JP2014045048A - 固体撮像装置及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】パッケージレスの固体撮像装置でありながらも、撮像領域を覆う透光性板上の異物やキズの影響を低減することができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１は、撮像領域２ａを有する半導体チップ２と、撮像領域２ａを覆う透光性板３と、撮像領域２ａを取り囲むように半導体チップ２と透光性板３との間に設けられて、半導体チップ２と透光性板３とを接合し、０．５ｍｍ以上の高さを有するスペーサ４と、を備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、固体撮像装置及びその製造方法に関するものである。

従来のパッケージレスの固体撮像装置は、一般的に、撮像領域を有するシリコンチップと、前記撮像領域を覆うように前記シリコンチップに接合されたガラス板とを備えている。このような従来の固体撮像装置の一例として、下記特許文献１の図４（Ｅ）には、いわゆるＣＯＧ（Chip on glass）構造を有する固体撮像装置が開示されている。

このような従来のパッケージレスの固体撮像装置では、前記撮像領域と前記ガラス板との間の間隔は非常に狭くされていた。

特開平１１−１２１６５３号公報

しかしながら、前記従来のパッケージレスの固体撮像装置では、前記撮像領域と前記ガラス板との間の間隔は非常に狭くされているので、透光性板上のゴミ等の異物やキズが前記撮像領域の表面に高コントラストで投影されて、撮像画像に写り込んでしまう。したがって、許容される透光性板上の異物やキズの規格がシビアのものとなってしまう結果、当該固体撮像装置の歩留りが低下して、コストアップを免れない。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたもので、パッケージレスの固体撮像装置でありながらも、撮像領域を覆う透光性板上の異物やキズの影響を低減することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することを目的とする。

前記課題を解決するための手段として、以下の各態様を提示する。第１の態様による固体撮像装置は、撮像領域を有する半導体チップと、前記撮像領域を覆う透光性板と、前記撮像領域を取り囲むように前記半導体チップと前記透光性板との間に設けられて、前記半導体チップと透光性板とを接合し、０．５ｍｍ以上の高さを有するスペーサと、を備えたものである。

第２の態様による固体撮像装置は、前記第１の態様において、前記スペーサの高さをｄとしたとき、前記スペーサは前記撮像領域の周縁からｄ／２．８以上の距離離れたものである。

第３の態様による固体撮像装置は、前記第１又は第２の態様において、前記スペーサは、１Ｇｐａ以下のヤング率を有する材料で構成されたものである。

第４の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第３のいずれかの態様において、前記半導体チップは、パッシベーション膜及び有機材料層を有し、前記スペーサは、前記有機材料層を介することなく、前記パッシベーション膜に接合されたものである。

第５の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記スペーサは接着剤のみからなるものである。

第６の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第４のいずれかの態様において、前記スペーサは、スペーサ部材と、前記スペーサ部材の前記透光性板側の面に設けられた第１の接着剤と、前記スペーサ部材の前記半導体チップ側の面に設けられた第２の接着剤とを有するものである。

第７の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第６のいずれかの態様において、前記透光性板は、平面視で前記半導体チップからはみ出さない大きさを有するものである。

第８の態様による固体撮像装置は、前記第１乃至第７のいずれかの態様による固体撮像装置を製造する方法であって、前記半導体チップに相当する部分が複数分一体化された状態の半導体ウエハを用意する段階と、前記半導体ウエハの前記半導体チップに相当する部分の各々の上に、前記スペーサを形成する段階と、予め個片化された前記透光性板を前記各スペーサ上に接合する段階と、前記接合する段階の後に、前記半導体ウエハを前記半導体チップの個々にダイシングする段階と、を備えたものである。

本発明によれば、パッケージレスの固体撮像装置でありながらも、撮像領域を覆う透光性板上の異物やキズの影響を低減することができる固体撮像装置及びその製造方法を提供することができる。

本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。 図１中の一部を拡大した拡大概略断面図である。 図１中の半導体チップの各領域を模式的に示す概略平面図である。 素子面反り量の、スペーサのヤング率依存性のシミュレーション結果を示すグラフである。 図４に示すシミュレーション結果を示す数値データシートである。 図１に示す固体撮像装置の製造方法の一例の各工程を模式的に示す概略断面図である。 本実施の形態の第２の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す一部拡大概略断面図である。 本発明の第３の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第４の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。 本発明の第５の実施の形態による固体撮像装置を模式的に示す概略断面図である。

以下、本発明による固体撮像装置及びその製造方法について、図面を参照して説明する。

［第１の実施の形態］
図１は、本発明の第１の実施の形態による固体撮像装置１を模式的に示す概略断面図である。図２は、図１中の一部を拡大した拡大概略断面図である。図３は、図１中の半導体チップ２の各領域を模式的に示す概略平面図である。理解を容易にするため、図３において、スペーサ４を破線で示している。

本実施の形態による固体撮像装置１は、パッケージレスのベアチップ実装タイプの固体撮像装置であり、撮像領域（受光領域）２ａを有する半導体チップ２と、撮像領域２ａを覆う透光性板３と、スペーサ４とを備えている。スペーサ４は、撮像領域２ａを取り囲むように半導体チップ２と透光性板３との間に設けられて、半導体チップ２と透光性板３とを接合し、０．５ｍｍ以上の高さｄを有している。

本実施の形態では、半導体チップ２は、チップとして構成されたＣＭＯＳ、ＣＣＤ等のイメージセンサであり、撮像領域２ａには複数の画素（図示せず）が２次元状に配置されている。半導体チップ２は、透光性板３を介して撮像領域２ａに入射した入射光を光電変換して、画像信号を出力する。本実施の形態では、半導体チップ２には、前記画素を駆動して画像信号を読み出す読み出し回路（図示せず）も搭載されている。

本実施の形態では、透光性板３は、平面視で前記半導体チップからはみ出さない大きさを有している。もっとも、本発明では、透光性板３の大きさはこれに限らない。透光性板３は、ガラス板でもよいし、水晶板や透明樹脂板などでもよい。また、透光性板３は、単なる透明板に限らず、ローパスフィルタや赤外線カットフィルタなどでもよい。これらの点は、後述する実施の形態についても同様である。

半導体チップ２において、最上の配線層５の上側には、半導体チップ２のほぼ全領域に渡って、シリコン酸化膜などのパッシベーション膜６が形成されている。

半導体チップ２は、撮像領域２ａにおいて、パッシベーション膜６上に、有機材料層からなるカラーフィルタ７、及び、有機材料層からなるマイクロレンズ８を有している。カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８は、撮像領域２ａのみならず、その周囲にも形成されている。しかし、本実施の形態では、図３においてハッチングを付した周辺領域Ｒには、カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８が形成されておらず、有機材料層は形成されていない。この周辺領域Ｒでは、パッシベーション膜６が半導体チップ２の最上層となっている。本実施の形態では、スペーサ４は周辺領域Ｒに配置され、スペーサ４がパッシベーション膜６に直接に接合されている。

スペーサ４は、撮像領域２ａの周縁からｄ／２．８以上の距離Ｌ離れていることが好ましい。ｄは前述したようにスペーサ４の高さである。距離Ｌがｄ／２．８以上であれば、入射光がＦ値１．４の光束であると想定した場合であっても、その入射光のスペーサ４によるケラレが、発生しなくなる。

本実施の形態では、スペーサ４は接着剤９のみで構成されている。接着剤９の材料は、特に限定されるものではないが、後述するように、１Ｇｐａ（１×１０^９ｐａ）以下のヤング率（室温２５℃でのヤング率）を有する材料であることが好ましい。１Ｇｐａ（１×１０^９ｐａ）以下のヤング率を有する接着剤９としては、アクリル系樹脂やシリコン系樹脂を挙げることができる。また、接着剤９の材料は、例えば、接着性（粘着性）を有するエポキシ系樹脂でもよい。この場合、接着剤９として、例えば、感光性を有し露光及び現像可能な市販のダイアタッチフィルムを用いることができる。

半導体チップ２の上面におけるスペーサ４よりも更に周辺側には、外部配線用の電極パッド（図示せず）が形成されている。また、外部引き出し用のフレキシブルプリント基板１１の下面には、半導体チップ２と電気的に接続するための電極パッド（図示せず）が形成されている。そして、半導体チップ２の前記電極パッドとフレキシブルプリント基板１１の前記電極パッドとの間が、バンプ１２によって接合されている。また、半導体チップ２とフレキシブルプリント基板１１との間は、接着剤１３によっても接合されている。

なお、パッドの結線は、狭ピッチの場合にはＡｕメッキバンプやＣｕピラーを介した半田バンプ、緩いピッチの場合にはＡｕスタッドバンプや半田バンプを介して接合されるのが、一般的である。また、外部引き出し用パッドとフレキシブルプリント基板１１の結線には、Ａｕスタッドバンプや半田バンプを介して接合されるのが一般的である。

本実施の形態による固体撮像装置１において、バンプ１２、接着剤１３及びフレキシブルプリント基板１１を取り除いた状態において、室温２５℃で半導体チップ２の撮像面（素子面）の反り量が０であった場合に、温度が室温２５℃から所定温度に変化したときの、半導体チップ２の撮像面（素子面）の反り量をシミュレーションにより得た。このシミュレーションにおいて、スペーサ４のヤング率のみを変化させ他の条件を同一にして前記反り量を得た。

図４は、このシミュレーション結果を、横軸をスペーサ４のヤング率とするとともに縦軸を半導体チップ２の撮像面の反り量（素子面反り量）としてプロットしたグラフであり、素子面反り量の、スペーサ４のヤング率依存性を示している。図５は、図４に示すシミュレーション結果を示す数値データシートである。図４及び図５において、素子面反り量は、半導体チップ２における中心部に対する周辺部の法線方向（中心部における法線の方向）の位置ずれ量の絶対値を、任意単位として示している。

本シミュレーション結果から、素子面反り量は、スペーサ４のヤング率にほぼ比例して低減することがわかる。そして、素子面反り量は、スペーサ４のヤング率が１．０Ｇｐａ以下であれば、スペーサ４のヤング率が３．０Ｇｐａの場合の素子面反り量の約１／３以下となって素子面反り量を大きく低減することができ、スペーサ４のヤング率が０．５Ｇｐａ以下であれば素子面反り量を更に低減することができ、スペーサ４のヤング率が０．１Ｇｐａ以下であれば素子面反り量をほぼゼロにすることができることがわかる。したがって、素子面反り量を低減して撮像画像の画質を向上させるためには、スペーサ４のヤング率は、１．０Ｇｐａ以下であることが好ましく、０．５Ｇｐａ以下であることがより好ましく、０．１以下であることがより一層好ましい。

次に、本実施の形態による固体撮像装置１の製造方法の一例について、図６を参照して説明する。図６は、その製造方法の各工程を模式的に示す概略断面図である。

まず、公知のウエハプロセスによって、前記半導体チップ２に相当する部分が複数分一体化された状態の半導体ウエハ２１を用意する。

次いで、この半導体ウエハ２１上に、感光性を有し露光及び現像可能なダイアタッチフィルム２２を貼付する（図６（ａ））。このダイアタッチフィルム２２は、後にスペーサ４を構成する接着剤９となるべきものである。

引き続いて、ダイアタッチフィルム２２をフォトリソグラフィにより露光及び現像して、ダイアタッチフィルム２２が各半導体チップ２のスペーサ４となるように、ダイアタッチフィルム２２をパターニングする（図６（ｂ））。

次に、ＫＧＤ（＝known good die）にのみ、事前にゴミやキズが無いことを検査済みのガラス等の透光性板３の個片を各ショット（各半導体チップ２になるべき部分）毎にスペーサ４上に搭載し、熱圧着などにより接着する（図６（ｃ））。

次いで、半導体ウエハ２１をダイシングして、半導体チップ２毎に個片化する（図６（ｄ））。その後、フレキシブルプリント基板１１を、バンプ１２及び接着剤１３により半導体チップ２の電極パットに接合する。

以上のようなＣＯＷ（＝chip on wafer）実装方法により透光性板３を搭載することにより、半導体ウエハ２１に同一形状のウエハ状の透光性板をＷ ｔｏ Ｗ（＝wafer to wafer）で搭載後に透光性板と一緒に半導体ウエハ２１をダイシングして個片化する方法と比較して、実装歩留まりが向上し、かつ実装コストが低減する。Ｗ ｔｏ Ｗでは、ＫＧＤに不良の透光性板が搭載される事象を回避できないとともに、ゴミやキズのない良品の透光性板部分が不良チップ部分上に搭載されてしまう事象を、これまた構造上回避できないので、実装歩留まりが低減し、かつ実装コストが増大する。前述したようなＣＯＷ実装方法を採用することで、前記各事象を回避することができ、実装歩留まりが向上し、かつ実装コストが低減することができるのである。

なお、前述したようなダイアタッチフィルム２２を用いてこれを露光及び現像してスペーサ４にパターニングする代わりに、スペーサ４を構成する接着剤９として、例えばＵＶ硬化タイプの接着剤を用い、ＵＶ硬化タイプの接着剤をディスペンサ塗布により図６（ａ）に示すようなパターンで半導体ウエハ２１上に形成し、ＵＶ硬化タイプの接着剤によって透光性板３を接着してもよい。

本実施の形態では、前述したように、スペーサ４の高さｄが０．５ｍｍ以上であるため、透光性板３上の異物やキズの影響を低減することができ、許容される透光性板上のゴミ等の異物やキズの規格が緩和され、固体撮像装置１の歩留りが向上して、コスト低減を図ることができる。

例えばＦ値の大きいレンズで撮影した画像を結像する場合、焦点深度が深くなり、透光性板３の裏面（撮像領域２ａ側の面）に付着したゴミやその面のキズが撮像画像に写り込んでしまう。そこで、大きなＦ値のレンズの焦点深度よりも十分離れた距離、例えば０．５ｍｍ以上離れた位置に透光性板３の裏面が配置されていれば、大きなＦ値のレンズで撮影した画像が撮像面で結像されても、例えば透光性板３裏面上のキズや付着ゴミが例えば１０〜２０ｕｍ以下であれば、撮像画像に写り込むことがなくなる。以上の理由により、スペーサ４の高さｄを０．５ｍｍ以上とすることで、透光性板３裏面から撮像面までの距離を０．５ｍｍ以上離して配置することにより、透光性板３の面のゴミやキズの欠陥規格を１０〜２０ｕｍ以下に管理することにより、透光性板３のゴミやキズの写り込みを抑制して、画質を劣化させることを回避できる。

また、本実施の形態では、前述したように、スペーサ４が配置されている周辺領域Ｒには、カラーフィルタ７及びマイクロレンズ８などの有機材料層が形成されておらず、スペーサ４がパッシベーション膜６に直接に接合されているため、スペーサ４と半導体チップ２との密着強度が高まる。

スペーサ４で封止された撮像領域２ａは、実装後は耐環境性を有する必要がある。そのためには、スペーサ４と接着された半導体チップ２における領域の密着強度は、前記耐環境性、即ち、一定の信頼性を満たしていることが必要となる。具体的には、熱衝撃に耐え得るとともに耐湿性を維持する必要がある。しかし、スペーサ４を形成する半導体チップ２上の領域に、カラーフィルタ７やマイクロレンズ８などの有機材料層が形成され、撮像素子と前記有機材料層との密着強度が弱く、前記信頼性を満たさない場合には、スペーサ４の形成後、透光性板３を貼り付けた後の実装部品において、スペーサ４を形成した箇所でスペーサ４により前記有機材料層が引き剥がされて信頼性がもたないという事態が発生するおそれがある。これに対し、本実施の形態では、半導体チップ２のシリコン基板との密着強度が高いパッシベーション膜６が領域Ｒにおいて露出されて、そのパッシベーション膜６にスペーサ４が直接に接合されているため、スペーサ４と半導体チップ２との密着強度が高まるのである。

［第２の実施の形態］
図７は、本発明の第２の実施の形態による固体撮像装置３１の一部を模式的に示す一部拡大概略断面図であり、図２に対応している。図７において、図２中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

本実施の形態による固体撮像装置３１が前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、前記第１の実施の形態では、スペーサ４が接着剤９のみで構成されているのに対し、本実施の形態では、スペーサ４が、接着性を持たないスペーサ部材３２と、スペーサ部材３２の透光性板３側の面に設けられた第１の接着剤３３と、スペーサ部材３２の半導体チップ２側の面に設けられた第２の接着剤３４とから構成されている点のみである。

接着剤３３，３４の材料は、特に限定されるものではなく、例えば、ＵＶ硬化タイプの接着剤を用いることができる。スペーサ部材の材料は、特に限定されるものではなく、各種の樹脂などを用いることができる。

なお、素子面反り量を低減して撮像画像の画質を向上させるためには、スペーサ部材３２の材料や接着剤３３，３４の材料として、１Ｇｐａ以下のヤング率を有する材料を用いることが好ましく、０．５Ｇｐａ以下のヤング率を有する材料を用いることがより好ましく、０．１Ｇｐａ以下のヤング率を有する材料を用いることがより一層好ましい。

本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。

［第３の実施の形態］
図８は、本発明の第３の実施の形態による固体撮像装置４１を模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図８において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

本実施の形態による固体撮像装置４１が前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、以下に説明する点である。

前記第１の実施の形態では、半導体チップ２には画素を駆動して画像信号を読み出す読み出し回路も搭載されているのに対し、本実施の形態では、半導体チップ２には前記読み出し回路は搭載されていない。本実施の形態による固体撮像装置４１は、前記読み出し回路の一部が搭載された半導体チップ４２と、前記読み出し回路の他の部分が搭載された半導体チップ４３とを有している。本実施の形態における半導体チップ２，４２，４３が全体として、前記第１の実施の形態における半導体チップ２と同じ機能を担うようになっている。

半導体チップ２の上面の電極パッド（図示せず）と半導体チップ４２の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ４４により接合されている。半導体チップ２と半導体チップ４２との間は、接着剤４５によっても接合されている。半導体チップ２の上面の電極パッド（図示せず）と半導体チップ４３の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ４６により接合されている。半導体チップ２と半導体チップ４２との間は、接着剤４７によっても接合されている。

外部引き出し用のフレキシブルプリント基板４８の上面の電極パット（図示せず）と半導体チップ４２の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ５０により接合されている。フレキシブルプリント基板４８と半導体チップ４２との間は、接着剤５１によっても接合されている。外部引き出し用のフレキシブルプリント基板４９の上面の電極パット（図示せず）と半導体チップ４３の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ５２により接合されている。フレキシブルプリント基板４９と半導体チップ４３との間は、接着剤５３によっても接合されている。

なお、本実施の形態では、スペーサ４は、前記第１の実施の形態と同じく接着剤９のみで構成してもよいし、前記第２の実施の形態と同じくスペーサ部材３２及び接着剤３３，３４で構成してもよい。この点は、後述する各実施の形態についても同様である。

本実施の形態による固体撮像装置４１は、例えば、前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と同様の製造方法によって製造することができる。この点は、後述する各実施の形態についても同様である。

本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。

［第４の実施の形態］
図９は、本発明の第４の実施の形態による固体撮像装置６１を模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図９において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

本実施の形態による固体撮像装置６１が前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、以下に説明する点である。

前記第１の実施の形態では、半導体チップ２には画素を駆動して画像信号を読み出す読み出し回路も搭載されているのに対し、本実施の形態では、半導体チップ２には前記読み出し回路は搭載されていない。本実施の形態による固体撮像装置６１は、前記読み出し回路の一部が搭載された半導体チップ６２と、前記読み出し回路の他の部分が搭載された半導体チップ６３とを有している。本実施の形態における半導体チップ２，６２，６３が全体として、前記第１の実施の形態における半導体チップ２と同じ機能を担うようになっている。

半導体チップ６２，６３の上面にそれぞれ形成された電極パッド（図示せず）と半導体チップ２の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ６４，６５により接合されている。半導体チップ６２，６３の上面と半導体チップ２の下面との間は、接着剤６６，６７によっても接合されている。なお、図９中、２ｂ，２ｃ，６２ａ，６３ａはＴＳＶ（シリコン貫通ビア、through-silicon via）である。

外部引き出し用のフレキシブルプリント基板６８の上面の電極パット（図示せず）と半導体チップ６２の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ７０により接合されている。フレキシブルプリント基板６８と半導体チップ６２との間は、接着剤７１によっても接合されている。外部引き出し用のフレキシブルプリント基板６９の上面の電極パット（図示せず）と半導体チップ６３の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ７２により接合されている。フレキシブルプリント基板６９と半導体チップ６３との間は、接着剤７３によっても接合されている。

本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。

［第５の実施の形態］
図１０は、本発明の第５の実施の形態による固体撮像装置８１を模式的に示す概略断面図であり、図１に対応している。図１０において、図１中の要素と同一又は対応する要素には同一符号を付し、その重複する説明は省略する。

本実施の形態による固体撮像装置８１が前記第１の実施の形態による固体撮像装置１と異なる所は、以下に説明する点である。

前記第１の実施の形態では、半導体チップ２には画素を駆動して画像信号を読み出す読み出し回路も搭載されているのに対し、本実施の形態では、半導体チップ２には前記読み出し回路は搭載されていない。本実施の形態による固体撮像装置８１は、前記読み出し回路の一部が搭載された半導体チップ８２と、前記読み出し回路の他の部分が搭載された半導体チップ８３とを有している。本実施の形態における半導体チップ２，８２，８３が全体として、前記第１の実施の形態における半導体チップ２と同じ機能を担うようになっている。

半導体チップ８２，８３の上面にそれぞれ形成された電極パッド（図示せず）と半導体チップ２の下面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ８４，８５により接合されている。半導体チップ８２，８３の上面と半導体チップ２の下面との間は、接着剤８６，８７によっても接合されている。なお、図１０中、２ｂ，２ｃはＴＳＶ（シリコン貫通ビア、through-silicon via）である。

外部引き出し用のフレキシブルプリント基板８８の下面の電極パット（図示せず）と半導体チップ８２の上面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ９０により接合されている。外部引き出し用のフレキシブルプリント基板８９の下面の電極パット（図示せず）と半導体チップ８３の上面の電極パット（図示せず）との間が、バンプ９１により接合されている。

本実施の形態によっても、前記第１の実施の形態と同様の利点が得られる。

以上、本発明の各実施の形態について説明したが、本発明はこれらの実施の形態に限定されるものではない。

１，３１，４１，６１，８１ 固体撮像装置
２ 半導体チップ
２ａ 撮像領域
３ 透光性板
４ スペーサ

Claims (8)

1. 撮像領域を有する半導体チップと、
   前記撮像領域を覆う透光性板と、
   前記撮像領域を取り囲むように前記半導体チップと前記透光性板との間に設けられて、前記半導体チップと透光性板とを接合し、０．５ｍｍ以上の高さを有するスペーサと、
   を備えたことを特徴とする固体撮像装置。
2. 前記スペーサの高さをｄとしたとき、前記スペーサは前記撮像領域の周縁からｄ／２．８以上の距離離れたことを特徴とする請求項１記載の固体撮像装置。
3. 前記スペーサは、１Ｇｐａ以下のヤング率を有する材料で構成されたことを特徴とする請求項１又は２記載の固体撮像装置。
4. 前記半導体チップは、パッシベーション膜及び有機材料層を有し、
   前記スペーサは、前記有機材料層を介することなく、前記パッシベーション膜に接合されたことを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載の固体撮像装置。
5. 前記スペーサは接着剤のみからなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像装置。
6. 前記スペーサは、スペーサ部材と、前記スペーサ部材の前記透光性板側の面に設けられた第１の接着剤と、前記スペーサ部材の前記半導体チップ側の面に設けられた第２の接着剤とを有することを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載の固体撮像装置。
7. 前記透光性板は、平面視で前記半導体チップからはみ出さない大きさを有することを特徴とする請求項１乃至６のいずれかに記載の固体撮像装置。
8. 請求項１乃至７のいずれかに記載の固体撮像装置を製造する方法であって、
   前記半導体チップに相当する部分が複数分一体化された状態の半導体ウエハを用意する段階と、
   前記半導体ウエハの前記半導体チップに相当する部分の各々の上に、前記スペーサを形成する段階と、
   予め個片化された前記透光性板を前記各スペーサ上に接合する段階と、
   前記接合する段階の後に、前記半導体ウエハを前記半導体チップの個々にダイシングする段階と、
   を備えたことを特徴とする固体撮像装置の製造方法。

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