JP2014052261A - 検査装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】この外観検査装置(検査装置)100は、互いに異なる波長領域を有する複数の照明色で照明光を照射可能に構成された照明部10と、照明光を用いて太陽電池セル1を撮像する撮像部20と、太陽電池セル1の撮像画像60を複数の照明色毎に取得するとともに、照明色毎の照明光の太陽電池セル1による反射強度または反射防止膜3の膜厚dに応じて、照明色毎の撮像画像60のうちから検査に用いる画像を選択し、選択した撮像画像60に基づいて太陽電池セル1の検査を行う制御部30とを備える。
【選択図】図1
Description
まず、図1を参照して、本発明の第1実施形態による外観検査装置100の全体構成について説明する。第1実施形態では、太陽電池セルの表面に成膜された反射防止膜の欠陥(太陽電池セルの表面欠陥)の検査を行う外観検査装置100に本発明を適用した例について説明する。
次に、図1、図6〜図9を参照して、本発明の第2実施形態による外観検査装置200について説明する。第2実施形態では、上記第1実施形態による構成に加えて、撮像画像の部分画像毎に欠陥検査を行うように構成した例について説明する。なお、第2実施形態では、上記第1実施形態による外観検査装置100と装置構成は同一であるので、説明を省略する。なお、外観検査装置200は、本発明の「検査装置」の一例である。
2 半導体基板(多結晶半導体)
3 反射防止膜
10 照明部
20 撮像部
30、230 制御部
60、60a、60b、60c 撮像画像
80 部位画像
100、200 外観検査装置(検査装置)
d 膜厚
Th 判定閾値
Claims (11)
- 反射防止膜を成膜した太陽電池セルの検査装置であって、
互いに異なる波長領域を有する複数の照明色で照明光を照射可能に構成された照明部と、
前記照明光を用いて前記太陽電池セルを撮像する撮像部と、
前記太陽電池セルの撮像画像を複数の照明色毎に取得するとともに、照明色毎の前記照明光の前記太陽電池セルによる反射強度または前記反射防止膜の膜厚に応じて、照明色毎の前記撮像画像のうちから検査に用いる画像を選択し、選択した前記撮像画像に基づいて前記太陽電池セルの検査を行う制御部とを備える、検査装置。 - 前記制御部は、照明色ごとの複数の前記撮像画像のうちから、前記反射強度を反映した照明色毎の前記撮像画像の信号強度に基づいて前記撮像画像を選択するか、または、前記反射防止膜の膜厚に基づいて前記撮像画像を選択するように構成されている、請求項1に記載の検査装置。
- 前記複数の照明色は、少なくとも赤色および青色を含む、請求項2に記載の検査装置。
- 前記制御部は、照明色毎の複数の前記撮像画像のうちから、相対的に信号強度の低い撮像画像を選択するか、または、前記反射防止膜の膜厚に対応する照明色の撮像画像を選択するように構成されている、請求項3に記載の検査装置。
- 前記制御部は、選択した前記撮像画像の照明色に応じた判定閾値を用いて、前記太陽電池セルに成膜された前記反射防止膜の欠陥検査を行うように構成されている、請求項1〜4のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記制御部は、前記太陽電池セルの複数部位について、それぞれ照明色毎の部位画像を取得し、前記太陽電池セルの部位毎に、検査に用いる前記部位画像の選択と、選択した前記部位画像に基づく検査とを行うように構成されている、請求項1〜5のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記制御部は、複数の前記撮像画像の信号強度の平均値または中央値を比較し、平均値または中央値が最も低い照明色の前記撮像画像を選択するように構成されている、請求項4に記載の検査装置。
- 前記制御部は、照明光波長と前記太陽電池セルの反射強度との理論曲線とのフィッティングにより、照明色毎の前記撮像画像の信号強度に対応する前記反射防止膜の膜厚を取得し、取得した前記反射防止膜の膜厚を含む所定の膜厚範囲に対応する照明色の撮像画像を選択するように構成されている、請求項4に記載の検査装置。
- 前記制御部は、照明色毎の前記反射強度と前記反射防止膜の膜厚とを関係付ける基準データを用いて、前記撮像画像の信号強度に対応する前記反射防止膜の膜厚を取得し、取得した前記反射防止膜の膜厚を含む所定の膜厚範囲に対応する照明色の撮像画像を選択するように構成されている、請求項4に記載の検査装置。
- 前記複数の照明色は、赤色、青色および緑色を含む、請求項1〜9のいずれか1項に記載の検査装置。
- 前記太陽電池セルは、多結晶半導体を含み、
前記反射防止膜は、シリコン窒化膜である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の検査装置。
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2016001139A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 株式会社島津製作所 | 検査装置及び検査方法 |
TWI551871B (zh) * | 2014-06-09 | 2016-10-01 | Kobe Steel Ltd | Oxide semiconductor evaluation device and method thereof |
JP6094917B1 (ja) * | 2016-06-07 | 2017-03-15 | 紘一 勝又 | 反射防止膜を最適設計する方法及び太陽光発電装置 |
KR20200007292A (ko) * | 2018-07-12 | 2020-01-22 | (주) 인텍플러스 | 배터리 외관 검사장치 |
CN114813783A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-07-29 | 慧之安信息技术股份有限公司 | 芯片表面瑕疵检测方法 |
KR102572762B1 (ko) * | 2022-12-19 | 2023-08-31 | 주식회사 맥사이언스 | 탠덤 솔라셀 전계발광 이미지 검사 장치 |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6758197B2 (ja) * | 2015-01-28 | 2020-09-23 | 東レエンジニアリング株式会社 | ワイドギャップ半導体基板の欠陥検査方法及び欠陥検査装置 |
US10586880B2 (en) | 2015-10-21 | 2020-03-10 | Mitsubishi Electric Corporation | Solar cell manufacturing method |
JP6954142B2 (ja) * | 2018-01-17 | 2021-10-27 | オムロン株式会社 | 画像検査装置および照明装置 |
CN109406531A (zh) * | 2018-10-23 | 2019-03-01 | 凌云光技术集团有限责任公司 | 一种光伏玻璃镀膜缺陷检测系统 |
CN109632824B (zh) * | 2019-01-11 | 2020-04-21 | 英特尔产品(成都)有限公司 | 用于物体异常检查的物体检查系统 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174448A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの位置決め装置及びパターン検査装置 |
JP2000258348A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001281162A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2006113022A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルムの欠陥検出装置および方法 |
JP2008058270A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2001108639A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Ricoh Co Ltd | 欠陥検出方法及び欠陥検出装置 |
US20020186878A1 (en) * | 2001-06-07 | 2002-12-12 | Hoon Tan Seow | System and method for multiple image analysis |
EP1738156A4 (en) * | 2004-04-19 | 2017-09-27 | Phoseon Technology, Inc. | Imaging semiconductor strucutures using solid state illumination |
JP2005308615A (ja) * | 2004-04-23 | 2005-11-04 | Olympus Corp | 表面欠陥検査装置 |
KR20070099398A (ko) * | 2006-04-03 | 2007-10-09 | 삼성전자주식회사 | 기판검사장치와 이를 이용한 기판검사방법 |
KR101382020B1 (ko) * | 2006-07-14 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 니콘 | 표면 검사 장치 |
JP4389982B2 (ja) * | 2007-08-09 | 2009-12-24 | オムロン株式会社 | 基板外観検査装置 |
JP5263291B2 (ja) * | 2008-07-18 | 2013-08-14 | 旭硝子株式会社 | 欠陥検査のための画像データの処理装置および方法、これらを用いた欠陥検査装置および方法、これらを用いた板状体の製造方法、並びに記録媒体 |
JP4719284B2 (ja) * | 2008-10-10 | 2011-07-06 | トヨタ自動車株式会社 | 表面検査装置 |
JP5444823B2 (ja) * | 2009-05-01 | 2014-03-19 | 信越半導体株式会社 | Soiウェーハの検査方法 |
JP5525336B2 (ja) * | 2010-06-08 | 2014-06-18 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 欠陥検査方法および欠陥検査装置 |
-
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Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06174448A (ja) * | 1992-12-09 | 1994-06-24 | Seiko Epson Corp | 液晶パネルの位置決め装置及びパターン検査装置 |
JP2000258348A (ja) * | 1999-03-10 | 2000-09-22 | Nidek Co Ltd | 欠陥検査装置 |
JP2001281162A (ja) * | 2000-04-03 | 2001-10-10 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
JP2006113022A (ja) * | 2004-10-18 | 2006-04-27 | Toppan Printing Co Ltd | 反射防止フィルムの欠陥検出装置および方法 |
JP2008058270A (ja) * | 2006-09-04 | 2008-03-13 | Mitsubishi Electric Corp | 多結晶シリコン基板の検査方法および太陽電池セルの検査方法、並びに赤外線検査装置 |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI551871B (zh) * | 2014-06-09 | 2016-10-01 | Kobe Steel Ltd | Oxide semiconductor evaluation device and method thereof |
JP2016001139A (ja) * | 2014-06-12 | 2016-01-07 | 株式会社島津製作所 | 検査装置及び検査方法 |
JP6094917B1 (ja) * | 2016-06-07 | 2017-03-15 | 紘一 勝又 | 反射防止膜を最適設計する方法及び太陽光発電装置 |
JP2017220655A (ja) * | 2016-06-07 | 2017-12-14 | 紘一 勝又 | 反射防止膜を最適設計する方法及び太陽光発電装置 |
KR20200007292A (ko) * | 2018-07-12 | 2020-01-22 | (주) 인텍플러스 | 배터리 외관 검사장치 |
KR102137539B1 (ko) | 2018-07-12 | 2020-07-24 | (주) 인텍플러스 | 배터리 외관 검사장치 |
CN114813783A (zh) * | 2022-03-31 | 2022-07-29 | 慧之安信息技术股份有限公司 | 芯片表面瑕疵检测方法 |
CN114813783B (zh) * | 2022-03-31 | 2022-11-15 | 慧之安信息技术股份有限公司 | 芯片表面瑕疵检测方法 |
KR102572762B1 (ko) * | 2022-12-19 | 2023-08-31 | 주식회사 맥사이언스 | 탠덤 솔라셀 전계발광 이미지 검사 장치 |
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