から接点ブリッジを離れさせる。その結果スイッチが開き、保護する電気機器の負荷電流が遮断される。
電流が遮断されると、機器の温度は再び下がる。その過程で、機器と熱的に結合されたスイッチの温度も下がり、再度自動的に閉じる。
このスイッチは、接点ブリッジの寸法を必要に応じて変えることにより、保護する機器の負荷電流が、関連するバイメタルスナップアクションディスク又はばねスナップアクションディスクに直接流れるような他の温度依存スイッチよりもはるかに高い動作電流を伝導することができ、結果として消費電力の大きな大型電気機器の保護に用いることができる。
既に述べた通り、このスイッチは、機器が温度低下により保護された後、自動的にオンに切り替わる。このようなスイッチング応答は例えばヘアドライヤーなどを保護するには申し分ないが、保護対象の機器が損傷を避ける目的でスイッチオフされた後、再び自動的にオンされてはならない場合には、このような応答は概して望ましくない。例えば、駆動アセンブリとして用いられる電気モータなどがこれにあたる。
そこで、DE 198 27 113 C2では、いわゆる自己保持抵抗器を外部端子と電気的に並列に設けることが提案されている。自己保持抵抗器は、スイッチが開いているときには保護する機器と電気的に直列になり、自己保持抵抗器の抵抗値のために、機器に流れるのは危険のない残留電流のみとなる。しかしながら、この残留電流は、バイメタルスナップアクションディスクをスイッチング温度よりも高い温度に保つ程度に自己保持抵抗器を加熱するに足るものである。
DE 198 27 113 C2により知られているスイッチもまた、電流依存スイッチング機能を備えることができる。この目的のために加熱抵抗器が設けられ、この抵抗器は外部端子と常に直列になるよう接続されている。それにより、保護する電気機器の負荷電流は、常に加熱抵抗器を流れることになる。加熱抵抗器は、負荷電流が所定の強度を超えるとバイメタルスナップアクションディスクの温度が応答温度よりも確実に高くなるような寸法にしておくことができる。これにより、負荷電流が上昇しても、保護する電気機器が許容レベルを超えて加熱される前に、スイッチが開くことになる。
このようなスイッチは、日常の使用にに関しては信頼性が証明されている。接点ブリッジを介して高い電流を伝導することが可能であるため、特に消費電力の高い電気機器を保護するために用いられる。AC電源電圧のゼロ交差においてスイッチが開かない場合、接点ブリッジが固定接点から離れたときに固定接点と受け接点との間にアークが形成され、スイッチにおける電圧低下がアーク電圧までとなる。印加されたAC電源電圧の極性が変わるまで、すなわち次のゼロ交差に達するまで、電圧低下はこのレベルにとどまる。よって、アークが消去され、スイッチは確実に開く。
このようなスイッチング電力の高いスイッチの従来の用途では、強度の高い負荷電流は遮断する必要がある。これは、強いアークにより接点が腐食し、長期的にはスイッチング領域の形状が変化し、しばしばスイッチング応答性が損なわれることを意味している。
スイッチ内部でフラッシュオーバが制御されない場合、アークによりバイメタルスナップアクションディスクが損傷することもある。またアークが生じた結果、スイッチング領域の固定接点と受け接点とが、いわゆるくっついた状態となり、接点ブリッジが固定接点から離れなくなったり、十分な速さで離れなくなったりする。
これらの問題は、スイッチングサイクル数が増えるにつれて増加し、その結果、時間の経過とともにスイッチング応答性が損なわれる。このような背景から、このようなスイッチの寿命すなわち許容されるスイッチングサイクル数が限定されることになり、寿命もまたスイッチング電力、すなわち切り替えられる電流の電流強度に依存すると言える。
出願人による一般的なタイプのスイッチの場合、例えばAC電源電圧が250ボルトであれば、負荷電流10アンペアにおける典型的な寿命は10000スイッチングサイクルであり、負荷電流25アンペアにおけるスイッチングサイクルは2000である。
このような背景から、スイッチング電力が高く、かつ寿命の長い温度依存スイッチが求められている。
アークの形成は避けられないことが知られているが、スイッチング領域の構成をアークに対応可能なものとすることにより、アークによる損傷を低減し、遅らせることができることも知られている。そのためには特定の形状や材料を接点に用いることが必要となり、その結果スイッチの設計が複雑になり、コストも増大する。
アークが飛ぶことによる損傷からバイメタルスナップアクションディスクを保護するために、このスイッチは、ばねスナップアクションディスク及び接点ブリッジによって、スイッチが開いている間、発生するアークからバイメタルスナップアクションディスクが遮断されるように設計されている。
これらの保護手段は概して成果を上げることが証明されているが、アークの形成に関連する損傷を完全には防止できず、スイッチ寿命及びスイッチング電力を、特に出願人によるスイッチの場合に典型的な上記の値に制限してしまう。
また、これらの保護手段は複雑であり、コストがかかるという点においても不都合である。
中継器及び接触器との接続に関して、アークは電磁場の影響を受け、回路の容量性部品及び誘導性部品によって消去できることが知られている。さらに、アークを素早く消去できるように、接触器で発生するアークをいわゆる永久磁石を用いた吹き消しによって導くことが知られている。
