JP2014126645A - 電気光学装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】電気光学装置を高歩留まりで供給する事。
【解決手段】電気光学装置は、回路に電気的に接続する第一配線と第二配線とを備える。第一配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第一配線と、第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線と、を含み、第二配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第二配線と、第二導電体層によって孤立して形成された第二導電体第二電極と、を含む。第一配線が第二導電体第一配線を有する一方で、第二配線が第二導電体第二電極を有するので、プラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなく、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる。
【選択図】図１

Description

本発明は、電気光学装置、及び電子機器に関する。

プロジェクターは、透過型電気光学装置や反射型電気光学装置に光を照射し、これらの電気光学装置により変調された透過光や反射光をスクリーン上に投射する電子機器である。これは光源から発せられた光を電気光学装置に集光して入射させ、電気信号に応じて変調された透過光又は反射光を、投射レンズを通じて、スクリーンに拡大投射する様に構成される物で、大画面を表示するとの長所を有している。この様な電子機器に使用される電気光学装置としては液晶装置が知られており、これは液晶の誘電異方性と液晶層における光の旋光性とを利用して画像を形成している。

液晶装置の一例は特許文献１に記載されている。特許文献１の図８に記載されている回路ブロック図では、表示領域に走査線とデータ線とが配置されている。これらの交点に画素が行列状に配置され、各画素に信号を供給する走査線駆動回路とデータ線駆動回路とが表示領域の周辺に形成されている。走査線駆動回路やデータ線駆動回路には、各種の信号を伝える配線や電源を供給する配線などが接続されている。

特開２００４−１２６５５１号公報

しかしながら、特許文献１に記載されている液晶装置では、製造工程中に走査線駆動回路やデータ線駆動回路の一部が破壊される事があった。換言すると、従来の電気光学装置では、総ての回路がきちんと動作する良品を、高い歩留まりで安定的に製造する事が困難であるという課題があった。

本発明は、前述の課題の少なくとも一部を解決する為になされたものであり、以下の形態又は適用例として実現する事が可能である。

（適用例１） 本適用例に係わる電気光学装置は、表示領域と、表示領域の少なくとも一辺に沿って配置された回路と、回路に電気的に接続された第一配線と、回路に電気的に接続された第二配線と、を備え、第一配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第一配線と、第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線と、を含み、第二配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第二配線と、第二導電体層によって孤立して形成された第二導電体第二電極と、を含み、第一導電体層と第二導電体層との間には層間絶縁膜が形成されており、第一導電体第一配線と第二導電体第一配線とは、層間絶縁膜に開口された第一コンタクトホールを介して電気的に接続されており、第一導電体第二配線と第二導電体第二電極とは、層間絶縁膜に開口された第二コンタクトホールを介して電気的に接続されている事を特徴とする。
電気光学装置は素子基板を含み、素子基板には薄膜トランジスターなどの薄膜素子により各種回路が形成されている。薄膜素子の製造工程では素子基板にプラズマが照射される事がある。素子基板にプラズマが照射されると、プラズマによる帯電現象が発生し、回路構成によっては、回路の構成部分に大きな電位差が生じ、この構成部分を静電破壊する事がある。この構成によれば、第一配線が第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線を有する一方で、第二配線が第二導電体層によって形成された第二導電体第二電極を有するので、プラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなく、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる。

（適用例２） 上記適用例に係わる電気光学装置において、第二配線は、第二導電体層によって形成された第二導電体第二配線を含み、第一導電体第二配線と第二導電体第二配線とは、層間絶縁膜に開口された第三コンタクトホールを介して電気的に接続されている事が好ましい。
この構成によれば、第一配線は第二導電体第一配線にて第一導電体第二配線を平面視において電気的に導通することなく交差する事ができ、第二配線は第二導電体第二配線にて第一導電体第一配線を平面視において電気的に導通することなく交差する事ができるので、第一配線と第二配線とを自由に配置でき、高度な回路を実現する事ができる。

