JP2014042037A - Electronic component - Google Patents
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Abstract
Description
本発明は、積層セラミックコンデンサ等のチップ部品を回路基板に実装する際に用いる、一般にインターポーザーを備えた電子部品に関する。 The present invention generally relates to an electronic component having an interposer, which is used when a chip component such as a multilayer ceramic capacitor is mounted on a circuit board.
現在、チップ部品、特に小型の積層セラミックコンデンサは、携帯電話等の移動体端末に多く利用されている。積層セラミックコンデンサは、コンデンサとして機能する矩形状の部品本体と、該部品本体の対向する両端に形成された外部電極とから構成される。 Currently, chip components, particularly small multilayer ceramic capacitors, are widely used for mobile terminals such as mobile phones. The multilayer ceramic capacitor is composed of a rectangular component body that functions as a capacitor, and external electrodes formed at opposite ends of the component body.
従来、一般的には、特許文献1に示すように、積層セラミックコンデンサは、移動体端末の回路基板の実装用ランドに外部電極を直接載置し、実装用ランドと外部電極とをはんだ等の接合剤で接合することで、回路基板に電気的物理的に接続されていた。 Conventionally, generally, as shown in Patent Document 1, in a multilayer ceramic capacitor, an external electrode is directly placed on a mounting land of a circuit board of a mobile terminal, and the mounting land and the external electrode are soldered or the like. It was electrically and physically connected to the circuit board by bonding with a bonding agent.
ところが、積層セラミックコンデンサは、当該積層セラミックコンデンサを含む電子回路内で生じる電圧変化によって、機械的な歪みが生じることがある。当該歪みが発生すると、歪みは回路基板に伝達されて、回路基板が振動する。回路基板が振動すると、人の耳に聞こえる振動音が生じることがある。 However, mechanical distortion may occur in the multilayer ceramic capacitor due to a voltage change that occurs in an electronic circuit including the multilayer ceramic capacitor. When the distortion occurs, the distortion is transmitted to the circuit board, and the circuit board vibrates. When the circuit board vibrates, a vibration sound that can be heard by human ears may be generated.
これを解決する構成として、例えば、特許文献2,3には、実装用ランドに直接積層セラミックコンデンサを実装しないことが記載されている。特許文献2,3では、絶縁性基板からなるインターポーザーを用いている。インターポーザーを用いる場合、積層セラミックコンデンサをインターポーザーの上面電極に接合し、当該インターポーザーの下面電極を回路基板の実装用電極に接合している。上面電極と下面電極とは、インターポーザーを貫通するビアホールにより導通されている。
As a configuration for solving this problem, for example,
しかしながら、上述の特許文献2の構成では、支持基板の上に部品基板を重ね合わせ、接合材で接合した後、半田レジストを部品基板の側面にだけ形成して、回路基板への実装時のはんだが部品基板にまでぬれ上がるのを防止している。つまり、実装時のはんだは支持基板の側面にはぬれ上がるが、部品基板の外部電極には付着しないので、部品基板が強く拘束されない。その結果、部品基板が振動しても、その振動が支持基板を介して回路基板などに伝播するのを抑制できる。しかし、この構造では、支持基板に部品基板を接合材で接合した後で、部品基板の側面にのみ半田レジストを形成しなければならず、製造コストがかかるおそれがあった。
However, in the configuration of the above-mentioned
また、特許文献3の構成では、インターポーザーにおける下面電極の配列方向と、上面電極の配列方向が交差する、すなわち積層セラミックコンデンサの外部電極の配列方向とインターポーザーの回路基板への実装電極の配列方向とが交差するという、特殊な構造を用いている。したがって、インターポーザーが大型化するとともに、インターポーザーの電極形状が複雑になり、さらに高コスト化してしまう可能性があった。 Further, in the configuration of Patent Document 3, the arrangement direction of the lower electrode in the interposer and the arrangement direction of the upper electrode intersect, that is, the arrangement direction of the external electrodes of the multilayer ceramic capacitor and the arrangement of the mounting electrodes on the circuit board of the interposer A special structure is used in which the directions intersect. Therefore, the interposer is increased in size, the electrode shape of the interposer is complicated, and the cost may be further increased.
したがって、本発明の目的は、構造設計や実装が容易で、従来の一般的な実装構造と同等の実装強度および電気特性を有し、振動音の発生をより効果的に抑制できる電子部品を実現することにある。 Therefore, the object of the present invention is to realize an electronic component that is easy to design and mount, has the same mounting strength and electrical characteristics as a conventional general mounting structure, and can more effectively suppress the generation of vibration noise. There is to do.
この発明は、平板状の絶縁性基板、該絶縁性基板の一方主面に形成された第1上面電極、および第2上面電極、一方主面に直交する方向に沿って絶縁性基板に形成され、第1上面電極または第2上面電極に接続された複数の接続電極を備える基板と、本体の長さ方向の両端にそれぞれ対向して第1外部電極と第2外部電極とが形成され、第1外部電極が第1上面電極に実装され、第2外部電極が第2上面電極に実装される積層セラミックコンデンサと、を備える電子部品に関する。この電子部品では、絶縁性基板は、積層セラミックコンデンサを搭載した際、一方主面に直交する方向から見た状態で、積層セラミックコンデンサの外形よりも小さい外形形状で形成され、接続電極は、一方主面に直交する方向から見て、積層セラミックコンデンサと重なる。 The present invention provides a flat insulating substrate, a first upper surface electrode formed on one main surface of the insulating substrate, and a second upper surface electrode formed on the insulating substrate along a direction perpendicular to the one main surface. A substrate having a plurality of connection electrodes connected to the first upper surface electrode or the second upper surface electrode, and a first external electrode and a second external electrode facing each of both ends in the longitudinal direction of the main body, The present invention relates to an electronic component including: a multilayer ceramic capacitor in which one external electrode is mounted on a first upper surface electrode and a second external electrode is mounted on the second upper surface electrode. In this electronic component, when the multilayer ceramic capacitor is mounted, the insulating substrate is formed with an outer shape smaller than the outer shape of the multilayer ceramic capacitor when viewed from the direction orthogonal to the main surface, and the connection electrode is When viewed from the direction perpendicular to the main surface, it overlaps with the multilayer ceramic capacitor.
この構成では、チップ部品と基板とからなる電子部品を回路基板に接合する際には、はんだ等の接合部材(以下、代表してはんだを例に説明する。)を用いる。 In this configuration, when an electronic component composed of a chip component and a substrate is bonded to a circuit board, a bonding member such as solder (hereinafter, representatively described as an example of solder) is used.
この際、供給されたはんだ量によっては、はんだが電子部品に多くぬれ上がることがある。はんだが絶縁性基板を介してチップ部品の端面中央部にまで濡れ広がると、チップ部品の両端部を強く拘束してしまい、チップ部品の振動が絶縁性基板を介して回路基板に伝わりやすく、振動音を生じる可能性がある。しかしながら、本願発明の構成を用いれば、はんだが電子部品からぬれ上がり、チップ部品の第1、第2外部電極に到達しても、チップ部品の底面側に付着し、はんだが外部電極の中心付近に付着することが規制される。これにより、上述の振動音の発生を抑制できる。 At this time, depending on the amount of solder supplied, a large amount of solder may wet the electronic component. If the solder spreads to the center of the end surface of the chip component through the insulating substrate, both ends of the chip component are strongly restrained, and the vibration of the chip component is easily transmitted to the circuit substrate through the insulating substrate. May produce sound. However, if the structure of the present invention is used, even if the solder wets from the electronic component and reaches the first and second external electrodes of the chip component, it adheres to the bottom surface side of the chip component and the solder is near the center of the external electrode. Adhering to is regulated. Thereby, generation | occurrence | production of the above-mentioned vibration sound can be suppressed.
さらに、電子部品がチップ部品に平板状の絶縁性基板を追加するだけの構造であるため、低背化が可能であり、従来と同様の接合強度も得られる。また、特殊な構造を必要としないので、容易な部品変更や設計変更が可能である。 Furthermore, since the electronic component has a structure in which a flat insulating substrate is simply added to the chip component, it is possible to reduce the height and obtain the same bonding strength as in the prior art. In addition, since no special structure is required, it is possible to easily change parts and design.
また、この発明の電子部品は、長さ方向の絶縁性基板の長さをLiAとし、長さ方向の積層セラミックコンデンサの長さをLciとしたときに、LiA<Lciの関係を満たし、長さ方向に直交する幅方向の絶縁性基板の幅をWiAとし、長さ方向の積層セラミックコンデンサの幅をWciとしたときに、WiA<Wciの関係を満たすことが好ましい。 The electronic component according to the present invention satisfies the relationship LiA <Lci when the length of the insulating substrate in the length direction is LiA and the length of the multilayer ceramic capacitor in the length direction is Lci. When the width of the insulating substrate in the width direction orthogonal to the direction is WiA and the width of the multilayer ceramic capacitor in the length direction is Wci, it is preferable to satisfy the relationship of WiA <Wci.
また、この発明の電子部品では、絶縁性基板には少なくとも1つの切り欠き部が形成されており、該切り欠き部の内壁面に接続電極が形成されていることが好ましい。 In the electronic component of the present invention, it is preferable that at least one notch is formed in the insulating substrate, and a connection electrode is formed on the inner wall surface of the notch.
また、この発明の電子部品では、切り欠き部は、一方主面に直交する方向から見た状態で、第1外部電極と第2外部電極の少なくとも一方と重なることが好ましい。 In the electronic component of the present invention, it is preferable that the cutout portion overlaps at least one of the first external electrode and the second external electrode when viewed from a direction orthogonal to the one main surface.
この発明に示す電子部品を用いて積層セラミックコンデンサ等のチップ部品を回路基板へ実装すれば、振動音の発生を抑制できる。さらに、構造が簡素で小型化が可能であり、回路基板への実装構造も容易になる。また、従来の一般的な実装構造と同等の実装強度および電気特性を確保することもできる。 If a chip component such as a multilayer ceramic capacitor is mounted on a circuit board using the electronic component shown in the present invention, the generation of vibration noise can be suppressed. Furthermore, the structure is simple and the size can be reduced, and the mounting structure on the circuit board becomes easy. Further, it is possible to ensure mounting strength and electrical characteristics equivalent to those of a conventional general mounting structure.
本発明の第1の実施形態に係るインターポーザーを含む電子部品について、図を参照して説明する。図1は本実施形態に係るインターポーザー12を含む電子部品10の構成を示す三面図およびインターポーザー12と積層セラミックコンデンサ11との形状の関係を示す図である。図2は本実施形態に係るインターポーザー12の三面図である。図3は本実施形態に係る電子部品10を回路基板200に実装した状態を示す三面図である。図1、図2、図3に示す三面図は、各図(A)が平面図、各図(B)が長さ方向側面図、および各図(C)が幅方向側面図で記載されている。ここで、平面図は、インターポーザー12もしくは電子部品10を上面側から見た図である。長さ方向側面図は、インターポーザー12もしくは電子部品10を、インターポーザー12の中間接続用電極(以下、「IP電極」と称する)121,122の配列する方向に直交し、インターポーザー12の主面(積層セラミックコンデンサ11の実装面)に平行な方向から見た図である。また、幅方向側面図は、インターポーザー12もしくは電子部品10を、インターポーザー12のIP電極121,122の配列する方向に平行で、インターポーザー12の主面(積層セラミックコンデンサ11の実装面)に平行な方向から見た図である。各図では、ハッチングを行っているが、これらは、各部位を識別しやすくするものであり、断面図を示すものではない。なお、以下の各図でも同様に記載しており、断面図である場合には、その都度、断面図であることを示す。
An electronic component including an interposer according to a first embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a three-view diagram illustrating a configuration of an
積層セラミックコンデンサ11は、本発明の「チップ部品」に相当し、部品本体110を備える。部品本体110は、誘電体層と内層電極層とを所定数積層して焼成することで、形成される。積層セラミックコンデンサ11は、部品本体110の長さ方向(図1(A)に示す図面の横方向)の一方端に外部電極111(本発明の「第1外部電極」に相当する。)が形成されており、対向する他方端に外部電極112(本発明の「第2外部電極」に相当する。)が形成されている。当該外部電極111,112は所定の導電性ペーストを焼成することで形成され、表面に錫メッキが施されている。以下、この外部電極111,112の配列する方向を積層セラミックコンデンサ11の長さ方向とし、当該長さ方向に直交し、さらに積層セラミックコンデンサ11が実装される実装面に平行な方向を積層セラミックコンデンサ11の幅方向として、説明する。
The multilayer
外部電極111,112は、部品本体110の長さ方向の両端面のみでなく、当該長さ方向の両端面から幅方向の両端面および天面および底面にかけて広がるように形成されている。
The
このように形成される積層セラミックコンデンサ11は、例えば、長さ×幅が、3.2mm×1.6mm、2.0mm×1.25mm、1.6mm×0.8mm、1.0mm×0.5mm、0.6mm×0.3mm等の寸法で形成されている。
The multilayer
