JP2014077182A - Rolled copper foil - Google Patents
Rolled copper foil Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014077182A JP2014077182A JP2012226643A JP2012226643A JP2014077182A JP 2014077182 A JP2014077182 A JP 2014077182A JP 2012226643 A JP2012226643 A JP 2012226643A JP 2012226643 A JP2012226643 A JP 2012226643A JP 2014077182 A JP2014077182 A JP 2014077182A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- copper foil
- rolled copper
- plane
- crystal
- recrystallization
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Metal Rolling (AREA)
- Parts Printed On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
Description
本発明は、圧延銅箔に関し、特に、フレキシブルプリント配線板に用いられる圧延銅箔に関する。 The present invention relates to a rolled copper foil, and more particularly to a rolled copper foil used for a flexible printed wiring board.
フレキシブルプリント配線板(FPC:Flexible Printed Circuit)は屈曲特性や折り曲げ特性を有しており、携帯電話のヒンジ部やスライド部といった可動部の配線材料として用いられる。また、FPCは、スマートフォンの小型化、省スペース化のため、折り曲げられた配線材料として用いられる。 A flexible printed circuit (FPC) has bending characteristics and bending characteristics, and is used as a wiring material for movable parts such as a hinge part and a slide part of a mobile phone. Further, the FPC is used as a bent wiring material in order to reduce the size and space of a smartphone.
FPCは、例えば銅箔と合成樹脂などの基材とを貼り合わせ、銅箔にエッチングなどの表面加工を施して配線を形成することにより製造される。 The FPC is manufactured, for example, by bonding a copper foil and a base material such as a synthetic resin, and performing surface processing such as etching on the copper foil to form a wiring.
FPCに用いられる銅箔としては、例えば圧延銅箔がある。圧延銅箔は、銅材に冷間圧延等の圧延加工を施して製造されており、圧延により歪んだ結晶組織を有している。圧延銅箔は、歪んだ結晶組織により硬質であるため屈曲特性や折り曲げ特性が低いが、加熱されて結晶組織が再結晶することにより優れた屈曲特性及び折り曲げ特性を発現させる。FPCに圧延銅箔を用いる場合では、圧延銅箔と基材とを貼り合わせる際に加熱するが、この加熱により圧延銅箔の再結晶も同時に行われる。 As a copper foil used for FPC, for example, there is a rolled copper foil. The rolled copper foil is manufactured by subjecting a copper material to rolling such as cold rolling, and has a crystal structure distorted by rolling. Although the rolled copper foil is hard due to the distorted crystal structure, it has low bending characteristics and bending characteristics, but it exhibits excellent bending characteristics and bending characteristics when heated and recrystallized. In the case of using a rolled copper foil for FPC, heating is performed when the rolled copper foil and the base material are bonded together, and the recrystallization of the rolled copper foil is simultaneously performed by this heating.
ところで、FPCに用いられる圧延銅箔においては、基材に貼り合わされる一方の面と、レジストなどが接着する他方の面とでは要求される特性が異なる。一方の面には、基材との接着力などが要求されており、粗化処理などの表面処理が行われる。他方の面には、レジスト密着性などが要求されており、ソフトエッチングなどの表面処理が行われる。ソフトエッチングによれば、圧延銅箔の表面に形成された酸化膜を除去するとともに表面を平坦にすることによりレジスト密着性を向上させる。このように、圧延銅箔においては、その面により別々の処理が施される。 By the way, in the rolled copper foil used for FPC, the required characteristics differ between the one surface bonded to the base material and the other surface to which the resist or the like adheres. One surface is required to have an adhesive force with a base material, and surface treatment such as roughening treatment is performed. The other surface is required to have resist adhesion or the like, and surface treatment such as soft etching is performed. According to the soft etching, the resist adhesion is improved by removing the oxide film formed on the surface of the rolled copper foil and flattening the surface. Thus, in a rolled copper foil, a separate process is given by the surface.
しかし、上述のソフトエッチングにおいては、圧延銅箔の表面に凹部が生じてしまう場合があった。この現象はdishdownと呼ばれ、dishdownは圧延銅箔の表面平坦性を損ね、レジスト密着性を低下させる。dishdownは、圧延銅箔の表面の厚さ方向にエッチングが均一に進んでいないこと、つまり圧延銅箔の表面におけるエッチング速度に相違が生じていることを示している。エッチング速度の相違は、圧延銅箔の表面における複数の結晶面がそれぞれ異なる結晶方位を有することによって生じる。 However, in the above-described soft etching, a concave portion may be formed on the surface of the rolled copper foil. This phenomenon is called dishdown, and dishdown impairs the surface flatness of the rolled copper foil and reduces resist adhesion. The dishdown indicates that the etching does not progress uniformly in the thickness direction of the surface of the rolled copper foil, that is, the etching rate on the surface of the rolled copper foil is different. The difference in etching rate is caused by a plurality of crystal planes on the surface of the rolled copper foil having different crystal orientations.
表面にdishdownが生じた圧延銅箔は、レジスト密着性が低いため、圧延銅箔とフォトレジストとの間にエッチング液が染み込みやすく、所定の配線を形成することが困難となる場合がある。また、仮に所定の配線を形成できたとしても、画像処理による配線の検査において、圧延銅箔の表面の凹部が断線等と誤認識されることがあり、歩留まりが低下する場合がある。 The rolled copper foil having dishdown on the surface has low resist adhesion, so that the etching solution may easily penetrate between the rolled copper foil and the photoresist, and it may be difficult to form a predetermined wiring. Even if the predetermined wiring can be formed, the concave portion on the surface of the rolled copper foil may be erroneously recognized as a disconnection or the like in the wiring inspection by image processing, and the yield may be reduced.
このソフトエッチングによる圧延銅箔の表面の凹凸を抑制する方法として、例えば、特許文献1では、圧延銅箔に対して、ソフトエッチングをする厚さ分の銅メッキ層を形成する方法が提案されている。また、例えば、特許文献2では、圧延銅箔の表面に対して、ランダムな結晶配向を有する層又は非晶質層を形成する方法が提案されている。また、例えば、特許文献3では、圧延銅箔の表面における結晶方位を揃えることでエッチングの不均一さを抑制する方法が提案されている。 As a method for suppressing the unevenness of the surface of the rolled copper foil by this soft etching, for example, Patent Document 1 proposes a method of forming a copper plating layer having a thickness for performing soft etching on the rolled copper foil. Yes. For example, Patent Document 2 proposes a method of forming a layer having a random crystal orientation or an amorphous layer on the surface of a rolled copper foil. Further, for example, Patent Document 3 proposes a method of suppressing etching non-uniformity by aligning the crystal orientation on the surface of the rolled copper foil.
しかしながら、特許文献1及び特許文献2では、圧延銅箔の表面に対して銅メッキ層や非晶質層を新たに形成するため、製造工程が増加し、製造コストが増加することになる。また、特許文献3では、圧延銅箔の表面の結晶方位を揃えることが提案されているが、圧延により製造される圧延銅箔の表面の結晶構造を単結晶に近い結晶組織とすることは困難である。すなわち、特許文献1〜特許文献3においては、dishdownを根本的に解決することは困難である。 However, in patent document 1 and patent document 2, since a copper plating layer and an amorphous layer are newly formed with respect to the surface of a rolled copper foil, a manufacturing process will increase and manufacturing cost will increase. Patent Document 3 proposes to align the crystal orientation of the surface of the rolled copper foil, but it is difficult to make the crystal structure of the surface of the rolled copper foil produced by rolling close to a single crystal. It is. That is, in Patent Documents 1 to 3, it is difficult to fundamentally solve dishdown.
本発明は、このような問題に鑑みて成されたもので、その目的は、エッチングの際に、表面の凹部の形成が抑制される圧延銅箔を提供することにある。 This invention is made | formed in view of such a problem, The objective is to provide the rolled copper foil in which the formation of the recessed part of a surface is suppressed in the case of an etching.
本発明の第1の態様によれば、
再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、前記圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200℃に昇温して30分加熱する再結晶工程後には、前記主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、前記主表面における(200)面の面積比率をR(200)としたとき、前記R(200)が20%未満であるとともに、前記主表面を構成する前記複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である圧延銅箔が提供される。
According to a first aspect of the invention,
A rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal planes to be used through a recrystallization step, wherein the temperature is raised to 200 ° C. so that all particles of the rolled copper foil are recrystallized. after recrystallization heating 30 minutes Te, when obtained from EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method to said main surface, in the main surface (200) plane area ratio of the R (200), wherein R ( 200) is less than 20%, and a rolled copper foil in which the maximum dimension of the plurality of crystal faces constituting the main surface is 100 μm or less is provided.
本発明の第2の態様によれば、
再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、前記主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、前記主表面に対する(220)面の面積比率をR(220)とし、前記主表面に対する(200)面の面積比率をR(200)としたとき、前記R(220)が20%以上50%以下であり、関係式R(220)/R(200)≧10を満たす圧延銅箔が提供される。
According to a second aspect of the invention,
A rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal planes to be used through a recrystallization step, obtained from an EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method for the main surface, When the area ratio of the (220) plane is R (220) and the area ratio of the (200) plane to the main surface is R (200) , the R (220) is 20% or more and 50% or less. A rolled copper foil that satisfies the formula R (220) / R (200) ≧ 10 is provided.
本発明の第3の態様によれば、
前記圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200℃に昇温して30分加熱する再結晶工程後には、前記R(200)が20%未満であるとともに、前記主表面を構成する前記複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である、第2の態様の圧延銅箔が提供される。
According to a third aspect of the invention,
After the recrystallization step of heating to 200 ° C. and heating for 30 minutes so that all particles of the rolled copper foil are recrystallized, the R (200) is less than 20% and constitutes the main surface. A rolled copper foil of a second aspect is provided in which the maximum dimension of the plurality of crystal planes is 100 μm or less.
本発明の第4の態様によれば、
フレキシブルプリント配線板用であり、厚さが7μm以上50μm以下である、第1〜第3の態様のいずれかの圧延銅箔が提供される。
According to a fourth aspect of the invention,
There is provided a rolled copper foil according to any one of the first to third aspects, which is for a flexible printed wiring board and has a thickness of 7 μm or more and 50 μm or less.
本発明の第5の態様によれば、
200℃に昇温して30分加熱する再結晶工程後の引張強度が180N/mm2以上となる、第1〜第4の態様のいずれかの圧延銅箔が提供される。
According to a fifth aspect of the present invention,
There is provided the rolled copper foil according to any one of the first to fourth aspects, wherein the tensile strength after the recrystallization step of heating to 200 ° C. and heating for 30 minutes is 180 N / mm 2 or more.
本発明によれば、エッチングの際に、表面の凹部の形成が抑制される圧延銅箔が得られる。 According to the present invention, a rolled copper foil is obtained in which formation of concave portions on the surface is suppressed during etching.