（適用例３） 上記適用例に係わる電気光学装置において、電気光学装置を、互いに交差する第一の軸と第二の軸とによって四つの区域に特定した際に、各区域には、第二導電体第二電極及び第二導電体第二配線の少なくとも一方が形成されている事が好ましい。
この構成によれば、第一導電体第二配線の任意の一点から第二導電体第二電極及び第二導電体第二配線の少なくとも一方迄の距離が短くなるので、電気光学装置の殆どの場所でプラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなくなり、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる。

（適用例４） 上記適用例に係わる電気光学装置において、第一導電体第二配線の任意の位置から第二導電体第二電極及び第二導電体第二配線の少なくとも一方までの距離が、表示領域の一辺の長さの半分以下となる様に、第二導電体第二電極及び第二導電体第二配線の少なくとも一方が形成されている事が好ましい。
この構成によれば、第一導電体第二配線の任意の一点から第二導電体第二電極及び第二導電体第二配線の少なくとも一方迄の距離が表示領域の一辺の長さの半分以下に短くなるので、電気光学装置の殆どの場所でプラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなくなり、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる。

（適用例５） 上記適用例１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。
この構成によれば、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を備えた電子機器を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる。

実施形態１に係わる液晶装置の概要を説明する回路ブロック図。 液晶装置の模式断面図。 液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図。 比較例に係わる液晶装置の概要を説明する回路ブロック図。 インバーターの電気的な構成を示す等価回路図。 比較例に係わるインバーターを説明する図。 実施形態１に係わるインバーターを説明する図。 電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。尚、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
「電気光学装置の概要」
図１は、実施形態１に係わる液晶装置の概要を説明する回路ブロック図である。以下、図１を参照して電気光学装置の構成を説明する。

電気光学装置は素子基板１２（図２参照）と電気光学材料とを少なくとも含む。本実施形態では、電気光学材料は液晶で、電気光学装置は液晶装置１００であるので、これらの他に、液晶装置１００は対向基板１３（図２参照）とシール材１４とを含む。シール材１４は素子基板１２と対向基板１３とを貼り合わせ、素子基板１２と対向基板１３とで電気光学材料を挟持する。電気光学装置では、主に素子基板１２に各種回路が形成されるので、図１には素子基板１２の回路構成を描いてある。液晶装置１００は、薄膜トランジスター（ＴＦＴ素子４６と称する、図３参照）を画素３５（図３参照）のスイッチング素子（画素スイッチング素子）として用いたアクティブマトリックス方式の電気光学装置である。尚、電気光学装置には、以下に示す液晶装置１００の他に、有機ＥＬ装置や電気泳動装置など、表示領域３４を有する比較的大面積な電子デバイスが適応される。これらの電子デバイスでは、表示領域３４を有するので、配線が長くなり、後述するプラズマ工程による損傷が発生しやすくなる。この様な電気光学装置は、本実施形態を適応する事で、プラズマ工程による損傷という弊害の発生を抑制する事ができる。

図１に示す様に、液晶装置１００は四角形の表示領域３４と各種の回路（信号線駆動回路３６や走査線駆動回路３８、検査回路３９等）と外部接続端子３７と各種の配線とを少なくとも備えている。配線には、これらの回路に電気的に接続する第一配線と第二配線とが含まれている。第一配線と第二配線とは上述の回路に電気的に接続するものである。本実施形態では、一例として、第一配線は正電源配線であり、第二配線は負電源配線である。第一配線（正電源配線）は、第一導電体層によって形成された第一導電体第一配線（第一導電体正電源配線ＶＤＤ１）と、第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）と、を含んでいる。同様に、第二配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）と、第二導電体層によって形成された第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）と、を含んでいる。更に、第二配線は、第二導電体層によって孤立して形成された第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）を含んでいる。第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）は、第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）以外の他の配線や、回路を構成する各種素子、には接続されておらず、その意味で、電気的に孤立して形成されている。即ち、第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）は、電気回路上での特別な意味を有している訳ではないが、電気光学装置に設けられる。

