JP2014112049A - リークディテクタ及びフロンガスの漏れ量測定方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】所定のガス種を設定するガス種設定部41、ガス種毎にセンサ駆動条件を記憶する駆動条件記憶部421、ガス種毎に補正値を記憶するガス種補正値記憶部422、フルスケールに対する補正データを記憶するFSデータ記憶部423、設定されたガス種の駆動条件に基づき半導体センサ2からの出力信号の出力領域を制限するように半導体センサ2に供給するパワーを制御するヒータ電圧制御部43、制御された出力領域においてガス種毎に半導体センサ2から出力される生データとガス種補正値記憶部422で記憶された補正値とから生データを補正するガス種補正演算部461、補正値とFSデータ記憶部423で記憶された補正データとからガス種に応じた最終出力値を演算する最終出力値演算部462、及び最終出力値を表示する表示手段32を備えた。
【選択図】図2
Description
現在、フロンガスは冷凍空調機械の分野で共用中の製品から最近の製品までに新旧様々混在して用いられており、これらの製品において、フロンガスは常に一定量充填された状態を維持していることが必要とされる。
従来、試料ガスに触れているセンサの出力からガスのリーク量を検出するリークディテクタがある(特許文献1)。この特許文献1のリークディテクタでは、フロンガスも検出可能とされている。
また、単純に出力された漏れ量を検出するリークディテクタがある(従来例2)。このリークディテクタは、測定者はガス種に対する補正係数表を用意しておき、出力に対して検査ガスに決められた係数を別途計算機で掛けることで最終値を得る。
さらに、ガス種に対する出力変換表を機器に記憶させておき、検査の時に機器にガス種をあらかじめ指定することで、単純出力に対してそのガスに対する自動補正した値を用いるリークディテクタがある(従来例3)。従来例3では、工場内で用いるような本格的な検査機器ではこの原理を用いたリークディテクタが多く利用されている。
非分散型赤外線(NDIR)センサを用い、ガス種による赤外吸収周波数スペクトルのパターンを分析してガス種を推定し、そのガスに対する補正処理をするリークディテクタがある(従来例4)。
従来例1のリークディテクタでは、ガス種を予め機器で判定する機能があるため、機器構成自体が複雑となる。その結果、リークディテクタが大型で、高額になり、構造が簡易なハンディ型タイプに適用できない。
従来例2では、測定者がガス種に対する補正係数表を用意し、手計算で補正値を求めなければならないので、漏れ量の検出作業が繁雑となる。
従来例3では、ガス種に対する出力変換表を機器に記憶させなければならないので、ガス種の追加を容易に行えない。その上、検出するガス種の数に応じて動作条件、例えば、センサ動作点やアンプゲインを変更しなければならないが、多くの動作条件を予め設定することは、制御回路部の規模が大きくなり、使用可能な電圧の範囲を広くしなければならない等、リークディテクタの構造が大がかりなものとなる。
図8には、濃度とアンプ出力電圧との関係が例示されている。濃度は、リークレート(3gr/Year)においてフルスケール(FS)の設定範囲内である。この設定範囲内では、ガスBの飽和点Fでの濃度をPX、ガスAの飽和点Fでの濃度をPY、ガスCの飽和点Fでの濃度をPZとする。なお、ガスB、ガスA、ガスCの感度差は1:1.2:1.8とする。ガスCの飽和点Fでの濃度PZ以下の領域W領域において、任意の濃度PWにおいて垂直線を立てればガスA、ガスB、ガスCの交点と水平軸間がアンプ出力電圧VA,VB,VCとなり、これをフルスケール(FS)で割った結果をそれぞれのテーブルデータとし、これらのテーブルデータを用いて濃度が求められる。
濃度のフルスケール(FS)を領域PVとした場合、全てのガスで正しく測定も記録もできない。濃度のフルスケール(FS)を点PXとした場合では、ガスBは測定も記録も正しく行なえるが、ガスAは正しく測定も記録もできず、ガスCは正しく測定も記録もできない。さらに、濃度のフルスケール(FS)を点PYとした場合、ガスAは測定も記録も正しく行なえるが、ガスBは測定値が正しいが点PYをこえた濃度については例外処理で制限が必要となり、記録には不都合が生じる。例えば、感度レンジが「H」でフルスケール(FS)が3gr/Yearであるとすると、6gr/Yearまで表示してしまうことになり、ガスCは正しく測定も記録もできない。また、動作点を変更して濃度のフルスケール(FS)を点PZもしくは点PZをW領域内に移動させた場合、点PZから離れるほどガスB、ガスA、ガスCの順番で結果出力の分解能の低下が大きくなるので、動作点の設定は点PZ近くが望ましい。ガスCは測定も記録も正しく行なえるが、ガスAは測定値が正しいが点PZをこえた濃度については例外処理で制限が必要となり、記録には不都合が生じる。ガスBは測定値が正しいが点PZをこえた濃度については例外処理で制限が必要であり、記録には不都合が生じる。
従来例4では、パターンに特徴があるガス種は判定ができても、数十種類の区別はつけ難く限界がある。しかも、フロンガスは次々新しいものが開発されているが、実用機器では検知できるガス種を限定している。
そこで、本発明では、ガス種によるセンサ出力の大きさの違いを補正するためにセンサの動作の制御や得られたデータを処理することで、より正しい結果を得ることを目的としたもので、特に、携帯型の廉価な機器に費用をかけないで対応する次の構成を有する。
そのため、本発明では、パワー制御部によって、フロンガス濃度検知センサの出力信号の出力領域を制限するようにフロンガス濃度検知センサに供給するパワーを制御するため、基準となるガス種以外では、フロンガス濃度検知センサからの出力信号領域が小さくなり、増幅器(アンプ)を用いる場合には、飽和という問題を解決することができる。
この構成の本発明では、フロンガスの反応量が多い場合には、半導体センサにヒータ電力制御部から供給するパルス電圧のデューティを小さなものにすることで、フロンガスの反応量を少なくし、半導体センサからの出力信号の出力領域を小さな範囲に制限することができる。
この構成の本発明では、ヒータ電圧制御部からフロンガス濃度検知センサに供給するパルス波高値は固定値であるが、パルスのオン時間とオフ周期とを調整することで、フロンガス濃度検知センサからの出力信号の出力領域を容易に制限することができる他、電池電力の効率もよく、電池容量を小さくできる。
この構成の本発明では、投光量とフロンガスの感度とが比例関係にあるため、フロンガスの反応量が多い場合には、フロンガス濃度検知センサに投光量制御部から供給する投光量を小さなものにすることで、フロンガスの反応量を少なくし、フロンガス濃度検知センサからの出力信号の出力領域を小さな範囲に制限することができる。
この構成の本発明では、駆動電圧制御部から投光器に供給するパルスのオン時間とパルス周期は固定的であるが、パルス電圧の波高値または直流電圧値を調整することで、フロンガス濃度検知センサからの出力信号の出力領域を容易に制限することができる。
この構成の本発明では、基準のガス種のデータを複数のガス種のうち1つのガス種のデータとし、この基準となるガス種のデータと他のガス種のデータとの関係を予め記憶しておく。出力データの出力領域を制御するには、測定対象のガス種の生データと基準のガス種のデータが揃うように出力データの出力領域を制御する。
そのため、予め記憶されている測定対象のガス種と基準となるガス種との関係から、測定ガスにおいてもFS(フルスケール)までアンプ飽和がなく正しい測定ができる。
[第1実施形態]
第1実施形態はフロンガス濃度検知センサとして半導体センサを有するリークディテクタの例である。
図1から図4には本発明の第1実施形態が示されている。図1は第1実施形態にかかるリークディテクタの正面を示し、図2は第1実施形態にかかるリークディテクタの概略を示す。
図1において、リークディテクタ1は、ガスを取り込むガス取得部100と、このガス取得部100と接続された装置本体3とを備えて構成されている。
ガス取得部100は、ガスの取り入れ口となる先端部100Aと、この先端部100Aに接続され装置本体3にエアーを送り込むフレキシブルチューブ100Bとを有する。フレキシブルチューブ100Bは装置本体3の側面に設けられたフック3Aに着脱可能とされている。
半導体センサ2はフロンガスの濃度を検知するフロンガス濃度検知センサであり、金属酸化物半導体を含んで構成された図示しない感応部を有する。
入力手段31は、電源スイッチ、「H」「M」「L」の感度レンジを切り換えるスイッチ、データのピーク時を記憶させるスイッチ、ガス種を設定するスイッチ、その他のスイッチ等から構成される。
表示手段32は、出力値が表示されるバーコード式表示部や、切り換えられたレンジを表示する表示部等から構成されている。これらの表示手段32は従来と同様である。なお、必要に応じて、警告音出力を表示手段32に付加してもよい。
ガス種設定部41は、入力手段31を介してフロンガスの複数のガス種毎のうち所定のガス種を設定するものである。例えば、本実施形態では、ガス種として、フロンガスR22、フロンガスR134a、フロンガスR404a、フロンガスR407c、フロンガスR410を例示できる。これらのガスでは、基準となるガスRと、他のガスA,B,Cとに分けられる。本実施形態では、基準となるフロンガスRは通常R22である。
駆動条件記憶部421は、測定するガス種の対象を予め複数にグループ化しておき、これらのグループ毎の駆動条件を記憶する。
図3には、センサ出力電圧とヒータ駆動パルスとの関係が示されている。図3(A)は時間とセンサ出力電圧との関係を示す模式的なグラフであり、図3(B)はパルス波を示すグラフである。
図3(B)のようにヒータ駆動パルスをONすると、半導体センサ2の感応部が加熱され、図3(A)のようにセンサ出力電圧は右下がりに変化し、図3(B)のようにヒータ駆動パルスをOFFすると、半導体センサ2の感応部が徐々に冷えて行き、図3(A)のようにセンサ出力電圧は右上がりに変化する。このように、本実施形態では、半導体センサ2の感応部にパルス電圧を繰り返して供給することでヒータ印加電力が制御される。
図4において、想像線で示された生データのガスA、ガスB、ガスCが駆動条件記憶部421で記憶された駆動条件に基づいて半導体センサ2がパワー制御されると、実線で示される(A,B)とCとになり、さらに補正が行われると、実線に示された、ガスRとほぼ一致する(R≒(A,B))。
生データ取込部45は、半導体センサ2からガス種毎に出力された生データを取り込むものである。
演算部46は、ヒータ電圧制御部43で制御された出力領域において生データ取込部45で取り込まれた生データとガス種補正値記憶部422で記憶された補正値とに基づいて生データを補正するガス種補正演算部461と、ガス種補正演算部461で補正された補正値とFSデータ記憶部423で記憶された補正データとから所定のガス種に応じた最終出力値を演算する最終出力値演算部462とを有する。
最終出力値演算部462は、感度レンジ「L」「M」「H」の切り換えに対応した最終出力値を演算する。
図5は感度切り換え毎に補正した最終出力値を示すグラフである。図5において、理想的な最終出力値は、感度レンジ「L」「M」「H」の切り換えに対応して、1から10(フルスケール)までとなる。
予め、ガス種毎に半導体センサ2の駆動条件を駆動条件記憶部421に記憶させ、ガス種毎に補正値をガス種補正値記憶部422に記憶させ、所定のガス種に応じてフルスケール(FS)に対する補正データをFSデータ記憶部423に記憶させる。つまり、感度校正操作を行う。
例えば、ガスRの濃度が100であり、ガスAの濃度が120であり、ガスBの濃度が130であり、ガスCの濃度が180であるとすると、データが近い同士をグループわけする。基準となるガスRは、グループ1、ガスA,Bをグループ2、ガスCをグループ3とし、グループ2,3をそれぞれグループ1に近づけるように、ヒータ電圧制御部43によるグループ毎のパワー制御を行い、結果から得られるガスRに対する各グループのガス毎の倍率がガス間の偏差をなくす補正値となりガス種補正値記憶部422に記憶させる。例えば、グループ2では、105,108、また、グループ3では、106が得られたなら、100に対する比率からグループ2のガスAでは0.95、ガスBでは0.92、グループ3のガスCでは0.95が補正値となる。
以上の校正は定期的に行う場合や測定前に必ず行われる。
そして、半導体センサ2を測定対象物に設置する。
その後、入力手段31のガス種を設定するスイッチを操作してガス種設定部41でガス種、例えば、ガスAの選択情報を取得する(S1)。その後、駆動条件記憶部421から選択されたガス種、例えば、ガスAのヒータ駆動条件がロードされる(S2)。ロードされたヒータ駆動条件に基づいて、ヒータパワー(半導体センサ2に供給する電圧)が制御される(S3)。
その後、ガス種補正演算部461で補正された補正値とFSデータ記憶部423で記憶された補正データとから所定のガス種、例えば、ガスAに応じた最終出力値を最終出力値演算部462で演算する(S6)。
その値、最終出力値演算部462で演算された最終出力値は表示出力制御部49によって表示手段32に表示される(S7)。
(1)所定のガス種を設定するガス種設定部41と、ガス種毎にセンサの駆動条件を記憶する駆動条件記憶部421と、ガス種毎に補正値を記憶するガス種補正値記憶部422と、所定のガス種に応じてフルスケール(FS)に対する補正データを記憶するFSデータ記憶部423と、駆動条件記憶部421で記憶された駆動条件のうちガス種設定部41で設定された所定のガス種の駆動条件に基づき半導体センサ2からの出力信号の出力領域を制限するように半導体センサ2に供給するパワーを制御するパワー制御部としてのヒータ電圧制御部43と、ヒータ電圧制御部43で制御された出力領域においてガス種毎に半導体センサ2から出力される生データとガス種補正値記憶部422で記憶された補正値とに基づいて生データを補正するガス種補正演算部461と、ガス種補正演算部461で補正された補正値とFSデータ記憶部423で記憶された補正データとから所定のガス種に応じた最終出力値を演算する最終出力値演算部462と、最終出力値演算部462で演算された最終出力値を表示する表示手段32と、を備える。そして、半導体センサ2の出力信号の出力領域を制限するように半導体センサ2に供給するパワーを制御する。そのため、ガス種を変更しても感度差が少ない測定が行え、しかも、基準となるガス種以外では、センサからの出力信号領域が小さくなり、フルスケール(FS)においても、アンプ48が飽和することがない。
次に、本発明の第2実施形態を図1及び図7に基づいて説明する。
第2実施形態はフロンガス濃度検知センサとしての赤外線センサを有するリークディテクタの例である。ここで、第2実施形態において、第1実施形態と同一の構成要素は同一符号を付して説明を省略する。
図1において、リークディテクタ10は、ガス取得部100と接続された装置本体30を備え、この装置本体30は、フロンガスの濃度を検知する赤外線センサ20と、この赤外線センサ20からの出力信号に基づいてフロンガスの濃度を測定する制御装置40とを備えている。
赤外線センサ20は、それぞれ図示しない投光器及び受光器を備えた一般的な構造であり、投光器から受光器に届く赤外線量を検知するための図示しない感応部を有する。
図7において、制御装置40は、ガス種設定部41と、記憶部42と、パワー制御部としての駆動電圧制御部430と、感度レンジ設定部44と、生データ取込部45と、演算部46と、AD変換部47と、アンプ48と、表示出力制御部49とを備える。
駆動電圧制御部430は、駆動条件記憶部421で記憶された駆動条件のうちガス種設定部41で設定された所定のガス種の駆動条件に基づき赤外線センサ20からの出力信号の出力領域を制限するように赤外線センサ20の投光器から受光器へ投光される光量を制御するものであり、本実施形態では、投光器にパルス電圧または直流電圧を供給する駆動電圧を制御する構成である。
なお、第2実施形態では、ガス種設定部41で設定されるガス種は第1実施形態と同じであるが、基準となるフロンガスRは、通常R134aである。
第2実施形態のフロンガス漏れ量測定方法は第1実施形態のフロンガス漏れ量測定方法と同じである。
(5)フロンガス濃度検知センサは投光器から受光器に届く赤外線量を検知する赤外線センサ20であり、パワー制御部としての駆動電圧制御部430は投光器から受光器へ投光される光量を制御するものであるので、フロンガスの反応量が多い場合には、赤外線センサ20に供給する投光量を小さなものにすることで、フロンガスの反応量を少なくし、赤外線センサ20からの出力信号の出力領域を小さな範囲に制限することができる。
例えば、前記実施形態では、複数のガスR,A,B,Cをグループ分けし、はじめに、これらのグループ毎にパワー制御したが、本発明では、必ずしも、グループ分けすることを要しない。例えば、ガスA、ガスB、ガスCのうちガスAが測定対象である場合、このガスAをガスRに近づけるように、ヒータ電圧制御部43によるパワー制御を行う。結果から得られるガスRに対するガスAの倍率はガス間の偏差をなくす補正値となりガス種補正値記憶部422に記憶される。同様に、ガスBが測定対象である場合、このガスAをガスRに近づけるように、ヒータ電圧制御部43によるパワー制御を行い、補正値をガス種補正値記憶部422に記憶させる。
また、第1実施形態において、半導体センサを装置本体3に内蔵した構成としたが、本発明では、装置本体3にコードを接続し、このコードの先端に感応部を設ける構成としてもよい。
また、本発明では、フロンガス濃度検知センサの感度を制御するために、負荷抵抗を増減するものとしてもよい。負荷抵抗による制御は、間接的にパワー制御となる負荷抵抗の増減の方法も含む。
感知部はヒータの影響を大きく受けることになるが、負荷抵抗の増減によって感知部に流れ込む電流は変化する。
Claims (7)
- フロンガスの濃度を検知するフロンガス濃度検知センサと、このフロンガス濃度検知センサからの出力信号に基づいてフロンガスの濃度を測定する装置本体とを備え、
前記装置本体は、フロンガスの複数のガス種毎のうち所定のガス種を設定するガス種設定部と、
前記ガス種毎に前記フロンガス濃度検知センサの駆動条件を記憶する駆動条件記憶部、前記ガス種毎に補正値を記憶するガス種補正値記憶部、及び前記所定のガス種に応じてフルスケールに対する補正データを記憶するFSデータ記憶部を有する記憶手段と、
前記駆動条件記憶部で記憶された駆動条件のうち前記ガス種設定部で設定された所定のガス種の駆動条件に基づき前記フロンガス濃度検知センサからの出力信号の出力領域を制限するように前記フロンガス濃度検知センサに供給するパワーを制御するパワー制御部と、
前記パワー制御部で制御された出力領域において前記ガス種毎に前記フロンガス濃度検知センサから出力される生データと前記ガス種補正値記憶部で記憶された補正値とに基づいて前記生データを補正するガス種補正演算部、及び前記ガス種補正演算部で補正された補正値と前記FSデータ記憶部で記憶された補正データとから前記所定のガス種に応じた最終出力値を演算する最終出力値演算部を有する演算手段と、
前記演算手段で演算された最終出力値を表示する表示手段と、
を備えたことを特徴とするリークディテクタ。 - 請求項1に記載されたリークディテクタにおいて、
前記フロンガス濃度検知センサは、金属酸化物半導体を含んで構成された感応部を有する半導体センサであり、
前記パワー制御部は前記感応部に供給する電力を制御するヒータ電力制御部を備えたことを特徴とするリークディテクタ。 - 請求項2に記載されたリークディテクタにおいて、
前記ヒータ電力制御部は、前記感応部にパルス電圧を繰り返して供給するヒータ電圧制御部を備えたことを特徴とするリークディテクタ。 - 請求項1に記載されたリークディテクタにおいて、
前記フロンガス濃度検知センサは投光器から受光器に届く赤外線量を検知する赤外線センサであり、
前記パワー制御部は前記投光器から前記受光器へ投光される光量を制御する投光量制御部を備えたことを特徴とするリークディテクタ。 - 請求項4に記載されたリークディテクタにおいて、
前記投光量制御部は、前記投光器にパルス電圧または直流電圧を供給する駆動電圧制御部を備えたことを特徴とするリークディテクタ。 - 請求項2から請求項5のいずれか1項に記載されたリークディテクタにおいて、
前記パワー制御部は、前記ガス種設定部で設定されたガス種の生データを予め設定された基準のガス種のデータに揃えることを特徴とするリークディテクタ。 - フロンガス濃度検知センサからの出力信号に基づいてフロンガスの漏れ量を測定するフロンガスの漏れ量測定方法において、
ガス種毎に前記フロンガス濃度検知センサの駆動条件を駆動条件記憶部が記憶し、前記ガス種毎に補正値をガス種補正値記憶部が記憶し、前記所定のガス種に応じてフルスケールに対する補正データをFSデータ記憶部が記憶し、
前記駆動条件記憶部で記憶された駆動条件のうち設定された所定のガス種の駆動条件に基づき前記フロンガス濃度検知センサからの出力信号の出力領域を制限するようにパワー制御部が前記フロンガス濃度検知センサに供給するパワーを制御し、
前記パワー制御部で制御された出力領域において前記ガス種毎に前記フロンガス濃度検知センサから出力される生データと前記ガス種補正値記憶部で記憶された補正値とに基づいてガス種補正演算部が前記生データを補正する演算をし、前記ガス種補正演算部で補正された補正値と前記FSデータ記憶部で記憶された補正データとから前記所定のガス種に応じた最終出力値を最終出力値演算部が演算し、
前記演算手段で演算された最終出力値を表示手段が表示する、
ことを特徴とするフロンガスの漏れ量測定方法。
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