JP2014067577A - 撮像装置 - Google Patents

撮像装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2014067577A
JP2014067577A JP2012211940A JP2012211940A JP2014067577A JP 2014067577 A JP2014067577 A JP 2014067577A JP 2012211940 A JP2012211940 A JP 2012211940A JP 2012211940 A JP2012211940 A JP 2012211940A JP 2014067577 A JP2014067577 A JP 2014067577A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
light
layer
lens
substrate
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2012211940A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6074981B2 (ja
Inventor
Jin Tsuchiya
仁 土屋
Tsukasa Eguchi
司 江口
Hideto Ishiguro
英人 石黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Seiko Epson Corp
Original Assignee
Seiko Epson Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Seiko Epson Corp filed Critical Seiko Epson Corp
Priority to JP2012211940A priority Critical patent/JP6074981B2/ja
Priority to US14/035,377 priority patent/US9111831B2/en
Priority to CN201310449958.4A priority patent/CN103685883B/zh
Publication of JP2014067577A publication Critical patent/JP2014067577A/ja
Priority to US14/797,513 priority patent/US9543344B2/en
Application granted granted Critical
Publication of JP6074981B2 publication Critical patent/JP6074981B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144Devices controlled by radiation
    • H01L27/146Imager structures
    • H01L27/14601Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625Optical elements or arrangements associated with the device
    • H01L27/14627Microlenses
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/60OLEDs integrated with inorganic light-sensitive elements, e.g. with inorganic solar cells or inorganic photodiodes
    • H10K59/65OLEDs integrated with inorganic image sensors

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Studio Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Lens Barrels (AREA)
  • Measurement Of The Respiration, Hearing Ability, Form, And Blood Characteristics Of Living Organisms (AREA)
  • Stroboscope Apparatuses (AREA)

Abstract

【課題】被写体から受光素子に到達する光量を充分に確保する。
【解決手段】基板32の表面321上には発光層63が形成される。表面321に対向する複数のレンズ24は、発光層63が照明する被写体200からの撮像光を集光する。表面321と発光層63との間の第1電極層61には各レンズ24に対応する開口部614が形成される。各レンズ24で集光されて開口部614を通過した撮像光が受光素子14に入射する。受光素子14の受光面16の周縁上の点PA1と開口部614の周縁上の点PA2とを通過する第1直線L1と、第1直線L1とレンズ24の表面との交点PA3での法線LNに関して第1直線L1に線対称な第2直線L2とを規定した場合、発光層63の発光領域70は、第2直線L2と発光層63を覆う第2電極層64の表面との交点PA4からみて光軸L0とは反対側に位置する。
【選択図】図6