さらに、DE 31 32 338 A1には、2つの固定接点と、固定接点に接続された半導体バルブの電流端子によって直線状に動作可能な接点ブリッジとを備えた接触器にトライアックなど制御可能な半導体バルブを並列に接続することが開示されている。トライアックの制御入力は、直列抵抗器及び接触器内部に引き込まれたフレキシブルな線を介して接点ブリッジの端子と接続されている。この端子は、固定接点と接触する2つの接点の間に位置している。
接触器が閉じているとき、2つの接触点間の電圧低下を非常に小さくして、制御端子と2つ電流端子の一方にあたる基準端子との間でトライアックの有効制御電流が生じないようにする必要がある。このときトライアックは導通せず、電流は遮断されたままとなる。
外部駆動の結果接触器が開くと2つのアークが発生するが、そのアーク電圧は、トライアックをトリガすることのできる直列抵抗器に制御電流が流れるまでの間、十分な時間にわたって接点ブリッジが基準端子に対して十分な電位差を有することになるような高い電圧でなくてはならない。一旦トライアックがトリガされ、導通すると、トライアックは接触器に流れる負荷電流を取り込み、アークは消去される。
接点ブリッジの急速な電磁駆動により、AC電源電圧のゼロ交差において一旦負荷電流が遮断されると、トライアックの再トリガが起きないほど迅速に、接点ブリッジは固定接点から十分に離れる。
したがって、この方法には3つの不可欠な条件が存在する。接点間における電圧低下は、スイッチが閉じているときは大き過ぎてはならず、またスイッチが開いている一定時間の間は小さ過ぎてはならない。また、トライアックを再トリガしない程度に、電流の遮断速度は速くなくてはならない。さらに、フレキシブルな線を接触器内部に引き込む必要があることは、少なくとも設計上の問題となる。
DE 2 253 975 Aには、AC電圧回路において温度依存スイッチが開いた際に形成されるアークを、スイッチと並列に接続したトライアックにより消去する回路が開示されている。用いられる温度依存スイッチは、中央に接点を有するチェンジオーバースイッチであり、この接点は、温度により、負荷の負荷回路に配置された主接点又はトライアックの制御入力に常に接続されている補助接点のいずれかに接続されている。補助接点が閉じると、永久残留電流が流れ、電力損失につながる。
このような従来技術を考慮し、本発明は、冒頭で述べた過熱保護回路において、温度依存スイッチの寿命及び/又はスイッチング電力を、設計が簡単かつ安価な方法で改良することを目的とする。
本発明によれば、上記目的は、冒頭で述べた過熱保護回路において達成される。この過熱保護回路は、2つの電流端子と制御入力とを有するAC電圧用の制御可能な半導体バルブを備え、2つの電流端子はそれぞれ接続端子の一方に接続されており、制御入力は、少なくとも温度依存スイッチが閉じているときは、スイッチング機構を介して電流伝達素子の受け接点と電気的に接続されている。
本願発明者らは、様々なテストの結果、驚くべきことに上述のDE 31 32 338 A1に記載されているアーク消去の原理は、冒頭で述べたような種類の既存の温度依存スイッチにも使用可能であることを証明できた。すなわち、半導体バルブの制御入力が好ましくは下部を介してスイッチのスイッチング機構に接続され、スイッチング機構を介して電流伝達素子の受け接点に接続されていると、DE 26 44 411 C2により知られているスイッチの場合、ばねスナップアクションディスク及び/又はバイメタルスナップアクションディスクを介して接点ブリッジに電気的に接続され、接点ブリッジを介して受け接点に電気的に接続されることになる。この場合、接点ブリッジ自体が導電性であるため、制御入力は接点ブリッジに設けられた2つの受け接点に接続され、2つの受け接点と同じ電位となる。
しかしながら、接点ブリッジ自体が導電性である必要はない。接点ブリッジに設けられた受け接点が互いに電気的に接続され、かつスイッチング機構と電気的に接続されていればよい。その結果、スイッチング機構は受け接点と同じ電位を有することになる。
温度依存スイッチが閉じているとき、この電位は、半導体バルブの基準電流端子のAC電源電圧の電位に相当する。その結果、半導体バルブのための制御電流は生じない。温度依存スイッチが開くと、接点ブリッジが固定接点から離れたときにアークが形成され始め、アーク電圧はすぐさま10ボルトに達する。その結果、半導体バルブを制御するための十分に高く十分長く持続する電流が生じ、半導体バルブはトリガされて開く。
半導体バルブは、トリガされるとただちに負荷電流を取り込み、温度依存スイッチの電流は遮断される。結果としてアークは消去される。AC動作電圧がゼロ交差に達すると、半導体バルブは再び閉じる。この間、接点ブリッジは固定接点から十分に離れているため、フラッシュオーバやアークの再形成が起こることはない。
この場合、可動ケーブルをスイッチ部の電流伝達素子まで引き込む必要がない上に、予期せぬようなかたちで、温度依存スイッチング機構が半導体バルブの制御入力と電流伝達素子上の受け接点との間に電気的接続を確立することができることは設計上の利点と言える。驚くべきことに、上述した電圧低下及びスイッチング速度に対する要求が、ここで満たされている。
本発明によってAC電圧用の制御可能な半導体バルブを用いると、驚くべきことに、アークが素早く消去されるだけでなく、既存の温度依存スイッチのスイッチング電力及び寿命が顕著に増加する。
