JP2014239104A - 太陽電池セル、太陽電池モジュール及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
太陽電池セル11は、基板1と、pn接合2、反射防止膜3と、BSF層4、電極5、6とで構成されている。
基板1にはBなどのIII族元素が添加されたp型シリコン基板が主に用いられるが、PなどのV族元素が添加されたn型シリコン基板が用いられることもある。
pn接合2は、p型シリコン基板に対してはPなどのV族元素を、n型シリコン基板にはBなどのIII族元素を熱拡散させて形成される。
[1]結晶シリコン基板の受光面、又は受光面と非受光面の両方に反射防止膜が形成され、前記反射防止膜を覆うように保護膜が形成されている太陽電池セルであって、前記保護膜は酸化シリコンを主成分とすることを特徴とする太陽電池セル。
[2]前記反射防止膜は窒化シリコンを主成分とする[1]記載の太陽電池セル。
[3]前記保護膜の厚みが、150nm以上である[1]又は[2]記載の太陽電池セル。
[4]結晶シリコン基板の受光面、又は受光面と非受光面の両方に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜を覆うように酸化シリコンを主成分とする保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
[5]前記保護膜形成工程は、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物、又はシロキサン化合物を前記基板に塗布する工程と、加水分解/縮合反応させる工程を含む[4]記載の太陽電池セルの製造方法。
[6]前記保護膜形成工程は、ポリシラザンを前記基板に塗布する工程と、加水分解反応させる工程とを含む[4]記載の太陽電池セルの製造方法。
[7]前記保護膜形成工程は、シラン化合物と酸化ガスが反応する工程を含む[4]記載の太陽電池セルの製造方法。
[8]前記シラン化合物はアルコキシ基を有する[7]記載の太陽電池セルの製造方法。
[9]前記酸化ガスは酸素又はオゾン、あるいはこれらの混合物である[7]又は[8]記載の太陽電池セルの製造方法。
[10][1]〜[3]のいずれかに記載の太陽電池セル複数を電気的に結線し、透光性の充填材及びカバーガラスで封止して成ることを特徴とする太陽電池モジュール。
拡散厚さ250μm、比抵抗1Ω・cmの、ボロンドープ{100}p型アズカットシリコン基板100枚に対し、熱濃水酸化カリウム水溶液によりスライスダメージを除去後、水酸化カリウム/2−プロパノール水溶液中に浸漬し、テクスチャ形成を行い、引き続き塩酸/過酸化水素混合溶液中で洗浄を行った。
次に、オキシ塩化リン雰囲気下、850℃で裏面同士を重ねた状態で熱処理し、pn接合を形成した。拡散後、フッ酸にてガラス層を除去し、純水洗浄の後、乾燥させた。
次に、反射防止膜として、厚さ100nmの窒化シリコン膜を、平行平板型プラズマCVD装置により、受光面全面に成膜した。
次に、スピンコーターにて反射防止膜上にメトキシトリメチルシランを2mL滴下し、2,000rpmで5秒間回転させた後、湿度65%の大気雰囲気中でホットプレートにより100℃で10秒間乾燥させた。上記の作業を5回繰り返し、膜厚約200nmの保護膜を形成した。
次に、基板の非受光面側に銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させた後、受光面側に銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させ、この後、大気雰囲気下で820℃の焼成を3秒間行い、Ag電極に受光面と裏面両面の反射防止膜と保護膜を貫通させてシリコンと導通させた。次に基板の非受光面に、スクリーン印刷によりアルミニウムペーストを基板裏面全面に塗布し、150℃で乾燥した。続いて受光面にスクリーン印刷により銀ペーストを櫛型に印刷し、150℃で乾燥した後、ベルト炉にて820℃で3秒間焼成した。
次に上記太陽電池セル9枚を、銅線と導電性接着剤にて直列に接続して連結体とし、連結体をシート状のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂(シー・アイ化成 MLCE−52)で挟み、更にその受光側には5mm厚のソーダライムガラスを、非受光面側には白色PETフィルム(エム・エー・パッケージング 積層PETフィルム)を配置し、ラミネーターで130℃,8分間の熱処理をした後、更にオーブンで150℃,30分間の熱処理を行った。これにより得られたパネルの外周部にポリビニルブチラールを塗布し、最後にアルミニウムフレームを取り付けてモジュールとした。