Description

本発明は、被写体を撮像する撮像装置に関する。
生体認証のために生体の静脈像を撮像する各種の技術が従来から提案されている。例えば特許文献1には、被写体(被認証者の手指)を挟んで相互に対向するように光源部と撮像部とを配置し、光源部から出射して被写体を透過した光を撮像部で撮像する指認証装置が開示されている。
特許文献1の技術では、被写体を挟んで対向するように光源部と撮像部とを配置する必要があるため、装置の小型化が困難であるという問題がある。以上の問題を解決する観点から、例えば特許文献2には、光源層と検出層とを基板の表面に積層した構造の撮像装置が開示されている。光源層から出射して被写体を通過した光が検出層の各受光素子で検出される。光源層から検出層に対する直接的な照射を防止する遮光層が光源層と検出層との間に設置される。
特開2003−30632号公報 特開2009−3821号公報
しかし、特許文献2の技術では、被写体から各受光素子に入射する光量を充分に確保することが困難であるという問題がある。以上の事情を考慮して、本発明は、被写体から受光素子に到達する光量を充分に確保することを目的とする。
以上の課題を解決するために、本発明の撮像装置は、第1面(例えば表面321)を含む光透過性の第1基板(例えば基板32)と、第1面に対向するとともに第1基板とは反対側からの入射光を集光する複数のレンズと、第1面の面上の発光層と、第1基板を挟んで複数のレンズとは反対側に設置された複数の受光素子とを具備する。発光層からの出射光で照明された被写体からの入射光が複数のレンズで集光されたうえで各受光素子に到達するから、被写体からの入射光を集光するレンズが存在しない特許文献2の技術と比較して被写体から受光素子に到達する光量を充分に確保することが可能である。なお、本発明における「複数のレンズ」は、撮像装置が具備する全部のレンズの一部(例えば集光に寄与しないダミーレンズ以外のレンズ)または全部である。同様に、本発明の「複数の受光素子」は、撮像装置が具備する全部の受光素子の一部(例えば撮像に寄与しないダミー素子以外の受光素子)または全部である。
本発明の好適な態様に係る撮像装置は、第1面と発光層との間に設置され、複数のレンズが集光した光を通過させる複数の第1開口部(例えば開口部614)を有する遮光性の開口規定層(例えば第1電極層61)を具備する。以上の構成では、発光層と各受光素子との間に開口規定層が介在するから、発光層からの出射光が各受光素子に直接的に到達する可能性が低減される。また、発光層に電気的に接続された第1電極層を開口規定層として流用した構成によれば、第1電極層と開口規定層とを個別に形成する場合と比較して装置構成や製造工程が簡素化されるという利点がある。
開口規定部を具備する撮像装置の好適例では、複数のレンズのうち一のレンズの光軸を含む基準面内において、一のレンズに対応する受光素子の受光面のうち光軸からみて一方側の周縁(例えば点PA1)と、開口規定層における当該一のレンズに対応する第1開口部のうち光軸からみて他方側の周縁(例えば点PA2)とを通過する第1直線(例えば第1直線L1)、および、第1直線と一のレンズの表面との交点(例えば点PA3)における当該表面の法線を対称軸として第1直線と線対称な第2直線(例えば第2直線L2)を規定した場合に、発光層の発光領域は、第2直線と発光層を覆う第2電極層の表面との交点(例えば交点PA4)からみて一のレンズの光軸とは反対側に位置する。以上の態様によれば、発光層から出射して各レンズの表面で反射した光が第1開口部を通過して受光素子に到達する可能性を低減することが可能である。
本発明の好適な態様に係る撮像装置は、第1基板と複数の受光素子との間に設置され、各レンズに対応する複数の第2開口部(例えば開口部46)を有する遮光層を具備する。以上の構成では、発光層と各受光素子との間に遮光層が介在するから、発光層からの出射光が各受光素子に直接的に到達する可能性や、各レンズで集光された光が当該レンズ以外のレンズに対応する受光素子に到達する可能性を低減することが可能である。また、第1基板を挟んで複数のレンズとは反対側に光透過性の第2基板を設置し、遮光層を第2基板に形成した構成も好適である。以上の構成によれば、第1基板に発光層を形成する工程と第2基板に遮光層を形成する工程とを相互に独立に実行できるという利点がある。具体的には、第2基板は、第1基板のうち第1面とは反対側の第2面に接合され、遮光層は、第2基板のうち第1基板とは反対側の表面に設置される。
遮光層を具備する撮像装置の好適例では、複数のレンズのうち一のレンズの光軸を含む基準面内において、一のレンズに対応する受光素子の受光面のうち光軸からみて一方側の周縁(例えば点PB1)と、遮光層における当該一のレンズに対応する第2開口部のうち光軸からみて他方側の周縁(例えば点PB2)とを通過する第3直線(例えば第3直線L3)、および、第3直線と一のレンズの表面との交点(例えば点PB3)における当該表面の法線を対称軸として第3直線と線対称な第4直線(例えば第4直線L4)を規定した場合に、発光層の発光領域は、第4直線と発光層を覆う第2電極層の表面との交点(例えば交点PB4)からみて一のレンズの光軸とは反対側に位置する。以上の態様によれば、発光層から出射して各レンズの表面で反射した光が第2開口部を通過して受光素子に到達する可能性を低減することが可能である。
以上の各態様に係る撮像装置は、各種の電子機器に好適に利用される。電子機器の具体例としては、撮像装置が撮像した静脈像を利用して生体認証を実行する生体認証装置や、撮像装置が撮像した画像から血中のアルコール濃度等の生体情報を推定する生体情報推定装置が例示され得る。
本発明の第1実施形態に係る撮像装置の断面図である。 撮像装置の分解断面図である。 撮像装置の各要素の関係を示す平面図である。 発光素子層を拡大した断面図である。 絶縁層と発光領域との関係を示す平面図である。 第2実施形態における第1直線および第2直線の説明図である。 第2実施形態における発光素子層の断面図である。 第2実施形態における絶縁層と発光領域との関係を示す平面図である。 第3実施形態における第3直線および第4直線の説明図である。 第3実施形態における発光素子層の断面図である。
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態に係る撮像装置100の断面図であり、図2は、撮像装置100の分解断面図である。第1実施形態の撮像装置100は、特定波長の照明光(以下「撮像光」という)を照射した状態で被写体200を撮像するセンシング装置であり、例えば生体(典型的には人間の手指)の静脈像を撮像する生体認証装置(静脈センサー)に好適に利用される。撮像光は、例えば近赤外光である。図1および図2に示すように、第1実施形態の撮像装置100は、受光部10と集光部20と発光部30と遮光部40とを具備する。
発光部30は受光部10と被写体200との間に介在する。集光部20は発光部30と被写体200との間に介在し、遮光部40は発光部30と受光部10との間に介在する。概略的には、発光部30から出射した撮像光で照明された被写体200からの入射光が集光部20にて集光されたうえで受光部10に到達する。
