JP2014130418A - メモリミラーリング装置、メモリミラーリング方法、及びそのプログラム - Google Patents
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Abstract
【解決手段】上位装置1からの指令で稼働し前記各メモリモジュール用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部4を備え、このメモリアクセス命令生成部4が、通常時に機能して前記第1,第2の各メモリ駆動制御部50,51へ所定の動作指令を送信する通常時アクセス命令生成部40と、第1,第2の各メモリモジュール10,20の内の何れか一方が障害等により交換装備された場合に稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部50,51を介して実行する障害時アクセス命令生成部41とを備えたこと。
【選択図】図1
Description
特許文献1には、CPUからシステム動作中に交換メモリをオンラインで診断することを目的として(第2頁左上欄)、テストモードフラグがオンの際には障害発生により切り離されているメモリユニットを診断タスクのアクセス先とする手法(第2頁右下欄)が開示されている。
例えば、特許文献4記載の手法では、動的なメモリ交換において通常系のメモリと交換対象のメモリとが同一のバスに接続されているため交換後のメモリ初期化に際しては通常系のメモリへのアクセスが必然的に低下してしまう、という不都合があった。
本発明は、上記関連技術の有する不都合を改善し、通常のアクセス速度を低下させることなく、システム動作中にメモリモジュールを交換することのできるメモリミラーリング装置、メモリミラーリング方法、及びそのプログラムを提供することを、その目的とする。
そして、上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュール用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部を備えると共に、このメモリアクセス命令生成部が、
通常時に機能して前記第1,第2の各メモリ駆動制御部へ所定の動作指令を送信する通常時アクセス命令生成部と、
前記第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合に稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する障害時アクセス命令生成部とを備える、という構成を採っている。
上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を予め装備された通常系アクセス命令生成部が生成し、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記第1,第2の各メモリ駆動制御部が稼働し前記メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行し、
前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合には、予め装備された障害時アクセス命令生成部が稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する、という構成を採っている。
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を生成する通常系アクセス命令生成機能、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記メモリミラーリング状態に装備された前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行する読出し書込み制御機能、
および前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合に機能して当該交換されたメモリモジュールの初期化指令を対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部に対して発信するための障害時アクセス命令生成処理機能、
を設け、これらの各機能をコンピュータに実現させるようにする、という構成を採っている。
最初に、本実施形態の基本的な構成を説明し、その後に具体的な構成を説明する。
図1において、本実施形態におけるメモリミラーリング装置2は、メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュール10,20と、この各メモリモジュール10,20に個別に対応して装備され上位装置1の指令により所定のデータの書込み又は読出しを実行する第1,第2のメモリ駆動制御部50,51を有するメモリインターフェイス制御部5とを備えている。
又、上位装置1からの指令で稼働し前記各メモリモジュール10,20用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部4を備えている。
以下、これを更に詳述する。
前述した第1,第2の各DIMM10,20は、図1の場合と同様に、メモリコントローラ3に制御されて同一のデータを格納し記憶する機能を備え、外部に対しては相互にメモリミラーリングを構成している(図2参照)。
まず、前述した第1のメモリ駆動制御部50は、具体的には、上記各アクセス命令生成部40又は41(制御は排他) から受け取ったメモリアクセス命令に基づいてDIMM用チャネル10Aのアドレス線10aとデータ線10bを介して第1のDIMM10へのアクセスを制御する。
ここで、前述した異常系アクセス命令生成部41は、通常時は待機系として機能し、各メモリ駆動制御部50と51には配線410を介して何も出力しない。
又、この第1,第2の各エラー検出訂正回路52,53は、読出しデータの有効性の判定時に訂正可能エラーを検出した場合には、当該訂正可能エラーを訂正しこれを正常データとして出力する機能をそれぞれが備えている(請求項3)。
そして、通常時(メモリミラー状態)は、配線520と配線530とを介して同一データを受け取りデフォルトとして配線520を選択する(図3:ステップS101〜S103参照) 。
最初に全体的な動作を説明する。
まず、上位装置1からの指令でメモリアクセス命令生成部4が稼働し、第1,第2の各DIMM10,20に対する通常時のアクセス命令を予め装備された通常系アクセス命令生成部40が生成する(メモリアクセス命令生成工程)。
以下、これを、具体的に説明する。
次に、第1の動作として、上記実施形態におけるメモリミラーリング装置2の通常時の動作を説明する(図4:ステップS201参照)。
上位装置1から配線300を介してメモリライト命令が入力されると、図1,図2に開示した通常系アクセス命令生成部40は、配線400を介して第1,第2の各メモリ駆動制御部50,51に、同一メモリライト指令を出力する。
上記通常系アクセス命令生成部40は、上位装置1から配線300を介してメモリリード命令が出力されると、配線400を介して第1,第2の各メモリ駆動制御部50,51に同一メモリ内容のリード指令を出力する。この場合、異常系アクセス命令生成部41は待機系となり、各メモリ駆動制御部50,51に何も出力しない。
続いて、リプライデータ制御部59は、配線520,530に出力されたデータを図3のデータ選択フローチャートに従い選択する。
尚、上記第1のDIMM10の切り離し動作は、リプライデータ制御部59の指令に基づいて、例えば、対応する第1のメモリ駆動制御部50が、実行する。
次に、第2の動作として、DIMM障害発生時の動作を説明する。
DIMM10又は20から読み出したデータの訂正不可エラー(又はErrorout信号)が確定すると、障害発生にかかるDIMM10又は20が論理的に切り離しとなり、図3のフロー中の通常(ステップS201)から縮退1(図4:ステップS202)へと移行する。
前記メモリリード動作(読出し動作)で第1のエラー検出訂正回路52で訂正不可能エラー(又はErrorout)信号を配線10eを介して検出した場合、即時に図4の縮退1(図4:ステップS202)に移行し、DIMM用チャネル10Bは通常系から論理的に切り離され、通常系アクセス命令生成部40は第2のメモリ駆動制御部51のみに命令を出力し、DIMM用チャネル20Bのみで通常メモリアクセス動作を継続する。
これにより、DIMM用チャネル20B側は性能低下無しに通常メモリアクセス動作が維持可能となる。
次に、論理的に切り離されたDIMM用チャネル10Bに対するDIMM交換からDIMMの初期設定までの一連の動作を、図5のフローチャートに従い、順に説明する。
続いて、故障DIMM10の物理的な交換を実施して新規なDIMM10を装備し(図5:ステップS303)、DIMM用チャネル10B側の電源オン(ON)前の準備として、メモリコントローラ3側の設定を実施する(図5:ステップS304)。その後、電源動作制御部3Aを稼働させてDIMM用チャネル10B側の電源をオンする(図5:ステップS305)。
このテストにより、データオール「1」および「0」の確認と初期値オール「0」の格納が実現可能となる。
特に、図5のステップS308〜S310はDIMM用チャネル10B(又は20B)経由でDIMM10(又は20)の初期化を実施しなければならない。このため、メモリアクセス命令生成部4による制御が必須である。
次に、第3の動作として、縮退2における動作(図4:ステップ203)を、図6のフローチャートに従って詳述する。
この縮退2(図4:ステップ203) のフェースでは、通常系のDIMM20の内容を、交換が完了した新規のDIMM10へ全てコピーする。
まず、縮退2(図4:ステップ203) に移行すると、通常系アクセス命令生成部40は、配線400を介して第1,第2の各メモリ駆動制御部50,51に接続する。この場合、メモリアクセス命令生成部41は再び待機系となる。ただし、通常系アクセス命令生成部40は、切り離しとなったDIMM用チャネル10Bに対しては、メモリライト命令のみを発行し、メモリリード命令は発行しない。
一方、全アドレス領域を終了している場合は、第2のDIMM20から第1のDIMM10へのメモリコピー終了、と判断し(図6:ステップ405)、通常処理(図4:ステップS201)に戻り、再びメモリミラーリング状態となる。
この場合、本プログラムは非一時的な記憶媒体(例えば、DVD、CD、フラッシュメモリ等)に記録されてもよい。その場合、本プログラムは記憶媒体からコンピュータによって読み出され実行される。
第1の効果は、障害系アクセス命令生成部41が有効に機能して、メモリミラーリングにおけるメモリモジュールである第1のDIMM10又は第1のDIMM20の交換時に従来より生じていたメモリアクセス性能の低下を、確実に回避することが可能となる。
第2の効果はメモリミラーリングにおけるメモリモジュール交換時間を短縮することで短時間でメモリミラーリング状態に復旧することが可能になり、システムの信頼度を有効に維持することができる。
メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールと、この各メモリモジュールに個別に対応して装備され上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを実行する第1,第2のメモリ駆動制御部を有するメモリインターフェイス制御部とを備えたメモリミラーリング装置において、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュール用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部を備えると共に、
このメモリアクセス命令生成部が、通常時に機能して前記第1,第2の各メモリ駆動制御部へ所定の動作指令を送信する通常時アクセス命令生成部と、前記第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合に稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する障害時アクセス命令生成部とを備えたことを特徴とするメモリミラーリング装置。
付記1記載のメモリミラーリング装置において、
