JP2014033195A - 有機化合物、発光素子、発光装置、電子機器及び照明装置 - Google Patents

Abstract

【課題】発光素子の発光特性、発光効率、及び信頼性の向上を達成することが可能な新たな有機化合物を提供する。また、該有機化合物を有する発光素子を提供する。また、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。
【解決手段】陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、有機化合物を含み、有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合する。
【選択図】図１

Description

本発明は、有機化合物及びそれを用いた発光素子に関する。また、当該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ；Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光を得ることができる。

このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに入力信号に対する応答速度が、非常に速いことも特徴の一つである。

そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することが出来る。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

エレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔（ホール）がそれぞれ発光性の有機化合物を有する層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔（ホール））が注入されて再結合することにより、発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る（電子と正孔が再結合する）際に発光する。なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。

このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、発光素子に用いる物質に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や物質開発等が盛んに行われている。例えば、燐光ドーパント、及びホスト化合物として、イミダゾフェナントリジン環（イミダゾフェナンスリジン環）を含む化合物等を用いた発光素子が開示されている（特許文献１参照）。

特開２０１０−２１５７５９号公報

特許文献１において報告されているように、発光素子に用いる材料の開発は進んではきてはいるものの、発光特性、発光効率、合成効率、信頼性等といった多くの面で改善の余地が残されており、より優れた発光素子の開発が望まれている。

また、特許文献１において報告されている、イミダゾフェナントリジン環と、ジベンゾフラン環の２位とがアリーレン基を介して結合した化合物は、合成が困難であり、実用性が乏しい。また、特許文献１のイミダゾフェナントリジン環を基本骨格とした化合物については、一般式が多岐の構造に渡り記載されているが、一部の化合物においては、具体的な合成方法等が記載されておらず、実際に化合物を合成または評価した根拠も示唆もない。

上記課題を鑑みて、本発明の一態様は、発光素子の発光特性、発光効率及び信頼性の向上を達成することが可能な新たな有機化合物を提供することを課題の一とする。また、該有機化合物を有する発光素子を提供することを課題の一とする。また、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供することを課題の一とする。

本発明の一態様は、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、有機化合物を含み、有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合することを特徴とする発光素子である。

電子輸送性があるイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、正孔輸送性があるジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合することで、バイポーラ性を有する有機化合物となり、効率良く電子や正孔を受け取ることができる。

また、本発明の他の一態様は、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを含み、第１の有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合し、第２の有機化合物が、有機金属イリジウム錯体であることを特徴とする発光素子である。

また、本発明の他の一態様は、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、第３の有機化合物とを含み、第１の有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合し、第２の有機化合物が、有機金属イリジウム錯体であり、第３の有機化合物が、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料であることを特徴とする発光素子である。第３の有機化合物として、アミン骨格を含む正孔輸送性材料を用いた場合、正孔輸送性を向上させることが可能となるが、アミン骨格を含む正孔輸送性材料は、三重項励起エネルギー準位が低いため、発光に寄与する第２の有機化合物の三重項励起エネルギーを消光（クエンチ）してしまい、発光効率が低下してしまう。

また、上記構成において、陰極側の発光層に接して電子輸送層を含み、電子輸送層が、上記有機化合物または第１の有機化合物を含むと好ましい。発光層だけでなく、電子輸送層にも、本発明の一態様である有機化合物を用いることで、発光素子の発光特性をさらに向上させることができる。

また、上記各構成において、陽極側の発光層に接して正孔輸送層を、含み、正孔輸送層が、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料であると、好ましく、さらに該正孔輸送性材料が、カルバゾール骨格を含むと、さらに好ましい。正孔輸送層が、アミン骨格を含む正孔輸送性材料の場合、三重項励起エネルギー準位が低いため、発光に寄与する第２の有機化合物の三重項励起エネルギーを消光（クエンチ）してしまい、発光効率が低下してしまう。一方、正孔輸送性材料がカルバゾール骨格を含む構成とすることで、高い三重項励起エネルギー準位を有するため、上述した消光（クエンチ）の問題も生じないため、好適である。

また、上記各構成において、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の４位がアリーレン基に結合すると、さらに好ましい。ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の４位と、アリーレン基が結合する構造とすることで、合成を簡便にすることができる。

また、上記各構成において、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格の７位がアリーレン基に結合すると、高い三重項励起エネルギー準位を有する上で、さらに好ましい。

また、本発明の他の一態様は、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、有機化合物を含み、有機化合物が、一般式（Ｇ１）で表されることを特徴とする発光素子である。なお、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。

一般式（Ｇ１）中において、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。

上記構成において、Ａｒが、置換または無置換のフェニレン基、あるいは置換または無置換のビフェニルジイル基であると好まく、さらにＡｒが、置換または無置換のｍ−フェニレン基であることが、高い三重項励起エネルギー準位を有する上で好ましい。

また、本発明の他の一態様は、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、発光層は、有機化合物を含み、有機化合物が、一般式（Ｇ２）で表されることを特徴とする発光素子である。なお、一般式（Ｇ２）で表される有機化合物は、有用な新規化合物であり、本発明の一態様である。

一般式（Ｇ２）中において、Ｒ^１〜Ｒ^９、Ｒ^１１〜Ｒ^１４及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。

また、上述した有機化合物は、高い三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）を有している。したがって、このような有機化合物を発光層に用いた発光素子は、発光効率を高くすることができる。

また、本発明の一態様は、上記各構成の発光素子を有する発光装置、発光装置を有する電子機器、及び照明装置も範疇に含めるものである。したがって、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様は、発光素子の発光特性、発光効率、及び信頼性の向上を達成することが可能な新たな有機化合物を提供することができる。また、該有機化合物を有する発光素子を提供することができる。本発明の一態様は、該発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置を提供することができる。

本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光素子を説明する図、および発光素子中の有機化合物の吸収・発光スペクトルの模式図。 本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の電子機器を説明する図。 本発明の一態様の電子機器を説明する図。 本発明の一態様の電子機器及び照明装置を説明する図。 ７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩの^１Ｈ ＮＭＲチャート図。 ７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ（のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 ７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ（のトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 実施例の発光素子（発光素子１及び発光素子２）を説明する図。 発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子１の電圧−電流特性を示す図。 発光素子１の信頼性試験結果を示す図。 発光素子２の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子２の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子２の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子２の電圧−電流特性を示す図。 ７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの^１Ｈ ＮＭＲチャート図。 ７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔのＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 ７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 ７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの薄膜の吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 発光素子３の電流密度−輝度特性を示す図。 発光素子３の電圧−輝度特性を示す図。 発光素子３の輝度−電流効率特性を示す図。 発光素子３の電圧−電流特性を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子について、図１を用いて説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように第１の電極１０１と第２の電極１０３の間に、ＥＬ層１０２が挟持されており、ＥＬ層１０２は、少なくとも発光層１１３を含み、発光層１１３の他に正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５などを含んで形成される。なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１を陽極として用い、第２の電極１０３を陰極として用いる。

また、発光層１１３は、有機化合物を含み、該有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合する。

電子輸送性があるイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、正孔輸送性があるジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合することで、バイポーラ性を有する有機化合物となり、効率良く電子や正孔を受け取ることができる。また、とくにジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格の４位と、アリーレン基が結合する構造とすることで、合成を簡便にすることができる。

なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることによりキャリアである正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。

また、ＥＬ層１０２における電子注入層１１５は、電子輸送性の高い物質とドナー性物質を含む層であり、ドナー性物質によって電子輸送性の高い物質へ電子を与えることによってキャリアである電子が発生する。従って、電子注入層１１５から電子輸送層１１４を介して発光層１１３に電子が注入される。

以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。

基板１００は発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０１および第２の電極１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他、グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極１０１および第２の電極１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いる正孔輸送性の高い物質としては、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）、または芳香族アミン化合物を用いることができる。例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニルカルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。