第一導電体層と第二導電体層との間には層間絶縁膜ＩＬＤ（図６参照）が形成されている。第一導電体第一配線（第一導電体正電源配線ＶＤＤ１）と第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）とは、層間絶縁膜ＩＬＤに開口された第一コンタクトホールＣＮＴ１を介して電気的に接続されている。又、第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）と第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）とは、層間絶縁膜ＩＬＤに開口された第二コンタクトホールＣＮＴ２を介して電気的に接続されている。更に、第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）と第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）とは、層間絶縁膜ＩＬＤに開口された第三コンタクトホールＣＮＴ３を介して電気的に接続されている。こうすると、第一配線（正電源配線）は層間絶縁膜ＩＬＤ上に形成された第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）にて第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）を平面視において電気的に導通することなく交差する事ができ、同様に、第二配線（負電源配線）は層間絶縁膜ＩＬＤ上に形成された第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）にて第一導電体第一配線（第一導電体正電源配線ＶＤＤ１）を平面視において電気的に導通することなく交差する事ができ、第一配線と第二配線とを自由に配置できる。要するに、複雑な配線パターンを有する高度な回路を実現する事ができるのである。

表示領域３４には画素回路が形成されている。これらの回路や各種配線、外部接続端子３７は、素子基板１２に薄膜層を用いて形成される。尚、図１では、総ての配線や総ての外部接続端子３７を描いてある訳ではなく、説明を分かり易くする為に、これらから代表的な配線や一部の外部接続端子３７を描いてある。

表示領域３４内には、画素３５がマトリックス状に設けられている。画素３５は、交差する走査線１６（図３参照）と信号線１７（図３参照）とによって特定される領域で、一つの画素３５は一本の走査線１６からその隣の走査線１６まで、且つ、一本の信号線１７からその隣の信号線１７までの領域である。表示領域３４は第一の辺３４１（上辺）と第三の辺３４３（下辺）とが第一の方向（本実施形態ではｘ軸方向）に沿い、第二の辺３４２（右辺）と第四の辺３４４（左辺）とが第二の方向（本実施形態ではｙ軸方向）に沿った四角形となっている。尚、第一の方向と第二の方向とは互いに交差し、本実施形態では直交している。表示領域３４の外側の領域には、表示領域の少なくとも一辺に沿って各種の回路が配置されている。具体的には信号線駆動回路３６や走査線駆動回路３８、検査回路３９が表示領域の各辺に沿って配置されている。

走査線駆動回路３８は表示領域３４の外縁の対向する二辺（第二の辺３４２と第四の辺３４４と）に沿ってそれぞれ形成されており、シフトレジスター回路等を含んでいる。走査線駆動回路３８は、走査線１６に選択電位又は非選択電位を供給し、複数の走査線１６から特定の走査線１６を選択する。

信号線駆動回路３６は表示領域３４の外縁のうち走査線駆動回路３８が形成されていない側の一辺（第三の辺３４３）に沿って形成されており、例えばシフトレジスター回路等を含んでいる。信号線駆動回路３６は、信号線１７に画像信号を供給する。

検査回路３９は表示領域３４に隣り合う一辺（第一の辺３４１）に沿って形成されており、各信号線１７に接続されている。検査回路３９は信号線駆動回路３６と同様な構成をなし、シフトレジスター回路等を含んでいる。検査回路３９は、信号線１７を順次選択し、検査信号を検査出力配線に出力する。検査回路３９を用いて、信号線１７の断線や、信号線１７と走査線１６との短絡、画素３５の欠陥などを検査する。検査回路３９は各信号線１７に接続し、信号線駆動回路３６と同様な構成をなすので、信号線駆動回路３６に対面する一辺（第一の辺３４１）に沿って形成される。