前記メモリインターフェイス制御部は、
前記第1,第2の各メモリモジュールの何れか一方に障害が発生した場合にこれを検知して対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部へ排除指令を出力すると共に前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送るリプライデータ制御部を、予め備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。
付記2記載のメモリミラーリング装置において、
前記メモリインターフェイス制御部が、更に、前記各メモリモジュールに対応して個別に装備され当該各メモリモジュールからの読出しデータの有効性を個別に判定すると共にエラー検出なしの場合に当該各読出しデータをそれぞれ正常セータと認定する第1,第2のエラー検出訂正回路を装備し、
この第1,第2の各エラー検出訂正回路で正常データと認定されたデータの内の一の読出しデータを、前記リプライデータ制御部が前記上位装置へ出力する機能を備えていることを特徴とするメモリミラーリング装置。
付記3記載のメモリミラーリング装置において、
前記第1,第2の各エラー検出訂正回路は、読出しデータの有効性の判定時に訂正可能エラーを検出した場合には当該訂正可能エラーを訂正しこれを正常データとして出力する機能をそれぞれが備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。
付記3又は4に記載のメモリミラーリング装置において、
前記リプライデータ制御部は、前記各エラー検出訂正回路で有効と判定されたデータの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからのデータを優先して前記上位装置へ出力する機能を備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。
付記3又は4に記載のメモリミラーリング装置において、
前記リプライデータ制御部は、前記各メモリモジュールからの読出しデータに基づいて障害の発生有無を判定する障害有無判定機能と、この障害有りと判定されたメモリモジュールを交換対象として論理的に排除する前記排除指令を対応する前記第1又は第2のメモリ駆動制御部へ送信する排除指令送信機能とを備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。
メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールに個別に対応して稼働し、上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを第1,第2のメモリ駆動制御部が実行するメモリミラーリング装置にあって、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を予め装備された通常系アクセス命令生成部が生成し(メモリアクセス命令生成工程)、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記第1,第2の各メモリ駆動制御部が稼働し前記メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行し(読出し書込み制御工程)、
前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合には、予め装備された障害時アクセス命令生成部が稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する構成としたこと(交換メモリ初期化工程)を特徴とするメモリミラーリング方法。
付記7記載のメモリミラーリング方法において、
前記障害等の発生に伴う前記メモリモジュールの交換に先立って、
第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方に障害が発生した場合に当該障害情報を入手したリプライデータ制御部が対応する前記メモリ駆動制御部へ排除指令を発信すると共に前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送出する工程(障害メモリ用排除指令発信工程)を設けたことを特徴とするメモリミラーリング方法。
付記7記載のメモリミラーリング方法において、
前記交換メモリ初期化後に、前記上位装置からアクセスされた正常データを当該上位装置に送出するに際し、正常動作後の第1,第2の各メモリモジュールから得られる正常データの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからの正常データを、前記リプライデータ制御部が第2のメモリモジュールから得られる正常データに優先して前記上位装置へ出力することを特徴としたメモリミラーリング方法。
メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールに個別に対応して稼働し、上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを第1,第2のメモリ駆動制御部が実行するメモリミラーリング装置にあって、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を生成する通常系アクセス命令生成機能、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記メモリミラーリング状態に装備された前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行する読出し書込み制御機能、
および前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合に機能し、当該交換されたメモリモジュールの初期化指令を対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部に対して発信する障害時アクセス命令生成処理機能、