冒頭で述べた出願人によるスイッチの場合、負荷電流を2倍の50アンペアにしても、20000スイッチングサイクル後のスイッチング応答性は損なわれなかった。
このように、冒頭で述べたタイプの既存の温度依存スイッチは、何ら設計を変更することなく比較的高いスイッチング電力でも用いることができ、アーク消去半導体バルブのない過熱保護回路の場合に比べて長い寿命を示す。
ある構成において、これら既存のスイッチは、バイメタルストリップから作製可能なばねスナップアクションディスクを有する。このばねスナップアクションディスクは電流伝達素子を支持し、機械的かつ電気的に下部と常に接続されている。この場合、導電性の電流伝達素子は、半導体バルブの制御入力と常に接続されている。
しかしながら、バイメタルばねスナップアクションディスクを用いた設計では、少なくともスイッチが完全に開いた後、ばねスナップアクションディスクが凸状から凹状に変化するため、下部との電気的な接続を失うことが知られている。スイッチが開き始めると、ばねスナップアクションディスクは下部に接したリムでさらに内向きに力を加えるものの、バイメタルスナップアクションディスクはすでにばねスナップアクションディスクの力に抗して固定接点から電流伝達素子を離し始めている。この過程で、ばねスナップアクションディスクは押されて徐々に平らになり、アークが形成される。
バイメタルスナップアクションディスクに押されて十分に平らになると、ばねスナップアクションディスクはスナップオーバーする。しかしながら、この時点まで、ばねスナップアクションディスクは下部と電気的に接続されており、制御電流は制御入力に流れる。驚くべきことに、このスナップオーバーまでの時間は、半導体バルブをトリガするのに十分な時間である。
したがって、本発明によって半導体バルブを用いる場合、制御入力がスイッチング機構と常に電気的に接続されている必要はない。ただし、スイッチが閉じてその後半導体バルブがトリガされる、すなわちオンになるまでこの接続が存続することが重要である。
本願の発明者らは、ある種の既存の温度依存スイッチが電流伝達素子上の受け接点と下部との間の電気的接続を確立し、スイッチが開く動作の開始時に少なくともアーク形成により半導体バルブをトリガするのに十分な時間の間、その接続が維持されることを初めて突き止めた。
これには、半導体バルブが給電ラインによって適切な位置で温度依存スイッチと並列に接続されているだけでよい。これに加えて必要となるのは、制御入力からスイッチング機構への制御ラインのみである。この場合、半導体バルブは、必要なスペースさえあればどこにでも取り付け可能である。また、取り付けスペースは、半導体バルブがコイル巻線内に配置されないよう選択してよいが、半導体バルブの機能が損なわれない比較的低温の場所が有利である。
このように、半導体バルブを機器に直接配置する必要はない。したがって、半導体バルブを、例えばプラグなどによって機器に取り付けるのは、温度依存スイッチが機器に取り付けられ、かつ機器が含浸されている場合(これは、特に電気モータ及びコイル線において有利である)に限られるかもしれない。
この方法の利点の1つは、半導体バルブをいつでも後付け及び/又は交換できることである。
本発明はまた、設計が簡単であり、そのためで安価な温度依存スイッチを、半導体バルブの追加なしでは適合しないようなスイッチング電力に用いることを、初めて可能にした。
これにより、温度依存スイッチを高い電流強度に信頼性をもって用いることが初めて可能となった。このスイッチは、電流伝達素子として接点板ではなくばね部を備え、このばね部は2つの受け接点を支持又は具現化する。ばね部はバイメタル部品、特にバイメタルスナップアクションディスクであってもよい。バイメタルスナップアクションディスクは、温度依存スイッチング機能を提供するだけでなく、スイッチが閉じると導通する。
本発明によれば、スイッチが開くとともに2つの受け接点で形成されるアークは半導体バルブによって非常に素早く消去されるため、スイッチが開く際のバイメタルディスクの損傷は皆無又はごくわずかである。そのため、非常に簡単な構成のこれら温度依存スイッチの寿命及び許容されるスイッチング電力は、半導体バルブなしの使用と比べて顕著に増加する。
このように、発明者らは、従来技術のたどった道、すなわちアークに関わる問題に関して既知のスイッチの設計をさらに最適化するという方法ではなく、一見したところ従来とは異なる、成功が約束されていない道、すなわち半導体バルブを追加して使用するという方法を、コストの増加にもかかわらず選択した。
しかしながら、発明者らの知見によると、既存の温度依存スイッチの寿命が延びただけでなく、予想に反して既存のスイッチが高いスイッチング電力においても使用可能になったという事実は、増加したコストを吸収して余りあるものである。
発明者らは、冒頭で述べたタイプのバイメタルスイッチング機構を有する温度依存スイッチ用のAC回路において電子アーク消去効果を発揮する回路を提供した。
このように、本発明の基礎をなす目的は、完全に達成されている。
本発明において「制御可能な半導体バルブ」は、半導体部品を意味するものと理解されたい。制御電圧が印加されると、この半導体部品は、制御入力における制御信号なしに、電流端子に印加されるAC電圧を遮断し、オンに切り替わる。すなわちスイッチが入り、言い換えれば開く。いくつかの実施形態では、制御電流が遮断された後、半導体バルブはオンのままであるが、AC電圧がゼロ交差に達して極性が変わると、再び閉じる。