上述したように、圧延銅箔の表面に形成される結晶面の結晶方位によってエッチング速度が変化するため、圧延銅箔の表面には凹部が生じる。この点、本発明者は、結晶方位とエッチング速度との関係について鋭意検討を行った。その結果、複数の結晶面のうち(200)面が、他の結晶面と比較してエッチング速度が遅く、(200)面を持つ結晶粒に隣接する結晶粒が相対的に凹部となることが分かった。しかも、圧延銅箔の表面に大きな結晶面が含まれると、凹部が形成されやすいことが分かった。そこで、本発明者は、再結晶した圧延銅箔の表面における(200)面の面積比率、及び結晶面の大きさに着目し、さらに検討を行った。そして、(200)面の面積比率及び結晶面の大きさを所定の範囲とすることによって圧延銅箔におけるdishdownを抑制できることを見出した。さらに、再結晶前の圧延銅箔において、再結晶の際に(200)面に変化する(220)面、及び(200)面の面積比率をそれぞれ所定の範囲とすることによって、再結晶した際にdishdownの生じにくい圧延銅箔を得られることを見出した。本発明は、以上の知見に基づきなされたものである。 As described above, since the etching rate varies depending on the crystal orientation of the crystal plane formed on the surface of the rolled copper foil, a recess is formed on the surface of the rolled copper foil. In this regard, the present inventor has intensively studied the relationship between crystal orientation and etching rate. As a result, the (200) plane of the plurality of crystal planes has a slower etching rate than the other crystal planes, and the crystal grains adjacent to the crystal grains having the (200) plane may be relatively concave. I understood. Moreover, it has been found that when a large crystal plane is included on the surface of the rolled copper foil, recesses are easily formed. Therefore, the present inventor has further studied by paying attention to the area ratio of the (200) plane on the surface of the recrystallized rolled copper foil and the size of the crystal plane. And it discovered that dishdown in rolled copper foil can be suppressed by making the area ratio of a (200) plane and the magnitude | size of a crystal plane into a predetermined range. Further, in the rolled copper foil before recrystallization, when the recrystallization is performed by setting the area ratio of the (220) plane that changes to the (200) plane during recrystallization and the (200) plane to a predetermined range, respectively. It was found that a rolled copper foil that hardly causes dishdown can be obtained. The present invention has been made based on the above findings.
[本発明の第1の実施形態]
以下に、本発明の第1の実施形態に係る圧延銅箔について説明する。まず、本実施形態に係る圧延銅箔の構成について説明する。
[First embodiment of the present invention]
Below, the rolled copper foil which concerns on the 1st Embodiment of this invention is demonstrated. First, the structure of the rolled copper foil which concerns on this embodiment is demonstrated.
(圧延銅箔の概要)
本実施形態に係る圧延銅箔は、例えば主表面としての圧延面を備える板状の銅箔である。この圧延銅箔は、後述する製造方法に示すように、原材料の鋳塊に対して熱間圧延工程を施し、冷間圧延工程及び焼鈍工程を繰り返した後に、最終冷間圧延工程を施すことで所定の厚さとした圧延銅箔である。
(Outline of rolled copper foil)
The rolled copper foil which concerns on this embodiment is a plate-shaped copper foil provided with the rolling surface as a main surface, for example. As shown in the manufacturing method described later, this rolled copper foil is subjected to a hot rolling process on the ingot of the raw material, and after the cold rolling process and the annealing process are repeated, the final cold rolling process is performed. It is a rolled copper foil having a predetermined thickness.
圧延銅箔の原材料である銅材としては、特に限定されず、例えば無酸素銅(OFC:Oxygen-Free Copper)やタフピッチ銅等の純銅を用いることができる。銅材としては、タフピッチ銅等の純銅以外に、例えばSn、Ag、Zr、Fe、Co、Niなどの元素を純銅に微量添加した合金を用いることも可能である。 The copper material that is a raw material of the rolled copper foil is not particularly limited, and pure copper such as oxygen-free copper (OFC) or tough pitch copper can be used. As the copper material, in addition to pure copper such as tough pitch copper, it is also possible to use an alloy obtained by adding a small amount of elements such as Sn, Ag, Zr, Fe, Co, and Ni to pure copper.
本実施形態の圧延銅箔は、所定の最終加工度となるように最終冷間圧延工程が施されており、その厚さが7μm以上50μm以下となっている。この圧延銅箔は、例えば可撓性が要求されるFPCなどの配線材に用いられる。圧延銅箔は、加熱工程において、結晶組織が再結晶することで優れた屈曲特性、折り曲げ特性を発現する。 The rolled copper foil of the present embodiment is subjected to a final cold rolling process so as to have a predetermined final processing degree, and the thickness is 7 μm or more and 50 μm or less. This rolled copper foil is used, for example, for wiring materials such as FPC that require flexibility. The rolled copper foil exhibits excellent bending characteristics and bending characteristics due to recrystallization of the crystal structure in the heating step.
最終加工度は、圧延銅箔の屈曲特性、折り曲げ特性を発現させる重要な因子であり、最終冷間圧延工程後の圧延銅箔の厚さをTAとし、最終冷間圧延工程前の加工対象物(銅の板材)の厚さをTBとした場合に、以下の式(1)で求められる。
最終加工度(%)=[(TB−TA)/TB]×100 ・・・(1)
圧延銅箔をFPCに用いる場合は、最終加工度を80%以上99%未満とすることが好ましい。80%未満では、圧延銅箔に加えられる歪み量が少ないため、FPCの製造工程において銅箔を再結晶させることが困難となる。一方、99%以上では、冷間圧延工程中の加工熱により再結晶が発生して圧延銅箔における歪みが開放されてしまうため、圧延銅箔に対して所定の歪み量を加えることが困難となる。
Finishing degree of bending property of the rolled copper foil, an important factor for expressing the bending characteristics, the final cold thickness of rolled copper foil after rolling and T A, the final cold rolling step prior to the processing target the thickness of the object (sheet of copper) in case of the T B, is determined by the following equation (1).
Final processing degree (%) = [(T B −T A ) / T B ] × 100 (1)
When using rolled copper foil for FPC, it is preferable that the final degree of processing is 80% or more and less than 99%. If it is less than 80%, since the amount of strain applied to the rolled copper foil is small, it is difficult to recrystallize the copper foil in the FPC manufacturing process. On the other hand, if it is 99% or more, recrystallization occurs due to the processing heat during the cold rolling process, and the strain in the rolled copper foil is released. Therefore, it is difficult to apply a predetermined amount of strain to the rolled copper foil. Become.
(圧延銅箔の圧延組織)
圧延銅箔には所定の結晶組織が形成されており、その結晶組織は複数の結晶粒から構成される。最終冷間圧延工程後の圧延銅箔は、銅材が所定の圧延張力により引っ張られるとともに所定の圧延荷重により圧延されて製造されるため、結晶粒が圧延方向に長く引き伸ばされて変形している。結晶粒の変形により、最終冷間圧延工程後の圧延銅箔の結晶組織は繊維状の圧延組織となっている。
(Rolled structure of rolled copper foil)
A predetermined crystal structure is formed on the rolled copper foil, and the crystal structure is composed of a plurality of crystal grains. The rolled copper foil after the final cold rolling process is produced by being pulled by a predetermined rolling tension and rolled by a predetermined rolling load, so that the crystal grains are elongated and deformed in the rolling direction. . Due to the deformation of the crystal grains, the crystal structure of the rolled copper foil after the final cold rolling process is a fibrous rolled structure.
圧延組織を構成する結晶粒は、所定の結晶方位に配向している。所定の結晶方位に配向する結晶粒は、圧延銅箔の主表面(圧延面)において、所定の結晶面として表れる。圧延組織は複数の結晶粒から構成されるため、圧延銅箔の圧延面には複数の結晶面が表れ、それぞれの結晶面は結晶方位が異なっている。すなわち、圧延銅箔の圧延面は結晶方位の異なる複数の結晶面により構成される。 The crystal grains constituting the rolled structure are oriented in a predetermined crystal orientation. Crystal grains oriented in a predetermined crystal orientation appear as predetermined crystal planes on the main surface (rolled surface) of the rolled copper foil. Since the rolled structure is composed of a plurality of crystal grains, a plurality of crystal planes appear on the rolled surface of the rolled copper foil, and each crystal plane has a different crystal orientation. That is, the rolled surface of the rolled copper foil is composed of a plurality of crystal planes having different crystal orientations.
複数の結晶面としては、例えば(200)面、(220)面、(111)面、(113)面、(123)面などがある。これらの結晶面のそれぞれは、圧延銅箔の主表面において、所定の割合(面積比率)で表れており、(200)面や(220)面等はそれぞれ所定の面積比率を有する。ここで、面積比率とは、主表面に表れる特定の結晶面の割合を示しており、主表面における特定の結晶面の面積の割合を示す。特定の結晶面の面積比率は、以下の式(2)で求められる。
Examples of the plurality of crystal planes include (200) plane, (220) plane, (111) plane, (113) plane, and (123) plane. Each of these crystal planes appears at a predetermined ratio (area ratio) on the main surface of the rolled copper foil, and each of the (200) plane and (220) plane has a predetermined area ratio. Here, the area ratio indicates a ratio of a specific crystal plane appearing on the main surface, and indicates a ratio of the area of the specific crystal plane on the main surface. The area ratio of the specific crystal plane is obtained by the following formula (2).
(200)面に配向する結晶粒は、圧延面の法線ベクトルと(200)面の法線ベクトルとのなす角が15度以内の法線ベクトルを有する結晶粒である。複数の結晶面の中でも(200)面は、エッチング速度が遅く、主表面のエッチングの不均一さの原因となる。(200)面に配向する結晶粒は、再結晶により結晶方位は変化しない。
また、(220)面に配向する結晶粒は、圧延面の法線ベクトルと(220)面の法線ベクトルとのなす角が15度以内の法線ベクトルを有する結晶粒である。(220)面に配向する結晶粒は、再結晶により(200)面に配向する結晶粒となる傾向がある。再結晶により(200)面へと配向が変化する結晶粒は、(200)面に配向する結晶粒と再結晶して、粗大な結晶粒を形成しやすい。
The crystal grains oriented in the (200) plane are crystal grains having a normal vector whose angle formed by the normal vector of the rolled surface and the normal vector of the (200) plane is within 15 degrees. Among the plurality of crystal planes, the (200) plane has a low etching rate and causes non-uniform etching of the main surface. The crystal orientation of the crystal grains oriented in the (200) plane does not change by recrystallization.
The crystal grains oriented in the (220) plane are crystal grains having a normal vector whose angle formed by the normal vector of the rolled surface and the normal vector of the (220) plane is within 15 degrees. Crystal grains oriented in the (220) plane tend to become crystal grains oriented in the (200) plane by recrystallization. The crystal grains whose orientation changes to the (200) plane by recrystallization are easily recrystallized from the crystal grains oriented to the (200) plane to easily form coarse crystal grains.
(圧延銅箔の再結晶組織)
最終冷間圧延工程後の圧延銅箔の圧延組織は、加熱されて圧延による歪みが開放されるとともに結晶粒が再結晶することで、再結晶組織となる。圧延銅箔の再結晶組織においては、再結晶により結晶粒が成長し、圧延組織と比較して大きな結晶粒が形成される。また、再結晶の際に、結晶粒の結晶方位が変化して、圧延銅箔の主表面に表れる結晶面も変化する。結晶面の変化にともない、主表面における結晶面の面積比率も変化することになる。具体的には、複数の結晶面のうち(220)面は、再結晶によって(200)面へと変化する。また、(200)面は、再結晶により結晶方位は変化せず、加熱後においても残存することになる。このため、再結晶組織においては、圧延組織と比較して(220)面の面積比率が減少する一方、(200)面の面積比率が増加することとなる。
このように、圧延銅箔の圧延組織は加熱により再結晶して、結晶粒の結晶方位が変化するとともに結晶粒が大きく成長することで再結晶組織に変化する。この結晶組織の変化によって、圧延銅箔には屈曲特性や折り曲げ特性が発現する。
(Recrystallized structure of rolled copper foil)
The rolled structure of the rolled copper foil after the final cold rolling step is heated to release the strain caused by rolling, and the crystal grains are recrystallized to form a recrystallized structure. In the recrystallized structure of the rolled copper foil, crystal grains grow by recrystallization, and larger crystal grains are formed as compared with the rolled structure. Further, during recrystallization, the crystal orientation of the crystal grains changes, and the crystal plane appearing on the main surface of the rolled copper foil also changes. As the crystal face changes, the area ratio of the crystal face on the main surface also changes. Specifically, among the plurality of crystal planes, the (220) plane changes to the (200) plane by recrystallization. Further, the (200) plane does not change the crystal orientation due to recrystallization and remains after heating. For this reason, in the recrystallized structure, the area ratio of the (220) plane decreases as compared with the rolled structure, while the area ratio of the (200) plane increases.