尚、電気光学装置（液晶装置１００）を、互いに交差する第一の軸と第二の軸とによって四つの区域に特定した際に、各区域には、第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）及び第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）の少なくとも一方が形成されている。本実施形態の場合、第一の軸をｘ軸とし、第二の軸をｙ軸とし、ｘ軸とｙ軸との交点を電気光学装置（液晶装置１００）の中心に合わせると、液晶装置１００は、図１で右上に相当する第１象限区域ＵＲと、図１で左上に相当する第２象限区域ＵＬと、図１で左下に相当する第３象限区域ＬＬと、図１で右下に相当する第４象限区域ＬＲと、の四つの区域に特定される。これら四つの区域の各々に、第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）か第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）かが形成されている。同様に、これら四つの区域の各々に、第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）が形成されている。具体的には、第１象限区域ＵＲには、右上に位置する第二導電体負電源配線ＶＳＳ２（ＵＲ）と、右上に位置する第二導電体正電源配線ＶＤＤ２（ＵＲ）と、が形成され、第２象限区域ＵＬには、左上に位置する第二導電体負電源配線ＶＳＳ２（ＵＬ）と、左上に位置する第二導電体正電源配線ＶＤＤ２（ＵＬ）と、が形成され、第３象限区域ＬＬには、左下に位置する第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ（ＬＬ）と、左下に位置する第二導電体正電源配線ＶＤＤ２（ＬＬ）と、が形成され、第４象限区域ＬＲには、右下に位置する第二導電体負電源配線ＶＳＳ２（ＬＲ）と、右下に位置する第二導電体正電源配線ＶＤＤ２（ＬＲ）と、が形成されている。

この結果、表示領域３４の一辺の長さの半分に対して、第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）及び第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）の少なくとも一方が形成されている事になる。図１に示す様に、表示領域３４が長方形の場合、長辺の長さの半分に対して、第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）か第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）かのどちらかが必ず形成される。その為に、第一導電体第二配線（第一導電体負電源配線ＶＳＳ１）の任意の一点から第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）及び第二導電体第二配線（第二導電体負電源配線ＶＳＳ２）の少なくとも一方迄の距離が表示領域３４の一辺の長さのほぼ半分以下に短くなる。同様に、表示領域３４の一辺の長さの半分に対して、第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）も形成されているので、第一導電体第一配線（第一導電体正電源配線ＶＤＤ１）の任意の一点から第二導電体第一配線（第二導電体正電源配線ＶＤＤ２）迄の距離も表示領域３４の一辺の長さのほぼ半分以下に短くなる。こうして、後述する様に、電気光学装置の殆どの場所でプラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなくなり、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる様になる。

「電気光学装置の断面構造」
図２は液晶装置の模式断面図である。以下、液晶装置１００の構造を、図２を参照して説明する。尚、以下の形態において、「○○上に」と記載された場合、○○の上に接する様に配置される場合、又は、○○の上に他の構成物を介して配置される場合、又は、○○の上に一部が接する様に配置され一部が他の構成物を介して配置される場合、を表すものとする。

液晶装置１００では、一対の基板を構成する素子基板１２と対向基板１３とが、平面視で略矩形枠状に配置されたシール材１４にて貼り合わされている。液晶装置１００は、シール材１４に囲まれた領域内に液晶層１５が封入された構成になっている。液晶層１５としては、例えば、正の誘電率異方性を有する液晶材料が用いられる。液晶装置１００は、シール材１４の内周近傍に沿って遮光性材料からなる平面視矩形枠状の遮光膜３３が対向基板１３に形成されており、この遮光膜３３の内側の領域が表示領域３４となっている。遮光膜３３は、例えば、遮光性材料であるアルミニウム（Ａｌ）で形成されており、対向基板１３側の表示領域３４の外周を区画する様に、更に、上記した様に、表示領域３４内で走査線１６と信号線１７に対向して設けられている。

図２に示す様に、素子基板１２の液晶層１５側には、複数の画素電極４２が形成されており、これら画素電極４２を覆う様に第１配向膜４３が形成されている。画素電極４２は、インジウム錫酸化物（ＩＴＯ）等の透明導電材料からなる導電膜である。一方、対向基板１３の液晶層１５側には、格子状の遮光膜３３が形成され、その上に平面ベタ状の共通電極２７が形成されている。そして、共通電極２７上には、第２配向膜４４が形成されている。共通電極２７は、ＩＴＯ等の透明導電材料からなる導電膜である。