本発明による過熱保護回路は、過熱から保護する電気機器のAC電源回路に接続される。この保護回路では、前記半導体バルブと少なくとも1つの温度依存スイッチとが2つの接続端子間で相互に接続されている。
本発明において用いられる半導体バルブの重要な1実施形態は、例えば位相ゲート制御に用いられるトライアック、すなわち双方向サイリスタトライオードである。半導体バルブは、半導体層構造及び3つの端子を有する1電子部品の形態であってもよい。しかしながら、半導体バルブは、組み合わせることでトライアックの機能を果たす個別の部品から構成することもできる。
この場合、温度依存スイッチング機構がばね部を備え、ばね部は電流伝達素子を支持し、これと電気的に導通するよう接続され、かつ少なくとも温度依存スイッチが閉じているとき制御入力と導通するよう電気的に接続されることが好ましい。
このスイッチはハウジングを有し、ハウジングはスイッチング機構を収納し、下部及び上部を備え、上部の内側に固定接点が配置されていることが好ましい。
ばね部は、細長いバイメタルアーム又はばねアームであってもよい。このアームはその自由端において電流伝達素子を支持し、他端がハウジングに固定されて制御入力のための端子を形成する。ばね部がばねアームである場合、バイメタル部がばね部に関連づけられている。このバイメタル部は、ばねアームの自由端を温度により固定接点から離し、スイッチを開く。これらの実施形態では、制御入力は温度依存スイッチング機構に常に接続されている。
しかしながら、ばね部は好ましくはバイメタルスナップアクションディスクである。バイメタルスナップアクションディスクは、その中心部で電流伝達素子を支持し、少なくとも温度依存スイッチが閉じているときは下部に支持されている。
あるいは、ばね部は、少なくとも温度依存スイッチが閉じているときは下部で支持されるばねスナップアクションディスクであって、ここにバイメタルスナップアクションディスクが設けられ、バイメタルスナップアクションディスクのスイッチング温度より高い温度になると固定接点から電流伝達素子を離れさせる。
これらの手段は、既存のスイッチを温度依存スイッチとして使用できるため、設計上有利である。
接触圧力を生じて温度によりスイッチを確実に開けるバイメタルスナップアクションディスクのみを設ければ十分であるが、ばねスナップアクションディスクによって、温度が低い状態の位置にあるバイメタルスナップアクションディスクが機械的負荷から解放されるようにしてもよい。このばねスナップアクションディスクは、バイメタルスナップアクションディスクとともに、あるいはそれ自体で、接触圧力を発揮し、スイッチング応答性の長期的安定性に大きく寄与する。
出願人による初期耐久テストによれば、半導体バルブをトリガするのに必要な低い電流は、ばねスナップアクションディスク及びバイメタルスナップアクションディスクのいずれによっても伝導することができる。
下部を作製する材料は、導電材料であっても絶縁材料であってもよい。絶縁材料から作製される場合、下部はその底部に電極を有し、その電極がバイメタルスナップアクションディスク及び/又はばねスナップアクションディスクを支持し、電極は下部から出て制御入力に接続されている。
一方、下部自体が導電性である場合、制御入力は下部の外側に接続されていればよい。これは設計上有利である。
ばね部が常に下部と電気的に接続されている場合、スイッチが開く動作中に生じるアークを、設計が簡単かつ安価な方法で確実に制御入力への制御電流とすることができる。
自己保持抵抗器が受け接点間に接続されていることは、さらに好ましい。加熱抵抗器が固定接点の1つと関連する接続端子との間に接続されていることが好ましい。
自己保持スイッチ及び/又は所定の電流依存を有するスイッチを使用できることは、有利である。本願の発明者らの試験によれば、予想に反し、自己保持抵抗器及び/又は加熱抵抗器が本発明による半導体バルブの使用を損なわないことが確認された。
電流伝達素子が導電性の接点板であり、この接点板上に2つの受け接点が配置され、これら2つの受け接点が接点板を介して互いに電気的に導通するよう接続され、接点板がスイッチング機構と電気的に導通するよう接続されていることがさらに好ましい。
この手段も同様に、設計上有利である。接点板はその上側に受け接点を有してもよく、受け接点は接点板上部の2つのコーティングされた接点領域により形成してもよい。接点板の上側自体が受け接点を形成してもよく、またDE 10 2011 016 142 A1に記載されているように、接点領域として連続的に形成されていてもよい。
接点板は、円形の接点ディスクであってもよく、細長い接点ブリッジの形態であってもよい。
すでに述べたように、電流伝達素子はばね部を兼ねていてもよく、このばね部は特にバイメタルスナップアクションスプリングであって、ばね部により互いに電気的に導通している受け接点が配置あるいは具現化されていてもよい。
したがって、ばね部は半導体バルブの制御入力と常に接続されていることが好ましい。この接続は、温度依存スイッチの下部が導電性であることによって、あるいは中央でバイメタルスナップアクションばねを支持し、温度依存スイッチのハウジングから突出して制御入力と接続されているさらなる支持電極によって達成できる。
