JP7477574B2 - メモリミラーリング装置、及びメモリミラーリング方法 - Google Patents
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Description
プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、上記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、上記第1メモリモジュール及び上記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング装置であって、
入力されるデータ選択信号に基づいて、上記第1メモリモジュール及び上記第2メモリモジュールよりそれぞれ読み出されるデータのいずれかを選択するデータ選択部と、
上記データ選択部と上記第1メモリモジュールとの間に挿入され、上記第1メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで上記データ選択部へデータ送出を行う第1チャネル制御部と、
上記データ選択部と上記第2メモリモジュールとの間に挿入され、上記第2メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで上記データ選択部へデータ送出を行う第2チャネル制御部と、
上記第1メモリモジュール及び上記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミング、上記読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無、及び上記訂正不可能エラーのタイミングを監視し、この監視結果に基づいて、上記第1チャネル制御部及び上記第2チャネル制御部に上記データ送出指示信号を出力し、上記データ選択部に上記データ選択信号を出力するメモリミラーリング制御部と、を含む。
プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、上記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、上記第1メモリモジュール及び上記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング方法であって、
上記第1メモリモジュール及び上記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミング、上記読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無、及び上記訂正不可能エラーのタイミングを監視し、
この監視結果に基づいて、上記第1メモリモジュールから読み出されたデータ及び上記第2メモリモジュールから読み出されたデータの上記プロセッサへ向けた送出タイミングを指示すると共に、上記第1メモリモジュールから読み出されたデータ及び上記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれを選択するか指示する。
初めに、本発明の上位概念の実施形態によるメモリミラーリング装置、及びメモリミラーリング方法について、説明する。図1は、本発明の上位概念の実施形態のミラーリング装置の一例としてのミラーリング制御装置の構成を示すブロック図である。
次に、本発明の一実施形態によるメモリミラーリング装置、及びメモリミラーリング方法について、説明する。
図2は、本発明の一実施形態によるメモリミラーリング装置の構成を説明するためのブロック図であり、図1のメモリミラーリング装置を含んで構成されたコンピュータ装置の構成を示す。図2のコンピュータ装置は、プロセッサ1と、冗長化された二つのメモリモジュール(第1メモリモジュール3a、第2メモリモジュール3b)との間にメモリ制御部2が接続されて、メモリミラーリング機能を有するコンピュータ装置を構成する。
次に図2のミラーリング装置について、図3から図7のタイミングチャートを用いて詳細に説明する。
図3は、第1メモリモジュール3aからのメモリリードデータ6aと第2メモリモジュール3bからのメモリリードデータ6bのリプライタイミングが全く同一で、かつメモリリードデータ6a、6bのどちらにも訂正不可能エラーがない場合のタイミングチャートである。図3の例ではメモリリードデータ6a、6bのリプライタイミングが全く同一のため、時刻T0、T1で両チャネルのデータが揃い、データ送出指示信号52がHになる。その結果、その次のクロックからチャネル制御部(22a、22b)からデータ複製部・データ選択部21へメモリリードデータ51a、51bの送出がそれぞれ始まる。一方、データ選択信号53は、ミラーリングされたデータのどちらにも訂正不可能エラーがないためLから変化しない。図3の動作例の場合は、ミラーリングされたデータのどちらにも訂正不可能エラーがないため、どちらを選択しても問題はない(図4の例でも同様)。その結果、例えば第1メモリモジュール3aからリードされたメモリリードデータ6aがデータ複製部・データ選択部21で選択され、プロセッサ1へリプライデータ(50)としてリプライされる。
図4は、第1メモリモジュール3aからのメモリリードデータ6aと第2メモリモジュール3bからのメモリリードデータ6bのチャネル間のリードデータ到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長より小さい場合でかつメモリリードデータ6a、6bのどちらにも訂正不可能エラーがない場合のタイミングチャートである。図4の例では、チャネル間のリードデータ到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長より小さいので、時刻T2、T3で両チャネルのデータが揃い、データ送出指示信号52がHになる。その結果、その次のクロックからチャネル制御部(22a、22b)からデータ複製部・データ選択部21へメモリリードデータ51a、51bの送出がそれぞれ始まる。一方、ミラーリングされたデータ(メモリリードデータ6a、6b)のどちらにも訂正不可能エラーがないため、データ選択信号53はLから変化しない。その結果、例えば第1メモリモジュール3aからリードされたメモリリードデータ6aがデータ複製部・データ選択部21で選択され、プロセッサ1へリプライデータ(50)としてリプライされる。
図5は、メモリリードデータ6a、6bのチャネル間のメモリリードデータ到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長より大きいか等しい場合でかつメモリリードデータ6a、6bのうち先に到着したデータに訂正不可能エラーがない場合のタイミングチャートである。図5の例では時刻T4、T5で両チャネルのリードデータの到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長に達するため、データ送出指示信号52がHになる。その結果、その次のクロックからチャネル制御部(22a、22b)からデータ複製部・データ選択部21へ、メモリリードデータ51a、51bの送出がそれぞれ始まる。ここで、メモリリードデータ51aはデータ送出指示信号52がHになった時点で、まだリードデータが到着していないため不定データ“X”が出力される。一方、データ選択信号53は時刻T4、T5で先に到着したメモリリードデータ51bを選択するためHに変化する。その結果、第2メモリモジュール3bからリードされたメモリリードデータ51bがデータ複製部・データ選択部21で選択され、プロセッサ1へリプライデータ(50)としてリプライされる。
次に、メモリモジュールからのリードデータのどちらか一方に訂正不可能エラーがある場合の動作例を以下に示す。
図7はメモリリードデータ6a、6bのチャネル間のメモリリードデータ到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長より大きいか等しい場合でかつメモリリードデータ6a、6bのうち先に到着したチャネルのメモリリードデータに訂正不可能エラーがある場合のタイミングチャートである。図7の例では時刻T9で両チャネルのリードデータの到着時間のずれがメモリミラーリング制御部23に設定したバースト転送のバースト長に達するが、先に到着したメモリリードデータ6aに訂正不可能エラーが含まれるためデータ送出指示信号52はLのままでデータ送出指示は行わない。メモリミラーリング制御部23では、メモリリードデータ6aの訂正不可能エラーを検知して、メモリリードデータ51bを選択するようにデータ選択信号53をメモリミラーリング制御部23に設定したしきい値分のデータを受信した後のT9のタイミングでHに切り替える。次に、遅れてメモリリードデータ6bが到着するとデータ送出指示信号52はリードデータが到着すると同時にT10、T11のタイミングでHとなる。その結果、その次のクロックからチャネル制御部(22a、22b)からデータ複製部・データ選択部21へメモリリードデータ51a、51bの送出がそれぞれ始まる。データ選択信号53はT9のタイミングでHとなっているので、第2メモリモジュール3bからリードされたメモリリードデータ51bがデータ複製部・データ選択部21で選択され、プロセッサ1へリプライデータ(50)としてリプライされる。以上の動作により、メモリリードデータ6a、6bの到着時間の大幅なずれがあり、メモリリードデータのどちらか一方に訂正不可能エラーがあった場合でも、データの完全性を確保できる。
図2に示される本実施形態のメモリミラーリング機能を有するコンピュータ装置によれば、次のような特有の効果を奏する。
特許文献1乃至特許文献3はいずれも、冗長化されたメモリモジュールからリプライされるリードデータの到着タイミングが揃っていることを、前提とした技術である。例えば、図9や図11に示される背景技術では、同一の時刻に同一のアクティブコマンド、及び、リードコマンドを同一のタイミングで出力するのに応答して、二つのメモリモジュールからはリードデータが全く同一のタイミングで出力される、ことを前提としている。
(付記1)プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、前記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング装置であって、
入力されるデータ選択信号に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールよりそれぞれ読み出されるデータのいずれかを選択するデータ選択部と、
前記データ選択部と前記第1メモリモジュールとの間に挿入され、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行う第1チャネル制御部と、
前記データ選択部と前記第2メモリモジュールとの間に挿入され、前記第2メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行う第2チャネル制御部と、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミング、前記読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無、及び前記訂正不可能エラーのタイミングを監視し、この監視結果に基づいて、前記第1チャネル制御部及び前記第2チャネル制御部に前記データ送出指示信号を出力し、前記データ選択部に前記データ選択信号を出力するメモリミラーリング制御部と、を含む
メモリミラーリング装置。
(付記2)前記メモリミラーリング制御部は、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
付記1に記載のメモリミラーリング装置。
(付記3)前記メモリミラーリング制御部は、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータに訂正不可能エラーがないときには、先に読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
付記1に記載のメモリミラーリング装置。
(付記4)前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記メモリミラーリング制御部は、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータ列が訂正不可能エラーを含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、前記データ列のうち前記訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
付記1に記載のメモリミラーリング装置。
(付記5)前記メモリミラーリング制御部は、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着を待つとともに、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
付記1に記載のメモリミラーリング装置。
(付記6)前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記メモリミラーリング制御部は、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着を待つとともに、
訂正不可能エラーが発生しているデータを先に読み出されたデータ列が含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、前記データ列のうち前記訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
付記1に記載のメモリミラーリング装置。
(付記7)前記先に読み出されたデータに訂正可能エラーがあるときには、訂正可能エラーが訂正された後に、読み出される、
付記1乃至付記6のいずれか一つに記載のメモリミラーリング装置。
(付記8)前記しきい値は、前記メモリミラーリング制御部に指定された、バースト転送のバースト長である、
付記3乃至6のいずれか一つに記載のメモリミラーリング装置。
(付記9)プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、前記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング方法であって、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミング、前記読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無、及び前記訂正不可能エラーのタイミングを監視し、
この監視結果に基づいて、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータ及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記プロセッサへ向けた送出タイミングを指示すると共に、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータ及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれを選択するか指示する、
メモリミラーリング方法。
(付記10)前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、
訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータ及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかを選択する、
付記9に記載のメモリミラーリング方法。
(付記11)前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータに訂正不可能エラーがないときには、先に読み出されたデータを選択するように指示する、
付記9に記載のメモリミラーリング方法。
(付記12)前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータ列が訂正不可能エラーを含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、前記データ列のうち前記訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように指示する、
付記9に記載のメモリミラーリング方法。
(付記13)前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着を待つとともに、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように指示する、
付記9に記載のメモリミラーリング方法。
(付記14)前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングと前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの到着を待つとともに、
訂正不可能エラーが発生しているデータを先に読み出されたデータ列が含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、前記データ列のうち前記訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように指示する、
付記9に記載のメモリミラーリング方法。
(付記15)前記先に読み出されたデータに訂正可能エラーがあるときには、訂正可能エラーが訂正された後に、読み出される、
付記9乃至付記14のいずれか一つに記載のメモリミラーリング方法。
(付記16)前記しきい値は、バースト転送のバースト長である、
付記11乃至14のいずれか一つに記載のメモリミラーリング方法。
2 メモリ制御部
3a 第1メモリモジュール
3b 第2メモリモジュール
20 メモリアクセス制御部
21、61 データ複製部・データ選択部
22a、62a 第1チャネル制御部
22b、62b 第2チャネル制御部
23、63 メモリミラーリング制御部
24a 第1メモリコントローラ
24b 第2メモリコントローラ
52、72 データ送出指示信号
53、73 データ選択信号
60 メモリミラーリング装置
100、200 コンピュータ装置
101、201 CPU
102、202 CPUコントローラ
103、203 メモリコントローラ
104a、204a 第1メモリモジュール
204b、204b 第2メモリモジュール
105a、105b、205a、205b メモリ制御バス
106a、106b、206a、206b メモリデータバス
Claims (9)
- プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、前記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング装置であって、
入力されるデータ選択信号に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールよりそれぞれ読み出されるデータのいずれかを選択するデータ選択部と、
前記データ選択部と前記第1メモリモジュールとの間に挿入され、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行う第1チャネル制御部と、
前記データ選択部と前記第2メモリモジュールとの間に挿入され、前記第2メモリモジュールから読み出されたデータを前記データ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行う第2チャネル制御部と、
前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの前記第1チャネル制御部への第1到着タイミング、前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記第2チャネル制御部への第2到着タイミング、及び前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無を監視し、この監視結果に応じた基準を満たすように、前記第1チャネル制御部及び前記第2チャネル制御部に前記データ送出指示信号を出力し、前記データ選択部に前記データ選択信号を出力するメモリミラーリング制御部と、
を含み、
前記基準は、前記第1到着タイミングあるいは前記第2到着タイミングによって前記第1チャネル制御部あるいは前記第2チャネル制御部に到着済みであることが示されるデータのうちで、訂正不可能エラーが無いデータが前記データ選択部によって選択されることを表す、