を設け、これらの各機能をコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。
付記10記載のメモリミラーリング用動作プログラムにおいて、
前記障害等の発生に伴い交換される前記メモリモジュールの交換に先立って、
第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方に障害が発生した場合に当該障害情報に基づいて機能し対応する前記メモリ駆動制御部へ排除指令を発信する機能、および前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送出する正常データ送出処理機能、
を設け、これらを前記コンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。
付記10記載のメモリミラーリング用動作プログラムにおいて、
前記交換メモリ初期化後に、前記上位装置からアクセスされた正常データを当該上位装置に送出するに際し、正常動作後の前記第1,第2の各メモリモジュールから得られる正常データの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからの正常データを前記第2のメモリモジュールからの正常データに優先して前記上位装置へ出力する優先出力処理機能を設け、
これを前記コンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。
2 メモリミラーリング装置
3 メモリコントローラ
4 メモリアクセス命令生成部
5 メモリインターフェイス制御部
10 第1のメモリモジュール(第1のDIMM)
11 第2のメモリモジュール(第2のDIMM)
40 通常系アクセス命令生成部
41 障害系アクセス命令生成部
50 第1のメモリ駆動制御部
51 第2のメモリ駆動制御部
52 第1のエラー検出訂正回路
53 第2のエラー検出訂正回路
59 リプライデータ制御部
そして、上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュール用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部を備えると共に、このメモリアクセス命令生成部が、
通常時には前記第1,第2の各メモリ駆動制御部の各々へ所定の動作指令を送信する一方、前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方に障害が生じた場合と前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合には他方のメモリーモジュールのメモリ駆動制御部に対してのみ前記所定の動作指令を送信する通常時アクセス命令生成部と、
前記第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合に稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する障害時アクセス命令生成部とを備える、という構成を採っている。
上位装置からの指令で予め装備された通常系アクセス命令生成部が稼働し、通常時には前記第1,第2の各メモリ駆動制御部の各々へのアクセス命令を生成する一方、前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方に障害が生じた場合と前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合には他方のメモリーモジュールのメモリ駆動制御部に対してのみアクセス命令を生成し、
この生成されたアクセス命令に従って前記第1,第2の各メモリ駆動制御部が稼働し前記メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行し、
前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合には、予め装備された障害時アクセス命令生成部が稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する、という構成を採っている。
前記上位装置からの指令で稼働し、通常時には前記第1,第2の各メモリ駆動制御部の各々へのアクセス命令を生成する一方、前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方に障害が生じた場合と前記第1,第2のメモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合には他方のメモリーモジュールのメモリ駆動制御部に対してのみアクセス命令を生成する通常系アクセス命令生成機能、
この生成されたアクセス命令に従って前記メモリミラーリング状態に装備された前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行する読出し書込み制御機能、
および前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合に機能して当該交換されたメモリモジュールの初期化指令を対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部に対して発信するための障害時アクセス命令生成処理機能、
を設け、これらの各機能をコンピュータに実現させるようにする、という構成を採っている。
又、この第1,第2の各エラー検出訂正回路52,53は、読出しデータの有効性の判定時に訂正可能エラーを検出した場合には、当該訂正可能エラーを訂正しこれを正常データとして出力する機能をそれぞれが備えている(請求項3)。
付記2記載のメモリミラーリング装置において、
前記メモリインターフェイス制御部が、更に、前記各メモリモジュールに対応して個別に装備され当該各メモリモジュールからの読出しデータの有効性を個別に判定すると共にエラー検出なしの場合に当該各読出しデータをそれぞれ正常データと認定する第1,第2のエラー検出訂正回路を装備し、
この第1,第2の各エラー検出訂正回路で正常データと認定されたデータの内の一の読出しデータを、前記リプライデータ制御部が前記上位装置へ出力する機能を備えていることを特徴とするメモリミラーリング装置。
Claims (12)
- メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールと、この各メモリモジュールに個別に対応して装備され上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを実行する第1,第2のメモリ駆動制御部を有するメモリインターフェイス制御部とを備えたメモリミラーリング装置において、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュール用のアクセス命令を生成するメモリアクセス命令生成部を備えると共に、
このメモリアクセス命令生成部が、
通常時に機能して前記第1,第2の各メモリ駆動制御部へ所定の動作指令を送信する通常時アクセス命令生成部と、
前記第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等により交換装備された場合に稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する障害時アクセス命令生成部とを備えたことを特徴とするメモリミラーリング装置。 - 請求項1記載のメモリミラーリング装置において、
前記メモリインターフェイス制御部は、
前記第1,第2の各メモリモジュールの何れか一方に障害が発生した場合にこれを検知して対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部へ排除指令を出力すると共に前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送るリプライデータ制御部を、予め備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。 - 請求項2記載のメモリミラーリング装置において、
前記メモリインターフェイス制御部が、更に、前記各メモリモジュールに対応して個別に装備され当該各メモリモジュールからの読出しデータの有効性を個別に判定すると共にエラー検出なしの場合に当該各読出しデータをそれぞれ正常セータと認定する第1,第2のエラー検出訂正回路を装備し、
この第1,第2の各エラー検出訂正回路で正常データと認定されたデータの内の一の読出しデータを、前記リプライデータ制御部が前記上位装置へ出力する機能を備えていることを特徴とするメモリミラーリング装置。 - 請求項3記載のメモリミラーリング装置において、
前記第1,第2の各エラー検出訂正回路は、読出しデータの有効性の判定時に訂正可能エラーを検出した場合には当該訂正可能エラーを訂正しこれを正常データとして出力する機能をそれぞれが備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。 - 請求項3又は4に記載のメモリミラーリング装置において、
前記リプライデータ制御部は、前記各エラー検出訂正回路で有効と判定されたデータの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからのデータを優先して前記上位装置へ出力する機能を備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。 - 請求項3又は4に記載のメモリミラーリング装置において、
前記リプライデータ制御部は、前記各メモリモジュールからの読出しデータに基づいて障害の発生有無を判定する障害有無判定機能と、この障害有りと判定されたメモリモジュールを交換対象として論理的に排除する前記排除指令を対応する前記第1又は第2のメモリ駆動制御部へ送信する排除指令送信機能とを備えていることを特徴としたメモリミラーリング装置。 - メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールに個別に対応して稼働し、上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを第1,第2のメモリ駆動制御部が実行するメモリミラーリング装置にあって、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を予め装備された通常系アクセス命令生成部が生成し(メモリアクセス命令生成工程)、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記第1,第2の各メモリ駆動制御部が稼働し前記メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行し(読出し書込み制御工程)、
前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合には、予め装備された障害時アクセス命令生成部が稼働して当該交換されたメモリモジュールの初期化を、対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部を介して実行する構成としたこと(交換メモリ初期化工程)を特徴とするメモリミラーリング方法。 - 請求項7記載のメモリミラーリング方法において、
前記障害等の発生に伴う前記メモリモジュールの交換に先立って、
第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方に障害が発生した場合に当該障害情報を入手したリプライデータ制御部が対応する前記メモリ駆動制御部へ排除指令を発信すると共に前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送出する工程(障害メモリ用排除指令発信工程)を設けたことを特徴とするメモリミラーリング方法。 - 請求項7に記載のメモリミラーリング方法において、