双極常閉接点の形態をした2つの固定接点を有する温度依存スイッチの代わりに、それぞれ2つの外部端子を有する2つの単極温度依存スイッチを過熱保護回路に用いることもできる。これらのスイッチは、それぞれ1つの外部端子を介して電気的に直列に接続されており、各スイッチのもう1つの外部端子が過熱保護回路の接続端子の役割を果たす。この配置は、ツイン配置とも呼ばれる。このツイン回路では、単極常閉接点を有する従来のあらゆる温度依存スイッチを使用できる。
本発明によれば、電子アークを確実に消去するため、半導体バルブの電流端子は2つの接続端子に接続され、制御入力は外部端子に接続され、外部端子は互いに接続されている。
AC電源電圧の半周期の間に2つの温度依存スイッチが開くと、形成されたアークのアーク電圧が半導体バルブをトリガし、半導体バルブが閉じて負荷電流を取り込み、その結果アークが消去される。
このような背景下、本願はまた、保護する機器のための2つの電気接続端子を備えた過熱保護回路に関し、この過熱保護回路は、温度により2つの外部端子間の電気的接続を確立したり開いたりする温度依存スイッチング機構をそれぞれ有する2つの温度依存スイッチを備え、それぞれの場合において一方のスイッチの1つの外部端子が接続端子の1つに接続されているか、あるいは接続端子としての役割を果たし、もう一方の外部端子が互いに接続されており、2つの電流端子と制御入力とを備えるAC電圧用の制御可能な半導体バルブが設けられ、2つの電流端子はそれぞれ、接続端子の一方に接続され、制御入力は外部端子と電気的に接続され、外部端子は互いに接続されている。
本発明の利点は、使用する温度依存スイッチの高いスイッチング電力及び長い寿命に加え、半導体バルブ、特にトライアックが、アークが生じた際に負荷電流を短時間導通するのみであり、トライアックの過熱が起きないことである。そのため半導体バルブを冷却する必要はない。
「正常」な連続運転では、負荷電流は温度依存スイッチを通るが、温度依存スイッチを冷却する必要もない。
さらなる利点について、添付の図面を参照しつつ説明する。
言うまでもないが、上述の、あるいは以下で説明する特徴は、個々に言及した組み合わせだけでなく、他の組み合わせにおいても、あるいはそれら自体でも、本発明の特許請求の範囲を逸脱することなく適用可能である。
以下、添付図面を参照して本発明の実施形態をより詳細に説明する。
図1において、10は、ハウジング12に収納された温度依存スイッチング機構11を備えた温度依存スイッチを示す。
ハウジング12は、導電材料から成る下部14と、絶縁材料から成る上部15とを備える。上部15は下部14を封止し、下部14上に下部14のフランジリム16により保持されている。下部14と上部15との間には、リング17が配置されている。リング17は、下部14の肩部18で支持され、スイッチング機構11のばねスナップアクションディスク21のリムを固定している。これによりばねスナップアクションディスクは、常に電気的に導通する状態で下部14に接続されている。
スイッチング機構11は、ばねスナップアクションディスク21に加えて、バイメタルスナップアクションディスク22を備える。バイメタルスナップアクションディスク22及びばねスナップアクションディスク21の中央にはピン状のリベット23が通り、このリベットによって、これら2つのスナップアクションディスクは、機械的かつ電気的に、導電材料で作製された接点板24の形態をした電流伝達素子に接続されている。リベット23は、第1肩部25及び第2肩部26を有し、第1肩部25には、バイメタルスナップアクションディスク22が半径方向及び軸方向に遊びのある状態で載置され、同様に第2肩部26には、ばねスナップアクションディスク21が半径方向及び軸方向に遊びのある状態で載置されている。
バイメタルスナップアクションディスク22は、下部14の内側で周縁により支持されている。
接点板24は、上部15の側に、面積の大きい2つの受け接点27、28を有する。受け接点27、28は、接点板24を介して互いに電気的に接続され、上部15の内側29に配置された2つの固定接点31、32と相互作用する。固定接点31、32は、接点リベット33、34の内側頭部である。接点リベット33、34は、上部15を貫通しており、外部端子35、36としての役割を果たす外側頭部を有している。
図1に示すスイッチ位置では、ばねスナップアクションディスク21及びバイメタルスナップアクションディスク22は、接点板24を固定接点31及び32に押しつけ、受け接点27、28を介して固定接点を互いに接続している。このように、スイッチ10は閉じている。
バイメタルスナップアクションディスク22の温度が応答温度を超えて上昇すると、バイメタルスナップアクションディスク22は図示した凸状から凹状に反転する。その過程において、バイメタルスナップアクションディスク22のリムはリング17の領域で支持されており、ばねスナップアクションディスク21の力に抗して接点板24を固定接点31、32から引き離す。このようにして、スイッチ10は開く。
このようなスイッチは、DE 26 44 411 C2及びDE 198 27 113 C2により知られている。温度が下がると、DE 26 44 411 C2のスイッチは、再度反転して図1に示す閉じた状態に戻る。
この所望しない動作を防止するため、略図に示す自己保持抵抗器37が上部15の内側に設けられている。この自己保持抵抗器は、2つの固定接点31、32の間に電気的に直列に接続されており、スイッチ10が開くと、残留電流を伝導し、バイメタルスナップアクションディスク22を復帰温度よりも高い温度に保つ程度にスイッチを加熱する。