上述した中でも、カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

さらに、正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いることのできる材料としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）、ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２は、上記正孔輸送性の高い物質と、アクセプター性を有する物質との混合層を用いてもよい。この場合、キャリア注入性が良好となり好ましい。用いるアクセプター性物質としては、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物などの遷移金属酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

また、正孔輸送層１１２に用いることのできる材料として、上記にはアミン骨格を含む化合物も記載しているが、アミン骨格を含まないほうが好ましく、カルバゾール骨格を含む構造が好ましい。

正孔輸送層１１２が、アミン骨格を含む正孔輸送性材料の場合、三重項励起エネルギー準位が低いため、発光に寄与する第２の有機化合物の三重項励起エネルギーを消光（クエンチ）してしまい、発光効率が低下してしまう。一方、正孔輸送性材料がカルバゾール骨格を含む構成とすることで、高い三重項励起エネルギー準位を有するため、上述した消光（クエンチ）の問題も生じないため、好適である。

発光層１１３は、例えば、電子輸送性材料をホスト材料（第１の有機化合物）として含み、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性材料をゲスト材料（第２の有機化合物）として含み、正孔輸送性材料をアシスト材料（第３の有機化合物）として含んで形成される層であると好ましい。なお、ホスト材料とアシスト材料の関係は、上記構成に限定されず、電子輸送性材料をアシスト材料として用い、正孔輸送性材料をホスト材料としても良い。

ここで、上記ホスト材料（第１の有機化合物）として、本発明の一態様である有機化合物を用いることができる。本発明の有機化合物は、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合する。すなわち、本発明の一態様である有機化合物は、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物である。

一般式（Ｇ１）中において、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。

本発明の一態様の有機化合物は、電子輸送性骨格であるイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格に加えて、正孔輸送性骨格であるジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格を有するため、正孔を受け取ることが容易となる。したがって、本発明の一態様の有機化合物を発光層１１３のホスト材料に用いることで、電子と正孔の再結合を容易に行うことができる。また、上記有機化合物は、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合しているため、直接結合する場合に比べてバンドギャップの低下、及び三重項励起エネルギー準位の低下を抑制することができる。また、熱物性の向上や、膜質の安定性が向上する。その有機化合物を発光層１１３に用いることで、電流効率の高い素子を実現することができる。

また、一般式（Ｇ１）中において、Ａｒが、置換または無置換のフェニレン基、あるいは置換または無置換のビフェニルジイル基であると好ましく、Ａｒが、置換または無置換のｍ−フェニレン基であると、さらに好ましい。すなわち、本発明の一態様である有機化合物は、一般式（Ｇ２）で表される有機化合物である。

一般式（Ｇ２）中において、Ｒ^１〜Ｒ^９、Ｒ^１１〜Ｒ^１４及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。

一般式（Ｇ１）に示される有機化合物の具体例としては、構造式（１００）〜（１６８）、及び構造式（２００）〜（２６８）に示される有機化合物を挙げることができる。但し、本発明はこれらに限定されない。

また、本発明の一態様である有機化合物の合成方法としては種々の反応を適用することができる。例えば、以下に示す合成反応を行うことによって、一般式（Ｇ１）で表される有機化合物を合成することができる。なお、有機化合物の合成方法は、以下の合成方法に限定されない。

≪一般式（Ｇ１）で表される有機化合物の合成方法≫
合成スキーム（Ａ−１）に示すように、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン誘導体のハロゲン化物（化合物１）と、ジベンゾチオフェン骨格、又はジベンゾフラン骨格を有するアリールボロン酸エステル、又はアリールボロン酸（化合物２）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、目的化合物を得ることができる。

合成スキーム（Ａ−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。また、Ｒ^５０及びＲ^５１は水素、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。また、Ｒ^５０とＲ^５１は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表す。また、Ｘ^１はハロゲンを表す。

また、合成スキーム（Ａ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格を有するアリールボロン酸エステル、又はボロン酸と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体をカップリングしてもよい。