インターポーザー12は、本発明の「基板」に相当し、図2に示すように、絶縁性基板120を備える。絶縁性基板120は、例えば0.5mm程度〜1.0mm程度の厚みを有し、絶縁性樹脂から構成されている。絶縁性基板120は、主面に直交する方向から見て、積層セラミックコンデンサ11と相似な略矩形状に形成されている。絶縁性基板120は、主面に直交する方向から見た状態で、四つの角部が主面の中央側に凹む形状で形成された切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14を有する。この際、切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14は、主面に直交する方向から見た状態で、矩形状の絶縁性基板120の各角を中心として、所定の半径Rで切り欠く形状で形成されている。このような切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14は、複数の絶縁性基板120を配列したベース基板から個別の絶縁性基板120を分割する際に、隣接する四つの絶縁性基板120の接する点に円筒形のスルーホールを形成しておき、当該スルーホール形成部を通るように切断して分割することで容易に形成できる。
The
絶縁性基板120は、平面視した長さおよび幅が、実装する積層セラミックコンデンサ11の長さおよび幅に対してわずかに大きくなるように、形成されている。すなわち、図1(D)に示すように、積層セラミックコンデンサ11の長さをLciとし、絶縁性基板120(インターポーザー12)の長さをLiとした場合に、Li≒Lci且つLi>Lciとする。同様に、積層セラミックコンデンサ11の幅をWciとし、絶縁性基板120(インターポーザー12)の幅をWiとした場合に、Wi≒Wci且つWi>Wciとする。
The insulating
この際、切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14を規定する曲面の中央部が、実装された積層セラミックコンデンサ11の外形範囲内に入るように、形成されている。
At this time, the central portion of the curved surface that defines the notches Cd11, Cd12, Cd13, and Cd14 is formed so as to fall within the outer shape range of the mounted multilayer
絶縁性基板120の積層セラミックコンデンサ11が実装される側となる一方主面には、上面電極1211、1221が形成されている。上面電極1211、1221は互いに離間して形成されている。上面電極1211が本発明の「第1上面電極」に相当し、上面電極1221が本発明の「第2上面電極」に相当する。
上面電極1211は、一方主面の長さ方向の一方端の領域に形成されている。この際、上面電極1211は、インターポーザー12(絶縁性基板120)の一方主面上に、互いの長さ方向が略一致するように積層セラミックコンデンサ11を実装した際に、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111の底面が接する領域を含むように、長さ方向に対する電極の形成寸法が設定されている。また、上面電極1211は、幅方向には全幅に亘り形成されている。
上面電極1221は、一方主面の長さ方向の他方端の領域に形成されている。この際、上面電極1221は、インターポーザー12(絶縁性基板120)の一方主面上に、互いの長さ方向が略一致するように積層セラミックコンデンサ11を実装した際に、積層セラミックコンデンサ11の外部電極112の底面が接する領域を含むように、長さ方向に対する電極の形成寸法が設定されている。また、上面電極1221は、幅方向には全幅に亘り形成されている。
The
絶縁性基板120の積層セラミックコンデンサ11が実装される側と反対側になる他方主面には、下面電極1212、1222が形成されている。下面電極1212、1222は互いに離間して形成されている。下面電極1212が本発明の「第1下面電極」に相当し、下面電極1222が本発明の「第2下面電極」に相当する。
下面電極1212は、絶縁性基板120の他方主面の長さ方向の一方端の領域に、上面電極1211と略対向する形状に形成されている。下面電極1222は、絶縁性基板120の他方主面の長さ方向の他方端の領域に、上面電極1221と略対向する形状で形成されている。この際、下面電極1212,1222は、実装される積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112と、主面に直交する方向から見て、重なる位置に電極が存在するように形成されていると、より好ましい。
The
絶縁性基板120の長さ方向の一方端に形成された上面電極1211と下面電極1212は、切り欠き部Cd11,Cd12の壁面に形成された接続電極401,402によりそれぞれ接続されている。これら上面電極1211、下面電極1212および切り欠き部Cd11の接続電極401、切り欠き部Cd12の接続電極402により、上述のIP電極121が形成される。
The
絶縁性基板120の長さ方向の他方端に形成された上面電極1221と下面電極1222は、切り欠き部Cd13,Cd14の壁面に形成された接続電極403,403によりそれぞれ接続されている。これら上面電極1221、下面電極1222および切り欠き部Cd13の接続電極403、切り欠き部Cd14の接続電極404により、上述のIP電極122が形成される。
The
このようなインターポーザー12に、積層セラミックコンデンサ11が実装される場合、インターポーザー12のIP電極121の上面電極1211と、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111とを、外部電極111の錫メッキの再溶融により、電気的、機械的に接続する。また、インターポーザー12のIP電極122の上面電極1221と、積層セラミックコンデンサ11の外部電極112とを、外部電極112の錫メッキの再溶融により、電気的、機械的に接続する。なお、IP電極121,122に、予め錫メッキを行っていれば、このIP電極121,122の錫メッキも含めて接続される。このように錫メッキを用いることで、必要最小限の量で接合でき、チップ部品の外部電極の中心付近をできるだけ拘束しないようにすることができる。これにより、電子部品10が形成される。なお、積層セラミックコンデンサ11とインターポーザー12との接合は、外部電極111,112の錫メッキやインターポーザー12の錫メッキを用いず、略同量のはんだによって行ってもよい。
When the multilayer
電子部品10は、図3に示すように、回路基板20に実装される。この際、回路基板20の実装用ランド201にインターポーザー12のIP電極121の下面電極1212が接続し、実装用ランド202にインターポーザー12のIP電極122の下面電極1222が接続するように、実装される。インターポーザー12のIP電極121,122と回路基板20の実装用ランド201,202との接続には、はんだ300を用いる。
The
このようなはんだ300による接合では、少なくとも回路基板20の実装用ランド201,201からインターポーザー12の接続電極401−404にかけてはんだフィレットが形成されるように、はんだ接合を行う。このようにフィレットを形成することで、電子部品10の実装時の浮きを防止したり、接合強度を確保できたり、確実にはんだ接合していることを目視確認することができるため、非常に有効である。
In such joining by the
なお、ぬれ性を有し導電性を有する接合剤であれば、はんだ300以外の材料を用いてもよい。
Note that a material other than the
このようなはんだ300による接合を行うと、供給されるはんだ量が多かった場合、IP電極121,122の接続電極401−404ではんだフィレットを形成する以上に、接続電極401−404を介してインターポーザー12の上面側まではんだ300が上がってくることがある。
When joining with
しかしながら、本実施形態の構成では、インターポーザー12の四つの角にのみ接続電極401−404を形成し、当該接続電極401−404が形成される切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14が、主面に直交する方向から見た積層セラミックコンデンサ11の四つ角、すなわち外部電極111,112における主面に直交する方向に延びる四稜線の位置と一致する。この構成により、はんだ300は、図3に示すように、当該四つの角部付近の切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14に対応する外部電極111,112の四稜線の各下端から四稜線に沿うように付着する。これにより、外部電極111,112の端面の中央付近にははんだ300が付着せず、上述のような積層セラミックコンデンサ11の歪みによる振動音の発生を効果的に抑制することができる。
However, in the configuration of the present embodiment, the connection electrodes 401-404 are formed only at the four corners of the
図4は、本実施形態の構成および従来の構成による音圧レベル−周波数特性を示す図である。図4における従来の構成とは、インターポーザーを用いず積層セラミックコンデンサを回路基板へ直接実装する構成(態様T0)と、インターポーザーを用いながら外部電極の端面中心を主として端面全体ではんだ接合した構成(態様I0)である。図4に示すように、本実施形態の構成を用いることで、従来の態様T0と比較して、振動音の音圧レベルを広い周波数帯域で大幅に抑制することができる。同様に、従来の態様I0と比較しても効果的に振動音の音圧レベルを抑制することができる。 FIG. 4 is a diagram showing sound pressure level-frequency characteristics according to the configuration of the present embodiment and the conventional configuration. The conventional configuration in FIG. 4 is a configuration in which a multilayer ceramic capacitor is directly mounted on a circuit board without using an interposer (mode T0), and a configuration in which the end surface center of the external electrode is soldered mainly over the entire end surface while using the interposer. (Aspect I0). As shown in FIG. 4, by using the configuration of the present embodiment, the sound pressure level of the vibration sound can be significantly suppressed in a wide frequency band as compared with the conventional aspect T0. Similarly, the sound pressure level of the vibration sound can be effectively suppressed as compared with the conventional mode I0.