受光部10は、被写体200を撮像する要素であり、基板12と複数の受光素子14とを含んで構成される。基板12は、例えば半導体材料で形成された板状部材である。複数の受光素子14は、基板12のうち被写体200側の表面121に形成され、図3に示すように平面視で(すなわち基板12に垂直な方向からみて)行列状に配列する。各受光素子14は、略円形の受光面16に入射する撮像光の光量に応じた検出信号を生成する。各受光素子14が生成した検出信号を画像処理することで被写体200の画像が生成される。例えば公知のCMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor)センサーやCCD(Charge Coupled Device)センサーが受光部10として好適に利用される。
図1の集光部20は、被写体200から到来する撮像光を集光する要素であり、基板22と複数のレンズ(マイクロレンズ)24とを含んで構成される。図2に示すように、基板22は、被写体200に対向する表面221と表面221の反対側の表面222とを含む光透過性(撮像光を透過させる性質)の板状部材である。例えばガラス基板や石英基板が基板22として好適に採用される。複数のレンズ24は、基板22の表面222に形成される。各レンズ24は、被写体200から基板22の表面221に入射した撮像光を集光する凸レンズである。集光部20の各レンズ24と受光部10の各受光素子14とは1対1に対応する。具体的には、各レンズ24の光軸L0は、そのレンズ24に対応する受光素子14の受光面16(典型的には受光面16の中心)を通過する。したがって、図3に示すように、複数のレンズ24は、各受光素子14と同様に平面視で行列状に配列する。各レンズ24の製造には、例えば、基板22に形成された多数の微細なレジストを熱変形させて各レンズ24を形成する方法(リフロー法)、面積階調マスクを利用したフォトリソグラフィ処理で各レンズ24を形成する方法、または、板状部材の研磨や成型で基板22と各レンズ24とを一体に形成する方法等の任意の製造技術が採用される。
図1の発光部30は、撮像光を生成する要素であり、基板32と発光素子層34とを含んで構成される。図2に示すように、基板32は、集光部20(各レンズ24)に対向する表面321と表面321の反対側の表面322とを含む光透過性の板状部材(例えばガラス基板や石英基板)である。発光素子層34は、基板32の表面321に形成され、被写体200を照明する撮像光の光源として機能する。
図4は、発光素子層34を拡大した断面図である。図4に示すように、発光素子層34は、第1電極層61と絶縁層62と発光層63と第2電極層64と封止層65とを含んで構成される。発光層63は、電流の供給により撮像光を出射する電気光学層であり、例えば有機EL(Electroluminescence)材料で形成される。
第1電極層61は、基板32の表面321に形成され、発光層63に電気的に接続された電極(陽極)として機能する。図4に示すように、第1電極層61は、第1層611と第2層612とを積層した構造である。第1層611は、発光層63が生成する撮像光を被写体200側に反射させる光反射性の導電膜であり、例えば銀やアルミニウム等の導電材料で基板32の表面321に形成される。他方、第2層612は、撮像光を透過させる光透過性の導電膜であり、例えばITO(Indium Tin Oxide)等の光透過性の導電材料で形成されて第1層611を被覆する。
図3に示すように、第1電極層61には平面視で円形状の複数の開口部614が形成される。第1電極層61の各開口部614と集光部20の各レンズ24(または受光部10の各受光素子14)とは1対1に対応する。具体的には、各レンズ24の光軸L0は、そのレンズ24に対応する開口部614(典型的には開口部614の中心)を通過する。したがって、図3に示すように、各開口部614は、各レンズ24や各受光素子14と同様に平面視で行列状に配列する。すなわち、第1電極層61は、複数の開口部614が平面視で行列状に配列する略格子状に形成される。各開口部614の内径は各レンズ24の外径を下回る。以上の説明から理解される通り、第1電極層61(第1層611)は、集光部20の各レンズ24が集光した撮像光を受光部10側に通過させる開口部614を規定する開口規定層として機能する。発光層63が生成した撮像光は被写体200側だけでなく受光部10側にも進行するが、発光層63から受光部10側に進行する撮像光は第1電極層61で被写体200側に反射される。すなわち、開口規定層(第1電極層61)は、発光層63から受光部10に対する直接的な撮像光の照射(すなわち、被写体200を経由しない撮像光の照射)を防止する遮光層とも換言され得る。開口部614の形成(導電膜の選択的な除去)には例えばフォトリソグラフィ処理等の公知の製造技術が任意に採用される。
図4の絶縁層62は、光透過性の絶縁材料(例えば樹脂材料)で形成される。発光層63は、絶縁層62が形成された表面321の全域にわたり略一定の膜厚で連続する。なお、発光層63の発光効率を向上するために電荷注入層(正孔注入層,電子注入層)や電荷輸送層(正孔輸送層,電子輸送層)を発光層63とともに形成することも可能である。
第2電極層64は、発光層63を被覆するように表面321の全域にわたり連続に形成され、発光層63に電気的に接続されて第1電極層61との間で発光層63に電流を供給する電極(陰極)として機能する。第2電極層64は、入射光の一部を透過して他の一部を反射する半透過反射性の導電膜である。したがって、第1電極層61と第2電極層64との間には、特定波長(近赤外域)の撮像光を選択的に増幅して被写体200側に出射させる共振器構造が形成される。第2電極層64は、例えば銀やアルミニウム等の導電材料を非常に薄い膜厚に成膜することで形成される。ただし、第2電極層64を光透過性の導電膜とした構成(共振器構造を形成しない構成)も採用され得る。
封止層65は、以上に説明した発光素子層34の各要素(第1電極層61,絶縁層62,発光層63,第2電極層64)を封止して外気や水分から保護する要素であり、光透過性の絶縁材料(例えば樹脂材料)で形成される。集光部20と発光部30とは例えば光透過性の接着剤(図示略)で相互に固定される。図1および図4では、発光部30の発光素子層34(封止層65)の表面と集光部20の各レンズ24の表面とが接触するように集光部20と発光部30とを接合した構成が例示されている。ただし、発光素子層34の表面と各レンズ24の表面とが相互に間隔をあけて対向するように集光部20と発光部30とを相互に固定することも可能である。
図4に示すように、第1電極層61と第2電極層64とが相互に対向する領域のうち両者間に絶縁層62が介在しない領域は、第1電極層61と第2電極層64との間の電流が供給されることで発光層63が発光する発光領域70として機能する。他方、第1電極層61と第2電極層64とが対向する領域のうち両者間に絶縁層62が介在する領域では、第1電極層61と第2電極層64との間の電流が絶縁層62により阻止されるから発光層63は発光しない。すなわち、絶縁層62は、発光層63のうち実際に撮像光を発光する発光領域70を規定する要素として機能する。なお、発光層63は各開口部614の内側の領域にも形成されるが、開口部614の内側には第1電極層61が存在しないから発光層63は発光しない。
図5は、絶縁層62の平面形状の模式図である。図5におけるIV-IV線の断面図が図4に相当する。図5に示すように、絶縁層62は、集光部20の各レンズ24(または受光部10の各受光素子14や第1電極層61の各開口部614)に1対1に対応する。具体的には、図4および図5から理解される通り、絶縁層62は、第1電極層61の各開口部614の周縁(内周縁)を被覆する円環状に形成される。すなわち、絶縁層62の外周縁621は開口部614の周縁の外側(各レンズ24の光軸L0とは反対側)に位置し、絶縁層62の内周縁622は開口部614の周縁の内側(各レンズ24の光軸L0側)に位置する。図5に示すように、平面視で絶縁層62の外周縁621の外側(レンズ24の光軸L0とは反対側)に位置する領域が発光領域70として画定される。すなわち、第1実施形態の発光領域70は、平面視で行列状に配列された複数のレンズ24の各々の間隙の領域に対応する略格子状に画定される。
図1および図2の遮光部40は、集光部20の各レンズ24で集光された撮像光以外の迷光を遮光する要素であり、基板42と遮光層44とを含んで構成される。図2に示すように、基板42は、発光部30に対向する表面421と表面421の反対側の表面422とを含む光透過性の板状部材(例えばガラス基板や石英基板)である。遮光層44は、基板42の表面422に形成された遮光性(撮像光を吸収または反射させる性質)の膜体である。例えばカーボンブラック等の黒色剤(黒色顔料)が分散された樹脂材料やクロム等の遮光性の金属材料で遮光層44は形成される。遮光層44の表面での反射により迷光が発生することを防止する観点から、低反射率の材料が遮光層44の材料として好適である。
図2および図3に示すように、遮光層44には複数の円形状の開口部46が形成される。開口部46の内径は第1電極層61の開口部614の内径を下回る。遮光層44の各開口部46と集光部20の各レンズ24(または受光部10の各受光素子14や第1電極層61の各開口部614)とは1対1に対応する。具体的には、各レンズ24の光軸L0は、そのレンズ24に対応する開口部46(典型的には開口部46の中心)を通過する。したがって、図3に示すように、各開口部46は、各レンズ24や各受光素子14と同様に平面視で行列状に配列する。
図1および図2に示すように、表面422に遮光層44が形成された基板42の表面421と表面321に発光素子層34が形成された基板32の表面322とが相互に密着した状態で接合される。基板42と基板32との接合には例えば光透過性の接着剤(図示略)が利用される。また、遮光層44が形成された基板42の表面422と受光部10の基板12の表面121とが、例えば光透過性の接着剤18で相互に間隔をあけて接合される。以上の説明から理解される通り、遮光層44は、発光部30の基板32と受光部10の複数の受光素子14との間に設置される。
以上に説明した構成において、発光部30の発光領域70から出射した撮像光が集光部20(基板22および各レンズ24)を透過して被写体200に照射されるとともに被写体200の内部の静脈にて透過または反射して集光部20に入射し、各レンズ24で集光されたうえで第1電極層61の開口部614と遮光層44の開口部46とを通過して受光素子14の受光面16に到達する。したがって、被写体200の静脈像が撮像される。
以上に説明した通り、第1実施形態では、受光部10の各受光素子14と被写体200との間に発光部30(発光層63)が設置されるから、被写体を挟んで相互に対向するように光源部と撮像部とが設置される特許文献1の技術と比較して装置の小型化が容易である。また、第1実施形態では、被写体200に撮像光を照射する発光領域70が平面状に分布するから、例えばLED(Light Emitting Diode)等の点光源を被写体200の照明に利用した場合と比較して被写体200に対する照射光量の偏在を低減する(被写体200を均一に照明する)ことが可能である。しかも、第1実施形態では、発光部30により照明された被写体200からの撮像光が集光部20の各レンズ24で集光されたうえで受光素子14に到達するから、撮像光を集光する要素が存在しない特許文献2の技術と比較して、被写体200から各受光素子14に到達する光量を充分に確保できるという利点がある。
また、第1実施形態では、各レンズ24に対応する開口部614が形成された遮光性(光反射性)の第1電極層61が基板32の表面321と発光層63(発光領域70)との間に設置されるから、発光層63から各受光素子14に対する撮像光の直接的な照射が抑制される。したがって、被写体200のコントラストが高い良好な画像を取得できるという利点がある。第1実施形態では特に、発光層63に電流を供給する第1電極層61が、各受光素子14に対する撮像光の直接的な照射を防止する開口規定層(遮光層)としても流用されるから、第1電極層61と開口規定層とを個別に形成した場合と比較して撮像装置100の構成や製造工程が簡素化されるという利点もある。ただし、第1電極層61と開口規定層とを個別に形成することも可能である。
また、第1実施形態では、各レンズ24に対応する開口部46が形成された遮光層44が集光部20と受光部10との間に設置されるから、集光部20の各レンズ24に対応する受光素子14にそのレンズ24以外のレンズ24を通過した撮像光が到達する状況(光線クロストーク)を防止することが可能である。したがって、被写体200のコントラストが高い良好な画像を取得できるという利点がある。
<第2実施形態>
本発明の第2実施形態を以下に説明する。なお、以下に例示する各形態において作用や機能が第1実施形態と同等である要素については、第1実施形態の説明で参照した符号を流用して各々の詳細な説明を適宜に省略する。
第1実施形態の構成では、発光層63の発光領域70から出射して被写体200側に進行する撮像光が、被写体200に到達する以前に各レンズ24の表面で反射し、開口部614および開口部46を通過して受光素子14に到達する(以下ではこの現象を便宜的に「レンズ反射光の直接受光」という)可能性がある。以下に例示する第2実施形態および第3実施形態は、第1実施形態と同様の構成を前提として、レンズ反射光の直接受光が抑制されるように発光領域70を規定した形態である。
図6は、集光部20の任意の1個のレンズ(以下「特定レンズ」という)24の光軸L0を含む平面(以下「基準面」という)における受光素子14と第1電極層61と特定レンズ24との位置関係を示す模式図である。図6に示すように、第2実施形態では、第1直線L1と第2直線L2とが基準面内に規定される。
第1直線L1は、基準面内の点PA1と点PA2とを通過する直線である。点PA1は、基準面内において、特定レンズ24に対応する受光素子14の受光面16のうち特定レンズ24の光軸L0からみて一方側(図6では光軸L0の右側)の周縁に対応する地点(受光面16の周縁と基準面との交点)である。他方、点PA2は、基準面内において、特定レンズ24に対応する第1電極層61の開口部614のうち特定レンズ24の光軸L0からみて他方側(図6では光軸L0の左側)の内周縁に対応する地点(開口部614の内周縁と基準面との交点)である。以上のように点PA1と点PA2とは特定レンズ24の光軸L0を挟んで反対側に位置するから、第1直線L1は点PA1と点PA2との間で特定レンズ24の光軸L0と交差する。
基準面内において、第1直線L1と特定レンズ24の表面とが交差する点PA3を通過し、かつ、特定レンズ24の表面に対する点PA3での接線に垂直な直線(すなわち、点PA3での特定レンズ24の表面の法線)LNを想定する。第2直線L2は、法線LNを対称軸として第1直線L1と線対称な関係にある直線である。すなわち、第1直線L1と第2直線L2とがなす角の二等分線が法線LNに相当する。