次に、合成スキーム（Ｂ−１）に示すように、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格を有するアリールハライド（化合物３）と、ジベンゾチオフェン誘導体またはジベンゾフラン誘導体のボロン酸エステル、またはボロン酸（化合物４）を、鈴木・宮浦反応によりカップリングさせることで、目的化合物を得ることができる。

合成スキーム（Ｂ−１）において、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、置換または無置換の炭素数６〜１３のアリール基を表す。また、Ｒ^５２及びＲ^５３は水素、炭素数１〜６のアルキル基のいずれかを表す。また、Ｒ^５２とＲ^５３は互いに結合して環を形成していても良い。また、Ｚは酸素原子または硫黄原子を表す。また、Ｘ^２はハロゲンまたはトリフラート基を表し、ハロゲンとしては、ヨウ素と臭素がより好ましい。

また、合成スキーム（Ｂ−１）に示す鈴木・宮浦カップリング反応において、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格を有するアリールボロン酸エステル、またはアリールボロン酸と、ジベンゾフラン誘導体、又はジベンゾチオフェン誘導体のハロゲン化物、又はトリフラート置換体をカップリングしてもよい。

また、合成スキーム（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒としては、酢酸パラジウム（ＩＩ）、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロライド等が挙げられるが、用いることができるパラジウム触媒はこれらに限られるものでは無い。

また、合成スキーム（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、用いることができるパラジウム触媒の配位子としては、トリ（オルト−トリル）ホスフィンや、トリフェニルホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィン等が挙げられる。用いることができるパラジウム触媒の配位子はこれらに限られるものでは無い。

また、合成スキーム（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、用いることができる塩基としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム、炭酸ナトリウム等の無機塩基等が挙げられるが、用いることができる塩基はこれらに限られるものでは無い。

また、合成スキーム（Ａ−１）および（Ｂ−１）において、用いることができる溶媒としては、トルエンと水の混合溶媒、トルエンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、キシレンと水の混合溶媒、キシレンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、ベンゼンと水の混合溶媒、ベンゼンとエタノール等のアルコールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒などが挙げられる。ただし、用いることができる溶媒はこれらに限られるものでは無い。また、トルエンと水、又はトルエンとエタノールと水の混合溶媒、エチレングリコールジメチルエーテル等のエーテル類と水の混合溶媒がより好ましい。

また、合成スキーム（Ａ−１）および（Ｂ−１）に示すカップリング反応において、ボロン酸エステル、またはボロン酸以外にも、有機アルミニウムや、有機ジルコニウム、有機亜鉛、有機スズ化合物等を用いるクロスカップリング反応を用いてもよい。しかし、これらに限定されるものではない。また、このカップリングにおいて、ハロゲン以外にもトリフラート基等を用いても良いが、これらに限定されるものではない。

以上によって、本発明の一態様である有機化合物を合成することができる。

なお、本発明の一態様である有機化合物は、高いＴ１準位を有しているため、高い一重項励起エネルギーの準位（Ｓ１準位）も有している。したがって、本発明の一態様である有機化合物は、蛍光材料のホスト材料としても用いることができる。

また、発光層１１３に用いる三重項励起エネルギーを発光に変える発光性材料、すなわちゲスト材料（第２の有機化合物）としては、例えば、燐光性材料や熱活性化遅延蛍光を示す熱活性化遅延蛍光（ＴＡＤＦ：Ｔｈｅｒｍａｌｌｙ Ａｃｔｉｖａｔｅｄ Ｄｅｌａｙｅｄ Ｆｌｕｏｒｅｓｃｅｎｃｅ）材料が挙げられる。

また、上記燐光性材料として、例えば４４０ｎｍ〜５２０ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、トリス｛２−［５−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール−３−イル−κＮ２］フェニル−κＣ｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）、トリス（５−メチル−３，４−ジフェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ）_３］）、トリス［４−（３−ビフェニル）−５−イソプロピル−３−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｔｚ−３ｂ）_３）のような４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス［３−メチル−１−（２−メチルフェニル）−５−フェニル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｍｐｔｚ１−ｍｐ）_３］）、トリス（１−メチル−５−フェニル−３−プロピル−１Ｈ−１，２，４−トリアゾラト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｐｒｐｔｚ１−Ｍｅ）_３）のような１Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ｆａｃ−トリス［１−（２，６−ジイソプロピルフェニル）−２−フェニル−１Ｈ−イミダゾール］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｉＰｒｐｍｉ）_３）、トリス［３−（２，６−ジメチルフェニル）−７−メチルイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｄｍｐｉｍｐｔ−Ｍｅ）_３）のようなイミダゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）テトラキス（１−ピラゾリル）ボラート（略称：ＦＩｒ６）、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：ＦＩｒｐｉｃ）、ビス｛２−［３’，５’−ビス（トリフルオロメチル）フェニル］ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’｝イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ_３ｐｐｙ）_２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒ（ａｃａｃ））のような電子吸引基を有するフェニルピリジン誘導体を配位子とする有機金属イリジウム錯体が挙げられる。上述した中でも、４Ｈ−トリアゾール骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも優れるため、特に好ましい。

また、例えば５２０ｎｍ〜６００ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、トリス（４−メチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_３］）、トリス（４−ｔ−ブチル−６−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_３］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−メチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−フェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［４−（２−ノルボルニル）−６−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（ｅｎｄｏ−，ｅｘｏ−混合物）（略称：Ｉｒ（ｎｂｐｐｍ）_２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［５−メチル−６−（２−メチルフェニル）−４−フェニルピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｍｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（４，６−ジフェニルピリミジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄｐｐｍ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（３，５−ジメチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−Ｍｅ）_２（ａｃａｃ）］）、（アセチルアセトナト）ビス（５−イソプロピル−３−メチル−２−フェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｍｐｐｒ−ｉＰｒ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_３］）、ビス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｐｙ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_２（ａｃａｃ）］）、トリス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｂｚｑ）_３］）、トリス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_３］）、ビス（２−フェニルキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｔｂ（ａｃａｃ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。

また、例えば６００ｎｍ〜７００ｎｍに発光のピークを有する燐光性材料としては、（ジイソブチリルメタナト）ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｉｂｍ）］）、ビス［４，６−ビス（３−メチルフェニル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（５ｍｄｐｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）、ビス［４，６−ジ（ナフタレン−１−イル）ピリミジナト］（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｄ１ｎｐｍ）_２（ｄｐｍ）］）のようなピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ａｃａｃ）］）、ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）（ジピバロイルメタナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔｐｐｒ）_２（ｄｐｍ）］）、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体や、トリス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_３］）、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ^２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：［Ｉｒ（ｐｉｑ）_２（ａｃａｃ）］）のようなピリジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体の他、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）のような白金錯体や、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＤＢＭ）_３（Ｐｈｅｎ）］）、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｅｕ（ＴＴＡ）_３（Ｐｈｅｎ）］）のような希土類金属錯体が挙げられる。上述した中でも、ピリミジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、信頼性や発光効率にも際だって優れるため、特に好ましい。また、ピラジン骨格を有する有機金属イリジウム錯体は、色度の良い赤色発光が得られる。

また、発光層１１３に用いる正孔輸送性材料、すなわちアシスト材料（第３の有機化合物）としては、正孔注入層１１１、及び正孔輸送層１１２に用いることのできる正孔輸送性の高い物質を用いればよい。

とくに、発光層１１３に用いるアシスト材料（第３の有機化合物）としては、カルバゾール骨格を含む化合物が好ましい。カルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

なお、これらのホスト材料（第１の有機化合物）およびアシスト材料（第３の有機化合物）は、青色の波長領域に吸収を有さないことが好ましい。具体的には、吸収端が４４０ｎｍ以下であることが好ましい。

電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、上述した電子輸送性材料の他、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｑ_３）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（略称：ＢＡｌｑ）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾオキサゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＯＸ）_２）、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４’−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４’’−ビフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジンジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層１１４として用いてもよい。