液晶装置１００は透過型であって、素子基板１２及び対向基板１３における光の入射側と出射側とにそれぞれ偏光板（図示せず）等が配置されて用いられる。なお、液晶装置１００の構成は、これに限定されず、反射型や半透過型の構成であってもよい。

「画素構成」
図３は、液晶装置の電気的な構成を示す等価回路図である。以下、液晶装置１００の電気的な構成を、図３を参照しながら説明する。

図３に示す様に、液晶装置１００は、表示領域３４を構成する複数の画素３５を有している。各画素３５には、それぞれ画素電極４２が配置されている。又、画素３５には、ＴＦＴ素子４６が形成されている。

ＴＦＴ素子４６は、画素電極４２へ通電制御を行う画素スイッチング素子である。ＴＦＴ素子４６のソース側には、信号線１７が電気的に接続されている。各信号線１７には、例えば、信号線駆動回路３６から画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが供給される様になっている。

又、ＴＦＴ素子４６のゲート側には、走査線１６が電気的に接続されている。走査線１６には、例えば、走査線駆動回路３８から所定のタイミングでパルス的に走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍが供給される様になっている。又、ＴＦＴ素子４６のドレイン側には、画素電極４２が電気的に接続されている。

走査線１６から供給された走査信号Ｇ１、Ｇ２、…、Ｇｍは画素スイッチング素子に対する選択電位で、画素スイッチング素子は選択電位が印加された際に導通状態となり、非選択電位が印加された際に非導通状態となる。即ち、スイッチング素子であるＴＦＴ素子４６は選択電位が供給された一定期間だけオン状態となることで、信号線１７から供給された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎが、画素電極４２を介して画素３５に所定のタイミングで書き込まれる様になっている。

画素３５に書き込まれた所定電位の画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎは、画素電極４２と共通電極２７（図２参照）との間で形成される液晶容量で一定期間保持される。尚、保持された画像信号Ｓ１、Ｓ２、…、Ｓｎの電位が、漏れ電流により、低下する事を抑制すべく、画素電極４２と容量線４７とで保持容量４８が形成されている。

液晶層１５に電圧信号が印加されると、印加された電圧レベルにより、液晶分子の配向状態が変化する。これにより、液晶層１５に入射した光が変調されて、画像光が生成される。

「原理」
図４は、比較例に係わる液晶装置の概要を説明する回路ブロック図である。図５は、回路の構成要素であるインバーターの電気的な構成を示す等価回路図である。図６は、比較例に係わるインバーターを説明する図で、（ａ）は第二導電体層形成後の断面構造、（ｂ）は第二導電体層形成前の断面構造である。図７は、実施形態１に係わるインバーターを説明する図で、（ａ）は第二導電体層形成後の断面構造、（ｂ）は第二導電体層形成前の断面構造である。以下、本願の原理を、図４乃至７を参照して、説明する。

本願発明者は、電気光学装置で走査線駆動回路やデータ線駆動回路の一部が製造工程中に破壊される原因を鋭意研究した。電気光学装置は、上述の如く素子基板１２を有し、素子基板１２にはＴＦＴ素子４６などの薄膜素子により各種の回路が形成されている。薄膜素子の製造工程では素子基板１２にプラズマが照射される事がある。素子基板にプラズマが照射されると、プラズマによる帯電現象が発生し、回路構成によっては、回路の構成部分に大きな電位差が生じ、この構成部分を静電破壊する事がある。これが製造工程中に回路の一部が破壊される原因の一つと考えられる。

図４には、比較例に係わる液晶装置の素子基板１２の回路構成が描かれている。図４に示す様に、比較例では、第３象限区域ＬＬに、左下に位置する第二導電体正電源配線ＶＤＤ２（ＬＬ）が形成されているものの、第３象限区域ＬＬに第二導電体負電源配線ＶＳＳ２は形成されていない。そして第３象限区域ＬＬに位置する走査線駆動回路３８の左下の部位が、回路が比較的破壊され易い損傷多発領域ＤＡである事が判明した。損傷多発領域ＤＡの回路の中でも、取り分け、インバーターを構成するＮ型トランジスターＴｒＮ（図５参照）がプラズマ工程後に壊れ易い事が判明した。

図５に示す様に、回路に用いられるインバーターは正電源ＶＤＤと負電源ＶＳＳとの間にＰ型トランジスターＴｒＰとＮ型トランジスターＴｒＮとを配置してなる。Ｐ型トランジスターＴｒＰのソースＰＳには正電源ＶＤＤが供給され、Ｎ型トランジスターＴｒＮのソースＮＳには負電源ＶＳＳが供給される。Ｐ型トランジスターＴｒＰとＮ型トランジスターＴｒＮとのゲートがインバーター入力ＩＶＴ−ｉｎで、Ｐ型トランジスターＴｒＰのドレインＰＤとＮ型トランジスターＴｒＮのドレインＮＤとがインバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔである。

図６（ａ）は比較例の損傷多発領域ＤＡに形成されるインバーターの断面構造を説明している。インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎは第一導電体層によって形成された第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と、第二導電体層によって形成された第二導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ２と、を含んでいる。先に述べた様に、第一導電体層と第二導電体層との間には層間絶縁膜ＩＬＤが形成されており、第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と第二導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ２とは入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎを介して接続されている。同様に、インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔは第一導電体層によって形成された第一導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ１と、第二導電体層によって形成された第二導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ２と、を含んでおり、第一導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ１と第二導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ２とは出力用コンタクトホールＣＮＴ−ｏｕｔを介して接続されている。

図６（ｂ）に示す様に、上述の構成を製造する場合、リアクティブイオンエッチング法（ＲＩＥ法）といったプラズマ工程を用いて、層間絶縁膜ＩＬＤに入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎや第一コンタクトホールＣＮＴ１、出力用コンタクトホールＣＮＴ−ｏｕｔを開口する。この際に、層間絶縁膜ＩＬＤ表面が（例えば正に）帯電すると、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１は反対極性に（この場合負に）帯電する。これは、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１と層間絶縁膜ＩＬＤ表面、及び層間絶縁膜ＩＬＤとで容量を形成する為である（これをアンテナ効果と呼ぶ）。第一導電体負電源配線ＶＳＳ１の反対極性への帯電量は、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１の面積に比例する。即ち、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１の配線が長い程、アンテナ効果は強くなる。この様なアンテナ効果が現れている状態で、入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎが開口すると、第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と第一導電体負電源配線ＶＳＳ１との間に大きな電位差が発生する。第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１はＮ型トランジスターＴｒＮのゲートに接続し、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１はＮ型トランジスターＴｒＮのソースＮＳに接続するので、第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と第一導電体負電源配線ＶＳＳ１との間に大きな電位差が発生すると、Ｎ型トランジスターＴｒＮのゲート絶縁膜が絶縁破壊ＩＢＤを起こして、破壊される恐れがある。これが、損傷多発領域ＤＡでインバーターを構成するＮ型トランジスターＴｒＮがプラズマ工程後に壊れ易い原因と考えられる。

図７（ａ）は本実施形態で、比較例の損傷多発領域ＤＡに対応する位置に形成されるインバーターの断面構造を説明している。本実施形態では、第３象限区域ＬＬに位置する走査線駆動回路３８の左下の部位に第二導電体負電源配線ＶＳＳ２は形成されていないものの、代わりに第二導電体第二電極（第二導電体負電源電極ＶＳＳＰ）が形成されている。即ち、インバーターに接続する負電源配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体負電源配線ＶＳＳ１と、第二導電体層によって孤立して形成された第二導電体負電源電極ＶＳＳＰを含んでいる。第一導電体層と第二導電体層との間には層間絶縁膜ＩＬＤが形成されており、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１と第二導電体負電源電極ＶＳＳＰとは、第二コンタクトホールＣＮＴ２を介して接続されている。先と同様に、インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎは第一導電体層によって形成された第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と、第二導電体層によって形成された第二導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ２と、を含んでおり、第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と第二導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ２とは入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎを介して接続されている。同様に、インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔは第一導電体層によって形成された第一導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ１と、第二導電体層によって形成された第二導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ２と、を含んでおり、第一導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ１と第二導電体インバーター出力ＩＶＴ−ｏｕｔ２とは出力用コンタクトホールＣＮＴ−ｏｕｔを介して接続されている。

