JP5466468B2 - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5466468B2 JP5466468B2 JP2009231637A JP2009231637A JP5466468B2 JP 5466468 B2 JP5466468 B2 JP 5466468B2 JP 2009231637 A JP2009231637 A JP 2009231637A JP 2009231637 A JP2009231637 A JP 2009231637A JP 5466468 B2 JP5466468 B2 JP 5466468B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- gas
- layer
- resist
- dry etching
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
先ず、本発明に用いる積層体について図1(a)を参照して説明する。本実施の形態に係るドライエッチング方法は、基板1と、この基板1上に順に積層されたエッチング層2と、このエッチング層2の上に積層されたレジスト層3と、を備える積層体に対するドライエッチング方法である。このドライエッチング方法は、エッチング材料を含有するエッチング層2及び熱反応型レジスト材料を含有するレジスト層3を備える積層体に対し、所定の組成を有するエッチングガスを用いることにより、ドライエッチング工程でのエッチング選択性を向上し、高いアスペクト比を有する微細パターンの形成を実現するものである。
図1(a)に示すように、まず、例えば、ガラス、またはシリコンウェーハなどを用いて作製した基板1の上に、エッチング層2を所望の膜厚t1で成膜する。次いで、このエッチング層2上にレジスト層3を成膜する。レジスト層3は、エッチング層2の膜厚t1より薄い膜厚t2で形成する。レジスト層3及びエッチング層2は、例えば、スパッタ法により(それぞれ40nm、300nm程度の膜厚で)成膜される。
レジスト膜、SiO2膜上に部分的にドライエッチングのマスクを形成し、同条件でドライエッチングを行った後に、該マスクを除去し、マスク部と非マスク部で形成される段差を段差計により測定することで、レジストとSiO2それぞれのエッチングレートを求めた。エッチング選択比はSiO2のエッチングレート/レジストのエッチングレートで表される数値とした。該ドライエッチングのマスクとしては、フォトレジスト、カプトンテープによるマスクを用いることが可能である。
基板1上にエッチング層2として、スパッタリング法によりSiO2を350nm成膜した。続いて、熱反応型レジスト層3として、GeSbを20nm〜40nm成膜した。MoNb、GaSbを用いた熱反応型レジスト層に関しても同様に成膜できる。以上のように成膜したレジスト層3を以下の条件で露光した。
露光用半導体レーザー波長:405nm
レンズ開口数:0.85
露光レーザーパワー:1mW〜10mW
送りピッチ:150nm〜350nm
製造例1で製造した積層体のうち、熱反応型レジストがGeSb、MoNbで構成される積層体を用いてドライエッチングを行った。
製造例1で製造した積層体のうち、熱反応型レジストがGeSb、MoNb、GaSbで構成される積層体を用いてC4F8とArの混合ガスを用いた場合のエッチング選択比の変化を測定した。ドライエッチングの高周波電力を300W、エッチング中の圧力を5Paとした。その結果を図3に示す。図3は、横軸にC4F8の流量変化を示し、縦軸にエッチング選択比を示している。図3に示すように、混合ガスの総流量を50sccmとして、C4F8の添加割合を変化させていったとき、C4F8が6sccm添加時に最大のエッチング選択比となることがわかる。C4F8単体で用いた場合、エッチング層をエッチングすることが不可能なため比較は出来ないが、選択比は、それぞれGaSb:17.6、MoNb:12.5であった。
製造例1で製造した積層体のうち、熱反応型レジストがGeSb、MoNb、GaSbで構成される積層体を用いてCF4とC4F8の混合ガスを用いた場合の選択比の変化を測定した。ドライエッチングの高周波電力を300W、エッチング中の圧力を5Paとした。その結果を図4に示す。図4は、横軸にC4F8の流量を示し、縦軸にエッチング選択比を示している。図4に示すように、混合ガスの総流量を50sccmとして、C4F8の添加割合を変化させていったとき、C4F8が15または16sccm添加時に最大の選択比となることがわかる。選択比は、それぞれGaSb:12、MoNb:10であった。
2 エッチング層
3 レジスト層
4 レジスト開口部
5 レジストパターン
6 エッチングパターン
Claims (3)
- 基板と、前記基板上に積層され、Si及びSiO2からなる群から選ばれた少なくとも1種のエッチング材料を含有するエッチング層と、前記エッチング層上に積層され、GeSb又はMoNbを含有する熱反応型レジスト層と、を備えた積層体に対するエッチングガスを用いるドライエッチング方法であって、
前記エッチングガスは、C4F8とArとの混合ガスであり、前記C4F8への前記Arの混合量が12体積%〜16体積%であるとともに、前記エッチングガス全体のFのCに対するモル比F/Cが3以下であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 基板と、前記基板上に積層され、Si及びSiO2からなる群から選ばれた少なくとも1種のエッチング材料を含有するエッチング層と、前記エッチング層上に積層され、GaSb又はMoNbを含有する熱反応型レジスト層と、を備えた積層体に対するエッチングガスを用いるドライエッチング方法であって、
前記エッチングガスは、CHF3とArとの混合ガスであり、前記CHF3への前記Arの混合量が15体積%〜25体積%であるとともに、前記エッチングガス全体のFのCに対するモル比F/Cが3以下であることを特徴とするドライエッチング方法。 - 基板と、前記基板上に積層され、Si及びSiO2からなる群から選ばれた少なくとも1種のエッチング材料を含有するエッチング層と、前記エッチング層上に積層され、GaSb又はMoNbを含有する熱反応型レジスト層と、を備えた積層体に対するエッチングガスを用いるドライエッチング方法であって、
前記エッチングガスは、CF4とC4F8との混合ガスであり、前記CF4への前記C4F8の混合量が20体積%〜32体積%であるとともに、前記エッチングガス全体のFのCに対するモル比F/Cが3以下であることを特徴とするドライエッチング方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231637A JP5466468B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009231637A JP5466468B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | ドライエッチング方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011082260A JP2011082260A (ja) | 2011-04-21 |
JP2011082260A5 JP2011082260A5 (ja) | 2012-11-22 |
JP5466468B2 true JP5466468B2 (ja) | 2014-04-09 |
Family
ID=44076030
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009231637A Active JP5466468B2 (ja) | 2009-10-05 | 2009-10-05 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5466468B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20140065834A1 (en) * | 2011-03-25 | 2014-03-06 | Hoya Corporation | Method of manufacturing mold for nano-imprint and substrate fabricating method |
JP6529357B2 (ja) * | 2015-06-23 | 2019-06-12 | 東京エレクトロン株式会社 | エッチング方法 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0855857A (ja) * | 1994-08-15 | 1996-02-27 | Yamaha Corp | 絶縁膜加工法 |
JP2002217285A (ja) * | 2001-01-15 | 2002-08-02 | Canon Inc | 半導体装置の製造方法 |
JP2003151956A (ja) * | 2001-11-19 | 2003-05-23 | Sony Corp | 半導体装置製造工程における窒化シリコン膜のエッチング方法 |
US7291446B2 (en) * | 2004-03-17 | 2007-11-06 | Tokyo Electron Limited | Method and system for treating a hard mask to improve etch characteristics |
TWI417181B (zh) * | 2008-01-25 | 2013-12-01 | Asahi Kasei E Materials Corp | The manufacturing method of seamless mold |
-
2009
- 2009-10-05 JP JP2009231637A patent/JP5466468B2/ja active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2011082260A (ja) | 2011-04-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101614628B1 (ko) | 미세 요철 구조체, 건식 에칭용 열반응형 레지스트 재료, 몰드의 제조 방법 및 몰드 | |
US7838180B2 (en) | Mask blank, method of manufacturing an exposure mask, and method of manufacturing an imprint template | |
Sarangan | Nanofabrication | |
WO2002023272A1 (en) | Dual layer reticle blank and manufacturing process | |
CN108037636B (zh) | 一种超衍射极限纳米图形的制作方法 | |
JP5466468B2 (ja) | ドライエッチング方法 | |
JP5693914B2 (ja) | 熱反応型レジスト材料 | |
EP2251741A2 (en) | Etching method and photomask blank processing method | |
US20220043335A1 (en) | Mask blank, transfer mask, and semiconductor-device manufacturing method | |
US20220035235A1 (en) | Mask blank, transfer mask, and semiconductor-device manufacturing method | |
JP6307269B2 (ja) | 微細パターン形成用積層体、モールドの製造方法 | |
JP5661343B2 (ja) | パターン構造の製造方法 | |
CN103094476B (zh) | 相变合金材料的无损刻蚀方法 | |
JP5718613B2 (ja) | 熱反応型レジスト材料 | |
EP4212956A1 (en) | Phase shift mask blank, phase shift mask, and method for manufacturing phase shift mask | |
JP2012068453A (ja) | 積層体及び積層体の製造方法並びに積層体を用いたモールドの製造方法 | |
JP2012049177A (ja) | 微細パターン形成方法及び露光装置 | |
KR20040030501A (ko) | X-ray/euv 투사 리소그래피에 의한 금속/반도체화합물 구조의 형성 | |
JP2014241183A (ja) | ドライエッチング用積層体、モールドの製造方法及びモールド | |
JP6097028B2 (ja) | モールドの製造方法及びレジストパターンの形成方法 | |
JP2014240949A (ja) | レジスト剥離液及びレジスト剥離方法 | |
JP6522989B2 (ja) | 熱反応型レジスト薄膜、及びそれを用いたモールドの製造方法 | |
JP6206632B2 (ja) | ナノインプリント用ブランクスおよびナノインプリント用テンプレートの製造方法 | |
JP2013102079A (ja) | 積層体及びこの積層体を用いたモールドの製造方法 | |
JP6532703B2 (ja) | 熱反応型レジスト材料、熱反応型レジスト薄膜、及びそれを用いたモールドの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121005 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20121005 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130523 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130726 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130924 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711 Effective date: 20131001 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131122 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140121 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140124 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
S801 | Written request for registration of abandonment of right |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R311801 |
|
ABAN | Cancellation of abandonment | ||
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |