JP2014039214A - データ受信回路及び半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【目的】高速及び高密度伝送された信号から精度良く情報データに対応したデータ信号を取得することが可能なデータ受信回路及びこれを含む半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を第1差動段にて生成し、かかる第1差動信号の振幅を増幅して2値化した信号を受信データ信号として得る。この際、第1差動段とは別に設けた第2差動段にて、一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及び第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成し、これら第2及び第3差動信号に応じた電流を一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより受信差動信号の振幅を抑制する
【選択図】図2
【構成】一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を第1差動段にて生成し、かかる第1差動信号の振幅を増幅して2値化した信号を受信データ信号として得る。この際、第1差動段とは別に設けた第2差動段にて、一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及び第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成し、これら第2及び第3差動信号に応じた電流を一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより受信差動信号の振幅を抑制する
【選択図】図2
Description
本発明は、伝送ラインを介して受信した受信信号に対して各種信号処理を施すデータ受信回路及びこのデータ受信回路を含む半導体装置に関するものである。
近年、データ伝送の高速及び高密度化が望まれており、かかる要求を満たすデータ伝送方式として差動伝送方式が提案されている。
差動伝送方式では、情報データを互いに極性の異なる一対の差動信号に変換しこれらを平衡伝送ラインを介して伝送する。ここで、このような差動信号を受信するデータ受信回路として、受信した一対の差動信号を差動入力段で取り込み、その差動入力段で取り込まれた信号のレベルをレベル変換段によって論理回路で使用可能なレベルに変換したものをデータ信号として出力するようにしたものが提案されている(例えば特許文献1の図1参照)。このデータ受信回路では、受信した一対の差動信号(IN1、IN2)を差動入力段(M80〜M84)のトランジスタM81及びM82各々のゲート端子を介して取り込み、両者の差分値を増幅した信号をライン3及び4を介してレベル変換段(M85〜M88)に供給するようにしている。
しかしながら、高速及び高密度伝送に起因して、受信信号(一対の差動信号)には波形鈍りが生じる場合があり、このような場合には、高速伝送されてきた受信信号から精度良くデータ信号を取得することが困難であった。
本願発明は、上記の如き問題を解消するものであり、高速伝送されてきた受信信号から精度良く情報データに対応したデータ信号を取得することが可能なデータ受信回路及びこのデータ受信回路を含む半導体装置を提供することを目的とする。
本発明に係るデータ受信回路は、一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号から受信データ信号を得るデータ受信回路であって、前記一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を生成する第1差動段と、前記第1差動信号の振幅を増幅した信号を2値化しこれを前記受信データ信号として出力するレベル変換出力段と、前記一対の差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及びこの第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成する第2差動段と、前記第2差動信号に応じた電流及び前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより前記一対の受信差動信号の振幅を抑制する振幅制御段と、を有する。
又、本発明に係る半導体装置は、一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号から受信データ信号を得るデータ受信回路を含む半導体装置であって、前記データ受信回路は、前記一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を生成する第1差動段と、前記第1差動信号の振幅を増幅した信号を2値化しこれを前記受信データ信号として出力するレベル変換出力段と、前記一対の差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及びこの第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成する第2差動段と、前記第2差動信号に応じた電流及び前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより前記一対の受信差動信号の振幅を抑制する振幅制御段と、を有する。
本発明に係るデータ受信回路は、一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を第1差動段にて生成し、かかる第1差動信号の振幅を増幅して2値化した信号を受信データ信号として得る。この際、第1差動段とは別に設けた第2差動段にて、一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及び第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成し、これら第2及び第3差動信号に応じた電流を一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより受信差動信号の振幅を抑制するようにしている。
これにより、受信した一対の受信差動信号に波形鈍りが生じていても、その振幅に関しては高速動作を保証し得る上限振幅内に収めることが可能になるので、高速及び高密度伝送されてきた一対の受信差動信号から精度良く受信データ信号を取得することが可能となる。
図1は、本発明に係るデータ受信回路10の概略構成を示すブロック図である。
データ受信回路10は、半導体装置としての半導体基板に形成されており、図1に示すように、レシーバ100及びイコライザ200からなる。
レシーバ100は、互いに極性の異なる差動信号IN及びINBを平衡伝送ラインBL1及びBL2を夫々介して受信する。尚、このような受信差動信号としての一対の差動信号IN及びINBは、送信側(図示せぬ)において、送信すべき情報データに基づいて生成されたものである。レシーバ100は、差動信号IN及びINB同士のレベル差に対応した信号の振幅を増幅し、これを所定閾値に基づいて2値化した信号を受信データ信号RDSとして出力する。
イコライザ200は、差動信号IN及びINB同士のレベル差に応じた配分で平衡伝送ラインBL1及びBL2の各々に電流を吐き出すことにより、受信信号としての差動信号IN及びINBの振幅を抑制する。
図2は、上記レシーバ100及びイコライザ200各々の内部構成を示す回路図である。
図2に示すように、レシーバ100は、差動増幅段1、レベル変換段2及び出力段3を含む。
差動増幅段1において、pチャネルMOS(Metal Oxide Semiconductor)型のトランジスタ11のゲート端子には平衡伝送ラインBL1を介して供給された差動信号INが供給されており、pチャネルMOS型のトランジスタ12のゲート端子には平衡伝送ラインBL2を介して供給された差動信号INBが供給されている。定電流源13は、電源電圧VCCに基づき所定の一定電流Iaを生成し、これをトランジスタ11及び12各々のソース端子に供給する。トランジスタ11のドレイン端子はnチャネルMOS型のトランジスタ14のドレイン端子及びゲート端子に接続されている。かかるトランジスタ14のソース端子には接地電圧VSSが印加されており、そのゲート端子及びドレイン端子は中継ラインRL1を介してレベル変換段2に接続されている。トランジスタ12のドレイン端子はnチャネルMOS型のトランジスタ15のドレイン端子及びゲート端子に接続されている。かかるトランジスタ15のソース端子には接地電圧VSSが印加されており、そのゲート端子及びドレイン端子は中継ラインRL2を介してレベル変換段2に接続されている。
上記した構成により、差動増幅段1は、差動信号IN及びINB同士のレベル差に対応した信号を増幅した差動信号ANBを上記した中継ラインRL1を介してレベル変換段2に供給すると共に、この差動信号ANBの位相を反転させた信号を増幅した差動信号ANを中継ラインRL2を介してレベル変換段2に供給する。