メモリミラーリング装置。 - 前記メモリミラーリング制御部は、前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータに訂正不可能エラーがないときには、先に読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項1に記載のメモリミラーリング装置。 - 前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記メモリミラーリング制御部は、前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータ列が訂正不可能エラーを含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、先に読み出されたデータ列のうち訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項1に記載のメモリミラーリング装置。 - 前記メモリミラーリング制御部は、前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの前記第1チャネル制御部への到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記第2チャネル制御部への到着を待つとともに、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項1に記載のメモリミラーリング装置。 - 前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータ列を読み出す場合、
前記メモリミラーリング制御部は、前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの前記第1チャネル制御部への到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記第2チャネル制御部への到着を待つとともに、
訂正不可能エラーが発生しているデータを先に読み出されたデータ列が含むときには、先に読み出されたデータを選択することを基本としつつ、先に読み出されたデータ列のうち訂正不可能エラーが発生しているデータに対しては後に読み出されたデータ列の訂正不可能エラーのないデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項1に記載のメモリミラーリング装置。 - 前記しきい値は、前記メモリミラーリング制御部に指定された、バースト転送のバースト長である、
請求項2乃至5のいずれか一項に記載のメモリミラーリング装置。 - プロセッサからの書き込み指示に基づいて、第1メモリモジュール及び第2メモリモジュールに同一のデータを書き込むと共に、前記プロセッサからの読み出し指示に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールからデータを読み出すメモリミラーリング方法であって、
データ選択部によって、入力されるデータ選択信号に基づいて、前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールよりそれぞれ読み出されるデータのいずれかを選択し、
前記データ選択部と前記第1メモリモジュールとの間に挿入された第1チャネル制御部によって、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータをデータ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行い、
前記データ選択部と前記第2メモリモジュールとの間に挿入された第2チャネル制御部によって、前記第2メモリモジュールから読み出されたデータを前記データ送出指示信号が指示するタイミングで前記データ選択部へデータ送出を行い、
メモリミラーリング制御部によって、
前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの前記第1チャネル制御部への第1到着タイミング、前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記第2チャネル制御部への第2到着タイミング、及び前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの訂正不可能エラーの有無を監視し、
この監視結果に応じた基準を満たすように、前記第1チャネル制御部及び前記第2チャネル制御部に前記データ送出指示信号を出力し、前記データ選択部に前記データ選択信号を出力し、
前記基準は、前記第1到着タイミングあるいは前記第2到着タイミングによって前記第1チャネル制御部あるいは前記第2チャネル制御部に到着済みであることが示されるデータのうちで、訂正不可能エラーが無いデータが前記データ選択部によって選択されることを表す、
メモリミラーリング方法。 - 前記メモリミラーリング制御部によって、
前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より小さく、かつ先に読み出されたデータに訂正不可能エラーがないときには、先に読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項7に記載のメモリミラーリング方法。 - 前記メモリミラーリング制御部によって、
前記第1到着タイミングと前記第2到着タイミングとの間のずれ量を監視し、
前記ずれ量がしきい値より大きいか等しいときには、前記第1メモリモジュールから読み出されたデータの前記第1チャネル制御部への到着と前記第2メモリモジュールから読み出されたデータの前記第2チャネル制御部への到着を待つとともに、
前記第1メモリモジュール及び前記第2メモリモジュールから読み出されたデータのいずれかに訂正不可能エラーがあるときには、訂正不可能エラーがない方の読み出されたデータを選択するように、前記データ選択信号を前記データ選択部に出力する、
請求項7に記載のメモリミラーリング方法。
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- 2022-09-28 JP JP2022154324A patent/JP7477574B2/ja active Active
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JP2014130418A (ja) | 2012-12-28 | 2014-07-10 | Nec Computertechno Ltd | メモリミラーリング装置、メモリミラーリング方法、及びそのプログラム |
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