JP2014074839A - 表示装置 - Google Patents

Abstract

【課題】高表示品位で高信頼性の表示装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、光源と、複数の導光体と、複数の配線と、複数の第１電極と、第２電極と、絶縁層と、駆動部と、を含む表示装置が提供される。光源は、光を出射する。導光体は、光を導き第１方向に延在する。配線は、第１方向に対して交差する方向に延在する。第１電極は、配線に接続されスリットが設けられ光透過性である。第２電極は、第１電極と導光体との間に設けられ光透過性である。絶縁層は、第１、第２電極の間に設けられる。駆動部は、配線及び第２電極に接続される。駆動部は、第１、第２電極の間の電圧を変化させて、第１、第２電極との間の距離が第１距離とされ導光体中を導かれる光を取り出す第１状態と、第１、第２電極の間の距離が第１距離よりも長い第２距離とされた非光取り出しの第２状態と、を生成する。
【選択図】図１

Description

本発明の実施形態は、表示装置に関する。

導光構造を用いた表示装置が提案されている。この表示装置は、複数の導光体と、導光体の側面に設けられた複数の光取り出し部と、を有する。光取り出し部を物理的にまたは化学的に変化させ、導光体の側面からの光取り出しを制御する。これにより、画像を表示する。このような表示装置において、表示品位の向上と共に信頼性の向上が望まれる。

特開２００５−２２１５９０号公報

本発明の実施形態は、高表示品位で高信頼性の表示装置を提供する。

本発明の実施形態によれば、光源と、複数の導光体と、複数の配線と、複数の第１電極と、第２電極と、絶縁層と、駆動部と、を含む表示装置が提供される。前記光源は、光を出射する。前記導光体は、前記光を導き第１方向に延在する。前記配線は、前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する。前記複数の第１電極のそれぞれは、前記複数の配線のそれぞれに接続される。前記第１電極は、スリットが設けられ光透過性である。前記第２電極は、前記第１電極と前記導光体との間に設けられ光透過性である。前記絶縁層は、前記第１電極と前記第２電極との間に設けられる。前記駆動部は、前記配線及び前記第２電極に接続される。前記駆動部は、前記第１電極と前記第２電極との間の電圧を変化させて、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が第１距離とされ前記導光体中を導かれる光を前記導光体から取り出す第１状態と、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離とされ前記導光体から取り出される光の強度が前記第１状態において前記導光体から取り出される光の強度よりも低い第２状態と、を生成する。

第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。 第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的断面図である。 図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的断面図である。 第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。 第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。 図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。 第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。 第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。 第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的断面図である。 図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式図である。 第２の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。

以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
なお、本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。
図１に表したように、本実施形態に係る表示装置１１０は、複数の光源１０と、複数の配線３３と、第１電極３１と、第２電極４２と、駆動部６０と、を含む。

複数の光源１０は、光を出射する。導光体２０は、複数の光源１０から出射された光を導光する。導光体２０は、第１方向に延在する。複数の導光体２０は互いに離間する。複数の導光体２０は、第１方向に交差する方向に並ぶ。

第１方向をＹ軸方向とする。Ｙ軸方向に対して垂直な方向をＸ軸方向とする。Ｙ軸方向とＸ軸方向とに対して垂直な方向をＺ軸方向とする。この例では、複数の導光体２０は、Ｘ軸方向に並ぶ。

配線３３は、第１方向に対して交差する第２方向（この例では、Ｘ軸方向）に延在する。複数の配線３３は、互いに離間する。複数の配線３３は、Ｙ軸方向に並ぶ。

第１電極３１は、配線３３に接続される。第１電極３１は複数設けられている。複数の第１電極３１のそれぞれは、複数の配線３３のそれぞれに接続されている。後述するように、第１電極３１において、スリットが設けられている。第１電極３１は、光透過性である。この例では、第１電極３１は、帯状であり、第１電極３１は、Ｘ軸方向に延在している。

後述するように、第２電極４２は、第１電極３１と導光体２０との間に設けられる。第２電極４２は、光透過性である。

駆動部６０は、配線３３及び第２電極４２に接続される。駆動部６０は、第１電極３１と第２電極４２との間の電圧を変化させる。

光源１０として、例えば半導体発光素子などが用いられる。光源１０として、赤色、緑色または青色の光を出射するＬＥＤなどを用いることができる。

図２は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的断面図である。
図２は、図１のＡ１−Ａ２線断面図である。
図２に表したように、第２電極４２は、第１電極３１と導光体２０との間に配置される。

第２基板部４０は、第１基板部３０と導光体２０との間に配置される。第１基板部３０は、例えば、第１基板３５と、配線３３と、第１電極３１と、を含む。この例では、第１基板部３０は、絶縁層（第１絶縁層３４）をさらに含む。図１では、第１絶縁層３４は、図示されていない。

第１基板３５は、第１電極３１を支持する。第１基板３５は、可撓性である。第１基板３５と導光体２０との間（第１基板３５と第２電極４２との間）に、第１電極３１が配置される。第１電極３１と導光体２０との間に第１絶縁層３４が配置される。この例では、第１電極３１と導光体２０との間に配線３３が配置されている。実施形態において、配線３３と導光体２０との間に第１電極３１の少なくとも一部が配置されても良い。第１絶縁層３４は、光透過性である。