In this way, the rolled structure of the rolled copper foil is recrystallized by heating, and the crystal orientation of the crystal grains changes and the crystal grains grow to a large size, thereby changing to a recrystallized structure. Due to this change in crystal structure, the rolled copper foil exhibits bending characteristics and bending characteristics.
(圧延銅箔の構成)
本実施形態の圧延銅箔は、加熱されて再結晶した再結晶組織がdishdownの発生が抑制されるような構成を有しており、dishdownの発生要因である(200)面の面積比率及び結晶面の大きさが所定の範囲となっている。
すなわち、本実施形態の圧延銅箔は、再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200℃に昇温して30分加熱する再結晶工程後には、主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、主表面における(200)面の面積比率をR(200)としたとき、R(200)が20%未満であるとともに、主表面を構成する複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である。
(Configuration of rolled copper foil)
The rolled copper foil of the present embodiment has a configuration in which the recrystallized structure that is recrystallized by heating is suppressed from generating dishdown, and the (200) plane area ratio and crystal that are the cause of dishdown The size of the surface is in a predetermined range.
That is, the rolled copper foil of the present embodiment is a rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal planes to be used through a recrystallization step, and all the particles of the rolled copper foil are regenerated. After the recrystallization step of heating to 200 ° C. and heating for 30 minutes so as to crystallize, the area ratio of the (200) plane on the main surface obtained from the EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method for the main surface is R (200 ) And R (200) is less than 20%, and the maximum dimension of a plurality of crystal faces constituting the main surface is 100 μm or less.
面積比率は、上述した式(2)により算出される。(200)面や(220)面等の特定の結晶面の面積は、FE−SEM(電界放射型走査電子顕微鏡)を用いたEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法(高分解能結晶方位解析法)により測定される。 The area ratio is calculated by the above formula (2). The area of a specific crystal plane such as the (200) plane or (220) plane is determined by the EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method (high resolution crystal orientation analysis method) using an FE-SEM (Field Emission Scanning Electron Microscope). Measured.
EBSP法は、試料表面(圧延銅箔の圧延面)に電子線を入射させ、このときに発生する反射電子から得られた菊池パターンを解析することにより、電子線入射位置の結晶方位を決定するものである。電子線を試料表面に2次元で走査させ、所定のピッチごとに結晶方位を測定することによって、試料表面における結晶方位の分布を測定し、その測定結果を結晶方位マップとして得ることができる。EBSP法によれば、X線回折法などと比較して測定領域が広く、複数の結晶粒(結晶面)の結晶方位を測定することができる。 In the EBSP method, an electron beam is incident on the sample surface (rolled surface of the rolled copper foil), and the crystal orientation at the electron beam incident position is determined by analyzing the Kikuchi pattern obtained from the reflected electrons generated at this time. Is. By scanning an electron beam on the sample surface in two dimensions and measuring the crystal orientation at every predetermined pitch, the distribution of crystal orientation on the sample surface can be measured, and the measurement result can be obtained as a crystal orientation map. According to the EBSP method, the measurement region is wider than that of the X-ray diffraction method and the like, and the crystal orientation of a plurality of crystal grains (crystal planes) can be measured.
EBSP法により得られた結晶方位マップから、特定の結晶面の面積の合計を算出して、上述の式(2)により特定の結晶面の面積比率を算出することができる。
また、得られた結晶方位マップから、結晶面の寸法を測定することができる。結晶面の寸法は、結晶粒が圧延銅箔の主表面に表れる結晶面の大きさを示しており、結晶粒の大きさの指標となる。具体的には、結晶方位マップを基にして、1つの結晶面の圧延方向及び幅方向の寸法を測定し、平均値を結晶面の寸法とする。そして、主表面を構成する複数の結晶面のそれぞれの寸法を測定し、結晶面の最大寸法を算出する。
From the crystal orientation map obtained by the EBSP method, the total area of specific crystal planes can be calculated, and the area ratio of specific crystal planes can be calculated by the above equation (2).
Moreover, the dimension of a crystal plane can be measured from the obtained crystal orientation map. The size of the crystal plane indicates the size of the crystal plane where the crystal grains appear on the main surface of the rolled copper foil, and is an index of the size of the crystal grains. Specifically, based on the crystal orientation map, the dimensions in the rolling direction and the width direction of one crystal face are measured, and the average value is taken as the dimension of the crystal face. Then, the respective dimensions of the plurality of crystal planes constituting the main surface are measured, and the maximum dimension of the crystal plane is calculated.
本実施形態の圧延銅箔は、加熱による再結晶工程後の再結晶組織において、EBSP法により得られる(200)面の面積比率が20%未満となる。この構成によれば、エッチング速度が遅く、dishdownの原因となる(200)面の面積比率が小さく、(200)面以外の結晶によって均一な凹凸が形成される。(200)面の面積比率が20%以上となる場合では、主表面に占める(200)面の面積が大きく、エッチングにより圧延銅箔の表面に生じる局所的な凹部の抑制が困難となる。 In the rolled copper foil of this embodiment, the area ratio of the (200) plane obtained by the EBSP method is less than 20% in the recrystallized structure after the recrystallization process by heating. According to this configuration, the etching rate is slow, the area ratio of the (200) plane that causes dishdown is small, and uniform irregularities are formed by crystals other than the (200) plane. When the area ratio of the (200) plane is 20% or more, the area of the (200) plane occupying the main surface is large, and it becomes difficult to suppress local recesses generated on the surface of the rolled copper foil by etching.
さらに、主表面を構成する複数の結晶面の最大寸法が100μm以下となる。つまり複数の結晶面のうち最大となる結晶面の寸法が100μm以下となる。再結晶組織において、結晶面の最大寸法が100μmを超える場合では、結晶粒が粗大であるため、エッチングの際に、(200)面における凹部ほどではないが局所的な凹凸が生じる場合がある。この凹凸は、(200)面における凹部と同様にフォトレジストとの密着性を低下させることになる。 Further, the maximum dimension of the plurality of crystal planes constituting the main surface is 100 μm or less. That is, the dimension of the largest crystal plane among the plurality of crystal planes is 100 μm or less. In the recrystallized structure, when the maximum size of the crystal plane exceeds 100 μm, the crystal grains are coarse, and thus local unevenness may occur during etching, although not as much as the recess in the (200) plane. This unevenness reduces the adhesion to the photoresist as well as the recess on the (200) plane.
ここで、上述した(200)面の面積比率と結晶面の最大寸法との相関関係について説明する。再結晶組織において、(200)面の面積比率が増加することは、(220)面などが(200)面へと変化して再結晶が促進されることを示す。再結晶により結晶粒は粒成長して、大きな結晶粒となる。つまり、(200)面の面積比率の増加にともない、結晶粒の大きさは増加する傾向にある。この相関関係を図1に示す。図1は、(200)面の面積比率と結晶面の最大寸法との相関関係を説明するための図である。図1において、横軸は(200)面の面積比率を示し、縦軸は結晶面の最大寸法を示す。図1によれば、圧延銅箔の再結晶組織における(200)面の面積比率が増加するにつれて、結晶面の最大寸法が大きくなることが示される。そして、(200)面の面積比率が20%以上となるような場合では、結晶面の最大寸法が100μmを超える傾向にあることが示されている。 Here, the correlation between the area ratio of the (200) plane and the maximum dimension of the crystal plane will be described. In the recrystallized structure, an increase in the area ratio of the (200) plane indicates that the (220) plane or the like changes to the (200) plane and recrystallization is promoted. The crystal grains grow by recrystallization and become large crystal grains. That is, as the area ratio of the (200) plane increases, the size of the crystal grains tends to increase. This correlation is shown in FIG. FIG. 1 is a diagram for explaining the correlation between the area ratio of the (200) plane and the maximum dimension of the crystal plane. In FIG. 1, the horizontal axis indicates the area ratio of the (200) plane, and the vertical axis indicates the maximum dimension of the crystal plane. FIG. 1 shows that the maximum dimension of the crystal plane increases as the area ratio of the (200) plane in the recrystallized structure of the rolled copper foil increases. And when the area ratio of the (200) plane is 20% or more, it is shown that the maximum dimension of the crystal plane tends to exceed 100 μm.
このように、圧延銅箔の再結晶工程後の再結晶組織において、(200)面の面積比率を所定の数値以下に抑制できるとともに、結晶面の寸法を所定の数値以下に抑制できることで、エッチングによる表面の凹部の形成が抑制される圧延銅箔を得ることができる。 Thus, in the recrystallized structure after the recrystallization process of the rolled copper foil, the area ratio of the (200) plane can be suppressed to a predetermined value or less, and the size of the crystal plane can be suppressed to a predetermined value or less. It is possible to obtain a rolled copper foil in which the formation of concave portions on the surface due to the above is suppressed.
また、圧延銅箔の再結晶工程後の再結晶組織において、(200)面の面積比率を所定の数値以下に抑制できるため、180N/mm2以上の引張強度を得ることができる。 Moreover, in the recrystallized structure after the recrystallization process of the rolled copper foil, since the area ratio of the (200) plane can be suppressed to a predetermined numerical value or less, a tensile strength of 180 N / mm 2 or more can be obtained.
[本発明の第2の実施形態]
上述の第1の実施形態では、加熱されて再結晶した再結晶組織が所定の構成となる圧延銅箔について説明をしたが、第2の実施形態では、再結晶する前の圧延組織が所定の構成となる圧延銅箔について説明をする。以下に、第1の実施形態と相違する点について説明する。
[Second Embodiment of the Present Invention]
In the first embodiment described above, the rolled copper foil in which the recrystallized structure that has been heated and recrystallized has a predetermined configuration has been described. However, in the second embodiment, the rolled structure before recrystallization has a predetermined structure. The rolled copper foil which becomes a structure is demonstrated. Hereinafter, differences from the first embodiment will be described.
上述したように、再結晶前の圧延銅箔に存在する(220)面は再結晶により(200)面に配向する。また、再結晶前の圧延銅箔に存在する(200)面は再結晶後も(200)面として残存する。すなわち、圧延銅箔は、再結晶工程により(220)面が(200)面へ配向して(200)面の面積比率が増加することになる。(200)面の面積比率が大きくなると、dishdownの抑制が困難となる。 As described above, the (220) plane existing in the rolled copper foil before recrystallization is oriented to the (200) plane by recrystallization. Further, the (200) plane existing in the rolled copper foil before recrystallization remains as the (200) plane after recrystallization. That is, in the rolled copper foil, the (220) plane is oriented to the (200) plane by the recrystallization step, and the area ratio of the (200) plane increases. As the area ratio of the (200) plane increases, it becomes difficult to suppress dishdown.
