JP2014127548A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014127548A JP2014127548A JP2012282189A JP2012282189A JP2014127548A JP 2014127548 A JP2014127548 A JP 2014127548A JP 2012282189 A JP2012282189 A JP 2012282189A JP 2012282189 A JP2012282189 A JP 2012282189A JP 2014127548 A JP2014127548 A JP 2014127548A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- region
- groove
- gate electrode
- semiconductor device
- drift
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 167
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 70
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 120
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 45
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 33
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 claims description 8
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims 3
- 230000010354 integration Effects 0.000 abstract description 10
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 39
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 37
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 27
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 12
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 11
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 6
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 6
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 3
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 2
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 2
- 238000004518 low pressure chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 229910021334 nickel silicide Inorganic materials 0.000 description 2
- RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N nickel silicide Chemical compound [Ni]=[Si]=[Ni] RUFLMLWJRZAWLJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N phosphoryl trichloride Chemical compound ClP(Cl)(Cl)=O XHXFXVLFKHQFAL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 2
- FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N trichloroborane Chemical compound ClB(Cl)Cl FAQYAMRNWDIXMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 2
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015844 BCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004219 SiNi Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020560 SiW Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910008484 TiSi Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N phosphinic chloride Chemical compound ClP=O RLOWWWKZYUNIDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 238000002230 thermal chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 229910021341 titanium silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】平面的に配置される複数の単位セルを備え、各単位セルは、トランジスタを有し、該トランジスタのゲート電極8が設けられる溝5の底部にダイオードを構成するP型アノード領域6を設けている。そして、溝5内の一部の領域において、ソース電極13とP型アノード領域6が電気的に接続され、溝5内の他の領域において、該溝5内の一方の側面に形成されたゲート電極8と、他方の側面に形成されたゲート電極8が、該溝5の底部を通じて電気的に接続される。このため、半導体装置の集積度を向上させることができる。
【選択図】 図1
Description
図1は、本発明の第1実施形態に係る半導体装置の断面図である。また、図2は、第1実施形態に係る半導体装置の平面図であり、図1に示すA−A’断面を示している。即ち、図1に示す矩形状の単位セルが複数個マトリクス状に配置して構成されており、図1のA−A’断面が図2に示す形状となっている。図1に示す例では、4×4個の単位セルがマトリクス状に配置されている。また、該半導体装置を平面視した際に、縦方向、及び横方向に網目状に溝5が形成され、該溝5により、複数の単位セルが区分されている。なお、図1における縦方向の長さは、理解を促進するために誇張して記載している。
図10A〜図10Cでは、図9A〜図9Cでマスク層14を除去した状態を記載している。マスク層14を除去した状態でもイオン注入を行うことができ、図10A〜図10Cのように、P型アノード領域6が形成される。この場合は、N+型ソース領域4にもイオン種が注入されるが、一般的にP型アノード領域6が必要とするドーズ量は、N+型ソース領域4のドーズ量に対して桁違いに小さいので、N+型ソース領域4の不純物濃度には、ほぼ影響しない。
次に、本発明の第2実施形態に係る半導体装置について説明する。図17は、第2実施形態に係る半導体装置の平面図である。図17に示すD−D’断面は、前述の図2に示したC−C’断面と同様である。また、E−E’断面は、図16Cと同様である。
次に、本発明の第3実施形態に係る半導体装置について説明する。図18は、第3実施形態に係る半導体装置の平面図である。図18に示すF−F’断面は、前述の図2に示したC−C’断面と同様である。また、G−G’断面は、図19に示す如くの構造を有している。
次に、本発明の第4実施形態について説明する。第4実施形態に係る半導体装置の平面的な構成は、前述した第1〜第3実施形態で示した図2、図17、図18のうちのいずれかの構成を採用することができる。ここでは、図2に示した構成の半導体装置(第1実施形態に示した半導体装置)の平面構成を採用した場合について説明する。
2 ドリフト領域
3 ウェル領域
4 ソース領域
5 溝
6 P型アノード領域
7 ゲート絶縁膜
8 ゲート電極
9 層間絶縁膜
10 コンタクトホール
12 ドレイン電極
13 ソース電極
14 マスク層
15 異種材料アノード領域
Claims (10)
- 平面的に配置される複数の単位セルを備えた半導体装置において、
前記各単位セルは、
半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域内に形成された第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電型のソース領域と、隣接する単位セルとの境界部に設けられ、前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る溝と、前記溝内の側面に、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されて、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記ウェル領域および前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記半導体基板の他方の主面に接続されたドレイン電極と、を有するトランジスタと、
前記ドリフト領域をカソード領域とし、前記溝の底部にて前記カソード領域と接触する領域をアノード領域としたダイオードと、
を含み、
前記溝内の一部の領域において、前記ソース電極は前記アノード領域と電気的に接続され、
前記溝内の他の領域において、該溝内の一方の側面に形成されたゲート電極と、他方の側面に形成されたゲート電極が、該溝の底部を通じて電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記溝は、前記半導体基板を平面視した際に、縦方向、及び横方向に複数形成された網目状に設けられて、複数の前記単位セルを区分し、
前記溝内の一方の側面に形成されたゲート電極と、他方の側面に形成されたゲート電極は、縦方向の溝と横方向の溝の交点となる領域にて、各溝の底部を通じて電気的に接続されることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 平面的に配置される複数の単位セルを備えた半導体装置において、
前記各単位セルは、
半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域内に形成された第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電型のソース領域と、隣接する単位セルとの境界部に設けられ、前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る溝と、前記溝内の全体または溝内の側面に、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されて、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記ウェル領域および前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記半導体基板の他方の主面に接続されたドレイン電極と、を有するトランジスタと、
前記ドリフト領域をカソード領域とし、前記溝の底部にて前記カソード領域と接触する領域をアノード領域としたダイオードと、
を含み、
前記溝は、幅aの第1の溝と、前記幅aよりも短い幅bの第2の溝からなり、前記第1の溝内では前記ソース電極が前記アノード領域と電気的に接続され、
前記第2の溝内にはゲート電極が設けられ、該ゲート電極により、互いに隣接する単位セルのゲート電極どうしが電気的に接続されることを特徴とする半導体装置。 - 前記アノード領域の少なくとも一部は、前記ドリフト領域内に第2導電型の領域として形成され、前記ドリフト領域との接合面で、該ドリフト領域をカソードとするPN接合型のダイオードを形成することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記アノード領域は、前記ドリフト領域とは異なる材料で形成され、前記ドリフト領域との接合面でユニポーラ型のダイオードを構成することを特徴とする請求項1〜請求項3のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 前記アノード領域は、前記ドリフト領域とバンドギャップが異なる半導体で形成されていることを特徴とする請求項1〜請求項3または請求項5のいずれか1項に記載の半導体装置。
- 平面的に配置される複数の単位セルを備え、
前記各単位セルは、
半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域内に形成された第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電型のソース領域と、隣接する単位セルとの境界部に設けられ、前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る溝と、前記溝内の側面に、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されて、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記ウェル領域および前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記半導体基板の他方の主面に接続されたドレイン電極と、を有するトランジスタと、
前記ドリフト領域をカソード領域とし、前記溝の底部にて前記カソード領域と接触する領域をアノード領域としたダイオードと、
を含む半導体装置を製造する半導体装置の製造方法において、
前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る深さの前記溝を形成する第1の工程と、
前記溝の内面、及び前記ソース領域の表面にゲート絶縁膜を形成する第2の工程と、
前記第2の工程の後に、前記溝内に溝幅の1/2未満となる膜厚のゲート電極材料を堆積して、前記ゲート電極を形成する第3の工程と、
前記溝の一部の領域の底部にて、前記ドリフト領域の表面を露出させ、前記溝の他の領域をマスクし、その底部にて該溝内の一方の側面に形成されたゲート電極と他方の側面に形成されたゲート電極が、溝の底部を通じて電気的に接続された状態とする第4の工程と、
前記ゲート電極と、前記アノード領域及びソース領域とを絶縁する前記層間絶縁膜を形成する第5の工程と、
前記溝の一部の領域の直下のドリフト領域内、或いは溝の内部にアノード領域を形成する第6の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記溝は、前記半導体基板を平面視した際に、縦方向、及び横方向に複数形成された網目状に設けられて、複数の前記単位セルを区分し、
前記第4の工程において、前記溝の一部の領域は、前記溝の交点を含む領域であり、これ以外の領域を前記溝の他の領域とすることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記溝は、前記半導体基板を平面視した際に、縦方向、及び横方向に複数形成された網目状に設けられて、複数の前記単位セルを区分し、
前記第4の工程において、前記溝の他の領域は、前記溝の交点を含む領域であり、これ以外の領域を前記溝の一部の領域とすることを特徴とする請求項7に記載の半導体装置の製造方法。 - 平面的に配置される複数の単位セルを備え、
前記各単位セルは、
半導体基板と、前記半導体基板の一方の主面に形成された第1導電型のドリフト領域と、前記ドリフト領域内に形成された第2導電型のウェル領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電型のソース領域と、隣接する単位セルとの境界部に設けられ、前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る溝と、前記溝内全体または溝内の側面に、ゲート絶縁膜を介して形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に形成されて、前記ゲート電極を覆う層間絶縁膜と、前記ウェル領域および前記ソース領域に接続されたソース電極と、前記半導体基板の他方の主面に接続されたドレイン電極と、を有するトランジスタと、
前記ドリフト領域をカソード領域とし、前記溝の底部にて前記カソード領域と接触する領域をアノード領域としたダイオードと、
を含む半導体装置を製造する製造方法において、
前記溝は、幅aの第1の溝と、幅aよりも短い幅bの第2の溝からなり、前記ソース領域ならびに前記ウェル領域を貫通して前記ドリフト領域に至る深さの前記第1の溝及び第2の溝を形成する第7の工程と、
前記第1の溝及び第2の溝の内面、及び前記ソース領域の表面にゲート絶縁膜を形成する第8の工程と、
前記第2の工程の後に、前記第1の溝内に溝幅の1/2未満となる膜厚のゲート電極材料を堆積し、且つ第2の溝内全体にゲート電極材料を堆積して、前記ゲート電極を形成する第9の工程と、
前記第1の溝の底部にて、前記ドリフト領域の表面を露出させる第10の工程と、
前記ゲート電極と、前記アノード領域及びソース領域とを絶縁する前記層間絶縁膜を形成する第11の工程と、
前記第1の溝直下のドリフト領域内にアノード領域を形成する第12の工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012282189A JP6286824B2 (ja) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012282189A JP6286824B2 (ja) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014127548A true JP2014127548A (ja) | 2014-07-07 |
JP6286824B2 JP6286824B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=51406830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012282189A Active JP6286824B2 (ja) | 2012-12-26 | 2012-12-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6286824B2 (ja) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012144271A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-12-26 JP JP2012282189A patent/JP6286824B2/ja active Active
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012144271A1 (ja) * | 2011-04-19 | 2012-10-26 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6286824B2 (ja) | 2018-03-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9252261B2 (en) | Semiconductor device and manufacturing method of the same | |
JP5565461B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2012169384A (ja) | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 | |
JP6286823B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP2012169385A (ja) | 炭化珪素半導体装置 | |
JP5939448B2 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2014157896A (ja) | 半導体装置とその製造方法 | |
JP6725055B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP5397289B2 (ja) | 電界効果トランジスタ | |
US9178055B2 (en) | Semiconductor device | |
TWI702722B (zh) | 半導體裝置及半導體裝置之製造方法 | |
CA3025767C (en) | Semiconductor device | |
JP2019033140A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2019012803A (ja) | 半導体装置 | |
JP6286824B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP2013251467A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6972680B2 (ja) | 炭化珪素半導体装置および炭化珪素半導体装置の製造方法 | |
JP2019096776A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2019102556A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2022073551A (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
TW201205807A (en) | A power MOSFET device and manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161125 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20161129 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170124 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170825 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180109 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180122 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6286824 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |