JP2014110432A - 太陽エネルギー電池構造 - Google Patents
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Abstract
【課題】本発明の目的は、PID現象を減少させることができる太陽エネルギー電池構造を提供することにある。
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板の正面に位置している不純物エミッター層と、前記不純物エミッター層を覆う反射防止層とを含む太陽エネルギー電池構造に関する。前記反射防止層は、多層膜構造であり、且つ少なくとも1つのイオン拡散阻止層を具備する。例えば、直接に不純物エミッター層を覆うアモルファスシリコン、又はシリコンリッチ窒化ケイ素膜を備える。
【選択図】図7
【解決手段】本発明は、基板と、前記基板の正面に位置している不純物エミッター層と、前記不純物エミッター層を覆う反射防止層とを含む太陽エネルギー電池構造に関する。前記反射防止層は、多層膜構造であり、且つ少なくとも1つのイオン拡散阻止層を具備する。例えば、直接に不純物エミッター層を覆うアモルファスシリコン、又はシリコンリッチ窒化ケイ素膜を備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、太陽エネルギー電池技術に関し、特に電圧誘起出力低下現象を抑制することができる(PID−resistant)太陽エネルギー電池構造及びその製造方法に関する。
電圧誘起出力低下(Potential Induced Degradation、PID)現象は、高強度負電圧により誘起され、電池モジュールの機能が低下する現象である。PID現象は、発電所でよく見られる現象であり、著しい場合は発電能力が50%以上低下し、従って発電所の発電能力が減少する。
現在、当業界ではPID現象を検出する統一的な方法がないが、主に以下のような三種の方法を採用している。(1)温度が85℃で、絶対的湿度が85%である環境において、1000Vの負電圧を印加して、96時間観測すること。(2)常温環境において、1000Vの負電圧を印加して、168時間観測すること。(3)温度が60℃で、絶対的湿度が85%である環境において、1000Vの負電圧を印加して、168時間観測すること。
PID現象を解消する解決方法として、システム端と地面との間の電気経路を強化する(電位差を増加させる)ことと、モジュールの材料として抵抗値の高い実装材料を採用することがある。実験データによると、抵抗値がより高い実装材料を採用することによりPID現象を有効に減少させることができるが、電池のコストが高くなる欠点がある。
従って、EVA(ethylene−vinyl acetate copolymer、エチレン酢酸ビニルコポリマー)実装材料を採用しなくても、製造工程を増加せずに、電圧誘起出力低下を抑制することができる(PID−resistant)太陽エネルギー電池構造及びその製造方法を提供する必要がある。
本発明の目的は、PID現象を減少させるか、或いは解消することができる太陽エネルギー電池構造を提供することにある。それにより太陽エネルギー電池の効率を向上させるとともに、従来技術の問題点を解決することができる。
上述した目的を解決するため、本発明は、正面及び背面を含む基板と、前記正面上に位置している不純物エミッター層と、前記不純物エミッター層を覆い、且つ少なくとも1つのイオン拡散阻止層を具備する反射防止層とを含む太陽エネルギー電池構造を提供する。前記反射防止層は、多層膜構造であり、且つ少なくとも1つのイオン拡散阻止層を具備する。例えば、直接に不純物エミッター層を覆うアモルファスシリコン(amorphous silicon)、又はシリコンリッチ(silicon rich)窒化ケイ素膜を備える。
本発明の目的、特徴及び発明効果を詳しく説明するため、以下の好適な実施例とそれに添付されている図面を参照しながら、詳しく説明する。下述する好適な実施例とその図面は、本発明を説明するためのものであり、本発明を限定するものではない。
図1〜図6を参照すると、本発明の実施例に係る太陽エネルギー電池の製造方法が示されている。
まず、図1に示す通り、基板11を提供する。この基板は、例えば、P型シリコン入りウェファーで、表面洗浄及び表面粗化処理を行った基板である。基板11は、正面S1及び背面S2を含み、且つ正面S1を受光面とする。
次に、図2に示す通り、基板11の正面S1上に不純物エミッター層12を形成する。例えば、基板11の正面S1にリンガラス層22を形成した後、拡散工程により、例えばファーナス(furnace)工程により基板11の正面S1上に不純物エミッター層12を形成する。本発明の実施例において、不純物エミッター層12は、N+不純物エミッター層である。前記拡散工程において、温度の範囲は800〜850℃であり、濃度の範囲は1E20〜4E21atoms/cm3であり(抵抗値は85〜65Ω/sqである)、拡散時間は7〜10分である。
次に、図3に示す通り、エッチング工程を行う。例えば、ウエットエッチング、又はドライエッチングにより辺縁を絶縁させるとともに、リンガラス層22を除去する。
次に、図4に示す通り、化学気相成長工程により、例えばプラズマ化学気相成長(PECVD)により、不純物エミッター層12上に反射防止層13を形成する。例えば、窒化ケイ素又は酸化ケイ素などで形成する。本発明の実施例において、反射防止層13が直接に不純物エミッター層12上に形成されている。前記反射防止層13は、単層膜構造又は多層膜構造である。例えば、二層膜又は三層膜構造である。
本発明の実施例に係る反射防止層13は、多層膜構造である。図7に示す通り、前記反射防止層13は、少なくとも1つのイオン拡散阻止層131を含む。イオン拡散阻止層は、構造が緊密で、且つモジュールガラス中のナトリウムイオンが反射防止層13と不純物エミッター層12との間へ拡散されることを防ぐことができるので、ナトリウムイオンにより漏電経路が形成されることを避けることができる。
また、イオン拡散阻止層131は、多層膜構造の最低層に位置し、且つ直接に不純物エミッター層12に接触することが好ましい。反射防止層13は、上層膜133と中間膜132をさらに含み、中間膜132は、上層膜133とイオン拡散阻止層131との間に位置している。上層膜133は、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含み、且つその厚さが50〜150nmである。中間層は、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含み、且つその厚さが50〜80nmである。