この点、本実施形態の圧延銅箔は、加熱されて再結晶する前の圧延組織が、再結晶により(200)面の面積比率を増加させる(220)面、及び(200)面の面積比率を所定の範囲としている。
すなわち、本実施形態の圧延銅箔は、再結晶工程を経て用いられることとなる、複数の結晶面から構成される主表面を有する圧延銅箔であって、主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、主表面に対する(220)面の面積比率をR(220)とし、主表面に対する(200)面の面積比率をR(200)としたとき、R(220)が20%以上50%以下であり、関係式R(220)/R(200)≧10を満たす。
In this respect, in the rolled copper foil of this embodiment, the rolled structure before being heated and recrystallized increases the area ratio of the (200) plane by recrystallization, and the area ratio of the (200) plane. Is a predetermined range.
That is, the rolled copper foil of the present embodiment is a rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal planes to be used through a recrystallization process, and is an EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) for the main surface. ) When the area ratio of the (220) plane to the main surface obtained from the method is R (220) and the area ratio of the (200) plane to the main surface is R (200) , R (220) is 20% or more. It is 50% or less, and satisfies the relational expression R (220) / R (200) ≧ 10.
本実施形態においては、加熱にともなう再結晶により(200)面に配向する(220)面の面積比率を20%以上50%以下としている。この構成によれば、圧延銅箔を再結晶した際に生じる(200)面の面積比率の増加を抑制し、圧延銅箔をエッチングした際のdishdownの発生を抑制することができる。(220)面の面積比率が20%未満となる場合、加熱した際に再結晶自体が進行しにくいため、圧延銅箔の結晶組織は圧延組織と再結晶組織との混粒となる。圧延組織と再結晶組織とではエッチング速度が異なるため、結果としてdishdownが生じやすくなる。また、圧延組織が残留すると、圧延銅箔の屈曲特性を十分に得ることが困難となる。一方、50%を超える場合は、再結晶によって粒成長が促進されるため、100μm以上の粗大な結晶粒が生じ、エッチングした際には圧延銅箔の表面に凹凸が生じる。 In the present embodiment, the area ratio of the (220) plane oriented to the (200) plane by recrystallization accompanying heating is set to 20% or more and 50% or less. According to this configuration, it is possible to suppress an increase in the area ratio of the (200) plane that occurs when the rolled copper foil is recrystallized, and to suppress the occurrence of dishdown when the rolled copper foil is etched. When the area ratio of the (220) plane is less than 20%, the recrystallization itself hardly progresses when heated, so that the crystal structure of the rolled copper foil is a mixed grain of the rolled structure and the recrystallized structure. Since the etching rate is different between the rolled structure and the recrystallized structure, dishdown tends to occur as a result. Further, if the rolled structure remains, it becomes difficult to obtain sufficient bending characteristics of the rolled copper foil. On the other hand, when it exceeds 50%, grain growth is promoted by recrystallization, so that coarse crystal grains of 100 μm or more are generated, and when etched, irregularities are generated on the surface of the rolled copper foil.
また、本実施形態においては、(220)面の面積比率R(220)及び(200)面の面積比率R(200)が関係式R(220)/R(200)≧10を満たしている。すなわち、圧延工程により形成され、再結晶前の圧延銅箔に含まれる(200)面の面積比率が、(220)面の面積比率の10分の1以下となる。この構成によれば、(200)面に配向する結晶粒の結晶成長を抑制して、粗大な結晶粒の形成を抑制することができる。 In the present embodiment, it satisfies the (220) plane of the area ratio R (220) and (200) plane of the area ratio R (200) is a relational expression R (220) / R (200 ) ≧ 10. That is, the area ratio of the (200) plane formed by the rolling process and included in the rolled copper foil before recrystallization is 1/10 or less of the area ratio of the (220) plane. According to this configuration, it is possible to suppress the crystal growth of crystal grains oriented in the (200) plane and to suppress the formation of coarse crystal grains.
このように、再結晶前の圧延銅箔の圧延組織において、(220)面及び(200)面の面積比率を所定の数値範囲とすることによって、再結晶後の再結晶組織において(200)面の面積比率の増加を抑制することができる。つまり、エッチングによる表面の凹凸の形成が抑制される圧延銅箔を得ることができる。 In this way, in the rolled structure of the rolled copper foil before recrystallization, by setting the area ratio of the (220) plane and the (200) plane within a predetermined numerical range, the (200) plane in the recrystallized structure after recrystallization. An increase in the area ratio can be suppressed. That is, it is possible to obtain a rolled copper foil in which the formation of surface irregularities by etching is suppressed.
また、本実施形態の圧延銅箔は、加熱して再結晶した際に(200)面の面積比率が20%未満、かつ複数の結晶面の最大寸法が100μm以下となることが好ましい。この構成によれば、再結晶後の再結晶組織において、エッチングにより凹部となる(200)面の面積比率をさらに抑制するとともに、再結晶による粗大な結晶粒の形成をさらに抑制することができる。 Moreover, when the rolled copper foil of this embodiment is heated and recrystallized, it is preferable that the (200) plane area ratio is less than 20%, and the maximum dimension of the plurality of crystal planes is 100 μm or less. According to this configuration, in the recrystallized structure after recrystallization, it is possible to further suppress the area ratio of the (200) plane that becomes a recess by etching and further suppress the formation of coarse crystal grains due to recrystallization.
[圧延銅箔の製造方法]
次に、上述した第1,第2の実施形態の圧延銅箔の製造方法について、図2を用いて説明する。図2は、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔の製造工程を示すフロー図である。
[Method for producing rolled copper foil]
Next, the manufacturing method of the rolled copper foil of the 1st, 2nd embodiment mentioned above is demonstrated using FIG. FIG. 2 is a flowchart showing a process for producing a rolled copper foil according to an embodiment of the present invention.
(鋳塊の準備工程S10)
図2に示すように、まず、無酸素銅(OFC:Oxygen-Free Copper)やタフピッチ銅等の純銅を原材料として鋳造を行って鋳塊(インゴット)を準備する。鋳塊は、例えば所定厚さ、所定幅を備える板状に形成する。原材料となる無酸素銅やタフピッチ銅等の純銅は、圧延銅箔の諸特性を調整するため、所定の添加材が添加された希薄銅合金となっていてもよい。添加材としては、例えばSn、Ag、Zr、Fe、Co、Niなどの元素を用いることができる。
(Ingot preparation step S10)
As shown in FIG. 2, first, casting is performed using pure copper such as oxygen-free copper (OFC) or tough pitch copper as a raw material to prepare an ingot. The ingot is formed in a plate shape having a predetermined thickness and a predetermined width, for example. Pure copper such as oxygen-free copper or tough pitch copper as a raw material may be a dilute copper alloy to which a predetermined additive is added in order to adjust various properties of the rolled copper foil. As the additive, for example, elements such as Sn, Ag, Zr, Fe, Co, and Ni can be used.
なお、鋳塊の組成は、後述の最終冷間圧延工程S40を経た後の圧延銅箔においても略そのまま維持され、鋳塊中に添加材を加えた場合には、鋳塊と圧延銅箔とは略同じ添加材濃度となる。 Note that the composition of the ingot is maintained substantially as it is in the rolled copper foil after the final cold rolling step S40 described later, and when an additive is added to the ingot, the ingot and the rolled copper foil Have substantially the same additive concentration.
(熱間圧延工程S20)
次に、準備した鋳塊に熱間圧延を行い、鋳造後の所定の厚さよりも薄い板厚のケーク(板材)を製造する。
(Hot rolling process S20)
Next, hot rolling is performed on the prepared ingot to produce a cake (plate material) having a thickness smaller than a predetermined thickness after casting.
(繰り返し工程S30)
続いて、所定の厚さの板材に対して、冷間圧延工程S31と焼鈍工程S32とを所定回数繰り返し実施する繰り返し工程S30を行う。具体的には、冷間圧延を施して加工硬化させた板材に、焼鈍処理を施して板材を焼き鈍すことにより加工硬化を緩和する。これを所定回数繰り返すことで、所定の厚さの銅条(以下、生地ともいう)を製造する。銅材に耐熱性を調整する添加材等を加える場合は、銅材の耐熱性に応じて焼鈍処理の温度条件を適宜変更する。
(Repetition step S30)
Subsequently, a repetitive step S30 in which the cold rolling step S31 and the annealing step S32 are repeatedly performed a predetermined number of times on the plate material having a predetermined thickness is performed. Specifically, work hardening is eased by subjecting a plate material that has been cold-rolled and work hardened to an annealing treatment to anneal the plate material. By repeating this a predetermined number of times, a copper strip (hereinafter also referred to as a dough) having a predetermined thickness is manufactured. When adding the additive etc. which adjust heat resistance to a copper material, the temperature conditions of an annealing process are changed suitably according to the heat resistance of a copper material.
なお、繰り返し工程S30中、繰り返し途中の焼鈍工程S32を「中間焼鈍工程」と呼ぶ。また、繰り返しの最後、つまり、後述する最終冷間圧延工程S40の直前に行われる焼鈍工程S32を「最終焼鈍工程」又は「生地焼鈍工程」と呼ぶ。 In addition, in the repetition process S30, the annealing process S32 in the middle of the repetition is referred to as an “intermediate annealing process”. Further, the annealing step S32 performed at the end of the repetition, that is, immediately before the final cold rolling step S40 described later is referred to as a “final annealing step” or a “dough annealing step”.
繰り返し工程S30の最後に行われる生地焼鈍工程では、上述した生地に生地焼鈍処理を施し、焼鈍生地を得る。生地焼鈍工程においても、銅材の耐熱性に応じて温度条件を適宜変更する。このとき、生地焼鈍工程は、上述した各工程に起因する加工歪みを充分に緩和することのできる温度条件、例えば完全焼鈍処理と略同等の温度条件で実施することが好ましい。 In the dough annealing step performed at the end of the repeating step S30, the dough annealing process is performed on the dough described above to obtain an annealed dough. Also in the dough annealing step, the temperature condition is appropriately changed according to the heat resistance of the copper material. At this time, it is preferable that the dough annealing process is performed under a temperature condition that can sufficiently relieve the processing distortion caused by each process described above, for example, a temperature condition substantially equivalent to a complete annealing treatment.
(最終冷間圧延工程S40)
次に、最終冷間圧延工程S40を実施する。最終冷間圧延工程S40においては、繰り返し工程S30で得られた焼鈍生地に対して、冷間圧延を複数回に亘って行う。この時、加熱した際に高い屈曲特性が発現する圧延銅箔を得られるように、最終加工度を80%以上99%未満として冷間圧延を行う。すなわち、最終加工度が上記数値範囲となるように、1回(1パス)あたりの加工度を調整し、複数回の冷間圧延を行う。1パスあたりの加工度は、最終加工度にならって定義され、nパス目の冷間圧延前の加工対象物の厚さをTBnとし、圧延後の加工対象物の厚さをTAnとすると、1パスあたりの加工度(%)=[(TBn−TAn)/TBn]×100で表わされる。
(Final cold rolling process S40)
Next, the final cold rolling step S40 is performed. In the final cold rolling step S40, cold rolling is performed a plurality of times on the annealed dough obtained in the repeating step S30. At this time, cold rolling is performed at a final degree of processing of 80% or more and less than 99% so that a rolled copper foil that exhibits high bending characteristics when heated is obtained. That is, the degree of work per one time (one pass) is adjusted so that the final degree of work falls within the above numerical range, and cold rolling is performed a plurality of times. The degree of processing per pass is defined according to the final degree of processing. The thickness of the workpiece before the n-th cold rolling is T Bn, and the thickness of the workpiece after rolling is T An . Then, the degree of processing per pass (%) = [(T Bn −T An ) / T Bn ] × 100.
最終冷間圧延工程などの圧延加工においては、焼鈍生地等の銅材は、例えば互いに対向する1対のロール間の間隙に引き込まれ、反対側に引き出されることで減厚される。ロールに引き込まれる前の入り口側では、銅材が所定の速度で巻き出されるため、銅材には所定の張力(巻き出し側張力)がかかり、材料が圧延される方向とは逆方向の引張張力がかかる。一方、ロールから引き出された後の出口側では、銅材が所定の速度で巻き取られるため、銅材には所定の張力(巻き取り側張力)がかかり、材料が圧延される方向に引張張力がかかる。圧延加工においては、上記巻き出し側張力及び巻き取り側張力を適宜調整して、銅材にかかる圧延張力を調整する。また、銅材が引き込まれるロールの圧延荷重を適宜調整する。 In a rolling process such as a final cold rolling process, a copper material such as an annealed dough is drawn into a gap between a pair of rolls facing each other and is drawn out to the opposite side to reduce the thickness. Since the copper material is unwound at a predetermined speed on the entrance side before being drawn into the roll, a predetermined tension (unwinding side tension) is applied to the copper material, and the tension in the direction opposite to the direction in which the material is rolled. Tension is applied. On the other hand, on the exit side after being pulled out from the roll, the copper material is wound up at a predetermined speed. Therefore, a predetermined tension (winding side tension) is applied to the copper material, and the tensile tension in the direction in which the material is rolled. It takes. In the rolling process, the unwinding side tension and the winding side tension are appropriately adjusted to adjust the rolling tension applied to the copper material. In addition, the rolling load of the roll into which the copper material is drawn is adjusted as appropriate.
最終冷間圧延加工においては、圧延条件としての圧延張力及び圧延荷重を適宜調整することによって、製造される圧延銅箔の結晶組織の歪みを調整する。歪みを調整することで、圧延面に形成される結晶面を変化させるとともに、その面積比率を適宜変更する。 In the final cold rolling process, the distortion of the crystal structure of the produced rolled copper foil is adjusted by appropriately adjusting the rolling tension and rolling load as rolling conditions. By adjusting the strain, the crystal plane formed on the rolled surface is changed, and the area ratio is appropriately changed.
ここで、圧延条件による圧延組織の相違について説明する。 Here, the difference of the rolling structure | tissue by rolling conditions is demonstrated.
圧延条件として、例えば銅材の巻き出し側張力と巻取り側張力とを同程度にして圧延張力を調整する場合や圧延荷重を高くする場合においては、圧延銅箔の圧延組織は、α-fiberと呼ばれる結晶組織となる傾向がある。α-fiberは純銅を圧延した場合に良く表れる圧延組織であり、その圧延面においては{112}<111>が主に表れる。α-fiberは加熱工程により再結晶するが、α-fiberの再結晶組織は、圧延組織の結晶配向の影響を比較的強く受けている。このため、α-fiberの再結晶組織は、比較的ランダムな結晶配向を持つ結晶粒が粒成長することによって、結晶粒が細かく、粗大な結晶粒を含まない結晶組織となる。 As the rolling conditions, for example, when adjusting the rolling tension by increasing the unwinding side tension and the winding side tension of the copper material or increasing the rolling load, the rolled microstructure of the rolled copper foil is α-fiber. There is a tendency to become a crystal structure called. α-fiber is a rolled structure that appears well when pure copper is rolled, and {112} <111> mainly appears on the rolled surface. Although α-fiber is recrystallized by a heating process, the recrystallized structure of α-fiber is relatively strongly affected by the crystal orientation of the rolled structure. For this reason, the recrystallized structure of α-fiber becomes a crystal structure in which the crystal grains are fine and do not include coarse crystal grains when crystal grains having a relatively random crystal orientation grow.
一方、圧延条件として、例えば銅材の巻き出し側張力に対して巻取り側張力を大きくする場合や圧延荷重を低くする場合においては、圧延銅箔の結晶組織は、β-fiberと呼ばれる圧延組織となる傾向がある。β-fiberは、Brass方位{110}<112>の他に、Cu方位{112}<111>、S方位{123}<634>の各方位が連続的に変化する圧延組織である。β-fiberは、上述のα-fiberと比較して、(200)面に配向する結晶粒を核として、(200)面に配向する粗大な結晶粒が形成されやすい。 On the other hand, as the rolling conditions, for example, when the winding side tension is increased with respect to the unwinding side tension of the copper material or when the rolling load is reduced, the crystal structure of the rolled copper foil is a rolling structure called β-fiber. Tend to be. β-fiber is a rolled structure in which each of the Cu orientation {112} <111> and the S orientation {123} <634> changes continuously in addition to the Brass orientation {110} <112>. Compared with the above-mentioned α-fiber, β-fiber tends to form coarse crystal grains oriented in the (200) plane with the crystal grains oriented in the (200) plane as nuclei.
したがって、本実施形態では、最終冷間圧延工程において、圧延条件を適宜調整して、α-fiberが多く存在する圧延組織を形成する。すなわち、(220)面の面積比率が20%以上50%以下であるとともに、(220)面の面積比率R(220)と(200)面の面積比率R(200)とが関係式R(220)/R(200)≧10を満足する圧延銅箔を製造する。 Therefore, in the present embodiment, in the final cold rolling step, the rolling condition is appropriately adjusted to form a rolled structure in which a large amount of α-fiber is present. That is, the area ratio of the (220) plane is 20% or more and 50% or less, and the area ratio R (220) of the (220 ) plane and the area ratio R (200) of the (200) plane are related to the relational expression R (220 ) / R (200) A rolled copper foil that satisfies ≧ 10 is manufactured.
(表面処理工程S50)
最後に、得られた圧延銅箔に対して、所定の表面処理を行う。FCPに用いられる圧延銅箔においては、一方の面が基材との接着面となり、もう一方の面がフォトレジストの塗布される面となる。基材との接着面には、基材との接着力を確保するために粗化処理を施し、粗化面とする。粗化面は、さらに基材との接着性における耐熱、耐薬品などの接着特性やエッチング特性などを安定化させるために、様々な表面処理を施す。フォトレジストの塗布される面は、光沢面とする。光沢面には耐加熱変色性、半田ぬれ性、レジスト密着性、ソフトエッチングの際の溶解性、表面の均一性などが要求されるため、所定の処理を施す。以上により、本実施形態に係る圧延銅箔を製造する。
(Surface treatment step S50)
Finally, a predetermined surface treatment is performed on the obtained rolled copper foil. In the rolled copper foil used for FCP, one surface serves as an adhesive surface with the base material, and the other surface serves as a surface to which a photoresist is applied. The surface to be bonded to the base material is subjected to a roughening process to secure an adhesive force to the base material, thereby forming a roughened surface. The roughened surface is further subjected to various surface treatments in order to stabilize the adhesive properties such as heat resistance and chemical resistance and the etching properties in terms of adhesion to the substrate. The surface to which the photoresist is applied is a glossy surface. Since the glossy surface is required to have heat discoloration resistance, solder wettability, resist adhesion, solubility during soft etching, surface uniformity, etc., a predetermined treatment is performed. The rolled copper foil which concerns on this embodiment is manufactured by the above.
[フレキシブルプリント配線基板の製造方法]
次に、本発明の一実施形態に係る圧延銅箔を用いたフレキシブルプリント配線板(FPC)の製造方法について説明する。
[Method for manufacturing flexible printed circuit board]
Next, the manufacturing method of the flexible printed wiring board (FPC) using the rolled copper foil which concerns on one Embodiment of this invention is demonstrated.
用いる圧延銅箔は、(220)面の面積比率が20%以上50%以下であり、(220)面及び(200)面の面積比率が上述の関係式を満たす。 In the rolled copper foil to be used, the area ratio of the (220) plane is 20% to 50%, and the area ratio of the (220) plane and the (200) plane satisfies the above relational expression.
(貼り合わせ工程)
まず、本実施形態に係る圧延銅箔を所定のサイズに裁断し、例えばポリイミド等の樹脂からなるFPCの基材と貼り合わせて、銅貼り積層板を形成する。銅箔の貼り合わせの際、接着剤を介して銅箔を貼り合わせても良く、接着剤を介さずに直接貼り合わせても良い。接着剤を用いる場合には、加熱処理により接着剤を硬化させて圧延銅箔と基材とを密着させ一体化する。接着剤を用いない場合には、加熱・加圧処理により圧延銅箔と基材とを直接密着させる。加熱処理における加熱条件は、接着剤や基材の硬化温度等に合わせて適宜選択することができ、例えば200℃に昇温して30分保持する。
(Lamination process)
First, the rolled copper foil according to the present embodiment is cut into a predetermined size and bonded to an FPC base material made of a resin such as polyimide to form a copper-clad laminate. When bonding the copper foil, the copper foil may be bonded via an adhesive, or may be directly bonded without using an adhesive. When an adhesive is used, the adhesive is cured by heat treatment, and the rolled copper foil and the base material are brought into close contact with each other to be integrated. When an adhesive is not used, the rolled copper foil and the substrate are brought into direct contact with each other by heating / pressurizing treatment. The heating conditions in the heat treatment can be appropriately selected according to the curing temperature of the adhesive or the base material, and for example, the temperature is raised to 200 ° C. and held for 30 minutes.
貼り合わせ工程の際の加熱処理により、圧延銅箔の圧延組織は再結晶して再結晶組織となる。すなわち、圧延銅箔の貼り合わせ工程が、圧延銅箔の再結晶工程を兼ねている。再結晶組織を有する圧延銅箔は優れた屈曲特性及び折り曲げ特性を備える圧延銅箔となる。 By the heat treatment in the bonding process, the rolled structure of the rolled copper foil is recrystallized to become a recrystallized structure. That is, the bonding process of the rolled copper foil also serves as the recrystallization process of the rolled copper foil. A rolled copper foil having a recrystallized structure becomes a rolled copper foil having excellent bending characteristics and bending characteristics.
再結晶工程においては、圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように加熱する。圧延銅箔は、再結晶工程によって(200)面の面積比率が20%未満、かつ複数の結晶面の最大寸法が100μm以下となる。 In the recrystallization step, heating is performed so that all particles of the rolled copper foil are recrystallized. The rolled copper foil has a (200) plane area ratio of less than 20% and a maximum dimension of a plurality of crystal planes of 100 μm or less by the recrystallization process.
なお、貼り合わせ工程が再結晶工程を兼ねることで、圧延銅箔をFPCの基材に貼り合わせるまでは、冷間圧延工程後の加工硬化した状態で圧延銅箔を取り扱うことができ、圧延銅箔を基材に貼り合わせる際の、伸び、しわ、折れ等の変形を起こり難くすることができる。 It should be noted that, since the bonding process also serves as a recrystallization process, the rolled copper foil can be handled in the work-hardened state after the cold rolling process until the rolled copper foil is bonded to the FPC substrate. It is possible to prevent deformation such as elongation, wrinkling, and folding when the foil is bonded to the base material.
(ソフトエッチング工程)
次に、再結晶された圧延銅箔の表面に対して、ソフトエッチングを行い、圧延銅箔の表面に形成された酸化膜を除去する。ソフトエッチングの際、圧延銅箔の再結晶組織は、(200)面の面積比率が20%未満、かつ複数の結晶面の最大寸法が100μm以下となっている。すなわち、圧延銅箔の再結晶組織は、エッチング速度の大きな(200)面の面積比率が低く、細かい結晶粒が形成されている。このため、圧延銅箔においては、エッチング速度の相違による表面の凹凸が形成されにくい。
(Soft etching process)
Next, soft etching is performed on the surface of the recrystallized rolled copper foil, and the oxide film formed on the surface of the rolled copper foil is removed. At the time of soft etching, the recrystallized structure of the rolled copper foil has an area ratio of (200) plane of less than 20% and a maximum dimension of a plurality of crystal planes of 100 μm or less. That is, in the recrystallized structure of the rolled copper foil, the area ratio of the (200) plane having a high etching rate is low, and fine crystal grains are formed. For this reason, in the rolled copper foil, surface unevenness due to the difference in etching rate is difficult to be formed.
(表面加工工程)
次に、銅貼り積層板の圧延銅箔に対して表面加工を施す。表面加工では、圧延銅箔に例えばエッチング等の手法を用いて銅配線等を形成する配線形成工程と、銅配線と他の電子部材との接続信頼性を向上させるためメッキ処理等の表面処理を施す表面処理工程と、銅配線等を保護するため銅配線上の一部を覆うようにソルダレジスト等の保護膜を形成する保護膜形成工程とを行う。
(Surface machining process)
Next, surface processing is performed on the rolled copper foil of the copper-clad laminate. In the surface processing, a wiring forming process for forming copper wiring or the like on the rolled copper foil by using a technique such as etching, and surface treatment such as plating to improve the connection reliability between the copper wiring and other electronic members. A surface treatment process to be performed and a protective film forming process for forming a protective film such as a solder resist so as to cover a part of the copper wiring to protect the copper wiring and the like are performed.
配線形成工程においては、例えばフォトレジストを圧延銅箔上に形成するが、圧延銅箔の表面はソフトエッチングによる凹部が少ないため、圧延銅箔とフォトレジストとの密着性が高い。この結果、エッチングにより配線を形成する際に、エッチング液の染み込みを抑制し、精度よく配線を形成することができる。 In the wiring formation step, for example, a photoresist is formed on the rolled copper foil. However, since the surface of the rolled copper foil has few concave portions due to soft etching, the adhesion between the rolled copper foil and the photoresist is high. As a result, when the wiring is formed by etching, the penetration of the etching solution can be suppressed and the wiring can be formed with high accuracy.
以上により、本実施形態に係る圧延銅箔を用いたFPCを製造する。 By the above, FPC using the rolled copper foil which concerns on this embodiment is manufactured.
[本発明の他の実施形態]
以上、本発明の実施形態について具体的に説明したが、本発明は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
[Other Embodiments of the Present Invention]
As mentioned above, although embodiment of this invention was described concretely, this invention is not limited to the above-mentioned embodiment, It can change variously in the range which does not deviate from the summary.
例えば、上述した実施形態においては、圧延銅箔の銅材として、純銅を用いた場合について説明したが、耐熱性等の諸特性の調整に応じて添加材を適宜含有させてもよい。 For example, in the above-described embodiment, the case where pure copper is used as the copper material of the rolled copper foil has been described. However, an additive may be appropriately contained according to adjustment of various characteristics such as heat resistance.
また、上述した実施形態においては、FPCの製造に際して、銅箔を貼り合わせる工程が圧延銅箔の加熱工程(再結晶工程)を兼ねることとしたが、再結晶工程は、貼り合わせ工程とは別工程として行ってもよい。 In the above-described embodiment, the process of laminating the copper foil also serves as the heating process (recrystallization process) of the rolled copper foil in manufacturing the FPC, but the recrystallization process is separate from the laminating process. It may be performed as a process.
また、上述した実施形態においては、圧延銅箔はFPC用途に用いられることとしたが、圧延銅箔の用途はこれに限定されず、優れた屈曲特性及び折り曲げ特性を必要とする用途に用いることができる。圧延銅箔は、例えば、リチウムイオン二次電池の負極材としても用いることができる。 Moreover, in embodiment mentioned above, although rolled copper foil was used for FPC use, the use of rolled copper foil is not limited to this, It uses for the use which requires the outstanding bending characteristic and bending characteristic. Can do. The rolled copper foil can be used, for example, as a negative electrode material for a lithium ion secondary battery.
また、上述した実施形態においては、ソフトエッチング工程を設けた場合について説明したが、圧延銅箔を配線に形成する前に、圧延銅箔の厚さを薄くするハーフエッチング工程を設けてもよい。 Moreover, although the case where the soft etching process was provided was demonstrated in embodiment mentioned above, before forming a rolled copper foil in wiring, you may provide the half etching process which makes thickness of a rolled copper foil thin.
次に、本発明に係る圧延銅箔の実施例について説明する。 Next, examples of the rolled copper foil according to the present invention will be described.
(実施例1・2、比較例1〜4)
本実施例では、圧延条件を適宜変更して圧延銅箔を製造し、その圧延銅箔を加熱して再結晶させた後、dishdownの発生の有無を確認した。そして、再結晶前の圧延銅箔の特性又は再結晶後の圧延銅箔の特性によるdishdownの発生を評価した。具体的には、以下に示すように行った。
(Examples 1 and 2, Comparative Examples 1 to 4)
In this example, rolled copper foil was produced by appropriately changing rolling conditions, and the rolled copper foil was heated and recrystallized, and then the presence or absence of dishdown was confirmed. And generation | occurrence | production of dishdown by the characteristic of the rolled copper foil before recrystallization or the characteristic of the rolled copper foil after recrystallization was evaluated. Specifically, it was performed as shown below.
〈圧延銅箔の製造〉
まず、鋳塊に熱間圧延を行った後に、冷間圧延加工及び焼鈍を繰り返して、厚み50μmのタフピッチ銅からなる銅材(焼鈍生地)を準備した。その後、焼鈍生地に最終冷間圧延加工を施し、圧延油を除去することで、実施例1・2、及び比較例1〜4の圧延銅箔(厚さ10μm)を製造した。最終冷間圧延加工における圧延条件としては、以下の表1に示すように、巻出張力及び巻取張力をそれぞれ100N/mm2、圧延荷重を50tとした。また、各パスの加工度を40%〜10%としてパス数を0、5〜7に適宜変更した。比較例4ではパス数を0としたが、これは最終冷間圧延加工を行わず、焼鈍生地のままの状態としたことを示す。なお、圧延に用いるロール(ワークロール)としては径120mmのロールを用いた。
<Manufacture of rolled copper foil>
First, after hot rolling was performed on the ingot, cold rolling and annealing were repeated to prepare a copper material (annealed fabric) made of tough pitch copper having a thickness of 50 μm. Thereafter, the annealed dough was subjected to a final cold rolling process, and the rolled oil was removed to produce the rolled copper foils (
〈再結晶前の特性の評価〉
次に、上記で製造された圧延銅箔について、再結晶前の特性を評価した。圧延銅箔の再結晶前の特性として、圧延銅箔の主表面における(220)面の面積比率R(220)及び(200)面の面積比率R(200)を測定し、その比率R(220)/R(200)を算出した。測定する際には、フラットミリング装置により、圧延銅箔の表面(圧延面)に形成された酸化膜を除去し、その表面を、SEM−EBSP(Scanning Electoron Microscope-Electron BackScattering Pattern)により分析した。EBSPによる分析には、走査型電子顕微鏡SU−70(日立ハイテクノロジーズ製)およびOIM(TSL製)を用いた。分析条件としては、倍率200倍、傾斜70度、分析領域100μm×100μm、測定ピッチ0.3μmとして、それぞれの圧延銅箔の主表面における結晶方位マップを得た。得られた結晶方位マップを基に、各結晶面の結晶方位を計算するとともに、R(220)及びR(200)を測定し、その比率R(220)/R(200)を算出した。その結果を、以下の表2に示す。
<Evaluation of properties before recrystallization>
Next, the characteristics before recrystallization were evaluated about the rolled copper foil manufactured above. As characteristic before recrystallization rolled copper foil, the area ratio of (220) plane in the main surface of the rolled copper foil R (220) and (200) plane of the area ratio R (200) is measured, the ratio R (220 ) / R (200) was calculated. In measurement, the oxide film formed on the surface (rolled surface) of the rolled copper foil was removed by a flat milling apparatus, and the surface was analyzed by SEM-EBSP (Scanning Electoron Microscope-Electron BackScattering Pattern). For analysis by EBSP, a scanning electron microscope SU-70 (manufactured by Hitachi High-Technologies) and OIM (manufactured by TSL) were used. As analysis conditions, a magnification of 200 times, an inclination of 70 degrees, an analysis region of 100 μm × 100 μm, and a measurement pitch of 0.3 μm, crystal orientation maps on the main surface of each rolled copper foil were obtained. Based on the obtained crystal orientation map, the crystal orientation of each crystal face was calculated, R (220) and R (200) were measured, and the ratio R (220) / R (200) was calculated. The results are shown in Table 2 below.
表2に示すように、実施例1・2の圧延銅箔は、再結晶前では(220)面の面積比率R(220)が20%〜50%の範囲であり、R(220)/R(200)が10以上であることが確認された。
一方、比較例1〜4の圧延銅箔は、再結晶前では(220)面の面積比率R(220)が20%〜50%の範囲外であるか、R(220)/R(200)が10未満であることが確認された。
As shown in Table 2, in the rolled copper foils of Examples 1 and 2, the area ratio R (220) of the (220) plane is in the range of 20% to 50% before recrystallization, and R (220) / R (200) was confirmed to be 10 or more.
On the other hand, in the rolled copper foils of Comparative Examples 1 to 4, the area ratio R (220) of the (220) plane is outside the range of 20% to 50% before recrystallization, or R (220) / R (200). Was confirmed to be less than 10.
〈再結晶後の特性の評価〉
次に、上記で製造された圧延銅箔を大気中で200℃まで昇温した後、30分保持して再結晶させた。これは、上述した貼り合わせ工程などで実施される再結晶工程(加熱処理工程)の熱負荷を模擬するものである。再結晶された圧延銅箔について、再結晶後の特性について評価をした。圧延銅箔の再結晶後の特性として、(200)面の面積比率R(200)、結晶面の最大寸法、dishdownの発生、及び再結晶していない粒子の有無を評価した。それぞれの評価方法について、以下に説明する。
<Evaluation of properties after recrystallization>
Next, after heating up the rolled copper foil manufactured above to 200 degreeC in air | atmosphere, it hold | maintained for 30 minutes and recrystallized. This simulates the thermal load of the recrystallization process (heat treatment process) performed in the bonding process described above. About the recrystallized rolled copper foil, the characteristic after recrystallization was evaluated. As characteristics after recrystallization of the rolled copper foil, the area ratio R (200) of the (200) plane, the maximum dimension of the crystal plane, the occurrence of dishdown, and the presence or absence of non-recrystallized particles were evaluated. Each evaluation method will be described below.