例えば、第１基板３５は、第１主面３５ａと、第１主面３５ａとは反対側の第２主面３５ｂと、を有する。第１主面３５ａは、第２基板部４０に対向する。本願明細書において、「対向する」状態は、直接的に面する状態の他に、間に別の要素が挿入されて面する状態も含む。例えば、第１主面３５ａの上に第１電極３１が設けられる。第１電極３１の一部の上に配線３３が設けられる。第１電極３１の他の一部の上及び配線３３の上に、第１絶縁層３４が設けられる。

第２基板部４０は、第２基板４５と第２電極４２とを含む。導光体２０と第２電極４２との間に第２基板４５が配置される。第２基板４５は、導光体２０と接触する。第２基板４５は、第２電極４２を支持している。

例えば、第２基板４５は、第３主面４５ａと、第３主面４５ａとは反対側の第４主面４５ｂと、を有する。第３主面４５ａは、第１基板部３０に対向する。第４主面４５ｂは、導光体２０に対向する。導光体２０は、第４主面４５ｂと接触しており、第４主面４５ｂと接合されている。第１基板３５と第２基板４５とは互いに離間している。

第１基板３５及び第２基板４５には、例えば、透明な樹脂などが用いられる。第１基板３５及び第２基板４５には、例えば、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）などが用いられる。後述するように、第１基板部３０は、可撓性が高い。例えば、第１基板３５の厚さは、第２基板４５の厚さよりも薄い。

第１基板３５の厚さは、例えば、１０μｍ以上１００μｍ未満であり、例えば約５０μｍである。第２基板４５の厚さは、例えば、５０μｍ以上１０００μｍ以下であり、例えば、約１００μｍである。第１基板３５の第２主面３５ｂには、凹凸部を設けても良い。この凹凸部により、後述する光取り出しの、効率が向上する。

第１電極３１及び第２電極４２には、例えば、インジウム、錫、亜鉛及びチタンよりなる群から選択された少なくともいずれかの元素を含む酸化物が用いられる。第１電極３１及び第２電極４２には、例えば、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）などが用いられる。また、第１電極３１及び第２電極４２には、カーボンナノチューブやグラフェンなどの炭素系材料を透明樹脂に分散させた材料を用いてもよい。第１電極３１及び第２電極４２には、銀やニッケルなどの金属から形成されるナノワイヤを透明樹脂に分散させた材料を用いてもよい。

第１電極３１の厚さは、例えば、１０ｎｍ以上２００ｎｍ未満であり、例えば、約５０ｎｍである。第２電極４２の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、例えば、約１００ｎｍである。

配線３３のシート抵抗は、第１電極３１のシート抵抗よりも低い。配線３３は、第１電極３１の補助配線として機能する。配線３３は、例えばアルミニウム、銅及び銀の少なくともいずれかを含む。シート抵抗は、例えば、四探針法を用いて測定することができる。

配線３３の厚さは、例えば、５０ｎｍ以上１０００ｎｍ以下であり、例えば、約２００ｎｍである。

図３（ａ）及び図３（ｂ）は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的断面図である。
図３（ａ）及び図３（ｂ）は、図１のＢ１−Ｂ２線断面図であり、表示装置における２つの状態（第１状態ＳＴ０１及び第２状態ＳＴ０２）をそれぞれ例示している。

これらの図に表したように、導光体２０をＸ−Ｚ平面で切断した形状は、例えば長方形である。導光体２０として、例えば、アクリル系樹脂、または、ガラスなどが用いられる。

第１基板部３０と第２基板部４０との間にスペーサ５１が設けられる。スペーサ５１により、第１基板３５と第２基板４５とが、互いに離間される。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、スペーサ５１は、複数の導光体２０の間に配置される。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、スペーサ５１は、例えば、導光体２０と重ならない。

スペーサ５１には、例えば、樹脂が用いられる。スペーサ５１として、感光性の樹脂（例えばフォトレジスト）を用いることで、効率良く、スペーサ５１を形成できる。スペーサ５１は、例えば、第２基板部４０上に形成される。スペーサ５１は、第１基板部３０上に形成しても良い。

スペーサ５１の厚さは、例えば３μｍ以上３０μｍ以下であり、例えば約１０μｍである。スペーサ５１の幅（Ｘ軸方向に沿った長さ）は、例えば０．１ｍｍ以上５ｍｍ以下であり、例えば、０．５ｍｍである。

図３（ａ）に例示した第１状態ＳＴ０１は、第１電極３１と第２電極４２との間の電位差が相対的に大きい状態である。第１状態ＳＴ０１は、高電圧状態である。第１状態ＳＴ０１は、オン状態に対応する。

図３（ｂ）に例示した第２状態ＳＴ０２は、第１電極３１と第２電極４２との間の電位差が、第１状態ＳＴ０１における電位差よりも小さい状態である。第２状態ＳＴ０２は、低電圧状態である。低電圧状態は、電圧が０Ｖのときも含む。第２状態ＳＴ０２は、オフ状態に対応する。駆動部６０は、第１状態ＳＴ０１及び第２状態ＳＴ０２を生成する。

第１状態ＳＴ０１においては、第１電極３１と第２電極４２との間に高電圧が印加される。この電圧（電位差）は、例えば３０Ｖ以上５００Ｖ以下であり、例えば２５０Ｖである。この電圧により、第１電極３１と第２電極４２との間に、例えば静電力が作用する。これにより、第１電極３１は、第２電極４２に近づく。そして、この例では、第１絶縁層３４は、第２電極４２と接する。このように、第１状態ＳＴ０１においては、第１電極３１と第２電極４２との間の距離が第１距離ｄ１とされる。第１電極３１と第２電極４２との間の距離は、第１電極３１のうちで第２電極４２に最近接する箇所と、第２電極のうちで第１電極３１に最近接する箇所と、の間の長さである。この例では、第１距離ｄ１は、複数のスペーサ５１どうしの間のスペースのＸ軸方向の中心の位置において、第１電極３１と第２電極４２との間の間隔に対応する。第１距離ｄ１は、短い距離である。第１距離ｄ１は、例えば、実質的に第１絶縁層３４の厚さに対応する。

この例では、第１基板３５の可撓性が高いため、第１基板３５が変形する。実施形態において、第２基板４５も変形しても良い。

このように、複数のスペーサ５１の間において、第１基板部３０は変形する。すなわち、複数のスペーサ５１の間に、可撓部７１が設けられる。可撓部７１は、第１電極３１のうちで、第２電極４２との距離が変化する部分を含む。

第２状態ＳＴ０２においては、第１電極３１と第２電極４２との間の電位差は小さい。この電位差は、例えば０Ｖである。第１基板３５の弾性により、第１絶縁層３４は、第２電極４２と離間する。第２状態ＳＴ０２における、第１電極３１と第２電極４２との間の距離は、第２距離ｄ２となる。第２距離ｄ２は、第１距離ｄ１よりも長い。

第２状態ＳＴ０２においては、導光体２０、第２基板４５及び第２電極４２の積層体の上下の界面において、全反射条件が満たされる。これにより、この積層体中を光が導かれる。すなわち、光は、導光体２０中を導かれる。そして、導かれている光は、この積層体から外に、実質的に取り出されない。

一方、第１状態ＳＴ０１においては、絶縁層（第１絶縁層３４）は、第１電極３１と第２電極４２と接する。このため、上記の積層体における全反射条件が崩れる。積層体を導かれる光（すなわち、導光体２０を導かれる光）は、積層体から外に取り出される。

このように、第１状態ＳＴ０１においては、導光体２０中を導かれる光は、導光体２０から取り出される。すなわち、光取り出し状態が形成される。そして、第２状態ＳＴ０２においては、導光体２０から取り出される光の強度が、第１状態ＳＴ０１において導光体２０から取り出される光の強度よりも低い。すなわち、非光取り出し状態が形成される。

このように、駆動部６０は、第１状態ＳＴ０１（第１電極３１と第２電極４２との間の距離が第１距離ｄ１とされ、導光体２０中を導かれる光を導光体２０から取り出す状態）を生成する。駆動部６０は、さらに、第２状態ＳＴ０２（第１電極３１と第２電極４２との間の距離が長い第２距離ｄ２とされ、導光体２０から取り出される光の強度が第１状態ＳＴ０１において導光体２０から取り出される光の強度よりも低い状態）を生成する。これらの状態は、駆動部６０から配線３３に供給される光取り出し信号により、生成される。

第１状態ＳＴ０１においては、絶縁層（第１絶縁層３４）は、第１電極３１と第２電極４２と接する。第２状態ＳＴ０２においては、絶縁層は、第１電極３１及び第２電極４２のいずれかと離間する。この例では、絶縁層は、第２電極４２と離間する。絶縁層が、第２電極４２の上に設けられる場合は、第２状態ＳＴ０２においては、絶縁層は、第１電極３１と離間する。

このように、第１電極３１と第２電極４２との間の電位差により、第１電極３１が動き、光の取り出しと、非取り出しと、が制御される。光の取り出しと、非取り出しと、が制御される箇所５６が、１つの画素５５となる。

図１に表したように、複数の導光体２０と、複数の第１電極３１と、が交差する部分に画素５５が形成される。

例えば、表示装置１１０において、垂直方向（Ｙ軸方向）にＮ個の画素５５が設けられる。すなわち、配線３３の数が、Ｎである。このとき、例えば、垂直方向の端の第１ラインから他方の端の第Ｎラインまで、ライン単位で、第１電極３１と第２電極４２との間に電圧を順次印加する。これにより、光取り出し状態のラインを順次切り替える。

第ｉライン（ｉは、１以上Ｎ以下の整数）が光取り出し状態である場合に、第ｉラインの画像情報に対応する光を光源１０から出射させ、導光体２０に入射させる。この光は、画像情報に対応する色及び光強度を有している。これにより、第ｉラインの画像が表示される。次に、第（ｉ＋１）ラインを光取り出し状態に設定し、第（ｉ＋１）ラインに相当する画像情報に対応する光を光源１０から出射させる。これにより、第（ｉ＋１）ラインの画像が表示される。第１ラインから第Ｎラインまでの走査を、例えば、１秒間に３０回以上の速さで実行する。これにより、フリッカが知覚されない画像が表示される。

