JP2014045121A - 微細パターン形成用ロール - Google Patents
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Abstract
【解決手段】微細パターン形成用ロール(10)は、ロール状モールドを製造するために使用され、ロール基材(11)と、ロール基材(11)の表面に形成されたレジスト膜(12)とを具備する。レジスト膜(12)をマスクとしてロール状モールドに微細パターンを形成する。ロール状モールドの微細パターンのピッチが1nm以上1μm以下であり、レジスト膜(12)の膜厚が10nm以上1000nm以下であり、且つ、レジスト膜(12)の膜厚の分布が±2.0%を超え、±50%以下である。
【選択図】図2
Description
φ80mm、長さ400mmの石英ガラスロール基材上に、酸化第一銅(94mol%)とシリコン(6mol%)とを含む熱反応型レジスト材料を、スパッタリング法を用いて25nmの膜厚で成膜した。
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:1mW〜25mW
送りピッチ:100nm〜800nm
回転速度:210〜1670rpm
周波数:1.1〜55.34MHz
Duty:1.87〜99.2%
比較例1、2では、実施例1で実施した内容において、成膜レートを早く調整することで、成膜中のロール基材の回転数を1回及び100回にした以外は、すべて同じ条件で実験を行った。
2 凸部
3 凹部
10、70 微細パターン形成用ロール
11 ロール基材
12 レジスト膜
30 成膜装置
31 ロードロック室
32、36、102 バルブ
33 チャンバ
34 ターゲット
35 駆動手段
37、103 真空ポンプ
38 放電ガス供給部
39 反応ガス供給部
40 マッチング回路
41 電源
71 エッチング層
80 露光装置
81 スピンドルモーター
82 光学系
83、87 半導体レーザー
84、88 コリメータ
85 ミラー
86 対物レンズ
89 ダイクロイックミラー
90 集光レンズ
91 フォトディテクタ
100 エッチング装置
101 真空槽
104 エッチングガス供給部
105 ステージ
106 高周波電源
107 対向電極
Claims (7)
- ロール状モールドを製造するために使用される、ロール基材と、前記ロール基材の表面に形成されたレジスト膜とを具備する微細パターン形成用ロールであって、
前記ロール状モールドの微細パターンのピッチが1nm以上1μm以下であり、
前記レジスト膜の膜厚が10nm以上1000nm以下であり、且つ、
前記レジスト膜の膜厚の分布が±2.0%を超え、±50%以下であることを特徴とする微細パターン形成用ロール。 - 前記レジスト膜は、蒸着法、CVD法又はスパッタ法のいずれかを用いて形成することを特徴とする請求項1記載の微細パターン形成用ロール。
- 前記レジスト膜のレジスト膜材料が熱反応型レジスト材料であることを特徴とする請求項1又は請求項2記載の微細パターン形成用ロール。
- 前記熱反応型レジスト材料が無機材料であることを特徴とする請求項3記載の微細パターン形成用ロール。
- 前記ロール基材が石英で構成されることを特徴とする請求項1から請求項4のいずれかに記載の微細パターン形成用ロール。
- 前記ロール基材の表面粗さRaが5nm以下であり、偏心が30μm以下であり、且つ、動バランスが300g・mm以下であることを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の微細パターン形成用ロール。
- 請求項1から請求項6のいずれかに記載の微細パターン形成用ロールのレジスト膜をマスクとして前記ロール基材をエッチングして、その表面にピッチ1nm以上1μm以下の微細パターンを形成して得られることを特徴とするロール状モールド。
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Citations (4)
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---|---|---|---|---|
WO2009093700A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | シームレスモールドの製造方法 |
JP2012049177A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Asahi Kasei Corp | 微細パターン形成方法及び露光装置 |
JP2012068453A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Asahi Kasei Corp | 積層体及び積層体の製造方法並びに積層体を用いたモールドの製造方法 |
JP2014043068A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 微細パターン形成用ロール |
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2012
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Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2009093700A1 (ja) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | シームレスモールドの製造方法 |
JP2012049177A (ja) * | 2010-08-24 | 2012-03-08 | Asahi Kasei Corp | 微細パターン形成方法及び露光装置 |
JP2012068453A (ja) * | 2010-09-24 | 2012-04-05 | Asahi Kasei Corp | 積層体及び積層体の製造方法並びに積層体を用いたモールドの製造方法 |
JP2014043068A (ja) * | 2012-08-28 | 2014-03-13 | Asahi Kasei E-Materials Corp | 微細パターン形成用ロール |
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