図7は、図4と同様に、発光素子層34を拡大した断面図である。ただし、図示の煩雑化を防止する観点から図7では便宜的にハッチングが省略されている。図7に示すように、以上の条件で規定される第2直線L2と発光部30の第2電極層64の表面(または発光層63または第1電極層61の表面)との交点PA4が基準面内に規定される。第2直線L2と第1直線L1とで規定される経路は、発光領域70から出射して特定レンズ24の表面で反射した撮像光が受光素子14の受光面16内に到達するか否かの境界となる光路に相当する。すなわち、交点PA4の内側(特定レンズ24の光軸L0側)から出射して特定レンズ24の表面で反射した撮像光は、第1電極層61の開口部614を通過して受光素子14の受光面16に到達する可能性がある。他方、交点PA4の外側(特定レンズ24の光軸L0とは反対側)から出射して特定レンズ24の表面で反射した撮像光は、第1電極層61で遮光されたり基板12のうち受光面16の外側の領域に到達したりして、受光素子14の受光面16には到達しない。すなわち、レンズ反射光の直接受光が防止される。以上の傾向を考慮して、第2実施形態では、交点PA4からみて特定レンズ24の光軸L0とは反対側に位置するように発光領域70が画定される。具体的には、交点PA4からみて特定レンズ24の光軸L0とは反対側に発光領域70が位置するように絶縁層62の寸法や形状が選定される。
図8は、発光領域70の平面的な形状の説明図である。図8に示すように、特定レンズ24の光軸L0を回転軸として基準面を回転させたときの各基準面内の交点PA4の軌跡で画定される領域Qが図8には図示されている。領域Qは、集光部20のレンズ24毎に画定され、各レンズ24に対応するように平面視で行列状に配列する。発光領域70は、基板32の表面321のうち各領域Qを除外した略格子状の領域内に画定される。すなわち、発光領域70と各領域Qとは平面視で相互に重複しない。第1実施形態で前述した通り発光領域70の平面形状は絶縁層62の外周縁621で規定されるから、図8に示すように、各レンズ24に対応する円環状の絶縁層62の外周縁621が領域Qの外側に位置すると換言することも可能である。
第2実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。また、第2実施形態では、第2直線L2と第2電極層64の表面との交点PA4からみて特定レンズ24の光軸L0とは反対側に発光領域70が位置するから、レンズ反射光の直接受光を抑制することが可能である。
<第3実施形態>
図9は、図6と同様に、集光部20の任意の1個のレンズ(特定レンズ)24の光軸L0を含む基準面における受光素子14と遮光層44と特定レンズ24との位置関係を示す模式図である。図9に示すように、第3実施形態では、第3直線L3と第4直線L4とが基準面内に規定される。
第3直線L3は、基準面内の点PB1と点PB2とを通過する直線である。点PB1は、第2実施形態の点PA1と同様に、特定レンズ24に対応する受光素子14の受光面16の一方側(図9では光軸L0の右側)の周縁に対応する地点である。他方、点PB2は、基準面内において、特定レンズ24に対応する遮光層44の開口部46のうち特定レンズ24の光軸L0からみて他方側(図9では光軸L0の左側)の内周縁に対応する地点である。したがって、第3直線L3は、点PB1と点PB2との間で特定レンズ24の光軸L0と交差する。他方、第4直線L4は、第2実施形態の第2直線L2と同様に、第3直線L3と特定レンズ24の表面とが交差する点PB3での当該表面の法線LNを対称軸として第3直線L3と線対称な関係にある直線である。
図10は、図7と同様に、発光素子層34を拡大した断面図である。図10に示すように、以上の条件で規定される第4直線L4と発光部30の第2電極層64の表面との交点PB4が基準面内に規定される。交点PB4の内側(特定レンズ24の光軸L0側)から出射して特定レンズ24の表面で反射した撮像光は、遮光層44の開口部46を通過して受光素子14の受光面16に到達する可能性がある。他方、交点PB4の外側(特定レンズ24の光軸L0とは反対側)から出射して特定レンズ24の表面で反射した撮像光は、遮光層44で遮光されたり基板12のうち受光面16の外側の領域に到達したりして、受光素子14の受光面16には到達しない。以上の傾向を考慮して、第3実施形態では、交点PB4からみて特定レンズ24の光軸L0とは反対側に発光領域70が画定されるように絶縁層62の寸法や形状が選定される。また、図8と同様に、交点PB4の軌跡に相当する領域Qを集光部20のレンズ24毎に画定すると、基板32の表面321のうち各領域Qを除外した略格子状の領域内に発光領域70が画定されるとも換言され得る。すなわち、各レンズ24に対応する円環状の絶縁層62の外周縁621は領域Qの外側に位置し、発光領域70と各領域Qとは平面視で相互に重複しない。
第3実施形態においても第1実施形態と同様の効果が実現される。また、第3実施形態では、第4直線L4と第2電極層64の表面との交点PB4からみて特定レンズ24の光軸L0とは反対側に発光領域70が位置するから、第2実施形態と同様に、レンズ反射光の直接受光を抑制することが可能である。
<変形例>
前述の各形態は多様に変形され得る。具体的な変形の態様を以下に例示する。以下の例示から任意に選択された2以上の態様は適宜に併合され得る。
(1)前述の各形態では、基板32の全域にわたり発光層63を連続的に分布させた構成において、第1電極層61と第2電極層64との間に絶縁層62を介在させることで発光領域70を画定したが、発光領域70を画定するための構造は以上の例示に限定されない。例えば、前述の各形態で例示した条件を充足する発光領域70の平面形状となるように発光層63を形成することも可能である。例えば、有機EL材料で基板32に形成された膜体を選択的に除去するフォトリソグラフィ技術や、有機EL材料を基板32の特定の領域に選択的に塗布する印刷技術(例えば液滴吐出技術)により、任意の形状の発光層63を形成することが可能である。
(2)前述の各形態では、発光部30の基板32と遮光部40の基板42とを別個の要素としたが、基板32と基板42とを単一の基板とすることも可能である。すなわち、単一の基板の一方の表面に発光素子層34が形成され、他方の表面に遮光層44が形成される。もっとも、前述の各形態のように発光部30の基板32と遮光部40の基板42とを別体とした構成では、基板32に発光素子層34を形成する工程と基板42に遮光層44を形成する工程とを相互に独立に実行できるという利点がある。
(3)前述の各形態では、生体認証用の静脈像を撮像する撮像装置100(静脈センサー)を例示したが、本発明の用途は任意である。例えば、撮像装置100が撮像した生体の静脈像から血中のアルコール濃度を推定するアルコール検出装置や、撮像装置100が撮像した生体の静脈像から血糖値を推定する血糖値推定装置にも本発明は適用され得る。また、印刷物から画像を読取る画像読取装置に本発明を適用することも可能である。なお、画像読取装置に本発明を適用する場合には可視光が撮像光として好適に利用される。
100……撮像装置、200……被写体、10……受光部、12,22,32,42……基板、14……受光素子、16……受光面、18……接着剤、20……集光部、24……レンズ、30……発光部、34……発光素子層、40……遮光部、44……遮光層、46……開口部、61……第1電極層、614……開口部、62……絶縁層、63……発光層、64……第2電極層、65……封止層、70……発光領域。

Claims (8)

  1. 第1面を含む光透過性の第1基板と、
    前記第1面に対向するとともに前記第1基板とは反対側からの入射光を集光する複数のレンズと、
    前記第1面の面上の発光層と、
    前記第1基板を挟んで前記複数のレンズとは反対側に設置された複数の受光素子と
    を具備する撮像装置。
  2. 前記第1面と前記発光層との間に設置され、前記複数のレンズが集光した光を通過させる複数の第1開口部を有する遮光性の開口規定層
    を具備する請求項1の撮像装置。
  3. 前記開口規定層は、前記発光層に電気的に接続された第1電極層である
    請求項2の撮像装置。
  4. 前記発光層を覆う第2電極層を具備し、
    前記複数のレンズのうち一のレンズの光軸を含む基準面内において、
    前記一のレンズに対応する前記受光素子の受光面のうち前記光軸からみて一方側の周縁と、前記開口規定層における当該一のレンズに対応する第1開口部のうち前記光軸からみて他方側の周縁とを通過する第1直線、および、
    前記第1直線と前記一のレンズの表面との交点における当該表面の法線を対称軸として前記第1直線と線対称な第2直線を規定した場合に、
    前記発光層の発光領域は、前記第2直線と前記第2電極層の表面との交点からみて前記一のレンズの光軸とは反対側に位置する
    請求項2または請求項3の撮像装置。
  5. 前記第1基板と前記複数の受光素子との間に設置され、前記各レンズに対応する複数の第2開口部を有する遮光層
    を具備する請求項1から請求項3の何れかの撮像装置。
  6. 前記第1基板を挟んで前記複数のレンズとは反対側に設置された光透過性の第2基板を具備し、
    前記遮光層は、前記第2基板に設置される
    請求項5の撮像装置。
  7. 前記第2基板は、前記第1基板のうち前記第1面とは反対側の第2面に接合され、
    前記遮光層は、前記第2基板のうち前記第1基板とは反対側の表面に設置される
    請求項6の撮像装置。
  8. 前記発光層を覆う第2電極層を具備し、
    前記複数のレンズのうち一のレンズの光軸を含む基準面内において、
    前記一のレンズに対応する前記受光素子の受光面のうち前記光軸からみて一方側の周縁と、前記遮光層における当該一のレンズに対応する第2開口部のうち前記光軸からみて他方側の周縁とを通過する第3直線、および、
    前記第3直線と前記一のレンズの表面との交点における当該表面の法線を対称軸として前記第3直線と線対称な第4直線を規定した場合に、
    前記発光層の発光領域は、前記第4直線と前記第2電極層の表面との交点からみて前記一のレンズの光軸とは反対側に位置する
    請求項5から請求項7の何れかの撮像装置。
JP2012211940A 2012-09-26 2012-09-26 撮像装置 Active JP6074981B2 (ja)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012211940A JP6074981B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 撮像装置
US14/035,377 US9111831B2 (en) 2012-09-26 2013-09-24 Imaging apparatus
CN201310449958.4A CN103685883B (zh) 2012-09-26 2013-09-25 摄像装置
US14/797,513 US9543344B2 (en) 2012-09-26 2015-07-13 Imaging apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012211940A JP6074981B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 撮像装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2014067577A true JP2014067577A (ja) 2014-04-17
JP6074981B2 JP6074981B2 (ja) 2017-02-08

Family

ID=50322060

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012211940A Active JP6074981B2 (ja) 2012-09-26 2012-09-26 撮像装置

Country Status (3)

Country Link
US (2) US9111831B2 (ja)
JP (1) JP6074981B2 (ja)
CN (1) CN103685883B (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3035244A1 (en) 2014-12-17 2016-06-22 Seiko Epson Corporation Image acquisition apparatus, biological body information acquisition apparatus, and electronic apparatus
JP2016115862A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 セイコーエプソン株式会社 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器
US9710692B2 (en) 2015-05-29 2017-07-18 Seiko Epson Corporation Imaging device, and controlling method of imaging device
WO2018037862A1 (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 株式会社ニコン 撮像素子および撮像システム
WO2019012583A1 (ja) * 2017-07-10 2019-01-17 シャープ株式会社 Elデバイス、elデバイスの製造方法、及びelデバイスの製造装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6507670B2 (ja) * 2015-01-27 2019-05-08 セイコーエプソン株式会社 情報取得機器
US11559216B1 (en) * 2016-08-12 2023-01-24 Apple Inc. Integrated photodiode
TWI721762B (zh) * 2020-01-22 2021-03-11 台灣愛司帝科技股份有限公司 全屏幕式影像顯示器及其光學組件

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6482093A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Alps Electric Co Ltd El panel construction for light source
JP2008098617A (ja) * 2006-08-31 2008-04-24 Fraunhofer Ges 集積有機発光素子を備えるリフレックスカプラ
JP2009110452A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Ltd 撮像装置、撮像装置の製造方法及び撮像装置を搭載した装置
WO2012037027A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-22 Agc Flat Glass North America, Inc. Monolithic image perception device and method

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3617476B2 (ja) 2001-07-19 2005-02-02 株式会社日立製作所 指認証装置
JP4352989B2 (ja) 2004-05-17 2009-10-28 株式会社日立製作所 個人認証装置
JP4464370B2 (ja) * 2006-06-07 2010-05-19 株式会社日立製作所 照明装置及び表示装置
JP5147226B2 (ja) * 2006-12-15 2013-02-20 株式会社日立製作所 固体撮像素子、光検出器及びこれを用いた認証装置
JP2008149019A (ja) 2006-12-19 2008-07-03 Sanyo Electric Co Ltd 能動型センサ、個人認証装置、携帯端末及び信号抽出方法
JP2008210105A (ja) * 2007-02-26 2008-09-11 Hitachi Maxell Ltd 生体情報取得デバイス
JP4844481B2 (ja) 2007-06-25 2011-12-28 株式会社日立製作所 撮像装置及びこれを搭載した装置
US7760215B2 (en) * 2007-07-20 2010-07-20 Seiko Epson Corporation Line head and an image forming apparatus using the line head
JP2009043138A (ja) 2007-08-10 2009-02-26 Hitachi Maxell Ltd 生体情報取得装置
JP2009105106A (ja) * 2007-10-22 2009-05-14 Hitachi Ltd 光送受信モジュール
US8896545B2 (en) * 2009-11-24 2014-11-25 Microsoft Corporation Angularly-selective sensor-in-pixel image detection
US8708520B2 (en) * 2010-04-30 2014-04-29 Seiko Epson Corporation Illumination device and electronic apparatus
JP5611862B2 (ja) * 2011-03-04 2014-10-22 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置の製造方法
JP5742348B2 (ja) 2011-03-23 2015-07-01 セイコーエプソン株式会社 撮像装置
JP2012221082A (ja) 2011-04-06 2012-11-12 Seiko Epson Corp センシング装置および電子機器
JP2012222483A (ja) 2011-04-06 2012-11-12 Seiko Epson Corp センシング装置および電子機器
JP5712746B2 (ja) 2011-04-06 2015-05-07 セイコーエプソン株式会社 センシング装置および電子機器
JP2012222484A (ja) 2011-04-06 2012-11-12 Seiko Epson Corp センシング装置および電子機器
JP6069822B2 (ja) 2011-10-12 2017-02-01 セイコーエプソン株式会社 撮像方法、生体認証方法、撮像装置および生体認証装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6482093A (en) * 1987-09-25 1989-03-28 Alps Electric Co Ltd El panel construction for light source
JP2008098617A (ja) * 2006-08-31 2008-04-24 Fraunhofer Ges 集積有機発光素子を備えるリフレックスカプラ
JP2009110452A (ja) * 2007-10-31 2009-05-21 Hitachi Ltd 撮像装置、撮像装置の製造方法及び撮像装置を搭載した装置
WO2012037027A1 (en) * 2010-09-13 2012-03-22 Agc Flat Glass North America, Inc. Monolithic image perception device and method

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3035244A1 (en) 2014-12-17 2016-06-22 Seiko Epson Corporation Image acquisition apparatus, biological body information acquisition apparatus, and electronic apparatus
JP2016115862A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 セイコーエプソン株式会社 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器
WO2016098283A1 (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 セイコーエプソン株式会社 画像取得装置、生体情報取得装置、電子機器
US9710692B2 (en) 2015-05-29 2017-07-18 Seiko Epson Corporation Imaging device, and controlling method of imaging device
WO2018037862A1 (ja) * 2016-08-23 2018-03-01 株式会社ニコン 撮像素子および撮像システム
CN109644246A (zh) * 2016-08-23 2019-04-16 株式会社尼康 摄像元件以及摄像系统
JPWO2018037862A1 (ja) * 2016-08-23 2019-06-20 株式会社ニコン 撮像素子および撮像システム
TWI727081B (zh) * 2016-08-23 2021-05-11 日商尼康股份有限公司 攝影元件及攝影系統
US11057578B2 (en) 2016-08-23 2021-07-06 Nikon Corporation Image-capturing device and image-capturing system
CN109644246B (zh) * 2016-08-23 2022-01-14 株式会社尼康 摄像元件以及摄像系统
WO2019012583A1 (ja) * 2017-07-10 2019-01-17 シャープ株式会社 Elデバイス、elデバイスの製造方法、及びelデバイスの製造装置
US10770522B2 (en) 2017-07-10 2020-09-08 Sharp Kabushiki Kaisha EL device, manufacturing method for EL device, and manufacturing apparatus for EL device

Also Published As

Publication number Publication date
CN103685883A (zh) 2014-03-26
JP6074981B2 (ja) 2017-02-08
US20150325615A1 (en) 2015-11-12
US9111831B2 (en) 2015-08-18
US20140084405A1 (en) 2014-03-27
US9543344B2 (en) 2017-01-10
CN103685883B (zh) 2017-12-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6074981B2 (ja) 撮像装置
JP6044239B2 (ja) 撮像装置および医療機器
CN207586941U (zh) 一种检测装置及终端设备
US10430636B2 (en) Display panel and display device
US10339359B2 (en) Display panel and display device
CN107799541B (zh) 集成化感测模块及其制造方法以及集成化感测组件
WO2018024117A1 (zh) 一种表面纹理识别显示装置
WO2017206676A1 (zh) 一种显示屏
CN109271829B (zh) 取像装置
KR20190140439A (ko) 이미지 획득 시스템
US8444331B2 (en) Camera module
JP2012221141A (ja) 画像取得装置、生体認証装置、電子機器
CN111653599B (zh) 指纹识别显示面板和显示装置
JP2012222484A (ja) センシング装置および電子機器
JP2012217570A (ja) 生体情報生成装置
WO2017156976A1 (zh) 光学指纹传感器模组
JP2014022675A (ja) センシング装置、検査装置、及び電子機器
JP2010091864A (ja) 光学部品、撮像装置、生体情報取得装置、及び光学部品の製造方法
JP2012222483A (ja) センシング装置および電子機器
JP6055167B2 (ja) 撮像装置
JP2014089997A (ja) 撮像装置および照明装置
JP6065083B2 (ja) 画像取得装置、生体認証装置、電子機器
CN116075869A (zh) 指纹识别模组、其制作方法及显示装置
JP2017103347A (ja) 基板同士の組立方法
JP2014086567A (ja) 撮像装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20150403

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20150821

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20160531

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20160607

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20160801

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20161213

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20161226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6074981

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150