JP2014127487A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置及び半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014127487A JP2014127487A JP2012280804A JP2012280804A JP2014127487A JP 2014127487 A JP2014127487 A JP 2014127487A JP 2012280804 A JP2012280804 A JP 2012280804A JP 2012280804 A JP2012280804 A JP 2012280804A JP 2014127487 A JP2014127487 A JP 2014127487A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- region
- conductivity type
- drift region
- diode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Bipolar Integrated Circuits (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体基体1上に形成された第1導電型のドリフト領域2と、ドリフト領域2の主面に接するようにドリフト領域2中に形成された第2導電型の拡散領域3と、ドリフト領域2の主面に接するように第2導電型の拡散領域3中に形成された第1導電型の拡散領域4と、半導体基体1と異なる材料からなり、第2導電型の拡散領域3および第1導電型の拡散領域4に接合された第1電極5と、第2導電型の拡散領域3および第1導電型の拡散領域4にオーミック接合された第2電極6と、第1電極5と第2電極6との間に接続された保護用ダイオードと、第1電極5と第2電極6との間に、保護用ダイオードと逆並列に接続された温度検知用ダイオードとを備える。
【選択図】図1
Description
本発明は、簡単な構成で、破壊耐圧の高い半導体素子及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
本発明の第1の実施の形態に係る半導体装置は、図1に示すように、n+型(第1導電型)半導体からなる半導体基体1と、n−型(第1導電型)半導体からなるドリフト領域2と、p型(第2導電型)拡散領域3と、n型(第1導電型)拡散領域4と、第1電極5と、第2電極6とを備える。導電型の記号+,−は、それぞれ、ドーピングされる不純物濃度について高濃度、低濃度であることを示している。
以下、第1の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図2〜図5及び図1を用いて説明する。尚、以下に述べる半導体装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
先ず、図2に示すように、n+型のSiC基板からなる半導体基体1上に、n−型のSiCからなるドリフト領域2が積層される。
第1の実施の形態に係る半導体装置は、図6に示すように、第2電極6に基準電位、第1電極5に高電位+Vを接続した場合、第2ダイオードBに順方向電流が流れる。一般に、低電流の場合のダイオードの順方向電圧降下は、温度が上昇すると低下する。従って、第2ダイオードBの順方向電圧降下を測定することで、半導体装置の温度を検知することができ、第2ダイオードBは、温度検知用ダイオードとして機能する。
本発明の第2の実施の形態に係る半導体装置は、ドリフト領域2の主面側に形成されたパワーデバイスを更に備える点で第1の実施の形態と異なる。第2の実施の形態において説明しない他の構成は、第1の実施の形態と実質的に同様であるので、重複する説明を省略する。
以下、第2の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図11〜図15及び図10を用いて説明する。尚、以下に述べる半導体装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
先ず、図11に示すように、n+型のSiC基板からなる半導体基体1上に、n−型のSiCからなるドリフト領域2が積層される。
第2の実施の形態に係る半導体装置は、図16に示すように、第2電極6及びソース電極12に基準電位、第1電極5に高電位+Vを接続した場合、第2ダイオードBが温度検知用ダイオード、第1ダイオードAが保護用ダイオードとして機能する。第2電極6及びソース電極12は、互いに電気的に接続されていることにより、外部回路との配線を兼用することができる。
第2の実施の形態の第1変形例に係る半導体装置は、図22に示すように、n型拡散領域4及びソース領域9が、p型拡散領域3a中に形成されている点で、上述の第2の実施の形態と異なる。p型拡散領域3aは、ドリフト領域2の、半導体基体1側と反対側の主面に接するように、ドリフト領域2中に形成される。p型拡散領域3aは、上述の第2の実施の形態のp型拡散領域3と、ウェル領域8とが接することにより、互いに電気的に接続された構成と同等である。
第2の実施の形態の第2変形例に係る半導体装置は、図23に示すように、p型拡散領域3aに形成されたn型拡散領域4a、第2電極6が、それぞれ、MOSFET51のソース領域9、ソース電極12を兼ねる点で、上述の第1変形例と異なる。n型拡散領域4aは、ドリフト領域2の、半導体基体1側と反対側の主面に接するように、p型拡散領域3a中に形成される。n型拡散領域4aは、上述の第2の実施の形態のn型拡散領域4aと、ウェル領域8とが接することにより、互いに電気的に接続された構成と同等である。
本発明の第3の実施の形態に係る半導体装置は、ドリフト領域2の主面側に形成されたパワーデバイスが接合型電界効果トランジスタ(JFET)である点で第2の実施の形態と異なる。第3の実施の形態において説明しない他の構成は、第1及び第2の実施の形態と実質的に同様であるので、重複する説明を省略する。
第3の実施の形態に係る半導体装置は、図25に示すように、第2電極6及びソース電極12aに基準電位、第1電極5に高電位+Vを接続した場合、第2ダイオードBが温度検知用ダイオード、第1ダイオードAが保護用ダイオードとして機能する。第2電極6及びソース電極12aは、互いに電気的に接続されていることにより、外部回路との配線を兼用することができる。
本発明の第4の実施の形態に係る半導体装置は、ドリフト領域2の主面側に形成されたパワーデバイスがバイポーラトランジスタである点で第2及び第3の実施の形態と異なる。第4の実施の形態において説明しない他の構成は、第1〜第3の実施の形態と実質的に同様であるので、重複する説明を省略する。
第4の実施の形態に係る半導体装置は、図30に示すように、第2電極6及びエミッタ電極23に基準電位、第1電極5に高電位+Vを接続した場合、第2ダイオードBが温度検知用ダイオード、第1ダイオードAが保護用ダイオードとして機能する。第2電極6及びエミッタ電極23は、互いに電気的に接続されていることにより、外部回路との配線を兼用することができる。
本発明の第5の実施の形態に係る半導体装置は、ドリフト領域2の主面側に形成されたパワーデバイスが高耐圧ダイオードであり、第1ダイオードA及び第2ダイオードBがショットキーダイオードである点で第2〜第4の実施の形態と異なる。第5の実施の形態において説明しない他の構成は、第1〜第4の実施の形態と実質的に同様であるので、重複する説明を省略する。
以下、第5の実施の形態に係る半導体装置の製造方法を、図35〜図38及び図34を用いて説明する。尚、以下に述べる半導体装置の製造方法は、一例であり、この変形例を含めて、これ以外の種々の製造方法により、実現可能であることは勿論である。
先ず、図35に示すように、n+型のSiC基板からなる半導体基体1上に、n−型のSiCからなるドリフト領域2が積層される。
次に、半導体基体1の、ドリフト領域2と反対側の面に金属を堆積することにより、カソード電極27が、半導体基体1とオーミック接合をなして形成される。
第5の実施の形態において、半導体装置が、金属からなる第1電極5a及びアノード電極25を備える例を説明したが、第1電極5a及びアノード電極25は、例えば多結晶シリコンから構成されてもよい。
以下、第5の実施の形態の変形例に係る半導体装置の製造方法を、図35〜図37、図39及び図40を用いて説明する。図35〜図37についての工程の説明は、上述の第5の実施の形態に係る半導体装置の製造方法の説明と同様であるので、重複する説明を省略する。
第5の実施の形態に係る半導体装置は、図41に示すように、第2電極6及びアノード電極26に基準電位、第1電極5に高電位+Vを接続した場合、第2ダイオードBが温度検知用ダイオード、第1ダイオードAが保護用ダイオードとして機能する。第2電極6及びアノード電極26は、互いに電気的に接続されていることにより、外部回路との配線を兼用することができる。
上記のように、本発明を実施の形態によって記載したが、この開示の一部をなす論述及び図面は本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替実施の形態、実施例及び運用技術が明らかとなろう。
B,Ba 第2ダイオード(温度検知用ダイオード、保護用ダイオード)
1 半導体基体
2 ドリフト領域
3,3a p型拡散領域(第2導電型の拡散領域)
4,4a n型拡散領域(第1導電型の拡散領域)
5,5a 第1電極
6 第2電極
8 ウェル領域
9 ソース領域(第1主電極領域)
10 ゲート絶縁膜
11,11a ゲート電極
12,12a ソース電極(第1主電極)
13 ドレイン電極(第2主電極)
17 第1電極パッド(第1電極パッド)
18 第2電極パッド(第2電極パッド)
19 ゲート領域
20 ベース領域(第1主電極領域)
21 エミッタ領域(第1主電極領域)
22 ベース電極
23 エミッタ電極(第1主電極)
25,26 アノード電極(第3電極)
30 コレクタ電極(第2主電極)
51 MOSFET(絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ)
52 JFET(接合型電界効果トランジスタ)
53 バイポーラトランジスタ
54,55 高耐圧ダイオード(ダイオード)
Claims (17)
- 半導体基体と、
前記半導体基体上に形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に形成された第2導電型の拡散領域と、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記第2導電型の拡散領域中に形成された第1導電型の拡散領域と、
前記半導体基体と異なる材料からなり、前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域に接合された第1電極と、
前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域にオーミック接合された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続された保護用ダイオードと、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記保護用ダイオードと逆並列に接続された温度検知用ダイオードと
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 半導体基体と、
前記半導体基体上に形成された第1導電型のドリフト領域と、
前記ドリフト領域の主面の一部を含むように形成されたパワーデバイスと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に形成された第2導電型の拡散領域と、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記第2導電型の拡散領域中に形成された第1導電型の拡散領域と、
前記半導体基体と異なる材料からなる半導体材料からなり、前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域にヘテロ接合された第1電極と、
前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域にオーミック接合された第2電極と、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続された保護用ダイオードと、
前記第1電極と前記第2電極との間に、前記保護用ダイオードと逆並列に接続された温度検知用ダイオードと
を備えることを特徴とする半導体装置。 - 前記パワーデバイスは、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に形成された第2導電型のウェル領域と、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ウェル領域中に形成された第1導電型の第1主電極領域と、
前記ドリフト領域、前記ウェル領域および前記第1主電極領域の上方に、絶縁膜を介して形成されたゲート電極と、
前記ウェル領域および前記第1主電極領域にオーミック接続された第1主電極と、
前記ドリフト領域にオーミック接続された第2主電極と
を備える絶縁ゲート型電界効果トランジスタであり、
前記第1電極、前記第2電極のいずれかが、前記第1主電極領域と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記ウェル領域は、前記第2導電型の拡散領域に接することを特徴とする請求項3に記載の半導体装置。
- 前記第1主電極領域は、前記第1導電型の拡散領域に接することを特徴とする請求項3または4に記載の半導体装置。
- 前記パワーデバイスは、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に形成された第2導電型のゲート領域と、
前記ゲート領域にオーミック接合されたゲート電極と、
前記ドリフト領域の主面において、前記ゲート領域に囲まれた前記ドリフト領域にオーミック接合された第1主電極と、
前記ドリフト領域にオーミック接続された第2主電極と
を備える接合型電界効果トランジスタであり、
前記第1電極、前記第2電極のいずれかが、前記第1主電極と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記パワーデバイスは、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に形成された第2導電型のベース領域と、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ベース領域中に形成された第1導電型の第1主電極領域と、
前記ベース領域にオーミック接合されたゲート電極と、
前記第1主電極領域にオーミック接合された第1主電極と、
前記ドリフト領域にオーミック接続された第2主電極と
を備えるバイポーラトランジスタであり、
前記第1電極、前記第2電極のいずれかが、前記第1主電極領域と電気的に接続されている
ことを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1電極に電気的に接続され、外部回路に接続する第1電極パッドと、
前記第2電極に電気的に接続され、外部回路に接続する第2電極パッドと
を更に備え、前記第1主電極が、前記第1電極パッド、前記第2電極パッドのいずれかと電気的に接続されていることを特徴とする請求項3〜7のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 前記パワーデバイスは、