第１電極３１のシート抵抗は、高い光透過性を得るために、比較的高く設定される。このため、もし配線３３を設けずに、駆動部６０から第１電極３１に直接、光取り出し信号が供給される場合は、第１電極３１において、光取り出し信号の波形に歪みが生じる。すなわち、信号遅延が生じる。このため、表示品位が劣化しやすい。

これに対して、実施形態においては、低抵抗の配線３３が設けられる。このため、配線３３における信号遅延が抑制され、高い表示品位が得られる。

しかしながら、低抵抗の配線３３を設けた場合において、第１状態ＳＴ０１（オン状態）において、第１電極３１と第２電極４２との間の絶縁層（第１絶縁層３４）において、不良が発生することを見出した。これは、配線３３を設けることで第１電極３１に大きな電流が流れ、絶縁層において絶縁破壊、または、それの前駆現象が発生することが原因であると考えられる。例えば、第１電極３１と第２電極４２とが互いに接する状態となり、固着される。または、電極の材料が飛散し、動作不良が発生することもある。すなわち、表示装置の信頼性が劣化する。

本願発明者は、このような不良現象を解析し、第１電極３１のうちで、第２電極４２との距離が変化する可撓部７１と、低抵抗の配線３３と、の間に流れる電流を制限することで、上記の動作不良が抑制できることを見出した。

以下、この構成の例について説明する。
図４は、第１の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。
図４に表したように、表示装置１１０において、第１電極３１に、スリット３１ｓが設けられている。

１つの第１電極３１において、スリット３１ｓは、複数設けられている。複数のスリット３１ｓは、第２方向（Ｘ軸方向）において互いに離間している。複数のスリット３１ｓのそれぞれの少なくとも一部は、例えば、複数のスペーサ５１のそれぞれの間に設けられる。

複数のスリット３１ｓの間において、配線３３を介して第１電極３１を流れる電流が狭窄される。すなわち、複数のスリット３１ｓの間に狭窄部７３が形成される。狭窄部７３は、高抵抗部７２となる。この例では、スリット３１ｓのＹ軸方向の位置は、配線３３に近い位置である。例えば、複数の第１電極３１のうちの１つの第１電極３１のＹ軸方向の中心と、その第１電極３１が接続されている配線３３と、の間の距離は、その第１電極３１に設けられているスリット３１ｓのＹ軸方向の中心と、その第１電極３１が接続されているその配線３３と、の間の距離よりも長い。すなわち、狭窄部７３（高抵抗部７２）は、第１電極３１のうちで配線３３に近い位置に設けられている。

配線３３から狭窄部７３を介して可撓部７１に電荷が供給される。このため、狭窄部７３及びその周辺は、高抵抗部７２として機能する。その結果、可撓部７１において、例えば、放電、または、放電の前駆現象が生じるような条件が生じた場合で、電流が制限されるため、放電が発生しない。または、放電の規模を極めて小さくすることができる。

このように、高抵抗部７２を設けることで、第１電極３１に流れる電流値を制限できる。これにより、第１電極３１と第２電極４２との間の絶縁層（第１絶縁層３４）における不良が抑制できる。これにより、高い信頼性を得ることができる。

そして、配線３３が十分な導電性を有しているので、第１電極３１の透過率を高めることで、光取り出し効率をさらに向上できる。第１電極３１を薄くすることで、第１電極３１の透過率を上げ、かつシート抵抗を上げることで、第１電極３１による電流制限効果も増大する。

このように、本実施形態によれば、高表示品位で高信頼性の表示装置を提供できる。

スリット３１ｓは、例えば、配線３３の延在方向（Ｘ軸方向）に延在する。この例では、スリット３１ｓの長さＬ１（Ｘ軸方向の長さ）は、導光体２０のＸ軸方向の長さの０．８倍以上１．２倍以下程度である。スリット３１ｓの長さＬ１に対する、スリット３１ｓどうしの間の長さＬ２の比（Ｌ２／Ｌ１）は、例えば、０．１以上０．５以下である。例えば、複数のスリット３１ｓどうしの間の距離（長さＬ２）は、複数のスリット３１ｓの第２方向（Ｘ軸方向）の長さ（Ｌ１）よりも短い。

スリット３１ｓの幅（Ｙ軸方向の長さ）は、例えば、０．１ｍｍ以上２ｍｍ以下である。

可撓部７１に形成されている第１電極３１のシート抵抗は、例えば１０Ω／□以上１００Ω／□以下である。第１電極３１のシート抵抗は、可撓部７１内で発生した放電の過電流を制限するには十分ではない。複数のスリット３１ｓの間に高抵抗部７２を設けることで、可撓部７１内の放電部と、配線３３と、の間に過電流を制限する抵抗を形成し、放電を抑制する。その抵抗値は、例えば、数１００Ω〜１０ｋΩ程度である。これを実現するためには、例えば、Ｌ１／Ｌ２＞５程度が望ましい。