図示した実施形態の接点板24は、円形のばねスナップアクションディスク21及び円形のバイメタルスナップアクションディスク22を備える温度依存スイッチング機構11によって動かされるが、ばねスナップアクションディスクを省いてバイメタルスナップアクションディスク22のみを用いて接点板24を動かすこともできる。また、円形の接点板24に代えて、細長い接点ブリッジを用いることもできる。
図示した実施形態において、接点板24は、その中央部がバイメタルスナップアクションディスク22及びばねスナップアクションディスク21により支持されているが、一端を固定し、固定されていない他端で接点ブリッジを支持する細長いバイメタルスプリングを用いることもできる。このような細長いバイメタルスプリングは、例えば、DE 10 2004 036 117 A1により知られている。
図2では、2つの接続端子39、40の間において、図1の温度依存スイッチ10が制御可能な半導体バルブ41と相互に接続され、破線で囲んだ過熱保護回路42を形成している。この過熱保護回路は、接続端子39、40を介して、AC電源45及び保護する電気機器46を含む直列回路に接続されている。
図2では、スイッチ10は概略的にのみ示している。その設計上の特徴には、図1と同じ参照符号を付している。2本の接続ライン43、44は、スイッチ10の2つの外部端子35、36に接続され、外部端子35、36は固定接点31、32に接続されている。固定接点31、32は、図1に示すスイッチ位置ではスイッチング機構11に支持された接点板24を介して短絡している。外部端子35、36はそれぞれ、過熱保護回路42の接続端子39及び40に接続されている。
接点板24は、スイッチング機構11(この場合はばねスナップアクションディスク21)を介して下部14と電気的に接続されている。下部14は、図2では端子として丸印で表されている。半導体バルブ41は、2つの電流端子47、48を有し、これらの電流端子はそれぞれ接続ライン43、44に接続されている。また、半導体バルブ41は、制御入力49を有し、制御入力49は制御ライン50を介して下部14に接続されている。
接続ライン43、44及び制御ライン50の波形部分51は、半導体バルブ41を任意適切な位置で接続ライン43、44に接続できることを示している。波形部分51はプラグとして具現化できる。
AC電源45及び電気機器46とスイッチ10との既存又は恒久的配線を用いることにより、半導体バルブ41を接続ライン43、44又は外部ライン53、54に所望通りに接続できる。この目的のためにこれらのラインを新たに設ける必要はなく、電流端子47、48との接続のために適切な位置で絶縁材を剥ぎ取りさえすればよい。制御ライン50のみ、スイッチ10まで配線し、下部14の外部に接続する必要がある。その結果、スイッチング機構11との接続、及びスイッチング機構を介した接点板24との接続が確立される。
このように、既存のスイッチ10を半導体バルブ41に接続することができ、この半導体バルブ41は、冒頭で簡単に述べたように、スイッチ10が開く際に受け接点27、28と固定接点31、32との間に形成されるアークを素早く消去する。これらのアークは、図2では略図的に参照符号55で示している。図2には、接点板24がまさに固定接点31、32から離れようとする状態にあるスイッチ10を示している。
図2に示すように温度依存スイッチ10が開くと、アーク55は、接点板24が固定接点31、32から離れるときに発達し始め、すぐさまアーク電圧10ボルトに達する。その結果、半導体バルブ41にとって十分に高く、かつ長く持続する制御電流が生じる。この電流は接点板24、ばねスナップアクションディスク21及び下部14を通じて制御ライン50へ流れ、半導体バルブ41をトリガする。
半導体バルブ41は、トリガされると、すなわち導通するとただちに負荷電流を取り込み、温度依存スイッチ10の電流は遮断される。その結果、アーク55は消去される。AC動作電圧45がゼロ交差に達する、すなわち極性が変化すると、半導体バルブ41は閉じる。この間、接点板24は固定接点31、32から十分に離れているので、フラッシュオーバや新たなアークの形成は生じない。
ここで自己保持抵抗器37は残留電流を取り込む。この残留電流により、機器46の温度が下がった後も、スイッチ10は開いた状態に保たれる。
図2にはまた、加熱抵抗器56を示している。加熱抵抗器56は固定接点31と外部端子35、すなわち過熱保護回路42の接続端子の1つとの間に直列に接続されている。
自己保持抵抗器37も加熱抵抗器56も、本発明において用いられるスイッチ10と半導体バルブ41との相互作用を損なうことはない。
図1に示すスイッチ10の場合、下部14は導電性であるが、絶縁材料から作製することもできる。スイッチング機構11を制御入力49に接続するには、スイッチング機構11との接続を確立するためのさらなる電極が必要となる。このさらなる電極は、図1に示す設計の場合、肩部18の側面から突き出た突起であってもよい。
接点板24がバイメタルスプリングの自由端に配置されている場合、これはバイメタルスプリングの他端、すなわち固定されている端部と接続された電極であってもよい。
2つの外部端子35及び36はまた、それぞれ接続端子39及び40を兼ねていてもよい。外部ライン53、54は、それぞれ接続ライン43及び44であってもよい。この目的のために、接続ライン43及び44は機器46及びAC電源45に接続されている。