(1)(200)面の面積比率R(200)
再結晶前の特性の評価と同様にして、EBSP法により、再結晶された圧延銅箔の(200)面の面積比率R(200)を測定した。分析条件としては、倍率200倍、傾斜70度、分析領域400μm×400μm、測定ピッチ3μmとした。
(1) Area ratio R of (200) plane (200)
Similarly to the evaluation of the properties before recrystallization, the area ratio R (200) of the (200) plane of the recrystallized rolled copper foil was measured by the EBSP method. As analysis conditions, the magnification was 200 times, the inclination was 70 degrees, the analysis area was 400 μm × 400 μm, and the measurement pitch was 3 μm.
(2)結晶面の最大寸法
結晶面の最大寸法は、EBSP法により得られた結晶方位マップを基に、結晶面の圧延方向及び幅方向の寸法を測定し、いずれか大きい数値を1つの結晶面の寸法とした。そして、複数の結晶面の寸法をそれぞれ測定し、複数の結晶面のうち最大となる結晶面の寸法を結晶面の最大寸法として求めた。
(2) Maximum dimension of crystal plane The maximum dimension of a crystal plane is based on the crystal orientation map obtained by the EBSP method, and the dimensions of the crystal plane in the rolling direction and the width direction are measured. The surface dimensions were taken. Then, the dimensions of the plurality of crystal planes were respectively measured, and the maximum crystal plane dimension among the plurality of crystal planes was obtained as the maximum dimension of the crystal plane.
(3)dishdownの有無
dishdownの有無は、再結晶後の圧延銅箔の表面をソフトエッチングして、dishdownの発生の有無を確認した。具体的には、過水硫酸系エッチング液を用いて、再結晶した圧延銅箔の表面を1μmエッチングして、水洗、乾燥させた後の圧延銅箔の表面を金属顕微鏡により観察した。
(3) Dishdown
The presence or absence of dishdown was confirmed by soft-etching the surface of the rolled copper foil after recrystallization to confirm the occurrence of dishdown. Specifically, the surface of the recrystallized rolled copper foil was etched by 1 μm using a perhydrosulfuric acid-based etching solution, and the surface of the rolled copper foil after being washed with water and dried was observed with a metal microscope.
(4)再結晶していない粒子の有無
再結晶していない粒子の有無は、EBSP法により得られた結晶方位マップの情報を基に、結晶粒の結晶粒径が3μm以下の領域、すなわち測定ピッチ3μmでは信頼度高く分析できていない領域を選別し、その領域について再度測定ピッチ0.3μmでEBSP分析を行うことにより確認した。この時の結晶粒が圧延方向に延びていること、結晶配向が上述の圧延集合組織からなることを、判定基準とした。
(4) Presence / absence of non-recrystallized particles The presence / absence of non-recrystallized particles is measured based on the crystal orientation map information obtained by the EBSP method, that is, a region where the crystal grain size is 3 μm or less. A region that could not be analyzed with high reliability at a pitch of 3 μm was selected, and this region was confirmed by performing EBSP analysis at a measurement pitch of 0.3 μm again. The determination criteria were that the crystal grains at this time extend in the rolling direction and that the crystal orientation consists of the rolling texture described above.
これらの評価結果を表2に示す。表2によれば、再結晶前の特性として(200)面の面積比率が20%以上50%以下、かつR(220)/R(200)が10以上であった実施例1・2の圧延銅箔は、再結晶後において(200)面の面積比率が小さく、粗大な結晶粒(最大寸法が100μm以上の結晶粒)が形成されていないことが確認された。また、dishdownの発生は確認されなかった。また、再結晶していない粒子は確認されず、全ての粒子が再結晶した状態であることが確認された。 These evaluation results are shown in Table 2. According to Table 2, rolling characteristics of Examples 1 and 2 in which the area ratio of the (200) plane was 20% to 50% and R (220) / R (200) was 10 or more as the characteristics before recrystallization. The copper foil had a small (200) plane area ratio after recrystallization, and it was confirmed that coarse crystal grains (crystal grains having a maximum dimension of 100 μm or more) were not formed. Moreover, the occurrence of dishdown was not confirmed. Moreover, the particle | grains which were not recrystallized were not confirmed, but it was confirmed that all the particles are the recrystallized state.
これに対して、再結晶前の特性として(220)面の面積比率が50%を超えた比較例1及び比較例2では、再結晶後の粒成長が著しく、結果として(200)面の面積比率が高く、粗大な結晶粒の形成が確認された。また、比較例1及び比較例2では、dishdownの発生が確認された。なお、比較例1及び2では、再結晶していない粒子は確認されず、全ての粒子が再結晶した状態であることが確認された。
比較例3では、圧延加工の際の加工熱により再結晶が発生したため、再結晶前の特性としてR(220)/R(200)が10未満であった。この結果、再結晶後では(200)面の面積比率が高く、粗大な結晶粒が形成されたため、dishdownの発生が確認された。なお、比較例3では、全ての粒子が再結晶した状態であることが確認された。
比較例4では、再結晶後の(200)面の面積比率及びR(220)/R(200)は問題なかったが、dishdownの発生が確認された。また、再結晶していない粒子が確認され、再結晶が十分に促進されていないことが確認された。再結晶していない粒子が確認されたことからわかるように、再結晶前の特性として(220)面の面積比率が低く、再結晶が促進されないため、圧延組織と再結晶組織との混粒となったものと考えられる。この結果、圧延組織と再結晶組織とのエッチング速度の相違によってdishdownが発生したものと考えられる。
In contrast, in Comparative Example 1 and Comparative Example 2 in which the area ratio of the (220) plane exceeded 50% as a characteristic before recrystallization, grain growth after recrystallization was remarkable, resulting in an area of (200) plane. The ratio was high and formation of coarse crystal grains was confirmed. In Comparative Examples 1 and 2, the occurrence of dishdown was confirmed. In Comparative Examples 1 and 2, particles that were not recrystallized were not confirmed, and it was confirmed that all particles were recrystallized.
In Comparative Example 3, since recrystallization occurred due to processing heat during rolling, R (220) / R (200) was less than 10 as the characteristics before recrystallization. As a result, after the recrystallization, the area ratio of the (200) plane was high and coarse crystal grains were formed, so that the occurrence of dishdown was confirmed. In Comparative Example 3, it was confirmed that all particles were recrystallized.
In Comparative Example 4, there was no problem with the area ratio of the (200) plane after recrystallization and R (220) / R (200) , but the occurrence of dishdown was confirmed. Moreover, the particle | grains which were not recrystallized were confirmed and it confirmed that recrystallization was not fully accelerated | stimulated. As can be seen from the confirmed non-recrystallized particles, the area ratio of the (220) plane is low as the characteristics before recrystallization, and recrystallization is not promoted. It is thought that it became. As a result, it is considered that dishdown occurred due to the difference in etching rate between the rolled structure and the recrystallized structure.
(実施例3〜6、比較例5〜7)
実施例3〜6、比較例5〜7では、圧延条件として、圧延速度400m/分、巻出張力及び巻取張力を適宜変更し、冷間圧延を7パスに固定した以外は、実施例1と同様に圧延銅箔を製造した。それぞれの圧延条件を以下の表3に示す。
(Examples 3-6, Comparative Examples 5-7)
In Examples 3 to 6 and Comparative Examples 5 to 7, Example 1 except that the rolling speed was 400 m / min, the unwinding tension and the winding tension were appropriately changed and the cold rolling was fixed to 7 passes. A rolled copper foil was produced in the same manner as described above. Each rolling condition is shown in Table 3 below.
製造された圧延銅箔について、実施例1と同様に再結晶前の特性を評価した。また、製造された圧延銅箔を実施例1と同様に再結晶させて、その再結晶後の特性を評価した。その評価結果を以下の表4に示す。 About the manufactured rolled copper foil, the characteristic before recrystallization was evaluated similarly to Example 1. FIG. Moreover, the manufactured rolled copper foil was recrystallized similarly to Example 1, and the characteristic after the recrystallization was evaluated. The evaluation results are shown in Table 4 below.
表4によれば、実施例3〜6の圧延銅箔は再結晶前の特性がよく、また再結晶後の特性もよかったため、dishdownの発生が確認されなかった。
比較例5・6では、圧延銅箔の再結晶前の特性がよかったにもかかわらず、dishdownの発生が確認された。これは、巻取張力の影響により圧延銅箔における圧延組織が変化しており、再結晶の際に粒成長が激しくなり、結果的に圧延銅箔の再結晶後の特性が悪化したものと考えられる。
比較例7では、再結晶前の特性として(200)面の面積比率R(200)が50%以下であったにもかかわらず、圧延加工中に再結晶が起こり、R(220)/R(200)が10未満となった。この結果、再結晶後の特性が悪化し、dishdownの発生が確認された。
According to Table 4, since the rolled copper foils of Examples 3 to 6 had good characteristics before recrystallization and good characteristics after recrystallization, the occurrence of dishdown was not confirmed.
In Comparative Examples 5 and 6, the occurrence of dishdown was confirmed even though the properties of the rolled copper foil before recrystallization were good. This is because the rolling structure in the rolled copper foil has changed due to the influence of the winding tension, and the grain growth has increased during the recrystallization, and as a result, the characteristics after recrystallization of the rolled copper foil have deteriorated. It is done.
In Comparative Example 7, although the area ratio R (200) of the (200) plane was 50% or less as a characteristic before recrystallization, recrystallization occurred during rolling and R (220) / R ( 200) was less than 10. As a result, the characteristics after recrystallization deteriorated and the occurrence of dishdown was confirmed.
(実施例7・8、比較例8〜11、参考例1・2)
実施例7・8、比較例8〜11、参考例1・2では、圧延条件として、圧延速度を400m/分、圧延荷重を適宜変更し、冷間圧延を7パスに固定した以外は、実施例1と同様に圧延銅箔を製造した。それぞれの圧延条件を以下の表5に示す。
(Examples 7 and 8, Comparative Examples 8 to 11, Reference Examples 1 and 2)
In Examples 7 and 8, Comparative Examples 8 to 11 and Reference Examples 1 and 2, the rolling conditions were 400 m / min, the rolling load was changed as appropriate, and cold rolling was fixed to 7 passes. A rolled copper foil was produced in the same manner as in Example 1. Each rolling condition is shown in Table 5 below.
製造された圧延銅箔について、実施例1と同様に再結晶前の特性を評価した。また、製造された圧延銅箔を実施例1と同様に再結晶させて、その再結晶後の特性を評価した。その評価結果を以下の表6に示す。 About the manufactured rolled copper foil, the characteristic before recrystallization was evaluated similarly to Example 1. FIG. Moreover, the manufactured rolled copper foil was recrystallized similarly to Example 1, and the characteristic after the recrystallization was evaluated. The evaluation results are shown in Table 6 below.
表6によれば、実施例7・8の圧延銅箔では再結晶前の特性がよく、また再結晶後の特性もよかったため、dishdownの発生が確認されなかった。
比較例8〜10では、圧延銅箔の再結晶前の特性がよかったにもかかわらず、dishdownの発生が確認された。これは、圧延荷重により圧延銅箔における圧延組織が変化しており、再結晶の際に粒成長が激しくなり、結果的に圧延銅箔の再結晶後の特性が悪化したものと考えられる。
比較例11では、再結晶前の特性として(220)面の面積比率R(200)が50%以下であったにもかかわらず、圧延加工中に再結晶が起こり、R(220)/R(200)が10未満となった。この結果、再結晶後の特性が悪化し、dishdownの発生が確認された。
なお、参考例1・2によれば、再結晶後の特性として(200)面の面積比率R(200)が20%以上であってもdishdownが発生しないことが確認された。
According to Table 6, since the rolled copper foils of Examples 7 and 8 had good characteristics before recrystallization and good characteristics after recrystallization, the occurrence of dishdown was not confirmed.