第二導電体負電源電極ＶＳＳＰは、回路上の意義は有さないが、これを配置する事で、図７（ｂ）に示す様に、上述の構成を製造する際に、ＲＩＥ法といったプラズマ工程を用いて、層間絶縁膜ＩＬＤに入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎや第一コンタクトホールＣＮＴ１、出力用コンタクトホールＣＮＴ−ｏｕｔと共に、第二コンタクトホールＣＮＴ２も開口される事になる。この際に、層間絶縁膜ＩＬＤ表面が（例えば正に）帯電しても、第一導電体負電源配線ＶＳＳ１も同じ極性に（この場合正に）帯電する。従って、入力用コンタクトホールＣＮＴ−ｉｎが開口しても、第一導電体インバーター入力ＩＶＴ−ｉｎ１と第一導電体負電源配線ＶＳＳ１との間に大きな電位差が発生する事は抑制される。即ち、Ｎ型トランジスターＴｒＮのゲート絶縁膜が絶縁破壊ＩＢＤを起こす可能性は極めて低くなり、この領域でインバーターを構成するＮ型トランジスターＴｒＮがプラズマ工程後に壊れる事故も著しく低減される。

この様に、本実施形態の構成を取ると、第一配線が第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線を有する一方で、第二配線も第二導電体層によって形成され第二導電体第二電極を有するので、プラズマ工程により第一配線と第二配線との間に大きな電位差が発生する事はなく、第一配線と第二配線とに電気的に接続する回路の構成部分が静電破壊される恐れが小さくなる。即ち、総ての回路がきちんと動作する良品の電気光学装置を高い歩留まりで安定的に製造する事ができる様になる。
「電子機器」
図８は、電子機器としての三板式プロジェクターの構成を示す平面図である。次に図８を参照して、本実施形態に係る電子機器の一例としてプロジェクターを説明する。

プロジェクター２１００において、超高圧水銀ランプで構成される光源２１０２から出射された光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６及び２枚のダイクロイックミラー２１０８によって赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の三原色の光に分離され、各原色に対応する液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂに導かれる。尚、青色の光は、他の赤色や緑色と比較すると、光路が長いので、その損失を防ぐ為に、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３及び出射レンズ２１２４からなるリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ及び１００Ｂは、上述した構成を取り、外部装置（図示省略）から供給される赤、緑、青の各色に対応する画像信号にて、それぞれ駆動される。

液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによってそれぞれ変調された光は、ダイクロイックプリズム２１１２に三方向から入射する。そして、このダイクロイックプリズム２１１２において、赤色及び青色の光は９０度に屈折される一方、緑色の光は直進する。ダイクロイックプリズム２１１２において合成されたカラー画像を表す光は、レンズユニット２１１４によって拡大投射され、スクリーン２１２０上にフルカラー画像が表示される。

尚、液晶装置１００Ｒ、１００Ｂの透過像がダイクロイックプリズム２１１２により反射した後に投射されるのに対し、液晶装置１００Ｇの透過像はそのまま投射されるため、液晶装置１００Ｒ、１００Ｂにより形成される画像と、液晶装置１００Ｇにより形成される画像とが左右反転の関係になる様に設定されている。

本実施形態のプロジェクター２１００は、上述の液晶装置１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが用いられているので、明るく高精細で画像品位の高いフルカラー画像を投射する事ができる。

電子機器としては、図８を参照して説明したプロジェクターの他にも、リアプロジェクション型テレビ、直視型テレビ、携帯電話、携帯用オーディオ機器、パーソナルコンピューター、ビデオカメラのモニター、カーナビゲーション装置、ページャー、電子手帳、電卓、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、ＰＯＳ端末、ディジタルスチルカメラなどが挙げられる。そして、これらの電子機器に対しても、本実施形態にて詳述した電気光学装置を適用させる事ができる。

尚、本発明は上述した実施形態に限定されず、上述した実施形態に種々の変更や改良などを加えることが可能である。

ＣＮＴ１…第一コンタクトホール、ＣＮＴ２…第二コンタクトホール、ＣＮＴ３…第三コンタクトホール、ＬＬ…第３象限区域、ＬＲ…第４象限区域、ＵＬ…第２象限区域、ＵＲ…第１象限区域、ＶＤＤ１…第一導電体正電源配線、ＶＤＤ２…第二導電体正電源配線、ＶＳＳ１…第一導電体負電源配線、ＶＳＳ２…第二導電体負電源配線、ＶＳＳＰ…第二導電体負電源電極、１２…素子基板、１３…対向基板、１４…シール材、１５…液晶層、１６…走査線、１７…信号線、２７…共通電極、３３…遮光膜、３４…表示領域、３５…画素、３６…信号線駆動回路、３７…外部接続端子、３８…走査線駆動回路、３９…検査回路、４２…画素電極、４３…第１配向膜、４４…第２配向膜、４６…ＴＦＴ素子、４７…容量線、４８…保持容量、１００…液晶装置、３４１…第一の辺、３４２…第二の辺、３４３…第三の辺、３４４…第四の辺、２１００…プロジェクター、２１０２…光源、２１０６…ミラー、２１０８…ダイクロイックミラー、２１１２…ダイクロイックプリズム、２１１４…レンズユニット、２１２０…スクリーン、２１２１…リレーレンズ系、２１２２…入射レンズ、２１２３…リレーレンズ、２１２４…出射レンズ。

Claims (5)

1. 表示領域と、前記表示領域の少なくとも一辺に沿って配置された回路と、前記回路に電気的に接続された第一配線と、前記回路に電気的に接続された第二配線と、を備え、
   前記第一配線は、第一導電体層によって形成された第一導電体第一配線と、第二導電体層によって形成された第二導電体第一配線と、を含み、
   前記第二配線は、前記第一導電体層によって形成された第一導電体第二配線と、前記第二導電体層によって孤立して形成された第二導電体第二電極と、を含み、
   前記第一導電体層と前記第二導電体層との間には層間絶縁膜が形成されており、
   前記第一導電体第一配線と前記第二導電体第一配線とは、前記層間絶縁膜に開口された第一コンタクトホールを介して電気的に接続されており、
   前記第一導電体第二配線と前記第二導電体第二電極とは、前記層間絶縁膜に開口された第二コンタクトホールを介して電気的に接続されている事を特徴とする電気光学装置。
2. 前記第二配線は、前記第二導電体層によって形成された第二導電体第二配線を含み、
   前記第一導電体第二配線と前記第二導電体第二配線とは、前記層間絶縁膜に開口された第三コンタクトホールを介して電気的に接続されている事を特徴とする請求項１に記載の電気光学装置。
3. 前記電気光学装置を、互いに交差する第一の軸と第二の軸とによって四つの区域に特定した際に、各区域には、前記第二導電体第二電極及び前記第二導電体第二配線の少なくとも一方が形成されている事を特徴とする請求項２に記載の電気光学装置。
4. 前記第一導電体第二配線の任意の位置から前記第二導電体第二電極及び前記第二導電体第二配線の少なくとも一方までの距離が、前記表示領域の一辺の長さの半分以下となる様に、前記第二導電体第二電極及び前記第二導電体第二配線の少なくとも一方が形成されている事を特徴とする請求項２又は３に記載の電気光学装置。
5. 請求項１乃至４のいずれか一項に記載の電気光学装置を備えた事を特徴とする電子機器。

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