2対の同時に開く接点27/31及び28/32を有するスイッチ10に代えて、例えば、DE 21 21 802 A及び出願人が所有するその他の知的所有権に記載されているように、2つの単極温度依存スイッチを用いることもできる。
図3には、2つの接続端子59、60間に接続された過熱保護回路61を示している。過熱保護回路61には、トライアック62の形態をした半導体バルブが、2本の接続ライン65、66及び制御ライン67を介して2つの単極温度依存スイッチ63、64に接続されている。スイッチ63及び64は、いわゆるツインとして相互に接続されている。
トライアック62は、2つの電流端子68、69及び制御入力71を備える。
スイッチ63、64は、それぞれ2つの外部端子72、73及び73、74を有する。外部端子73及び75は、互いに接続され、制御ライン67を介して制御入力71に接続されている。外部端子72及び74はそれぞれ、接続端子59及び60と、接続ライン65及び66とに接続されている。
スイッチ63、64はそれぞれ、スイッチング機構76及び77を有する。スイッチング機構76及び77は、外部端子73及び75を介してトライアック62に接続されている。接続端子59、60に接続された機器78の過熱の結果、AC電源電圧79の同じ半周期内でスイッチング機構76、77が開くと、図2に示す過熱保護回路41の場合に匹敵する機能が得られる。外部ライン80は、過熱保護回路61、機器78、及びAC電源79を直列に接続するために用いられる。
本発明において用いられるトライアックの保護機能により、非常に簡単な設計の温度依存スイッチ63、64を、図3に示す過熱保護回路61に用いることができる。これらのスイッチは、実際は低いスイッチング電力のみを意図して設計されたものである。上述のように、トライアック62により、生じたアークが非常に素早く確実に消去されるため、これらのスイッチを比較的高いスイッチング電力に用いることが可能となり、また、その寿命も比較的長い。
2つの外部端子72及び74は、それぞれ接続端子59及び60としての役割も果たす。外部ライン80もまた接続ライン65及び66によって兼ねることができる。この目的のために、接続ライン65及び66は機器78及びAC電源79に接続されている。
図4に、一例として簡単な単極温度依存スイッチ63を示す。このスイッチは、ベース電極81を有する。ベース電極81は、射出成形によりプラスチック製の支持部82で封止されている。支持部82にカバー電極83が載置されて支持部82の熱圧縮リム84によって保持されている。
カバー電極83及びベース電極81は、それぞれ外部端子72及び73を備える。
この場合、温度依存スイッチング機構76は、バイメタル材料から作製されたばね舌片85を備え、上記のように形成されたスイッチ63のハウジング内に配置されている。
ばね舌片85は、その自由端87で可動接点部86を支持している。可動接点部86は、ベース電極81の凸状湾曲部88と相互に作用する。凸状湾曲部88は固定接点部として作用し、接点部86及び凸状湾曲部がスイッチング接点を形成する。
ばね舌片85は、その後端部89が中間部91を介してカバー電極83に接続されている。
スイッチ63内の温度がばね舌片85の応答温度を超えて上昇すると、ばね舌片の自由端87は図4において上向きに移動する。その結果、可動接点部86が持ち上がり、凸状湾曲部88から離れる。このようにして生じたアークは、上述のようにトライアック62により消去される。
図5に、別の温度依存スイッチ112の、図1と同じような略断面図を示す。温度依存スイッチ112は図2の過熱保護回路42に用いることができる。スイッチ10と同様に、スイッチ112は、内部に2つの固定接点31、32を備えた上部15を備え、固定接点31、32は2つの外部端子35、36に接続されている。
温度依存スイッチング機構11は、その上側114に2つの受け接点27、28を有するバイメタルスナップアクションディスク113を備える。バイメタルスナップアクションディスク113自体が導電性であるため、最も簡単な場合、上側114自体が受け接点27、28となっている。ばね部としてのバイメタルスナップアクションディスク113は、接点板24の役割を果たし、したがって電流伝達素子の役割をも果たす。
バイメタルスナップアクションディスク113は、中央において、導電性ボルト115により導電性支持電極117の内側端部116に接続されており、支持電極の外側端部118は図2の制御ライン50に接続されている。この実施形態では、下部14も上部15と同様に絶縁材料で作製されている。
これに対して、下部14が導電性である場合、下部14を制御入力49との恒久的な電気的接続に用いることができるよう、ボルト116の下部を、下部14の内部底面に直接接続することができる。
バイメタルスナップアクションディスク113の温度が応答温度を超えて上昇すると、矢印120で示すように、そのリム119が図6において下向きに移動する。この動作の間に、受け接点27、28は固定接点31、32から離れ、アークは形成されるものの、上述したように半導体バルブ41によってただちに消去される。
Claims (17)
- 2つの電気接続端子(39、40)を備えた、電気機器(46)を保護するための過熱保護回路であって、前記過熱保護回路が、温度依存スイッチング機構(11)と、接続端子(39、40)に接続された2つの固定接点(31、32)と、スイッチング機構(11)上に配置され、前記スイッチング機構によって動作し、互いに電気的に接続された2つの受け接点(27、28)を備える電流伝達素子(24;113)とを備える温度依存スイッチ(10)を備え、前記受け接点が温度により前記2つの固定接点(31、32)と支持接触し、この接触状態において前記固定接点を電気的に互いに接続し、
前記過熱保護回路が、2つの電流端子(47、48)と制御入力(49)とを有するAC電圧用の制御可能な半導体バルブ(41)を備え、前記2つの電流端子(47、48)がそれぞれ接続端子(39、40)の一方と接続されており、少なくとも前記温度依存スイッチ(10)が閉じているとき前記制御入力(49)が前記スイッチング機構(11)を介して前記電流伝達素子(24)の前記受け接点(27、28)と電気的に接続されていることを特徴とする過熱保護回路。 - 前記制御可能な半導体バルブ(41)がトライアック(62)と同様に機能すること、好ましくはトライアック(62)を備えることを特徴とする請求項1に記載の過熱保護回路。
- 前記温度依存スイッチング機構(11)がばね部(21、22)を備え、ばね部が前記電流伝達素子(24)を支持してこれと電気的に導通するよう接続され、かつ少なくとも前記温度依存スイッチ(10)が閉じているときに前記制御入力(49)と電気的に導通するよう接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の過熱保護回路。
- 前記スイッチ(10)がハウジング(12)を有し、ハウジングが前記スイッチング機構(11)を収納し、下部(14)及び上部(15)を有し、上部の内側(29)に配置された固定接点(31、32)を有することを特徴とする請求項3に記載の過熱保護回路。
- 前記ばね部(21、22)が、少なくとも温度依存スイッチ(10)が閉じているときに下部(14)で支持されているバイメタルスナップアクションディスク(22)であることを特徴とする請求項4に記載の過熱保護回路。
- 前記ばね部(21、22)が、少なくとも温度依存スイッチ(10)が閉じているときには下部(14)によって支持されているばねスナップアクションディスク(21)であり、自体のスイッチング温度を超えると固定接点(31、32)から電流伝達素子(24)を離れさせるバイメタルスナップアクションディスク(22)が備えられていることを特徴とする請求項4に記載の過熱保護回路。
- 前記下部(14)が導電性であることを特徴とする請求項5又は6に記載の過熱保護回路。
- 前記ばね部(21、22)が常に下部(14)と電気的に接続されていることを特徴とする請求項7に記載の過熱保護回路。
- 自己保持抵抗器(37)が固定接点(31、32)の間に接続されていることを特徴とする請求項1〜8のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
- 固定接点(31、32)のうち1つ(31)とそれに関連付けられた接続端子(39)との間に加熱抵抗器(56)が接続されていることを特徴とする請求項1〜9のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
- 電流伝達素子(24)が、2つの受け接点(27、28)が配置された導電性の接点板(24)であり、2つの受け接点が接点板(24)を介して互いに電気的に導通するよう接続されており、接点板(24)がスイッチング機構(11)と電気的に導通するように接続されていることを特徴とする請求項1〜10のいずれか一項に記載の過熱保護回路。
- 前記電流伝達素子(24、113)が、2つの受け接点(27、28)が配置された導電性のばね部(113)であり、2つの受け接点がばね部(113)を介して互いに電気的に導通するように接続されていることを特徴とする請求項1又は2に記載の過熱保護回路。
- 前記ばね部(113)がバイメタルスナップアクションディスク(113)であることを特徴とする請求項12に記載の過熱保護回路。
- 前記ばね部(113)が常に前記制御入力(49)と接続されていることを特徴とする請求項12又は13に記載の過熱保護回路。
- 2つの電気接続端子(59、60)を有する、電気機器(78)を保護するための過熱保護回路であって、2つの外部端子(72、73;74、75)間の電気的接続を温度により確立したり開いたりする温度依存スイッチング機構(76、77)をそれぞれ備える2つの温度依存スイッチ(63、64)を備え、それぞれの場合において、それぞれのスイッチ(63、64)の1つの外部端子(72、74)が接続端子(59、60)の一方に接続されているか、又はそれ自体が接続端子の役割を果たし、他方の外部端子(73、75)が互いに接続されており、
前記過熱保護回路が、2つの電流端子(68、69)と制御入力(71)とを有するAC電圧用の制御可能な半導体バルブ(62)を備え、2つの電流端子(68、69)がそれぞれ接続端子(59、60)の一方と接続されており、制御入力(71)が、互いに接続されている外部端子(73、75)と電気的に接続されていることを特徴とする過熱保護回路。 - 請求項1〜15のいずれか一項に記載の過熱保護回路を備える電気機器(46)。
- 前記半導体バルブ(41;62)が、好ましくはプラグを介して、取り外し可能な状態で温度依存スイッチ(10;63、64)に接続されていることを特徴とする請求項16に記載の機器。
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