JP2014096432A - 銅板付きパワーモジュール用基板及び銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】絶縁基板11と、絶縁基板11の一方の面に形成された回路層12と、絶縁基板11の他方の面に形成された金属層13と、を備え、金属層13は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が絶縁基板11の他方の面に接合されて構成されており、回路層12は、銅又は銅合金からなる銅板30が絶縁基板11の一方の面に接合されて構成されており、銅板30は半導体素子3が接合されるダイパッド32と、ダイパッド32から延出するリード部33と、リード部33を連結するガイド枠と、を有しており、銅板30のダイパッド32が絶縁基板11の一方の面に接合されている。
【選択図】図1
Description
このようなパワーモジュール基板では、回路層の上に、はんだ材を介してパワー素子の半導体素子が搭載される。
そして、金属層の他方の面側に、パワーモジュール用基板を冷却するためのヒートシンクが接合される。
この構成のパワーモジュール用基板においては、回路層が銅板で構成されているので、回路層の上に搭載された電気部品等の発熱体からの熱を十分に拡げて放散させることが可能となる。また、金属層がアルミニウム板で構成されているので、ヒートシンクと絶縁基板との熱膨張係数の差に起因する熱歪みを、金属層において十分に緩和することができ、絶縁基板の割れを抑制することが可能となる。
また、加圧することによって反りを矯正してアルミニウム板を接合した場合であっても、絶縁基板の一方の面と他方の面とで異なる金属が接合されることから、やはり反りが生じることになる。特に、アルミニウム板の板厚が銅板の板厚に比べて厚い場合には、反りの発生が顕著となる。
このようにパワーモジュール用基板に反りが生じた場合には、回路層上に半導体素子を接合する際、あるいは、金属層側にヒートシンクを接合する際に、接合界面に隙間が生じて、接合を良好に行うことができないおそれがあった。
また、上述の銅板付きパワーモジュール用基板においては、電子部品が搭載される搭載面を有する回路層が銅又は銅合金で構成されているので、電子部品から発生する熱を十分に拡げることができ、熱の放散を促進することが可能となる。よって、パワーサイクルを負荷した際の耐久性を向上させることができる
この場合、銅板が帯状に形成されており、その長手方向に複数のダイパッドを有していることから、ダイパッド上に半導体素子を搭載し、リード部をガイド枠から切断することによって、連続的に半導体装置を製造することが可能となる。
この場合、比較的変形抵抗が大きい銅又は銅合金からなる回路層の厚さt1が、比較的変形抵抗が小さいアルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層の厚さt2よりも薄く形成されているので、銅板付きパワーモジュール用基板における反りの発生をさらに抑制することができる。
図1に本発明の実施形態である銅板付きパワーモジュール用基板10、この銅板付きパワーモジュール用基板10を用いたパワーモジュール1を示す。
このパワーモジュール1は、回路層12が配設された銅板付きパワーモジュール用基板10と、この銅板付きパワーモジュール用基板10の一方側(図1において上側)の面にはんだ層2を介して接合された半導体素子(電子部品)3と、銅板付きパワーモジュール用基板10の他方側(図1において下側)に配設されたヒートシンク41と、を備えている。また、銅板付きパワーモジュール用基板10及び半導体素子3は、外装樹脂6によって封止されており、後述する銅板30のリード部33が外装樹脂6から外部に向けて突出するように構成されている。
ここで、はんだ層2は、例えばSn−Ag系、Sn−In系、若しくはSn−Ag−Cu系のはんだ材とされている。なお、本実施形態では、回路層12とはんだ層2との間にNiめっき層(図示なし)が設けられている。
セラミックス基板11は、回路層12と金属層13との間の電気的接続を防止するものである。本実施形態では、絶縁性の高いAlN(窒化アルミ)で構成されている。また、セラミックス基板11の厚さは、0.2〜1.5mmの範囲内に設定されており、本実施形態では、0.635mmに設定されている。
この銅板30は、半導体素子3が接合されるダイパット32と、このダイパッド32から延出するリード部33と、リード部33を連結するガイド枠31と、を備えている。そして、ダイパット32が、セラミックス基板11の一方の面に接合されて、回路層12を構成することになる。また、この銅板30のリード部33が、外装樹脂6から外部に向けて突出するように配置されることになる。
なお、本実施形態においては、銅板30として、図3に示すように、複数のダイパット32がガイド枠31の延在方向に連結された帯材を用いている。
本実施形態においては、金属層13となるアルミニウム板23は、純度が99.99質量%以上のアルミニウム(いわゆる4Nアルミニウム)の圧延板とされている。なお、このアルミニウム板23は、0.2%耐力が30N/mm2以下とされている。
本実施形態では、回路層12(銅板30のダイパット32)の厚さt1がt1=0.3mm、金属層13(アルミニウム板23)の厚さt2がt2=2.0mmに設定され、t2/t1=6.67とされている