レベル変換段2において、pチャネルMOS型のトランジスタ21及び22各々のソース端子には電源電圧VCCが印加されており、夫々のゲート端子同士が互いに接続されている。トランジスタ21のゲート端子及びドレイン端子は、ラインLL1を介してnチャネルMOS型のトランジスタ23のドレイン端子に接続されている。トランジスタ23のゲート端子には、差動増幅段1から中継ラインRL2を介して供給された差動信号ANが供給されており、そのソース端子には接地電圧VSSが印加されている。トランジスタ22のドレイン端子は、ラインLL2を介してnチャネルMOS型のトランジスタ24のドレイン端子に接続されている。トランジスタ24のゲート端子には差動増幅段1から中継ラインRL1を介して供給された差動信号ANBが供給されており、そのソース端子には接地電圧VSSが印加されている。
上記した構成により、レベル変換段2は、上記差動信号ANと差動信号ANBとの差分に対応した信号を増幅することによりその振幅を接地電圧VSS〜電源電圧VCCの範囲内にレベル変換した信号を振幅増幅信号RNとして生成し、これを上記ラインLL2を介して出力段3に供給する。
出力段3は、直列に接続されたインバータ31及び32からなり、レベル変換段2から供給された振幅増幅信号RNを2値化する。すなわち、出力段3は、振幅増幅信号RNの信号レベルがトランジスタの閾値Vthより高い場合には高レベルを示す論理レベル1、閾値Vth以下の場合には低レベルを示す論理レベル0に対応した2値信号を生成する。そして、出力段3は、かかる2値信号を受信データ信号RDSとして出力する。
また、図2に示すように、イコライザ200は、差動増幅段4及び振幅制御段5を有する。
差動増幅段4において、pチャネルMOS型のトランジスタ41のゲート端子には平衡伝送ラインBL1を介して供給された差動信号INが供給されており、pチャネルMOS型のトランジスタ42のゲート端子には平衡伝送ラインBL2を介して供給された差動信号INBが供給されている。定電流源43は、電源電圧VCCに基づき所定の一定電流を生成し、これをトランジスタ41及び42各々のソース端子に供給する。トランジスタ41のドレイン端子はラインQL1を介して抵抗44の一端及び振幅制御段5に接続されている。抵抗44の他端には接地電圧VSSが印加されている。トランジスタ42のドレイン端子はラインQL2を介して抵抗45の一端及び振幅制御段5に接続されている。抵抗45の他端には接地電圧VSSが印加されている。
上記した構成により、差動増幅段4は、差動信号IN及びINB同士のレベル差に対応した信号を増幅した差動信号BNBを上記したラインQL1を介して振幅制御段5に供給すると共に、この差動信号BNBの位相を反転させた信号を増幅した差動信号BNをラインQL2を介して振幅制御段5に供給する。
振幅制御段5において、pチャネルMOS型のトランジスタ51のゲート端子には上記したラインQL2を介して差動信号BNが供給されており、pチャネルMOS型のトランジスタ52のゲート端子には上記したラインQL1を介して差動信号BNBが供給されている。定電流源53は、電源電圧VCCに基づき所定の一定電流を生成し、これをトランジスタ51及び52各々のソース端子に供給する。トランジスタ51のドレイン端子は平衡伝送ラインBL1に接続されており、トランジスタ52のドレイン端子は平衡伝送ラインBL2に接続されている。
かかる構成により、振幅制御段5のトランジスタ51は、差動増幅段4で生成された差動信号BNのレベルが小なるほど大なる電流を平衡伝送ラインBL1に供給する。また、振幅制御段5のトランジスタ52は、差動増幅段4で生成された差動信号BNBのレベルが小なるほど大なる電流を平衡伝送ラインBL2に供給する。これにより、差動信号IN及びINBの信号レベルが小なるほど大幅にその信号レベルが増加するので、受信信号としての差動信号IN及びINBの振幅が低下する。
従って、イコライザ200によれば、レシーバ100への入力直前に、差動信号IN、INBに対してその振幅を、以下の如き高速動作が保証される上限の振幅値(以下、上限振幅と称する)以下に制限させることが可能となる。
図3は、データ受信回路10内にイコライザ200を設けた場合に得られる差動信号(IN、INB)の波形例(実線にて示す)と、このイコライザ200を設けなかった場合に得られる差動信号(IN、INB)の波形例(破線にて示す)とを対比して表す波形図である。
先ず、イコライザ200が設けられていない場合には、差動信号(IN、INB)の変化周期が比較的長い区間では、図3の破線に示す如くその振幅が上限振幅APMAXより大なる振幅AP1となる。その後、信号の変化周期が短くなる区間に移行すると信号の振幅は小さくなる。ところが、直前までの信号振幅がAP1の如き上限振幅APMAXより大であることに起因して、図3の破線に示すように、その変化周期が短くなった直後、その信号の振幅が安定するまでに時間SCが費やされてしまう。
一方、イコライザ200が設けられている場合には、差動信号(IN、INB)の変化周期が比較的長い区間では、図3の実線に示す如くその振幅は上限振幅APMAXとなるように制御される。そして、信号の変化周期が短くなる区間に移行すると、その直前までの信号振幅が、高速動作が保証される上限振幅APMAXであることから、信号の振幅は直ちに安定する。
よって、イコライザ200によれば、受信した差動信号(IN、INB)に波形鈍りが生じていても、その振幅に関しては、常に高速動作を保証し得る上限振幅内に収まるようになる。従って、後段のレシーバ100において、かかる差動信号(IN、INB)から精度良くデータ信号を取得することが可能となる。
尚、図2に示すイコライザ200では、差動増幅段4で生成された差動信号BN及びBNBの各々を直接、振幅制御段5のトランジスタ51及び52各々のゲート端子に供給しているが、差動信号BN及びBNB各々を所定時間だけ遅延させてから、トランジスタ51及び52各々のゲート端子に供給するようにしても良い。
図4は、かかる点に鑑みて為された、図1に示すデータ受信回路10の変形例を示す回路図である。
尚、図4に示す構成では、差動増幅段4で生成された差動信号BNを遅延回路54を介してトランジスタ51のゲート端子に供給すると共に、差動信号BNBを遅延回路55を介してトランジスタ52のゲート端子に供給するようにした点を除く他の構成は、図1に示されるものと同一である。
図4において、遅延回路54は、差動増幅段4がラインQL2上に送出した差動信号BNを所定期間だけ遅延させて振幅制御段5のトランジスタ51のゲート端子に供給する。遅延回路55は、差動増幅段4がラインQL1上に送出した差動信号BNBを、所定期間だけ遅延させて振幅制御段5のトランジスタ52のゲート端子に供給する。尚、遅延回路54及び55各々の遅延時間は、差動信号IN及びINBとして取り得る最小周期よりも短い遅延時間である。
これら遅延回路54及び55を設けることにより、受信した差動信号IN及びINBの現位相に合わせ込んで、差動信号BN(BNB)に基づく振幅制限処理を実施することが可能となるので、図1に示す構成に比して振幅制限処理の精度を高めることができる。
また、図2又は図4に示されるイコライザ200内に、受信した差動信号IN及びINB各々のDC(直流)レベル調整を行う為のDC調整回路を設けるようにしても良い。
図5は、かかる点に鑑みて為された、図4に示すデータ受信回路10の変形例を示す回路図である。
尚、図5に示す構成では、イコライザ200内に、DC調整回路としての可変抵抗56及び57を設けた点を除く他の構成は、図4に示されるものと同一である。
図5に示すイコライザ200では、可変抵抗56がトランジスタ51のドレイン端子及び平衡伝送ラインBL1間に接続されており、可変抵抗57がトランジスタ52のドレイン端子及び平衡伝送ラインBL2間に接続されている。すなわち、可変抵抗56及び57各々の抵抗値を変更することにより、受信した差動信号IN及びINB各々のDC(直流)レベルを個別に調整可能としている。
尚、上記実施例においては、差動信号(IN、INB、BN、BNB)を受けるトランジスタとして、pチャネル型のトランジスタ11、12、41、42、51及び52を用いるようにしているが、これらトランジスタ11、12、41、42、51及び52としては、nチャネル型のMOSトランジスタを用いるようにしても良い。また、トランジスタ11(41、51)及び12(42、52)の内の一方をnチャネル型のMOSトランジスタ、他方をpチャネル型のMOSトランジスタとしても良い。
要するに、データ受信回路10では、第1差動段(1)及びレベル変換出力段(2、3)を含むレシーバ(100)において一対の伝送ライン(BL1、BL2)を介して受信した一対の受信差動信号(IN、INB)から、受信データ信号(RDS)を得るにあたり、イコライザ(200)で受信差動信号の振幅を抑制するようにしている。すなわち、レシーバ(100)では、第1差動段(1)にて、上記した一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号(AN、ANB)を生成し、レベル変換出力段(2、3)により、かかる第1差動信号の振幅を増幅して2値化した信号を受信データ信号として得る。また、イコライザ(200)では、第2差動段(4)にて、一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及び第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号(BN、BNB)を生成し、振幅制御段(5)にて、第2差動信号に応じた電流及び第3差動信号に応じた電流を一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより受信差動信号の振幅を抑制するのである。