前記交換メモリ初期化後に、前記上位装置からアクセスされた正常データを当該上位装置に送出するに際し、正常動作後の第1,第2の各メモリモジュールから得られる正常データの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからの正常データを、前記リプライデータ制御部が第2のメモリモジュールから得られる正常データに優先して前記上位装置へ出力するようにしたことを特徴とするメモリミラーリング方法。 - メモリミラーリング状態に装備された第1,第2の各メモリモジュールに個別に対応して稼働し、上位装置の指令により所定のデータの書込み又は読出しを第1,第2のメモリ駆動制御部が実行するメモリミラーリング装置にあって、
前記上位装置からの指令で稼働し前記各メモリモジュールに対する通常時のアクセス命令を生成する通常系アクセス命令生成機能、
この生成されたメモリアクセス命令に従って前記メモリミラーリング状態に装備された前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みを実行する読出し書込み制御機能、
および前記第1,第2の各メモリモジュールへの読み出し又は書き込みの実行に相前後して、第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方が障害等の発生により交換装備された場合に機能し、当該交換されたメモリモジュールの初期化指令を対応する何れか一方の前記メモリ駆動制御部に対して発信する障害時アクセス命令生成処理機能、
を設け、これらの各機能をコンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。 - 請求項10記載のメモリミラーリング用動作プログラムにおいて、
前記障害等の発生に伴い交換される前記メモリモジュールの交換に先立って、
第1,第2の各メモリモジュールの内の何れか一方に障害が発生した場合に当該障害情報に基づいて機能し対応する前記メモリ駆動制御部へ排除指令を発信する機能、および前記上位装置からアクセスされた正常データを前記上位装置に送出する正常データ送出処理機能、
を設け、これらを前記コンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。 - 請求項10記載のメモリミラーリング用動作プログラムにおいて、
前記交換メモリ初期化後に、前記上位装置からアクセスされた正常データを当該上位装置に送出するに際し、正常動作後の前記第1,第2の各メモリモジュールから得られる正常データの内、一方のメモリモジュールである前記第1のメモリモジュールからの正常データを前記第2のメモリモジュールからの正常データに優先して前記上位装置へ出力する優先出力処理機能を設け、
これを前記コンピュータに実現させるようにしたことを特徴とするメモリミラーリング用動作プログラム。
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---|---|---|---|
JP2012286704A JP5618219B2 (ja) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | メモリミラーリング装置、メモリミラーリング方法、及びそのプログラム |
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Cited By (2)
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CN111858160A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-30 | 杭州龙境科技有限公司 | 一种便于云手机访问的IeMMC方法和系统 |
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Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220045A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Fujitsu Ltd | 記憶装置の現用・予備切替方式 |
JPH06223001A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Omron Corp | 二重化システムのコピー処理方法 |
JP2002333935A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 冗長コントローラシステムにコントローラを活線挿入する方法およびシステム |
JP2004054615A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | 多重化された外部メモリの等価性回復プログラム |
-
2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6220045A (ja) * | 1985-07-19 | 1987-01-28 | Fujitsu Ltd | 記憶装置の現用・予備切替方式 |
JPH06223001A (ja) * | 1993-01-25 | 1994-08-12 | Omron Corp | 二重化システムのコピー処理方法 |
JP2002333935A (ja) * | 2001-03-15 | 2002-11-22 | Hewlett Packard Co <Hp> | 冗長コントローラシステムにコントローラを活線挿入する方法およびシステム |
JP2004054615A (ja) * | 2002-07-19 | 2004-02-19 | Fujitsu Ltd | 多重化された外部メモリの等価性回復プログラム |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111858160A (zh) * | 2020-06-23 | 2020-10-30 | 杭州龙境科技有限公司 | 一种便于云手机访问的IeMMC方法和系统 |
CN111858160B (zh) * | 2020-06-23 | 2023-12-22 | 杭州龙境科技有限公司 | 一种便于云手机访问的IeMMC方法和系统 |
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