本実施形態においては、ヒートシンク41は、アルミニウム又はアルミニウム合金で構成されており、具体的にはA6063合金の圧延板とされている。また、ヒートシンク41の厚さは1mm以上10mm以下の範囲内に設定されており、本実施形態では、5mmに設定されている。なお、ヒートシンク41と金属層13とは、Al―Si系のろう材を用いて接合されている。
本実施形態では、図5に示すように、セラミックス基板11の一方の面側に、回路層12となる銅板30のダイパット32が、活性ろう材24を介して接合される(積層工程S11)。なお、本実施形態においては、Ag−27.4質量%Cu−2.0質量%Tiからなる活性ろう材24を用いた。
これにより、回路層12が形成されることになる。
この状態で、セラミックス基板11、アルミニウム板23を積層方向に9.8×104Pa(1kgf/cm2)以上343×104Pa(35kgf/cm2)以下の範囲で加圧した状態で加熱炉内に装入して加熱する(加熱工程S22)。すると、ろう材箔25とアルミニウム板23の一部とが溶融し、アルミニウム板23とセラミックス基板11との界面に溶融金属領域が形成される。ここで、加熱温度は550℃以上650℃以下、加熱時間は30分以上180分以下とされている。
そして、アルミニウム板23とセラミックス基板11との界面に形成された溶融金属領域を凝固させることにより、セラミックス基板11とアルミニウム板23とを接合する(凝固工程S23)。
このような工程により、本実施形態である銅板付きパワーモジュール用基板10が製出される。
また、金属層13とヒートシンク41とを積層配置しても、これらの間に隙間が生じることがなく、金属層13にヒートシンク41を良好に接合することが可能となる。
さらに、本実施形態である銅板付きパワーモジュール用基板10においては、半導体素子3が搭載される搭載面を有する回路層12が銅又は銅合金で構成されているので、半導体素子3から発生する熱を十分に拡げることができ、熱の放散を促進することが可能となる。よって、パワーサイクルを負荷した際の耐久性を向上させることができる。
本実施形態においては、回路層12の厚さt1と金属層13の厚さt2との関係が、t2/t1≧2.5とされているので、銅板付きパワーモジュール用基板10における反りの発生を確実に抑制することができる。
例えば、銅又は銅合金からなる回路層とセラミックス基板とを、いわゆる活性金属ろう付け法を用いて接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、DBC法等を用いて接合してもよい。
アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属層とセラミックス基板とをろう材を用いて接合するものとして説明したが、これに限定されることはなく、過渡液相接合法(Transient Liquid Phase Bonding)、鋳造法、金属ペースト法等を用いて接合してもよい。
さらに、外装樹脂、ヒートシンク等の構造についても、本実施形態に限定されることはなく、他の構造のものであってもよい。
11 セラミックス基板(絶縁基板)
12 回路層
13 金属層
30 銅板
23 アルミニウム板
Claims (4)
- 絶縁基板と、該絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層と、を備え、
前記金属層は、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板が前記絶縁基板の他方の面に接合されて構成されており、
前記回路層は、銅又は銅合金からなる銅板が前記絶縁基板の一方の面に接合されて構成されており、
前記銅板は半導体素子が接合されるダイパッドと、前記ダイパッドから延出するリード部と、前記リード部を連結するガイド枠と、を有しており、前記銅板の前記ダイパッドが前記絶縁基板の一方の面に接合されていることを特徴とする銅板付きパワーモジュール用基板。 - 前記銅板は、帯状に形成されており、その長手方向に複数のダイパッドを有しており、前記ダイパッドに前記絶縁基板が接合されていることを特徴とする請求項1に記載の銅板付きパワーモジュール用基板。
- 前記回路層の厚さt1と前記金属層の厚さt2との関係が、t1<t2とされていることを特徴とする請求項1又は請求項2に記載の銅板付きパワーモジュール用基板。
- 絶縁基板と、前記絶縁基板の一方の面に形成された回路層と、前記絶縁基板の他方の面に形成された金属層と、を備えた銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法であって、
銅又は銅合金からなり、ダイパッドと、前記ダイパッドから延出するリード部と、前記リード部を連結するガイド枠と、を有する銅板を準備し、
前記絶縁基板の一方の面に、前記ダイパッドを接合し、
前記ダイパッドを前記絶縁基板に接合した後、前記絶縁基板の他方の面に、アルミニウム又はアルミニウム合金からなるアルミニウム板を接合することを特徴とする銅板付きパワーモジュール用基板の製造方法。
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