前記第1電極と同一の材料からなり、前記ドリフト領域の主面上に形成された第3電極を備え、前記第3電極と前記ドリフト領域との間に形成されたダイオードであり、
前記第3電極の少なくとも一部は、前記第2導電型の拡散領域上に形成されていることを特徴とする請求項2に記載の半導体装置。 - 前記第1電極は前記半導体基体より、バンドキャップが狭い半導体材料からなり、
前記温度検知用ダイオード及び前記保護用ダイオードはヘテロ接合ダイオードであることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載の半導体装置。 - 半導体基体上に第1導電型のドリフト領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に第2導電型の拡散領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記第2導電型の拡散領域中に第1導電型の拡散領域するステップと、
前記半導体基体と異なる材料からなり、前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域に第1電極を接合するステップと、
前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域に第2電極をオーミック接合するステップと、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続された保護用ダイオードと、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記保護用ダイオードと逆並列に接続された温度検知用ダイオードとを形成するステップと
を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体基体上に第1導電型のドリフト領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面の一部を含むようにパワーデバイスを形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に第2導電型の拡散領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記第2導電型の拡散領域中に第1導電型の拡散領域を形成するステップと、
前記半導体基体と異なる材料からなる半導体材料からなり、前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域に第1電極をヘテロ接合するステップと、
前記第2導電型の拡散領域および前記第1導電型の拡散領域に第2電極をオーミック接合するステップと、
前記第1電極と前記第2電極との間に接続された保護用ダイオードと、前記第1電極と前記第2電極との間に、前記保護用ダイオードと逆並列に接続された温度検知用ダイオードを形成するステップと
を含むことを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記パワーデバイスを形成するステップは、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ドリフト領域中に第2導電型のウェル領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域の主面に接するように前記ウェル領域中に第1導電型の第1主電極領域を形成するステップと、
前記ドリフト領域、前記ウェル領域および前記第1主電極領域の上方に、絶縁膜を介してゲート電極を形成するステップと、
前記ウェル領域および前記第1主電極領域に第1主電極をオーミック接続するステップと、
前記ドリフト領域に第2主電極をオーミック接続するステップと、
前記第1電極、前記第2電極のいずれかを、前記第1主電極領域と電気的に接続するステップと
を含む請求項12に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記ウェル領域を形成するステップは、前記前記第2導電型の拡散領域を、前記ウェル領域と同時に形成することを特徴とする請求項13に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1主電極領域を形成するステップは、前記第1導電型の拡散領域を、前記第1主電極領域と同時に形成することを特徴とする請求項13または14に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記パワーデバイスを形成するステップは、前記第1電極と同一の材料から、前記ドリフト領域の主面上に、少なくとも一部が、前記第2導電型の拡散領域上になるように、第3電極を形成することにより、前記第3電極と前記ドリフト領域との間にダイオード形成することを特徴とする請求項12に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1電極を形成するステップは、前記第3電極を、前記第1電極と同時に形成することを特徴とする請求項16に記載の半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012280804A JP6048126B2 (ja) | 2012-12-25 | 2012-12-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012280804A JP6048126B2 (ja) | 2012-12-25 | 2012-12-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014127487A true JP2014127487A (ja) | 2014-07-07 |
JP6048126B2 JP6048126B2 (ja) | 2016-12-21 |
Family
ID=51406786
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012280804A Active JP6048126B2 (ja) | 2012-12-25 | 2012-12-25 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6048126B2 (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016149502A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
US9972572B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-05-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having a barrier layer |
US10090379B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-10-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Hydrogen occlusion semiconductor device |
JP7507070B2 (ja) | 2020-11-20 | 2024-06-27 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318413A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nissan Motor Co Ltd | 高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法 |