さらに、本実施形態のように板厚の薄い絶縁性基板120からなるインターポーザー12を用いることで、電子部品10の高さが大きくなることを抑制でき、低背化が可能になる。また、積層セラミックコンデンサ11、インターポーザー12を回路基板20に対して主面が一致するように積層して実装する構造であるので、高い接合強度を実現できる。これにより、積層セラミックコンデンサ11を回路基板20に直接実装する場合と略同等の接合強度を得られる。
Furthermore, by using the
さらに、上述の実施形態では、実装用ランド201,202は、積層セラミックコンデンサ11を直接実装する場合と同じ仕様で、形状および間隔が設定されている。
Furthermore, in the above-described embodiment, the mounting
上述のように、本実施形態の電子部品10は、主面に直交する方向から見て、インターポーザー12のIP電極121,122の位置と積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の位置とが重なり、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の四稜線と略同じ位置に接続電極401−404が存在するので、積層セラミックコンデンサ11を直接実装する場合と同じ仕様の実装用ランド201,202で、そのまま電子部品10を実装することができる。すなわち、回路基板20の実装ランド201,202の設計変更を必要としない。さらに、回路基板20に積層セラミックコンデンサ11単体を実装する場合とほぼ同じ専有面積で、電子部品10を実装することができる。これにより、インターポーザー12を用いても平面的に殆ど大型化することなく、積層セラミックコンデンサ11を回路基板20へ接続できる。
As described above, the
次に、第2の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図5(A)〜図5(C)は本実施形態に係るインターポーザー12Aを含む電子部品10Aの構成を示す三面図である。図5(D)はインターポーザー12Aと積層セラミックコンデンサ11との形状の関係を示す図である。図6は本実施形態の係る電子部品10Aを回路基板20に実装した状態での三面図である。
Next, an electronic component according to a second embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 5A to FIG. 5C are three views showing the configuration of the
本実施形態のインターポーザー12Aは、基本的構成は第1の実施形態に示したインターポーザー12と同じであるが、長さおよび幅が異なる。
The basic configuration of the
図5(D)に示すように、インターポーザー12Aすなわち絶縁性基板120Aの長さLiAは、積層セラミックコンデンサ11の長さLciに対してわずかに短い。すなわち、LiA≒Lci且つLiA<Lciとなる。インターポーザー12Aすなわち絶縁性基板120Aの幅は、積層セラミックコンデンサ11の幅と略同じで且つ短い。すなわち、WiA≒Wci且つWiA<Wciとなる。
As shown in FIG. 5D, the length LiA of the
このような構成で、第1の実施形態と同様の回路基板20へのはんだ接合を行うと、供給されるはんだ量が多かった場合、はんだ300が、図6に示すように、切り欠き部Cd11A,Cd12A,Cd13A,Cd14A(接続電極401A,402A,403A,404A)に対応する外部電極111,112の四稜線の各下端から四稜線に沿うように付着する。これにより、外部電極111,112の端面の中央付近にははんだ300が付着せず、上述のような積層セラミックコンデンサ11の歪みによる振動音の発生を効果的に抑制することができる。
In such a configuration, when solder joining to the
さらに、本実施形態の構成では、回路基板20に積層セラミックコンデンサ11単体を実装する場合と同じ実装用ランドを利用できる。また、積層セラミックコンデンサ11を単体で実装する場合と同じ面積で、電子部品10を実装することができる。これにより、インターポーザー12を用いても、さらなる小型化が可能になる。
Further, in the configuration of the present embodiment, the same mounting land as that used when mounting the monolithic
次に、第3の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図7(A)〜図7(C)は本実施形態に係るインターポーザー12Bを含む電子部品10Bの構成を示す三面図である。図7(D)はインターポーザー12Bと積層セラミックコンデンサ11との形状の関係を示す図である。
Next, an electronic component according to a third embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 7A to FIG. 7C are three views showing the configuration of the
図7(D)に示すように、本実施形態のインターポーザー12Bは、第1の実施形態に示したインターポーザー12に対して、長さおよび幅がより大きくなる構造を有する。具体的には、インターポーザー12Bの長さをLiBとし、幅をWiBとした場合に、LiB>Lci、WiB>Wciとなる。
As shown in FIG. 7D, the
また、インターポーザー12Bでは、切り欠き部Cd11B,Cd12B,Cd13B,Cd14Bが、主面に直交する方向から見て直線状となるように、形成されている。切り欠き部Cd11B,Cd12B,Cd13B,Cd14Bは、主面に直交する方向から見て、積層セラミックコンデンサ11の外形形状の内側に入らないような形状で形成されている。このような形状であっても、切り欠き部Cd11B,Cd12B,Cd13B,Cd14Bに形成された接続電極401B,402B,403B,404Bは、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112に対して、当該外部電極111,112の前記主面に直交する方向に延びる四稜線のインターポーザー12B側端部に最も近くなる。これにより、接続電極401B,402B,403B,404Bを介してはんだがぬれあがって、外部電極111,112に付着しても、外部電極111,112の四稜線付近にのみ付着する。したがって、上述の各実施形態と同様に、振動音の発生を抑制できる。
In the
さらに、インターポーザー12BのIP電極121Bの上面電極1211Bは、幅方向に沿って離間して形成された部分上面電極1211LB,1211RBで構成される。すなわち、インターポーザー12Bの上面には、部分上面電極1211LB,1211RBで挟まれる電極離間部500(本発明の「接触規制手段」に相当する。)が形成されている。これら部分上面電極1211LB,1211RBは、外部電極111の二稜線の位置を含む範囲で電極形成されている。
Furthermore, the
インターポーザー12BのIP電極122Bの上面電極1221Bは、幅方向に沿って離間して形成された部分上面電極1221LB,1221RBで構成される。すなわち、インターポーザー12Bの上面には、部分上面電極1221LB,1221RBで挟まれる電極離間部500(本発明の「接触規制手段」に相当する。)が形成されている。これら部分上面電極1221LB,1221RBは、外部電極112の二稜線の位置を含む範囲で電極形成されている。
The
このような構成とすることで、外部電極111,112の端面における幅方向の中央付近(電極離間部500)には、上面電極が形成されず、当該外部電極111,112の端面における幅方向の中央付近へのはんだの付着を防止できる。これにより、さらに確実に振動音の発生を抑制できる。
With such a configuration, the upper surface electrode is not formed near the center in the width direction (electrode separation portion 500) on the end surfaces of the
なお、図7では、IP電極121B,122Bの下面電極がそれぞれ幅方向に分離していないが、分離させてもよい。
In FIG. 7, the bottom electrodes of the
第4の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図8は本実施形態に係るインターポーザー12Cを含む電子部品10Cの構成を示す三面図である。 An electronic component according to a fourth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 8 is a three-side view showing the configuration of an electronic component 10C including the interposer 12C according to this embodiment.
本実施形態のインターポーザー12Cは、上面電極がインターポーザー12Cの全幅に亘って形成されたものであり、他の構成は、第3の実施形態に示したインターポーザー12Bと同じである。
The interposer 12C of the present embodiment has an upper surface electrode formed over the entire width of the interposer 12C, and other configurations are the same as the
本実施形態のIP電極121Cの上面電極1211Cは、インターポーザー12Cの全幅に亘り形成されている。IP電極122Cの上面電極1221Cも、インターポーザー12Cの全幅に亘り形成されている。
The
このような構成であっても、上述の第3実施形態に示したように、切り欠き部Cd11C,Cd12C,Cd13C,Cd14Cに形成された接続電極401C,402C,403C,404Cは、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112に対して、当該外部電極111,112の前記主面に直交する方向に延びる四稜線のインターポーザー12C側端部に最も近くなる。これにより、接続電極401C,402C,403C,404Cを介してはんだがぬれ上がって、外部電極111,112に付着しても、外部電極111,112の四稜線付近にのみ付着する。したがって、第3実施形態と同様に、振動音の発生を抑制できる。
Even in such a configuration, as shown in the third embodiment, the
次に、第5の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図9は本実施形態に係るインターポーザー12Dを含む電子部品10Dの構成を示す三面図である。
Next, an electronic component according to a fifth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 9 is a trihedral view showing the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Dは、上面電極1211D,1221D上に、はんだレジスト膜Re12が形成されたものであり、他の構成は、第1の実施形態に示したインターポーザー12と同じである。
The
はんだレジスト膜Re12は、本発明の「接触規制手段」に相当し、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の幅方向の中心位置から上面電極1211D,1221Dに下ろす垂線が上面電極1211D,1221Dに直交する位置を含む所定幅の範囲に形成されている。はんだレジスト膜Re12は、インターポーザー12Dの長さ方向に対しても、前記垂線が上面電極1211D,1221Dに直交する位置を含む所定長の範囲に形成されている。これにより、外部電極111,112の幅方向の中央付近が、IP電極121D,122Dの上面電極1211D,1221Dに接しない。
The solder resist film Re12 corresponds to the “contact restricting means” of the present invention, and a perpendicular line extending from the center position in the width direction of the
このため、上述のように、はんだが上面電極1211D,1221Dにぬれ上がっても、はんだレジスト膜Re12により、中央付近には付着しない。これにより、より確実に振動音の発生を抑制できる。
Therefore, as described above, even if the solder wets the
次に、第6の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図10は本実施形態に係るインターポーザー12Eを含む電子部品10Eの構成を示す三面図である。なお、図10では、インターポーザー12Eの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to a sixth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 10 is a three-plane view showing the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Eは、第3の実施形態に対して、切り欠き部Cd61,Cd62の形成位置が異なるものであり、他の構成は、第3の実施形態に示したインターポーザー12Bと同じである。
The
インターポーザー12EのIP電極121Eの上面電極1211Eは、インターポーザー12Eすなわち絶縁性基板120Eの幅方向に沿って離間して配置された部分上面電極1211LE,1211REを備える。すなわち、インターポーザー12Eの上面には、部分上面電極1211LE,1211REで挟まれる電極離間部501が形成されている。この電極離間部501では、インターポーザー12Eの絶縁性基板120Eの上面と、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111とが直接対面している。部分上面電極1211LE,1211REは、絶縁性基板120Eの長さ方向の一方端付近で、且つ積層セラミックコンデンサ11の外部電極111が載置される位置よりも端部側に形成された接続電極により接続されている。
The
切り欠き部Cd61は、絶縁性基板120EのIP電極121Eが形成される側の端面で、絶縁性基板120Eの幅方向の略中心位置に形成されている。切り欠き部Cd61の形状は、上述の第1の実施形態に示した切り欠き部Cd11,Cd12,Cd13,Cd14と同様に、主面に直交する方向から見て円弧状になるような形状である。切り欠き部Cd61の壁面には接続電極411Eが形成されており、前記部分上面電極1211LE,1211REを接続する電極を介して、部分上面電極1211LE,1211REに接続されている。
The notch Cd61 is an end surface of the insulating
インターポーザー12EのIP電極122Eの上面電極1221Eは、インターポーザー12Eすなわち絶縁性基板120Eの幅方向に沿って離間して配置された部分上面電極1221LE,1221REを備える。すなわち、インターポーザー12Eの上面には、部分上面電極1221LE,1221REで挟まれる電極離間部501が形成されている。この電極離間部501では、インターポーザー12Eの絶縁性基板120Eの上面と、積層セラミックコンデンサ11の外部電極112とが直接対面している。部分上面電極1221LE,1221REは、絶縁性基板120Eの長さ方向の他方端付近で、且つ積層セラミックコンデンサ11の外部電極112が載置される位置よりも端部側に形成された接続電極により接続されている。
The
切り欠き部Cd62は、絶縁性基板120EのIP電極122Eが形成される側の端面で、絶縁性基板120Eの幅方向の略中心位置に形成されている。切り欠き部Cd62の形状も、切り欠き部Cd61と同様に、主面に直交する方向から見て円弧状になるような形状である。切り欠き部Cd62の壁面には接続電極412Eが形成されており、前記部分上面電極1221LE,1221REを接続する電極を介して、部分上面電極1221LE,1221REに接続されている。
The notch Cd62 is an end surface of the insulating
このような構成とすることで、接続電極411E,412Eをそれぞれ備える切り欠き部Cd61,Cd62を、インターポーザー12Eの幅方向の中央に設置しても、上述の各実施形態に示したように上面電極121E,122Eにぬれ上がったはんだは、外部電極111,112の四稜線付近に付着し、幅方向の中央付近には付着しない。これにより、上述の各実施形態と同様に、振動音の発生を抑制できるとともに、上述の各効果を奏することができる。
By adopting such a configuration, even when the notches Cd61 and Cd62 provided with the
次に、第7の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図11は本実施形態に係るインターポーザー12Fを含む電子部品10Fの構成を示す三面図である。なお、図11では、インターポーザー12Fの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to a seventh embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 11 is a trihedral view showing the configuration of the
本実施形態のインターポーザー12Fは、第6の実施形態に示したインターポーザー12Eに対して、上面電極1211F,1221Fを、絶縁性基板120Fの略全幅に亘るように形成し、部分的に電極非形成部131F,132Fを設けたものであり、他の構成は同じである。
The
電極非形成部131Fは、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111の幅方向の中心位置から上面電極1211Fに下ろす垂線が上面電極1211Fに直交する位置を含む所定幅の範囲に形成されている。電極非形成部131Fは、インターポーザー12Fの長さ方向すなわち絶縁性基板120Fの長さ方向に対しても、前記垂線が上面電極1211Fに直交する位置を含む所定長の範囲に形成されている。言い換えれば、インターポーザー12Fの上面における外部電極111の幅方向の中央付近に、電極の開口パターンが形成されている。これにより、外部電極111の幅方向の中央付近が、IP電極121Fの上面電極1211Fに接しない。
The
同様に、電極非形成部132Fは、積層セラミックコンデンサ11の外部電極112の幅方向の中心位置から上面電極1221Fに下ろす垂線が上面電極1221Fに直交する位置を含む所定幅の範囲に形成されている。電極非形成部132Fは、インターポーザー12Fの長さ方向すなわち絶縁性基板120Fの長さ方向に対しても、前記垂線が上面電極1221Fに直交する位置を含む所定長の範囲に形成されている。言い換えれば、インターポーザー12Fの上面における外部電極112の幅方向の中央付近に、電極の開口パターンが形成されている。これにより、外部電極112の幅方向の中央付近が、IP電極122Fの上面電極1221Fに接しない。
Similarly, the
このため、上述のように、はんだが接続電極411F,412Fを介して上面電極1211F,1221Fにぬれ上がっても、電極非形成部131F,132Fにより、外部電極111,112の中央付近には付着しない。これにより、振動音の発生を抑制できる。
For this reason, as described above, even if the solder wets the
次に、第8の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図12は本実施形態に係るインターポーザー12Gを含む電子部品10Gの構成を示す三面図である。なお、図12では、インターポーザー12Gの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to an eighth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 12 is a three-view diagram illustrating the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Gは、第7の実施形態に示した電極非形成部131F,132Fと同じ位置に、はんだレジスト膜Re12Gをそれぞれ形成したものであり、他の構成は第7の実施形態と同じである。この際、図12では、当該位置に上面電極を形成しているように図示されているが、当該位置には上面電極を形成してもしなくてもよい。このはんだレジスト膜Re12Gが本発明の「接触規制手段」に相当する。
The
このような構成では、上述のように、はんだが接続電極411G,412Gを介して上面電極1211G,1221Gにぬれ上がっても、はんだレジスト膜Re12Gにより、外部電極111,112の中央付近には付着しない。これにより、振動音の発生を抑制できる。
In such a configuration, as described above, even if the solder wets the
次に、第9の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図13は本実施形態に係るインターポーザー12Hを含む電子部品10Hの構成を示す三面図である。なお、図13では、インターポーザー12Hの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to a ninth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 13 is a three-view diagram illustrating the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Hは、第7の実施形態に示した電極非形成部131F,132Fを形成せず、絶縁性基板120Hの略全幅に亘って、上面電極1211H,1221Hが形成されており、当該上面電極1211H,1221H上にはんだレジスト膜Re12Hが形成されている。他の構成は、第7の実施形態と同じである。
The
はんだレジスト膜Re12Hは、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の幅方向の中心位置から上面電極1211H,1221Hに下ろす垂線が上面電極1211H,1221Hに直交する位置を含む所定幅の範囲に形成されている。はんだレジスト膜Re12Hは、インターポーザー12Hの長さ方向に対しても、前記垂線が上面電極1211H,1221Hに直交する位置を含む所定長の範囲に形成されている。このはんだレジスト膜Re12Hが本発明の「接触規制手段」に相当する。
The solder resist film Re12H is formed in a range of a predetermined width including a position where a perpendicular extending from the center position in the width direction of the
さらに、はんだレジスト膜Re12Hは、上面電極1211H,1221Hが切り欠き部Cd61,Cd62の接続電極411H,412Hに接続する領域と、上面電極1211H,1221Hが外部電極111,112の前記四稜線に接する領域とを、絶縁性基板120Hの主面に直交する方向から見て分割するような形状で形成されている。例えば、図13(A)に示すように、切り欠き部Cd61,Cd62側に中心を有し、外部電極111,112の幅方向の中央付近を通り、所定の幅を有する円弧状に形成する。
Further, the solder resist film Re12H includes a region where the
このような構成とすることで、上述のようにはんだが接続電極411H,412Hを介して上面電極1211H,1221Hにぬれ上がっても、はんだレジスト膜Re12Hにより、外部電極111,112には全くはんだが付着しない。これにより、さらに確実に振動音の発生を抑制できる。
With such a configuration, even when the solder wets up to the
次に、第10の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図14は本実施形態に係るインターポーザー12Kを含む電子部品10Kの構成を示す三面図である。なお、図14では、インターポーザー12Kの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to a tenth embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 14 is a three-view diagram illustrating the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Kは、第9の実施形態に示したインターポーザー12Hに対して、はんだレジスト膜Re12Kの形状が異なるものであり、他の構成は同じである。
The
はんだレジスト膜Re12Kは、インターポーザー12Kの長さ方向に対して、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の幅方向の中心位置から上面電極1211K,1221Kに下ろす垂線が上面電極1211K,1221Kに直交する位置を含み、且つ長さ方向の両端まで達する形状で形成されている。このはんだレジスト膜Re12Kが本発明の「規制部」に相当する。
The solder resist film Re12K is perpendicular to the
この際、はんだレジスト膜Re12Kは、接続電極411K,412Kを備える切り欠き部Cd61,Cd62の上面電極1211K,1221K側の開口端を覆うような形状で形成されている。
At this time, the solder resist film Re12K is formed so as to cover the opening ends on the
このような構造とすることで、電子部品10Kを回路基板に実装する際にはんだが切り欠き部Cd61,Cd62の接続電極411K,412Kに沿ってぬれ上がってきても、はんだレジスト膜Re12Kによって、はんだのインターポーザー12Kの上面側へのぬれ上がりを堰き止めることができる。これにより、回路基板へ実装するためのはんだが、インターポーザー12Kの上面側すなわち積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112に、不要に付着することを防止できる。この結果、上述の各実施形態と同様に、振動音の発生を抑制できる。
With such a structure, when the
次に、第11の実施形態に係る電子部品について、図を参照して説明する。図15は本実施形態に係るインターポーザー12Lを含む電子部品10Lの構成を示す三面図である。なお、図15では、インターポーザー12Lの構造を明確に示すために積層セラミックコンデンサ11の図示を簡略化している。
Next, an electronic component according to an eleventh embodiment will be described with reference to the drawings. FIG. 15 is a three-view diagram illustrating the configuration of an
本実施形態のインターポーザー12Lは、第10の実施形態に示したインターポーザー12Kに対して、はんだレジスト膜Re12Lの形状が異なるものであり、他の構成は同じである。
The
はんだレジスト膜Re12Lは、第10の実施形態のインターポーザー12Kと同様に、インターポーザー12Lの接続電極411L,412Lを備える切り欠き部Cd61,Cd62の上面電極1211L,1221L側を覆うような形状で形成されている。ただし、本実施形態のはんだレジスト膜Re12Lは、前記長さ方向の中央側の端部が、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112が上面電極1211L,1221Lに当接する(実装される)位置まで届かない形状で形成されている。言い換えれば、はんだレジスト膜Re12Lは、切り欠き部Cd61,Cd62を覆うことを最小限とし、できる限り小さい形状に形成されている。このはんだレジスト膜Re12Lが本発明の「規制部」に相当する。
Similarly to the
このような構造のはんだレジスト膜Re12Lを形成すれば、上述の第10の実施形態に示したインターポーザー12Kと同様に、本実施形態のインターポーザー12Lでも、回路基板へ実装するためのはんだが、インターポーザー12Lの上面側すなわち積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112に、不要に付着することを防止できる。この結果、上述の各実施形態と同様に、振動音の発生を抑制できる。
When the solder resist film Re12L having such a structure is formed, similarly to the
さらに、本実施形態の構造を用いることで、はんだレジスト膜Re12Lが積層セラミックコンデンサ11の実装される領域まで広がらない形状であるので、積層セラミックコンデンサ11を上面電極1211L,1221Lへ実装する際に、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の底面と上面電極1211L,1221Lとの間に、はんだレジスト膜Re12Lが介在しない。これにより、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の底面と上面電極1211L,1221Lとが離間することなく、確実に当接する。したがって、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の底面と上面電極1211L,1221Lとの接合強度が向上する。
Furthermore, by using the structure of the present embodiment, the solder resist film Re12L has a shape that does not extend to the region where the multilayer
なお、第10の実施形態および第11の実施形態に示したはんだレジスト膜は、インターポーザーの幅方向の中央領域にのみ形成されているが、幅方向の全域に亘って形成してもよい。 Note that the solder resist films shown in the tenth and eleventh embodiments are formed only in the center region in the width direction of the interposer, but may be formed over the entire region in the width direction.
また、第10の実施形態および第11の実施形態に示したインターポーザーは、幅方向の中央に切り欠き部を形成したものであるが、上述の各実施形態に示した、角部に切り欠き部を設けたものであっても、当該切り欠き部を覆うようにはんだレジスト膜を形成することができる。これにより、第10の実施形態および第11の実施形態と同様に不要なはんだの外部電極への付着を防止できる。 The interposers shown in the tenth embodiment and the eleventh embodiment have a notch formed at the center in the width direction. Even if the portion is provided, the solder resist film can be formed so as to cover the notch. As a result, as in the tenth and eleventh embodiments, unnecessary adhesion of solder to the external electrodes can be prevented.
また、第10の実施形態および第11の実施形態に示したインターポーザーは、はんだレジスト膜を用いた例を示したが、切り欠き部を上面電極側から覆うように金属膜を形成してもよく、はんだのぬれ上がりを堰き止められる板状の部材であればよい。 In the interposer shown in the tenth embodiment and the eleventh embodiment, the solder resist film is used as an example. However, even if the metal film is formed so as to cover the notch from the upper surface electrode side. Any plate-like member can be used as long as it prevents the solder from getting wet.
また、上述の各実施形態の構成は単独で用いてもよいが、複数の実施形態の構成を組み合わせて用いることもできる。さらには、これらの実施形態の構成に基づき類推できる形状であれば、上述の各実施形態と同様の作用効果を得られる。 Moreover, although the structure of each above-mentioned embodiment may be used independently, it can also be used combining the structure of several embodiment. Furthermore, if the shape can be inferred based on the configuration of these embodiments, the same effects as those of the above-described embodiments can be obtained.
また、上述の実施形態では、絶縁性基板に対して電極非形成部やレジスト膜を形成することで、積層セラミックコンデンサ11の外部電極111,112の端面中央にはんだが付着することを抑制したが、このような電極非形成部やレジスト膜を、外部電極111,112に形成することも可能である。
In the above-described embodiment, the formation of the electrode non-forming portion and the resist film on the insulating substrate suppresses the solder from adhering to the center of the end surfaces of the
図16は、その他の実施形態に係る電子部品10Jを回路基板200に実装した状態を示す三面図である。
FIG. 16 is a three-sided view illustrating a state in which the
図16に示す電子部品10Jは、第1の実施形態に示した電子部品10に対して、積層セラミックコンデンサ11Jの外部電極が異なるものであり、他の構成は同じである。
The
電子部品10Jの積層セラミックコンデンサ11Jの外部電極111J,112Jは、図16(C)に示すように、部品本体110の長手方向の端面、すなわち外部電極111J,112Jの形成面の中央に、所定面積で電極非形成部140が設けられている。このような構成とすることで、部品本体110の外部電極111J,112Jが形成される端面の中央にはんだが付着することを、さらに確実に防止できる。この電極非形成部140が、本発明の「接合規制手段」に相当する。
As shown in FIG. 16C, the
なお、外部電極に非形成部を設けることやレジスト膜を形成し、直接回路基板に接合する構成でも、振動音の発生を抑制することが可能であるが、上述の構成からなるインターポーザーを介することにより、より確実に振動音の発生を抑制するとともに、実装時の浮きを抑制し接合の安定性を得ることができる。 In addition, it is possible to suppress the generation of vibration sound even in a configuration in which a non-formed portion is provided on the external electrode or a resist film is formed and directly bonded to the circuit board, but the generation of vibration noise can be suppressed, but the interposer having the above-described configuration is used. As a result, it is possible to more reliably suppress the generation of vibration noise and to suppress the floating during mounting and obtain the stability of the joint.
また、図16では、電極非形成部140を設ける例を示したが、当該領域に、電極の有無に関係なく、レジスト膜を形成するようにしてもよい。さらには、外部電極を底面にのみ形成する構造であってもよい。そして、このような図16に類する構成は、上述のいずれの実施形態の構成とも組み合わせることができる。
FIG. 16 shows an example in which the
また、上述の説明では、チップ部品として積層セラミックコンデンサを用いた例を示したが、同様の振動が発生する他のチップ部品にも、上述の構成を適用することができる。 In the above description, a multilayer ceramic capacitor is used as a chip component. However, the above configuration can be applied to other chip components that generate similar vibrations.