これにより、受信した一対の受信差動信号に波形鈍りが生じていても、その振幅に関しては高速動作を保証し得る上限振幅(APMAX)内に収めることが可能になるので、レシーバ(100)は、高速及び高密度伝送されてきた一対の受信差動信号から精度良く受信データ信号を取得することが可能となる。
1、4 差動増幅段
2 レベル変換段
3 出力段
5 振幅制御段
100 レシーバ
200 イコライザ
2 レベル変換段
3 出力段
5 振幅制御段
100 レシーバ
200 イコライザ
Claims (8)
- 一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号から受信データ信号を得るデータ受信回路であって、
前記一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を生成する第1差動段と、
前記第1差動信号の振幅を増幅した信号を2値化しこれを前記受信データ信号として出力するレベル変換出力段と、
前記一対の差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及びこの第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成する第2差動段と、
前記第2差動信号に応じた電流及び前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより前記一対の受信差動信号の振幅を抑制する振幅制御段と、を有することを特徴とするデータ受信回路。 - 前記振幅制御段は、
前記第2差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインの内の一方の伝送ラインに吐き出す第1トランジスタと、
前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインの内の他方の伝送ラインに吐き出す第2トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項1記載のデータ受信回路。 - 前記第2差動信号を所定期間だけ遅延させて前記第1トランジスタに供給する第1遅延回路と、
前記第3差動信号を所定期間だけ遅延させて前記第2トランジスタに供給する第2遅延回路と、を更に含むことを特徴とする請求項2記載のデータ受信回路。 - 前記第1トランジスタ及び前記一方の伝送ライン間に接続されており、前記第2差動信号に応じた電流の電流量を調整する第1可変抵抗と、
前記第2トランジスタ及び前記他方の伝送ライン間に接続されており、前記第3差動信号に応じた電流の電流量を調整する第2可変抵抗と、を更に含むことを特徴とする請求項2又は3に記載のデータ受信回路。 - 一対の伝送ラインを介して受信した一対の受信差動信号から受信データ信号を得るデータ受信回路を含む半導体装置であって、
前記データ受信回路は、
前記一対の受信差動信号同士のレベル差に対応した第1差動信号を生成する第1差動段と、
前記第1差動信号の振幅を増幅した信号を2値化しこれを前記受信データ信号として出力するレベル変換出力段と、
前記一対の差動信号同士のレベル差に対応した第2差動信号及びこの第2差動信号の位相を反転させた第3差動信号を生成する第2差動段と、
前記第2差動信号に応じた電流及び前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインに夫々吐き出すことにより前記一対の受信差動信号の振幅を抑制する振幅制御段と、を有することを特徴とする半導体装置。 - 前記振幅制御段は、
前記第2差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインの内の一方の伝送ラインに吐き出す第1トランジスタと、
前記第3差動信号に応じた電流を前記一対の伝送ラインの内の他方の伝送ラインに吐き出す第2トランジスタと、を含むことを特徴とする請求項5記載の半導体装置。 - 前記第2差動信号を所定期間だけ遅延させて前記第1トランジスタに供給する第1遅延回路と、
前記第3差動信号を所定期間だけ遅延させて前記第2トランジスタに供給する第2遅延回路と、を更に含むことを特徴とする請求項6記載の半導体装置。 - 前記第1トランジスタ及び前記一方の伝送ライン間に接続されており、前記第2差動信号に応じた電流の電流量を調整する第1可変抵抗と、
前記第2トランジスタ及び前記他方の伝送ライン間に接続されており、前記第3差動信号に応じた電流の電流量を調整する第2可変抵抗と、を更に含むことを特徴とする請求項6又は7に記載の半導体装置。
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