JP2006066770A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006093382A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2008172132A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | 半導体装置 |
WO2012086099A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
-
2012
- 2012-12-25 JP JP2012280804A patent/JP6048126B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003318413A (ja) * | 2002-02-19 | 2003-11-07 | Nissan Motor Co Ltd | 高耐圧炭化珪素ダイオードおよびその製造方法 |
JP2006066770A (ja) * | 2004-08-30 | 2006-03-09 | Nissan Motor Co Ltd | 半導体装置 |
JP2006093382A (ja) * | 2004-09-24 | 2006-04-06 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
JP2008172132A (ja) * | 2007-01-15 | 2008-07-24 | Denso Corp | 半導体装置 |
WO2012086099A1 (ja) * | 2010-12-21 | 2012-06-28 | 三菱電機株式会社 | 炭化珪素半導体装置およびその製造方法 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016149502A (ja) * | 2015-02-13 | 2016-08-18 | ローム株式会社 | 半導体装置および半導体モジュール |
US10199371B2 (en) | 2015-02-13 | 2019-02-05 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11257812B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-02-22 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11495595B2 (en) | 2015-02-13 | 2022-11-08 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11670633B2 (en) | 2015-02-13 | 2023-06-06 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US11916069B2 (en) | 2015-02-13 | 2024-02-27 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor device and semiconductor module |
US9972572B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-05-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor device having a barrier layer |
US10090379B2 (en) | 2015-04-20 | 2018-10-02 | Fuji Electric Co., Ltd. | Hydrogen occlusion semiconductor device |
JP7507070B2 (ja) | 2020-11-20 | 2024-06-27 | 日産自動車株式会社 | 半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6048126B2 (ja) | 2016-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6627973B2 (ja) | 半導体装置 | |
US10475920B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method | |
US11916069B2 (en) | Semiconductor device and semiconductor module | |
US11876131B2 (en) | Semiconductor device | |
JP4929882B2 (ja) | 半導体装置 | |
KR101672689B1 (ko) | 반도체장치 및 그 제조방법 | |
JP5321377B2 (ja) | 電力用半導体装置 | |
JP6653461B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPWO2018037701A1 (ja) | 半導体装置 | |
JP2021015884A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP6048126B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2024019464A (ja) | 半導体装置 | |
JP5092244B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2020129624A (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2010258327A (ja) | 逆耐圧を有する縦型窒化ガリウム半導体装置 | |
JP6589263B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5087831B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP7476502B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP7103435B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
JP7318226B2 (ja) | 半導体装置および半導体装置の製造方法 | |
US20230268429A1 (en) | Semiconductor device | |
JP7113386B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP2007294740A (ja) | 半導体装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20151029 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20161021 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20161025 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20161107 |
|
R151 | Written notification of patent or utility model registration |
Ref document number: 6048126 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151 |