そして、本発明で示す略矩形とは、長方形に限るものではなく、正方形や、これら長方形や正方形の角部(隅)が切り取られた多角形、長方形や正方形の角部(隅)が曲面状に成形された形状も含む。 The substantially rectangular shape shown in the present invention is not limited to a rectangular shape, but a square, a polygon obtained by cutting off the corners (corners) of these rectangles and squares, and the corners (corners) of the rectangles and squares are curved. Also includes shapes molded into
10,10A,10B,10C,10D,10E,10F,10G,10H,10K,10L:電子部品、
11,11J:積層セラミックコンデンサ、
110:部品本体、
111,112,111J,112J:外部電極、
12,12A,12B,12C,12D,12E,12F,12G,12H,12K,12L:インターポーザー、
120,120A,120B,120C,120D,120E,120E,120G,120H,120K,120L:絶縁性基板、
121,122,121A,122A,121B,122B,121C,122C,121D,122D,121E,122E,121F,122F,121G,122G,121H,122H,121K,122K,121L,122L:IP電極、
1211,1221,1211A,1221A,1211B,1221B,1211C,1221C,1211D,1221D,1211E,1221E,1211F,1221F,1211G,1221G,1211H,1221H,1211K,1221K,1211L,1221L:上面電極、
1211LB,1211RB,1221LB,1221RB,1211LE,1211RE,1221LE,1221RE:部分上面電極、
1212,1222:下面電極、
131F,132F:電極非形成部、
140:電極非形成部(外部電極)、
Cd11,Cd12,Cd13,Cd14,Cd11A,Cd12A,Cd13A,Cd14A,Cd11B,Cd12B,Cd13B,Cd14B,Cd11C,Cd12C,Cd13C,Cd14C,Cd11D,Cd12D,Cd13D,Cd14D,Cd61,Cd62:切り欠き部、
Re12,Re12G,Re12H,Re12K,Re12L:はんだレジスト膜、
20:回路基板、
201,202:実装用ランド、
401,402,403,404,401A,402A,403A,404A,401B,402B,403B,404B,401C,402C,403C,404C,401D,402D,403D,404D,411E,412E,411F,412F,411G,412G,411H,412H,411K,412K,411L,412L:接続電極、
500,501:電極離間部
10, 10A, 10B, 10C, 10D, 10E, 10F, 10G, 10H, 10K, 10L: electronic components,
11, 11J: Multilayer ceramic capacitor,
110: Parts main body,
111, 112, 111J, 112J: external electrodes,
12, 12A, 12B, 12C, 12D, 12E, 12F, 12G, 12H, 12K, 12L: Interposer,
120, 120A, 120B, 120C, 120D, 120E, 120E, 120G, 120H, 120K, 120L: Insulating substrate,
121, 122, 121A, 122A, 121B, 122B, 121C, 122C, 121D, 122D, 121E, 122E, 121F, 122F, 121G, 122G, 121H, 122H, 121K, 122K, 121L, 122L: IP electrodes,
1211, 1221, 1211A, 1221A, 1211B, 1221B, 1211C, 1221C, 1211D, 1221D, 1211E, 1221E, 1211F, 1221F, 1211G, 1221G, 1211H, 1221H, 1211K, 1221K, 1211L, 1221L: upper surface electrode,
1211LB, 1211RB, 1221LB, 1221RB, 1211LE, 1211RE, 1221LE, 1221RE: partial upper surface electrodes,
1212, 1222: bottom electrode,
131F, 132F: electrode non-formation part,
140: electrode non-formation part (external electrode),
Cd11, Cd12, Cd13, Cd14, Cd11A, Cd12A, Cd13A, Cd14A, Cd11B, Cd12B, Cd13B, Cd14B, Cd11C, Cd12C, Cd13C, Cd14C, Cd11D, Cd12D, Cd13D, Cd14D, Cd14D, Cd14C
Re12, Re12G, Re12H, Re12K, Re12L: solder resist film,
20: circuit board,
201, 202: mounting lands,
401, 402, 403, 404, 401A, 402A, 403A, 404A, 401B, 402B, 403B, 404B, 401C, 402C, 403C, 404C, 401D, 402D, 403D, 404D, 411E, 412E, 411F, 412F, 411G, 412G, 411H, 412H, 411K, 412K, 411L, 412L: connection electrodes,
500, 501: electrode separation part
Claims (4)
本体の長さ方向の両端にそれぞれ対向して第1外部電極と第2外部電極とが形成され、前記第1外部電極が前記第1上面電極に実装され、前記第2外部電極が前記第2上面電極に実装される積層セラミックコンデンサと、
を備える電子部品であって、
前記絶縁性基板は、前記積層セラミックコンデンサを搭載した際、前記一方主面に直交する方向から見た状態で、前記積層セラミックコンデンサの外形よりも小さい外形形状で形成され、
前記接続電極は、前記一方主面に直交する方向から見て、前記積層セラミックコンデンサと重なる、電子部品。 A flat insulating substrate; a first upper surface electrode and a second upper surface electrode formed on one main surface of the insulating substrate; formed on the insulating substrate along a direction orthogonal to the one main surface; A substrate comprising a plurality of connection electrodes connected to one upper surface electrode or the second upper surface electrode;
A first external electrode and a second external electrode are formed opposite to both ends in the longitudinal direction of the main body, the first external electrode is mounted on the first upper surface electrode, and the second external electrode is the second external electrode. A multilayer ceramic capacitor mounted on the top electrode;
An electronic component comprising:
The insulating substrate is formed with an outer shape smaller than the outer shape of the multilayer ceramic capacitor in a state viewed from a direction orthogonal to the one main surface when the multilayer ceramic capacitor is mounted,
The connection electrode is an electronic component that overlaps the multilayer ceramic capacitor when viewed from a direction orthogonal to the one main surface.
前記長さ方向の前記絶縁性基板の長さをLiAとし、前記長さ方向の前記積層セラミックコンデンサの長さをLciとしたときに、LiA<Lciの関係を満たし、
前記長さ方向に直交する幅方向の前記絶縁性基板の幅をWiAとし、前記長さ方向の前記積層セラミックコンデンサの幅をWciとしたときに、WiA<Wciの関係を満たす、電子部品。 The electronic component according to claim 1,
When the length of the insulating substrate in the length direction is LiA and the length of the multilayer ceramic capacitor in the length direction is Lci, the relationship LiA <Lci is satisfied.
An electronic component that satisfies a relationship of WiA <Wci, where WiA is a width of the insulating substrate in a width direction orthogonal to the length direction and Wci is a width of the multilayer ceramic capacitor in the length direction.
前記絶縁性基板には少なくとも1つの切り欠き部が形成されており、
該切り欠き部の内壁面に前記接続電極が形成されている、電子部品。 The electronic component according to claim 2,
The insulating substrate has at least one notch formed;
An electronic component, wherein the connection electrode is formed on an inner wall surface of the notch.
前記切り欠き部は、前記一方主面に直交する方向から見た状態で、前記第1外部電極と前記第2外部電極の少なくとも一方と重なる、電子部品。 The electronic component according to claim 3,
The notch is an electronic component that overlaps at least one of the first external electrode and the second external electrode when viewed from a direction orthogonal to the one main surface.
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