In Comparative Examples 8 to 10, the occurrence of dishdown was confirmed although the properties before recrystallization of the rolled copper foil were good. This is because the rolling structure in the rolled copper foil is changed by the rolling load, and the grain growth becomes severe during recrystallization, and as a result, the characteristics after recrystallization of the rolled copper foil are considered to be deteriorated.
In Comparative Example 11, although the area ratio R (200) of the (220) plane was 50% or less as a characteristic before recrystallization, recrystallization occurred during rolling and R (220) / R ( 200) was less than 10. As a result, the characteristics after recrystallization deteriorated and the occurrence of dishdown was confirmed.
According to Reference Examples 1 and 2, it was confirmed that dishdown did not occur even when the area ratio R (200) of the (200) plane was 20% or more as the characteristics after recrystallization.
以上のことから、圧延銅箔においてdishdownの発生が確認されない場合もあるが、再結晶前の特性又は再結晶後の特性として所定の構成を有することにより、dishdownの発生が抑制されることが確認された。 From the above, the occurrence of dishdown may not be confirmed in the rolled copper foil, but it is confirmed that the occurrence of dishdown is suppressed by having a predetermined configuration as the characteristic before recrystallization or the characteristic after recrystallization. It was done.
Claims (5)
前記圧延銅箔の全ての粒子が再結晶するように200℃に昇温して30分加熱する再結晶工程後には、
前記主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、前記主表面における(200)面の面積比率をR(200)としたとき、前記R(200)が20%未満であるとともに、
前記主表面を構成する前記複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である
ことを特徴とする圧延銅箔。 A rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal faces to be used through a recrystallization step,
After the recrystallization step of heating to 200 ° C. and heating for 30 minutes so that all the particles of the rolled copper foil are recrystallized,
When the area ratio of the (200) plane on the main surface obtained from the EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method on the main surface is R (200) , the R (200) is less than 20%,
The rolled copper foil, wherein a maximum dimension of the plurality of crystal planes constituting the main surface is 100 μm or less.
前記主表面に対するEBSP(Electron Backscatter Diffraction Pattern)法から得られる、前記主表面に対する(220)面の面積比率をR(220)とし、前記主表面に対する(200)面の面積比率をR(200)としたとき、
前記R(220)が20%以上50%以下であり、関係式R(220)/R(200)≧10を満たす
ことを特徴とする圧延銅箔。 A rolled copper foil having a main surface composed of a plurality of crystal faces to be used through a recrystallization step,
The area ratio of the (220) plane to the main surface, obtained from an EBSP (Electron Backscatter Diffraction Pattern) method for the main surface, is R (220), and the area ratio of the (200) plane to the main surface is R (200). When
Said R (220) is 20% or more and 50% or less, and satisfy | fills relational expression R (220) / R (200) > = 10.
前記R(200)が20%未満であるとともに、
前記主表面を構成する前記複数の結晶面の最大寸法が100μm以下である
ことを特徴とする請求項2に記載の圧延銅箔。 After the recrystallization step of heating to 200 ° C. and heating for 30 minutes so that all the particles of the rolled copper foil are recrystallized,
R (200) is less than 20%,
The rolled copper foil according to claim 2, wherein a maximum dimension of the plurality of crystal faces constituting the main surface is 100 μm or less.
ことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載の圧延銅箔。 It is an object for flexible printed wiring boards, and thickness is 7 micrometers or more and 50 micrometers or less, The rolled copper foil in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned.
ことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載の圧延銅箔。 The rolled copper foil according to any one of claims 1 to 4, wherein a tensile strength after a recrystallization step of heating to 200 ° C and heating for 30 minutes is 180 N / mm 2 or more.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226643A JP2014077182A (en) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Rolled copper foil |
CN201310059830.7A CN103725917A (en) | 2012-10-12 | 2013-02-26 | Rolled copper foil |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012226643A JP2014077182A (en) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Rolled copper foil |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014077182A true JP2014077182A (en) | 2014-05-01 |
Family
ID=50450207
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012226643A Pending JP2014077182A (en) | 2012-10-12 | 2012-10-12 | Rolled copper foil |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014077182A (en) |
CN (1) | CN103725917A (en) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170113104A (en) | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 제이엑스금속주식회사 | Copper foil for flexible printed wiring board, copper-clad laminate using the same, flexible printed wiring board and electronic device |
WO2018180920A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Jx金属株式会社 | Rolled copper foil |
JP2019143229A (en) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | Jx金属株式会社 | Copper foil for flexible printed circuit board, and copper clad laminate, flexible printed circuit board and electronic device using the same |
KR20200066263A (en) | 2017-10-12 | 2020-06-09 | 후쿠다 킨조쿠 하쿠훈 코교 가부시키가이샤 | Hard rolled copper foil and manufacturing method of hard rolled copper foil |
CN114318428A (en) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 九江德福科技股份有限公司 | Preparation method of flexible electrolytic copper foil |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6294257B2 (en) * | 2015-03-30 | 2018-03-14 | Jx金属株式会社 | Copper alloy foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board, and electronic device |
CN104801542A (en) * | 2015-05-06 | 2015-07-29 | 无锡丰元新材料科技有限公司 | High-precision rolled copper foil for high-energy environment-friendly battery |
JP6684395B1 (en) * | 2018-06-28 | 2020-04-22 | 古河電気工業株式会社 | Copper alloy plate material, method of manufacturing copper alloy plate material, and connector using copper alloy plate material |
CN112935012A (en) * | 2021-02-23 | 2021-06-11 | 山西太钢不锈钢精密带钢有限公司 | Method for coiling precision stainless steel foil with variable inner diameter |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001040470A (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-13 | Hitachi Cable Ltd | Copper target material for sputtering, and its manufacture |
JP2004256879A (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | Rolled copper foil having high elongation |
JP2006016667A (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dowa Mining Co Ltd | Copper-based alloy and manufacturing method therefor |
JP2007107037A (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nikko Kinzoku Kk | Copper or copper-alloy foil for circuit |
JP2008106313A (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi Cable Ltd | Rolled copper foil and manufacturing method therefor |
-
2012
- 2012-10-12 JP JP2012226643A patent/JP2014077182A/en active Pending
-
2013
- 2013-02-26 CN CN201310059830.7A patent/CN103725917A/en active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001040470A (en) * | 1999-07-30 | 2001-02-13 | Hitachi Cable Ltd | Copper target material for sputtering, and its manufacture |
JP2004256879A (en) * | 2003-02-27 | 2004-09-16 | Nikko Metal Manufacturing Co Ltd | Rolled copper foil having high elongation |
JP2006016667A (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-19 | Dowa Mining Co Ltd | Copper-based alloy and manufacturing method therefor |
JP2007107037A (en) * | 2005-10-12 | 2007-04-26 | Nikko Kinzoku Kk | Copper or copper-alloy foil for circuit |
JP2008106313A (en) * | 2006-10-26 | 2008-05-08 | Hitachi Cable Ltd | Rolled copper foil and manufacturing method therefor |
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170113104A (en) | 2016-03-28 | 2017-10-12 | 제이엑스금속주식회사 | Copper foil for flexible printed wiring board, copper-clad laminate using the same, flexible printed wiring board and electronic device |
WO2018180920A1 (en) * | 2017-03-30 | 2018-10-04 | Jx金属株式会社 | Rolled copper foil |
JPWO2018180920A1 (en) * | 2017-03-30 | 2019-12-12 | Jx金属株式会社 | Rolled copper foil |
KR20200066263A (en) | 2017-10-12 | 2020-06-09 | 후쿠다 킨조쿠 하쿠훈 코교 가부시키가이샤 | Hard rolled copper foil and manufacturing method of hard rolled copper foil |
US10882088B2 (en) | 2017-10-12 | 2021-01-05 | Fukuda Metal Foil & Powder Co., Ltd. | Hard rolled-copper foil and method of manufacturing the hard rolled-copper foil |
JP2019143229A (en) * | 2018-02-23 | 2019-08-29 | Jx金属株式会社 | Copper foil for flexible printed circuit board, and copper clad laminate, flexible printed circuit board and electronic device using the same |
CN114318428A (en) * | 2021-12-16 | 2022-04-12 | 九江德福科技股份有限公司 | Preparation method of flexible electrolytic copper foil |
CN114318428B (en) * | 2021-12-16 | 2024-01-26 | 九江德福科技股份有限公司 | Preparation method of flexible electrolytic copper foil |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103725917A (en) | 2014-04-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2014077182A (en) | Rolled copper foil | |
JP6154565B1 (en) | Cu-Ni-Si-based copper alloy sheet and manufacturing method | |
JP4716520B2 (en) | Rolled copper foil | |
JP5185066B2 (en) | Copper foil excellent in flexibility, manufacturing method thereof, and flexible copper-clad laminate | |
US20060045790A1 (en) | Copper alloy and method of manufacturing the same | |
JP4662834B2 (en) | Copper or copper alloy foil for circuit | |
KR20130115140A (en) | Rolled copper foil, copper clad laminate, flexible printed wiring board and method of manufacturing the same | |
KR101540508B1 (en) | Rolled copper foil | |
WO2013027437A1 (en) | Rolled copper foil | |
TWI588273B (en) | Copper alloy foil for flexible printed circuit board, copper-clad laminate using the same, flexible printed circuit board and electronic equipment | |
WO2021140915A1 (en) | Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL, METHOD FOR PRODUCING SAME, AND CURRENT-CARRYING COMPONENT | |
JP2012201926A (en) | Rolled copper foil and method for producing the same | |
JP2004256879A (en) | Rolled copper foil having high elongation | |
CN109392242A (en) | Flexible printed base plate copper foil, the copper clad layers stack for having used the copper foil, flexible printed base plate and electronic equipment | |
TWI730280B (en) | Copper foil for flexible printed circuit boards, copper-clad laminates using the same, flexible printed circuit boards and electronic devices | |
JP2013071139A (en) | Rolled copper foil | |
JP7156279B2 (en) | METHOD FOR MANUFACTURING METAL MASK THIN PLATE AND METHOD FOR METAL MASK SLIM | |
WO2012128098A1 (en) | Rolled copper foil, process for producing same, and copper-clad laminate | |
JP5753115B2 (en) | Rolled copper foil for printed wiring boards | |
KR102227339B1 (en) | Hard-rolled copper foil and manufacturing method of the hard-rolled copper foil | |
JP6887213B2 (en) | Manufacturing method of rolled copper foil, copper-clad laminate, flexible printed wiring board, electronic equipment and rolled copper foil | |
JP2021110038A (en) | Cu-Ni-Si-BASED COPPER ALLOY SHEET MATERIAL, PRODUCTION METHOD THEREFOR AND ELECTRIC CONDUCTION COMPONENT | |
JP2018154912A (en) | Copper alloy strip improved in dimensional accuracy after press working | |
TWI731247B (en) | Copper foil for flexible printed circuit boards, copper-clad laminates using the same, flexible printed circuit boards and electronic devices | |
JP2013136807A (en) | Rolled copper foil for use in forming superconductive film |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20141024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20150831 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20151006 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160329 |