本発明の実施例において、イオン拡散阻止層131は、アモルファスシリコン(amorphous silicon)、シリコンリッチ(silicon rich)窒化ケイ素膜、シリコンリッチ酸化ケイ素膜、シリコンリッチ酸窒化ケイ素膜を含む。シリコンリッチ窒化ケイ素膜を例とするときのCVD工程のパラメーターは、工程の温度範囲が400〜450℃であり、工程の電力範囲が6000〜8000Wであり、SiH4気体流量が600〜2000sccmであり、NH3気体流量が7〜4slmであり、N2気体流量が5〜10slmである。その中において、SiH4気体流量が総気体流量の12〜14%を占める。
本発明の実施例において、イオン拡散阻止層131の厚さが5〜50nmであり、その厚さが層膜133又は中間膜132より小さいことにより、反射防止層13全体の光学特性を維持することができる。例えば、図7に示されている多層膜構造の反射防止層13の屈折率(n)が2.06±0.05であることにより、最適な反射率を獲得することができる。
図5に示す通り、スクリーン印刷技術により、基板11の正面S1上に櫛形電極(図示せず)及び集電電極14を形成するとともに、その背面に集電電極15及び背面電極16を形成する。前記集電電極14、15は、銀ペーストで形成し、背面電極16は、アルミニウムペーストで形成することができる。
最後に、図6に示す通り、焼結を行うことにより、集電電極14と不純物エミッター層12を電気接続させ、且つ背面電極16が電気接続されているP+背面電界層25を形成する。
本発明の利点は、上記のように改善した工程により、モジュール中のEVA実装用材料を使わず、且つ製造工程及びステップを増加しなくても、PID実験に通過することができることにある。図8に示されている実際のPID測定実験のデータからこのような相違点を見つけることができる(2つの実験では、両方ともFirst会社のF806型実装材料を使った)。
上述した内容は、本発明の最適な実施例に過ぎないものである。本発明の要旨を逸脱しない範囲の設計の変更等があっても当然にこの発明に含まれる。
11 基板
12 不純物エミッター層
13 反射防止層
14 集電電極
15 集電電極
16 背面電極
22 リンガラス層
25 P+背面電界層
131 イオン拡散阻止層
132 中間膜
133 上層膜
S1 正面
S2 背面
12 不純物エミッター層
13 反射防止層
14 集電電極
15 集電電極
16 背面電極
22 リンガラス層
25 P+背面電界層
131 イオン拡散阻止層
132 中間膜
133 上層膜
S1 正面
S2 背面
Claims (17)
- 正面及び背面を含む基板と、
前記正面上に位置している不純物エミッター層と、
前記不純物エミッター層を覆い、且つ少なくとも1つのイオン拡散阻止層を備える反射防止層とを含むことを特徴とする太陽エネルギー電池構造。 - 前記反射防止層は多層膜構造であり、前記イオン拡散阻止層は、多層膜構造の最低層に位置し、且つ前記不純物エミッター層に直接接触していることを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記反射防止層は、上層膜と、前記上層膜と前記イオン拡散阻止層との間に位置している中間膜とをさらに含むことを特徴とする請求項2に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記上層膜は、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記上層膜の厚さが50〜150nmであることを特徴とする請求項4に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記中間層は、窒化ケイ素又は酸窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項3に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記中間層の厚さが50〜80nmであることを特徴とする請求項6に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記イオン拡散阻止層は、アモルファスシリコンを含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記イオン拡散阻止層は、シリコンリッチ窒化ケイ素膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記イオン拡散阻止層は、シリコンリッチ酸化ケイ素膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記イオン拡散阻止層は、シリコンリッチ酸窒化ケイ素膜を含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記イオン拡散阻止層の厚さが5〜50nmであることを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記反射防止層の屈折率(n)が2.06±0.05であることを特徴とする請求項3に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記基板の正面に形成され、且つ前記不純物エミッター層に電気接続されている少なくとも1つの集電電極をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記背面に形成されている背面電極と、前記背面に形成され、且つ前記背面電極に電気接続されている背面電界層とさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記背面電界層がP+背面電界層であることを特徴とする請求項15に記載の太陽エネルギー電池構造。
- 前記基板がP型シリコン入りウェファーであり、且つ前記不純物エミッター層がN+不純物エミッター層であることを特徴とする請求項1に記載の太陽エネルギー電池構造。
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