実施例1と同様の基板に、同じくテクスチャ形成、pn接合形成及び反射防止膜を形成した後、スピンコーターにて反射防止膜上にパーヒドロポリシラザンを2mL滴下し、2,000rpmで5秒間回転させた後、湿度65%の大気雰囲気中でホットプレートにより100℃で10秒間乾燥させた。上記の作業を7回繰り返し、膜厚約200nmの保護膜を形成した。
その後、実施例1と同様に電極形成とモジュール作製を行った。
実施例1、2と同様の基板に、同じくテクスチャ形成、pn接合形成及び反射防止膜を形成した後、大気圧プラズマCVD装置を使用し、基板を450℃に保った状態で、60℃に保ったテトラエトキシシランに窒素250sccmを導入してバブリングにより装置に導入した。また酸素1.8slm、希釈用窒素400sccmを装置へ同時に導入して製膜を2分30秒間行い、膜厚約200nmの保護膜を形成した。
その後、実施例1と同様に電極形成とモジュール作製を行った。
実施例1、2、3と同様の基板に、同じくテクスチャ形成、pn接合形成及び反射防止膜を形成した後、基板の非受光面側にAgペーストをスクリーン印刷して乾燥させた後、受光面側に銀ペーストをスクリーン印刷して乾燥させ、この後、大気雰囲気下で820℃の焼成を3秒間行い、銀電極に受光面と裏面両面の反射防止膜と保護膜を貫通させてシリコンと導通させた。次に基板の非受光面に、スクリーン印刷によりアルミニウムペーストを基板裏面全面に塗布し、150℃で乾燥した。続いて受光面にスクリーン印刷により銀ペーストを櫛型に印刷し、150℃で乾燥した後、ベルト炉にて820℃で3秒間焼成した。
次に上記太陽電池セル9枚を、銅線と導電性接着剤にて直列に接続して連結体とし、連結体をシート状のエチレン酢酸ビニル共重合樹脂(シー・アイ化成 MLCE−52)で挟み、更にその受光側には5mm厚のソーダライムガラスを、非受光面側には白色PETフィルム(エム・エー・パッケージング 積層PETフィルム)を配置し、ラミネーターで130℃,8分間の熱処理をした後、更にオーブンで150℃,30分間の熱処理を行った。これにより得られたパネルの外周部にポリビニルブチラールを塗布し、最後にアルミニウムフレームを取り付けてモジュールとした。
劣化率=(PID試験後出力/初期出力−1)×100 [%]
1 基板
2 pn接合
3 反射防止膜
4 BSF層
5 電極
6 電極
7 保護膜
12 充填材
13 カバー板
14 バックシート
15 インターコネクタ
Claims (10)
- 結晶シリコン基板の受光面、又は受光面と非受光面の両方に反射防止膜が形成され、前記反射防止膜を覆うように保護膜が形成されている太陽電池セルであって、前記保護膜は酸化シリコンを主成分とすることを特徴とする太陽電池セル。
- 前記反射防止膜は窒化シリコンを主成分とする請求項1記載の太陽電池セル。
- 前記保護膜の厚みが、150nm以上である請求項1又は2記載の太陽電池セル。
- 結晶シリコン基板の受光面、又は受光面と非受光面の両方に反射防止膜を形成する工程と、前記反射防止膜を覆うように酸化シリコンを主成分とする保護膜を形成する工程を含むことを特徴とする太陽電池セルの製造方法。
- 前記保護膜形成工程は、アルコキシシラン化合物、シラザン化合物、又はシロキサン化合物を前記基板に塗布する工程と、加水分解/縮合反応させる工程を含む請求項4記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記保護膜形成工程は、ポリシラザンを前記基板に塗布する工程と、加水分解反応させる工程とを含む請求項4記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記保護膜形成工程は、シラン化合物と酸化ガスが反応する工程を含む請求項4記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記シラン化合物はアルコキシ基を有する請求項7記載の太陽電池セルの製造方法。
- 前記酸化ガスは酸素又はオゾン、あるいはこれらの混合物である請求項7又は8記載の太陽電池セルの製造方法。
- 請求項1〜3のいずれか1項記載の太陽電池セル複数を電気的に結線し、透光性の充填材及びカバーガラスで封止して成ることを特徴とする太陽電池モジュール。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Family Applications (1)
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