抵抗が大きいと電流制限効果は大きいが、第１電極３１と第２電極４２との間での充放電の時定数が増大するため、光取り出しの応答速度に影響する。

図４に示した例では、画素５５ごとに高抵抗部７２が設けられている。実施形態において、複数の画素５５に、１つの高抵抗部７２を設けても良い。上述したように、配線３３から放電部への電流路の間に、適当な高抵抗部７２が形成されるように、スリット３１ｓ間の狭窄部７３の数、配置、及び、第１電極３１の抵抗が決定される。

表示装置１１０の製造方法の例について説明する。
第２基板４５となるＰＥＴフィルムの主面（第３主面４５ａ）に、第２電極４２となるＩＴＯ膜を形成する。このＰＥＴフィルムの厚さは、１００μｍである。このＩＴＯ膜の厚さは、１００ｎｍである。ＩＴＯ膜の上に、スペーサ５１となるレジスト膜を形成する。レジスト膜の厚さは、１０μｍである。レジスト膜は、パターニングされる。得られるパターンは、幅が０．５ｍｍの線状であり、線のピッチは、５ｍｍである。これにより、第２基板部４０が得られる。

第１基板３５となるＰＥＴフィルムの主面（第１主面３５ａ）に、第１電極３１となるＩＴＯ膜を形成する、このＰＥＴフィルムの厚さは、５０μｍである。このＩＴＯ膜の厚さは、５０ｎｍである。このＩＴＯ膜をフォトリソグラフィ及びエッチングにより加工して、Ｘ軸方向に延在する帯状に加工する。このとき、スリット３１ｓも一緒に形成する。このＩＴＯ膜の上に配線３３となるアルミニウム膜を形成する。アルミニウム膜の厚さは、４００ｎｍである。アルミニウム膜をフォトリソグラフィ及びエッチングにより加工して配線３３を得る。加工されたＩＴＯ膜及び加工されたアルミニウム膜の上に絶縁層（第１絶縁層３４）となるシリコン酸化膜を形成する。シリコン酸化膜の厚さは、５００ｎｍである。これにより第１基板部３０が得られる。

第１基板部３０を第２基板部４０と重ねる。このとき、第１主面３５ａと第３主面４５ａとを互いに対向させる。熱圧着により、第１基板部３０とスペーサ５１とを接着する。導光体２０の端に、光源１０を配置する。配線３３及び第２電極４２を駆動部６０と接続する。これにより、表示装置１１０が得られる。

表示装置１１０において、駆動部６０から、光取り出し信号を配線３３に供給する。第１電極３１と第２電極４２との間の電圧は、２５０Ｖに設定される。光取り出し信号に動機させて光源１０から出射する光の色及び強度を変化させる。

表示装置１１０においては、良好な表示が得られる。これは、低抵抗の配線３３を設け、信号遅延が抑制されたことによる。画面中央部における光取り出しの応答速度の劣化は観測できない。また、表示中において、放電現象による動作不良は観測できない。これは、スリット３１ｓによる狭窄部７３（高抵抗部７２）を設け、電流が制限されたことによる。

上記において、スリット３１ｓは、エッチングの他に、レーザカットなどにより形成しても良い。

表示装置１１０において、第１基板３５のスリット３１ｓと同じ位置に、スリット３１ｓと同じ形状の孔を設けても良い。この場合も、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。この場合は、第１電極３１となるＩＴＯ膜を形成した後に、このＩＴＯ膜及び第１基板３５の積層体に、型抜きなどの機械的な加工により、孔を形成する。この孔により、第１電極３１のスリット３１ｓが形成できる。

スリット３１ｓは、配線３３に沿うように断続的に形成される。このようなスリット３１ｓを形成することで、可撓部７１における可撓性が向上する、可撓部７１の変形性が向上する。このため、可撓部７１において、変位がより生じ易くなる。これにより、表示品位がさらに向上できる。

図５は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。
図５に表したように、本実施形態に係る表示装置１１１においては、１つの第１電極３１において、Ｙ軸方向に並ぶ２つのスリット３１ｓが設けられている。これ以外は、表示装置１１０と同様である。

表示装置１１１においては、２つのスリット３１ｓは、第１電極３１のうちの配線３３側に近い部分と、遠い部分と、に設けられている。

図６（ａ）〜図６（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。
図６（ａ）に表したように、本実施形態に係る表示装置１１２においては、１つの第１電極３１にＹ軸方向に並ぶ５本のスリット３１ｓが設けられている。スリット３１ｓの数は任意である。

図６（ｂ）に表したように、本実施形態に係る表示装置１１３においては、スリット３１ｓのＸ軸方向に長さは、複数の導光体２０のピッチよりも長い。１つスリット３１ｓが、複数の導光体２０に対向しても良い。

図６（ｃ）に表したように、本実施形態に係る表示装置１１４においては、スリット３１ｓのＸ軸方向に長さ及びＸ軸方向の位置が、複数の導光体２０上において、変化している。

表示装置１１１〜１１４においても、低抵抗の配線３３と、狭窄部７３（高抵抗部７２）と、が設けられている。これにより、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。表示装置１１１〜１１４においても、第１基板３５において、スリット３１ｓと同じ位置に、スリット３１ｓと同じ形状の孔を設けても良い。

図７は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。
図７に表したように、本実施形態に係る表示装置１１５においては、複数の第１基板３５が設けられている。第１基板３５は、Ｘ軸方向に延在する帯状である。帯状の１つの第１基板３５に、第１電極３１、配線３３及び第１絶縁層３４が設けられている。これ以外は、表示装置１１０と同様である。

表示装置１１５においては、第１基板３５が帯状であるため、可撓部７１がより変形しやすい。例えば、駆動電圧が低下できる。表示品位がさらに向上できる。

表示装置１１５においても、低抵抗の配線３３と、狭窄部７３（高抵抗部７２）と、が設けられている。これにより、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。表示装置１１５においても、第１基板３５において、スリット３１ｓと同じ位置に、スリット３１ｓと同じ形状の孔を設けても良い。

図８は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的平面図である。
図８に表したように、本実施形態に係る表示装置１１６においては、第１電極３１に、本体部７４と、複数の接続部７５と、が設けられる。本体部７４は、スリット３１ｓが設けられる部分である。本体部７４は、可撓部７１が設けられる部分である。接続部７５は、本体部７４と配線３３との間に設けられる。接続部７５は、本体部７４と配線３３とを接続する。複数の接続部７５は、互いに離間している。複数の接続部７５は、Ｘ軸方向に並ぶ。これ以外は、表示装置１１０と同様である。

第１電極３１において部分的に設けられる接続部７５により、第１電極３１（本体部７４、すなわち、可撓部７１）は、配線３３と接続される。接続部７５は、狭窄部７３として機能する。すなわち、接続部７５は、高抵抗部７２となる。

表示装置１１６においても、低抵抗の配線３３と、狭窄部７３（高抵抗部７２）と、が設けられている。これにより、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。表示装置１１６においても、第１基板３５において、接続部７５どうしの間の部分に、孔を設けても良い。表示装置１１６において、Ｘ軸方向に延在する帯状の、複数の第１基板３５を設けても良い。

上記の例では、接続部７５が、第１電極３１の一部とされている。ただし、接続部７５は、第１電極３１とは別要素とみなしても良い。すなわち、表示装置１１６において、光透過性の第１電極３１と、複数の接続部７５と、が設けられる。接続部７５は、複数の配線３３のいずれかと、第１電極３１と、を接続する。複数の接続部７５は、第２方向（この例ではＸ軸方向）に互いに離間する。

接続部７５には、第１電極３１の少なくとも一部に用いられる導電材料が用いられる。接続部７５には、配線３３の少なくとも一部に用いられる導電材料を用いても良い。接続部７５には、第１電極３１とは異なり、配線３３とは異なる導電材料を用いても良い。

図９は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式的断面図である。
図９は、図１のＢ１−Ｂ２線に相当する断面図である。
図９に表したように、本実施形態に係る表示装置１１７においては、第２基板部４０に絶縁層（第２絶縁層４４）が設けられている。そして、第１基板部３０に第１絶縁層３４が設けられていない。

この場合も、第２絶縁層４４は、第１電極３１と第２電極４２との間に設けられている。表示装置１１７においては、絶縁層が、第２基板部４０に設けられているため、第１基板部３０の可撓性がより向上する。可撓性がより向上することで、例えば表示品位が向上する。

上記の表示装置１１１〜１１６においても、第１絶縁層３４の代わりに、第２絶縁層４４を用いても良い。

図１０（ａ）〜図１０（ｃ）は、第１の実施形態に係る別の表示装置を示す模式図である。
図１０（ａ）は、平面図である。図１０（ｂ）及び図１０（ｃ）は、Ｂ１−Ｂ２線に対応する断面図である。図１０（ｂ）は、第１状態ＳＴ０１に対応する。第１０（ｃ）は、第２状態ＳＴ０２に対応する。

図１０（ｃ）に表したように、第１電極３１は、配線３３と第２電極４２との間に配置される。すなわち、第１基板３５の第１主面３５ａに第１電極３１が設けられ、第２主面３５ｂに配線３３が設けられる。第１電極３１は、Ｘ−Ｙ平面（第１方向及び第２方向に対して平行な平面）に対して非平行な側面３１ｔを有している。Ｘ−Ｙ平面に投影したときに、配線３３は、例えば、第１電極３１と実質的に重なる形状を有している。そして、第１基板３５は、複数設けられている。第１基板３５は、Ｘ軸方向に延在する帯状である。

図１０（ａ）に表したように、この例では、複数の接続部７５がさらに設けられている。接続部７５は、複数の配線３３のいずれかと、第１電極３１と、を接続する。複数の接続部７５は、第２方向（この例ではＸ軸方向）に互いに離間する。接続部７５は、第１方向及び第２方向に対して平行な平面と交差する第３方向（例えばＺ軸方向）に延在する。接続部７５は、第１電極３１の側面３１ｔに接触している。

この例では、接続部７５には、配線３３の少なくとも一部に用いられる導電材料が用いられる。例えば、接続部７５の材料は、配線３３の材料と同じである。

接続部７５は、配線３３の一部とみなしても良い。すなわち、配線３３に、複数の側部３３ｓが設けられる。側部３３ｓの一部が、第１電極３１の側面３１ｔに接している。複数の側部３３ｓは、Ｘ軸方向に互いに離間している。側部３３ｓは、第１基板３５の側面３５ｔと、第１電極３１の側面３１ｔと、に対向する。側部３３ｓにより、配線３３と第１電極３１とが互いに電気的に接続される。

配線３３は、光反射性である。すなわち、配線３３の反射率は、第１電極３１よりも高く、第２電極４２によりも高い。

図１０（ｂ）に表したように、第１状態ＳＴ０１において、導光体２０を導かれる光１１は、第２電極４２、絶縁層（この例では第１絶縁層３４）、第１電極３１を通過して配線３３に入射する。光１１は、配線３３で反射して、第１電極３１、絶縁層（この例では第１絶縁層３４）、第２電極４２及び導光体２０を通過して、導光体２０の外に出射する。

表示装置１１８においても、低抵抗の配線３３と、狭窄部７３（高抵抗部７２）と、が設けられている。これにより、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。
表示装置１１８において、スリットを省略しても良い。

（第２の実施形態）
図１１は、第２の実施形態に係る表示装置を示す模式的平面図である。 図１１に表したように、本実施形態に係る表示装置１２０においては、スリットが設けられていない。表示装置１２０には、光透過性の第１電極３１と、複数の接続部７５と、が設けられる。接続部７５は、複数の配線３３のいずれかと、第１電極３１と、を接続する。複数の接続部７５は、第２方向（この例ではＸ軸方向）に互いに離間する。これ以外の構成（光源１０、導光体２０、配線３３、第２電極４２、絶縁層３４及び駆動部６０）は、表示装置１１０と同様である。

この例では、接続部７５として、第１電極３１に用いられる導電材料が用いられている。この場合には、接続部７５は、第１電極３１の一部とみなすことができる。すなわち、第１電極３１に、本体部７４と、複数の接続部７５と、が設けられる。本体部７４は、可撓部７１が設けられる部分である。接続部７５は、本体部７４と配線３３との間に設けられる。接続部７５は、本体部７４と配線３３とを接続する。

第１電極３１において部分的に設けられる接続部７５により、第１電極３１（本体部７４、すなわち、可撓部７１）は、配線３３と接続される。接続部７５は、狭窄部７３として機能する。すなわち、接続部７５は、高抵抗部７２となる。

但し、接続部７５には、配線３３の少なくとも一部に用いられる導電材料を用いても良い。接続部７５には、第１電極３１とは異なり、配線３３とは異なる導電材料を用いても良い。

表示装置１２０においても、低抵抗の配線３３と、狭窄部７３（高抵抗部７２）と、が設けられている。これにより、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。表示装置１１６においても、第１基板３５において、接続部７５どうしの間の部分に、孔を設けても良い。

表示装置１２０においても、表示装置１１８と同様に、第１電極３１を、配線３３と第２電極４２との間に配置し、配線３３を光反射性としても良い。そして、配線３３の複数の側部３３ｓ（接続部７５）が、第１電極３１の側面３１ｔに接触しても良い。そして、第１状態ＳＴ０１において、導光体２０を導かれる光１１を、配線３３で反射させて外部に取り出しても良い。

実施形態によれば、高表示品位で高信頼性の表示装置が提供できる。

なお、本願明細書において、「垂直」及び「平行」は、厳密な垂直及び厳密な平行だけではなく、例えば製造工程におけるばらつきなどを含むものであり、実質的に垂直及び実質的に平行であれは良い。

以上、具体例を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明は、これらの具体例に限定されるものではない。例えば、表示装置に含まれる光源、導光体、配線、第１電極、第１基板、第１基板部、第２電極、第２基板、第２基板部、絶縁層、駆動部及びスペーサなどの各要素の具体的な構成に関しては、当業者が公知の範囲から適宜選択することにより本発明を同様に実施し、同様の効果を得ることができる限り、本発明の範囲に包含される。

また、各具体例のいずれか２つ以上の要素を技術的に可能な範囲で組み合わせたものも、本発明の要旨を包含する限り本発明の範囲に含まれる。

その他、本発明の実施の形態として上述した表示装置を基にして、当業者が適宜設計変更して実施し得る全ての表示装置も、本発明の要旨を包含する限り、本発明の範囲に属する。

その他、本発明の思想の範疇において、当業者であれば、各種の変更例及び修正例に想到し得るものであり、それら変更例及び修正例についても本発明の範囲に属するものと了解される。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。

１０…光源、 １１…光、 ２０…導光体、 ３０…第１基板部、 ３１…第１電極、 ３１ｓ…スリット、 ３１ｔ…側面、 ３３…配線、 ３３ｓ…側部、 ３４…第１絶縁層、 ３５…第１基板、 ３５ａ…第１主面、 ３５ｂ…第２主面、 ３５ｔ…側面、 ４０…第２基板部、 ４２…第２電極、 ４４…第２絶縁層、 ４５…第２基板、 ４５ａ…第３主面、 ４５ｂ…第４主面、 ５１…スペーサ、 ５５…画素、 ５６…箇所、 ６０…駆動部、 ７１…可撓部、 ７２…高抵抗部、 ７３…狭窄部、 ７４…本体部、 ７５…接続部、 １１０〜１１８、１２０…表示装置、 Ｌ１、Ｌ２…長さ、 ＳＴ０１…第１状態、 ＳＴ０２…第２状態、 ｄ１…第１距離、 ｄ２…第２距離

Claims (13)

1. 光を出射する複数の光源と、
   前記光を導き第１方向に延在する複数の導光体と、
   前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の配線と、
   それぞれが前記複数の配線のそれぞれに接続されスリットが設けられた光透過性の複数の第１電極と、
   前記第１電極と前記導光体との間に設けられた光透過性の第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた絶縁層と、
   前記配線及び前記第２電極に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間の電圧を変化させて、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が第１距離とされ前記導光体中を導かれる光を前記導光体から取り出す第１状態と、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離とされ前記導光体から取り出される光の強度が前記第１状態において前記導光体から取り出される光の強度よりも低い第２状態と、を生成する駆動部と、
   を備えた表示装置。
2. 前記スリットは、複数設けられ、
   前記複数のスリットの間において、前記配線を介して前記第１電極に流れる電流が狭窄される請求項１記載の表示装置。
3. 前記複数のスリットは、前記第２方向において互いに離間する請求項２記載の表示装置。
4. 前記スリットは、複数設けられ、
   前記複数のスリットは、前記第２方向に延在し、
   前記複数のスリットは、前記第２方向において互いに離間し、
   前記複数のスリットどうしの間の距離は、前記複数のスリットの前記第２方向の長さよりも短い請求項１記載の表示装置。
5. 前記複数のスリットは、前記第１方向において互いに離間する請求項２〜４のいずれか１つに記載の表示装置。
6. 前記第１電極は、
   前記スリットが設けられた本体部と、
   前記本体部と前記配線とを接続する互いに離間した複数の接続部と、
   を含む請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
7. 前記複数の配線のいずれかと、前記第１電極と、を接続し、前記第２方向に互いに離間する複数の接続部をさらに備え、
   前記第１電極は、前記配線と前記第２電極との間に配置され、
   前記第１電極は、前記第１方向及び前記第２方向に対して平行な平面に対して非平行な側面を有し、
   前記接続部は、前記配線に含まれる材料を含み、
   前記接続部は、前記第１方向及び前記第２方向に対して平行な平面と交差する第３方向に延在し、
   前記接続部は、前記第１電極の前記側面に接触している請求項１〜５のいずれか１つに記載の表示装置。
8. 光を出射する複数の光源と、
   前記光を導き第１方向に延在する複数の導光体と、
   前記第１方向に対して交差する第２方向に延在する複数の配線と、
   光透過性の第１電極と、
   前記複数の配線のいずれかと、前記第１電極と、を接続し、前記第２方向に互いに離間する複数の接続部と、
   前記第１電極と前記導光体との間に設けられた光透過性の第２電極と、
   前記第１電極と前記第２電極との間に設けられた絶縁層と、
   前記配線及び前記第２電極に接続され、前記第１電極と前記第２電極との間の電圧を変化させて、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が第１距離とされ前記導光体中を導かれる光を前記導光体から取り出す第１状態と、前記第１電極と前記第２電極との間の距離が前記第１距離よりも長い第２距離とされ前記導光体から取り出される光の強度が前記第１状態において前記導光体から取り出される光の強度よりも低い第２状態と、を生成する駆動部と、
   を備えた表示装置。
9. 前記配線は、光反射性であり、
   前記第１電極は、前記配線と前記第２電極との間に配置され、
   前記第１状態において、前記導光体を導かれる前記光は、前記第２電極、前記絶縁層、前記第１電極を通過して前記配線に入射し、前記配線で反射して前記第１電極、前記絶縁層、前記第２電極及び前記導光体を通過して前記導光体の外に出射する請求項８記載の表示装置。
10. 前記第１電極は、前記第１方向及び前記第２方向に対して平行な平面に対して非平行な側面を有し、
    前記接続部は、前記配線に含まれる材料を含み、
    前記接続部は、前記第１方向及び前記第２方向に対して平行な平面と交差する第３方向に延在し、
    前記接続部は、前記第１電極の前記側面に接触している請求項９記載の表示装置。
11. 前記第１状態においては、前記絶縁層は前記第１電極と前記第２電極と接し、
    前記第２状態においては、前記絶縁層は、前記第１電極及び前記第２電極のいずれかと離間する請求項１〜１０のいずれか１つに記載の表示装置。
12. 前記第１電極を支持する可撓性の第１基板と、
    前記第２電極を支持する第２基板と、
    をさらに備え、
    前記第１基板と前記第２電極との間に前記第１電極が配置され、
    前記導光体と前記第２電極との間に前記第２基板が配置され、前記第２基板は、前記導光体と接触する請求項１〜１１のいずれか１つに記載の表示装置。
13. 前記配線のシート抵抗は、前記第１電極のシート抵抗よりも低い請求項１〜１２のいずれか１つに記載の表示装置。

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