また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

また、電子輸送層１１４は、本発明の一態様である有機化合物を用いるとさらに好ましい。本発明の一態様の有機化合物は、電子輸送性の良好な材料であるため、電子輸送層１１４に用いると好適である。

電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属またはアルカリ土類金属の化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。

あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、及び電子注入層１１５は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

また、上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に与えられた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。

以上のように、本実施の形態に示す発光素子は、陰極と陽極の間に発光層を含む発光素子において、発光層は有機化合物を含み、該有機化合物がイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合する。この有機化合物を発光層に用いることで、電流効率の高い発光素子とすることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様である有機化合物と、三重項励起エネルギーを発光に変える発光性材料と、正孔輸送性材料とを発光層に用いた発光素子について、図２（Ａ）及び図２（Ｂ）を用いて説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図２（Ａ）に示すように第１の電極２０１及び第２の電極２０３間にＥＬ層２１０を有する構造である。なお、ＥＬ層２１０には、少なくとも発光層２２３が含まれ、その他、正孔注入層２２１、正孔輸送層２２２、電子輸送層２２４、電子注入層２２５などが含まれていても良い。正孔注入層２２１、正孔輸送層２２２、電子輸送層２２４、電子注入層２２５用いることのできる材料としては、実施の形態１に示した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５に用いることのできる材料を、それぞれ適用することができる。また、本実施の形態においては、第１の電極２０１を陽極として用い、第２の電極２０３を陰極として用いる。

本実施の形態に示す発光素子において、本発明の一態様である有機化合物が、発光層２２３に含まれた構成である。なお、本発明の一態様である有機化合物が電子輸送層２２４に含まれた構成としてもよい。

発光層２２３は、第１の有機化合物２１３と、第２の有機化合物２１４と、第３の有機化合物２１５が含まれており、本実施の形態においては、第１の有機化合物２１３をホスト材料として用い、第２の有機化合物２１４をゲスト材料として用い、第３の有機化合物２１５をアシスト材料として用いる。本発明の一態様である有機化合物は、電子輸送性の高い物質であるため、ホスト材料として用いる第１の有機化合物２１３に適用することができる。

発光層２２３において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。

なお、第１の有機化合物２１３、及び第３の有機化合物２１５のそれぞれのＴ１準位は、第２の有機化合物２１４のＴ１準位よりも高いことが好ましい。第１の有機化合物２１３（または第３の有機化合物２１５）のＴ１準位が第２の有機化合物２１４のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する第２の有機化合物２１４の三重項励起エネルギーを第１の有機化合物２１３（または第３の有機化合物２１５）が消光してしまい、発光効率の低下を招くためである。

ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、エネルギー移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およびデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（より詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯のスペクトル）との重なりが大きくなることが好ましい。しかしながら通常の燐光性のゲスト材料の場合、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト材料の最も長波長側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位がゲスト材料のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位がゲスト材料のＴ１準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネルギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長側の吸収帯の吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の最も長波長側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。

そこで本実施形態においては、第１の有機化合物２１３、および第３の有機化合物２１５は、励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成する組み合わせであることが好ましい。これにより、発光層２２３において、第１の有機化合物２１３と第３の有機化合物２１５は、より長波長側に励起錯体の発光を与える。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料（第２の有機化合物２１４）の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物２１３と第３の有機化合物２１５を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる（図２（Ｂ）参照）。

なお、三重項励起状態に関しても、第１の有機化合物２１３と第３の有機化合物２１５の励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。

第１の有機化合物２１３としては、本発明の一態様である有機化合物を用いるとよい。また、第２の有機化合物２１４としては、実施の形態１に示す燐光性材料、とくに有機金属イリジウム錯体を用いるとよい。また、第３の有機化合物２１５としては、実施の形態１に示す正孔輸送性材料を用いるとよい。

上述した第１の有機化合物２１３、及び第３の有機化合物２１５は、励起錯体を形成できる組み合わせの一例であり、励起錯体の発光スペクトルが、第２の有機化合物２１４の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、第２の有機化合物２１４の吸収スペクトルの最も長波長側のピークよりも長波長であればよい。

なお、電子輸送性材料と正孔輸送性材料で第１の有機化合物２１３と第３の有機化合物２１５を構成するため、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第３の有機化合物＝１：９〜９：１の範囲が好ましい。

本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように第１の電極３０１と、第２の電極３０３の間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３１１、第２のＥＬ層３１２）を有するタンデム型発光素子である。

本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０３は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１及び第２の電極３０３は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層は、実施の形態１または実施の形態２で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層３１１と第２のＥＬ層３１２は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態１または実施の形態２と同様なものを適用することができる。

また、複数のＥＬ層の間には、電荷発生層３１３が設けられている。電荷発生層３１３は、第１の電極３０１と第２の電極３０３に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０３よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３１３から第１のＥＬ層３１１に電子が注入され、第２のＥＬ層３１２に正孔が注入される。

なお、電荷発生層３１３は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層３１３に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層３１３は、第１の電極３０１や第２の電極３０３よりも低い導電率であっても機能する。

電荷発生層３１３は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。

正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、ＢＳＰＢなどの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属などの遷移金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

図３（Ａ）においては、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。 このような構成にすることで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合すると、白色発光を得ることができる。

また、３つの発光層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光装置について説明する。

本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４５１及び半透過・半反射電極４５２）間に少なくともＥＬ層４５５を有する発光素子を、複数有している。また、ＥＬ層４５５は、少なくとも発光層４５４（４５４Ｒ、４５４Ｇ、４５４Ｂ）を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などが含まれていても良い。

第１の発光素子４５０Ｂは、反射電極４５１上に第１の発光層４５４Ｂ、第２の発光層４５４Ｇ、第３の発光層４５４Ｒを含むＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子４５０Ｇは、反射電極４５１上に第１の透明導電層４５３ａと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子４５０Ｒは、反射電極４５１上に第２の透明導電層４５３ｂと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２とが順次積層された構造を有する。

なお、上記発光素子（第１の発光素子４５０Ｂ、第２の発光素子４５０Ｇ、第３の発光素子４５０Ｒ）において、反射電極４５１、ＥＬ層４５５、半透過・半反射電極４５２は共通である。また、第１の発光層４５４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の領域にピーク波長（λ_Ｂ）をもつ光を発光させ、第２の発光層４５４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の領域にピーク波長（λ_Ｇ）を持つ光を発光させ、第３の発光層４５４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の領域にピーク波長（λ_Ｒ）を持つ光を発光させる。これにより、第１の発光層４５４Ｂ、第２の発光層４５４Ｇ、及び第３の発光層４５４Ｒからの発光が重ね合わされた、可視光領域に渡るブロードな光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λ_Ｂ＜λ_Ｇ＜λ_Ｒなる関係であるとする。

本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２との間にＥＬ層４５５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４５５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器としての機能を有する反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２とによって共振される。なお、反射電極４５１は、反射性を有する導電性材料により形成され、可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつ抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４５２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつ抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

また、本実施の形態では、第２の発光素子４５０Ｇと第３の発光素子４５０Ｒにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４５３ａ、第２の透明導電層４５３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２間の光学距離を変えている。つまり、反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２で形成される微小光共振器は、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の間の光学距離を変えることにより、第１から第３の発光素子４５０Ｂ、４５０Ｇ、４５０Ｒが同一の発光層を有していても、異なる波長の光を取り出すことができる。

なお、光学距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「光学距離＝実膜厚×ｎ」である。

また、第１の発光素子４５０Ｂでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｂ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第２の発光素子４５０Ｇでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｇ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第３の発光素子４５０Ｒでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｒ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）としている。

以上より、第１の発光素子４５０Ｂからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第１の発光層４５４Ｂで発光した光が取り出され、第２の発光素子４５０Ｇからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第２の発光層４５４Ｇで発光した光が取り出され、第３の発光素子４５０Ｒからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第３の発光層４５４Ｒで発光した光が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４５２側からそれぞれ射出される。

また、上記構成において、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離は、厳密には反射電極４５１における反射領域から半透過・半反射電極４５２における反射領域までの光学的距離である。しかし、反射電極４５１や半透過・半反射電極４５２における反射領域の位置や、発光領域を厳密に決定することは困難であるため、本実施の形態では、図４に示すように、反射電極４５１とＥＬ層４５５の界面、およびＥＬ層４５５と半透過・半反射電極４５２との界面を反射領域として、第１から第３の各発光層（４５４Ｒ、４５４Ｇ、４５４Ｂ）の中心を発光中心として以下の説明を行う。

次に、第１の発光素子４５０Ｂにおいて、第１の発光層４５４Ｂからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第１の発光層４５４Ｂから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｂの光学的距離を（２ｎ_Ｂ−１）λ_Ｂ／４（ただし、ｎ_Ｂは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第１の発光層４５４Ｂからの発光を増幅させることができる。

同様に、第２の発光素子４５０Ｇにおいて、第２の発光層４５４Ｇからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層４５４Ｇから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇの光学的距離を（２ｎ_Ｇ−１）λ_Ｇ／４（ただし、ｎ_Ｇは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層４５４Ｇからの発光を増幅させることができる。

同様に、第３の発光素子４５０Ｒにおいて、第３の発光層４５４Ｒからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第３の発光層４５４Ｒから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｒの光学的距離を（２ｎ_Ｒ−１）λ_Ｒ／４（ただし、ｎ_Ｒは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第３の発光層４５４Ｒからの発光を増幅させることができる。

なお、上記構成において、いずれの発光素子も一つのＥＬ層を有しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態３で説明したタンデム型（積層型）発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を形成する構成としてもよい。

本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じ構成のＥＬ層を有していても発光素子毎に異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明などの用途に用いてもよい。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を有する発光装置について説明する。

また、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。

本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。

なお、図５（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４とを有する。画素部５０２、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４は、シール材５０５によって、素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。

また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。

次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３と、画素部５０２が示されている。

駆動回路部５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、本実施の形態においては、第１の電極５１３を陽極として用いる。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、ネガ型の感光性樹脂、或いはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。

第１の電極５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６が積層形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも正孔輸送層、及び発光層が設けられている。正孔輸送層、及び発光層は、実施の形態１または実施の形態２で示した構成を適用することができる。なお、本実施の形態においては、第２の電極５１６を陰極として用いる。

なお、第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６との積層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６の用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極５１６は外部入力端子であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。

また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す本発明の一態様の発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。電子機器としては、ビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話、スマートフォン、携帯型ゲーム機、電子書籍、またはタブレット型端末等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例について、図６、及び図７を用いて説明する。

図６（Ａ）は、本発明の一態様に係るテレビ装置であり、筐体６１１、支持台６１２、表示部６１３、スピーカー部６１４、ビデオ入力端子６１５等を含む。このテレビ装置において、表示部６１３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたテレビ装置を得ることができる。

図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係るコンピュータであり、本体６２１、筐体６２２、表示部６２３、キーボード６２４、外部接続ポート６２５、ポインティングデバイス６２６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部６２３には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたコンピュータを得ることができる。

図６（Ｃ）は、本発明の一態様に係る携帯電話であり、本体６３１、筐体６３２、表示部６３３、音声入力部６３４、音声出力部６３５、操作キー６３６、外部接続ポート６３７、アンテナ６３８等を含む。この携帯電話において、表示部６３３には、本発明の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減された携帯電話を得ることができる。

図６（Ｄ）は、本発明の一態様に係るカメラであり、本体６４１、表示部６４２、筐体６４３、外部接続ポート６４４、リモコン受信部６４５、受像部６４６、バッテリー６４７、音声入力部６４８、操作キー６４９、接眼部６５０等を含む。このカメラにおいて、表示部６４２には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたカメラを得ることができる。

図７（Ａ）及び図７（Ｂ）は２つ折り可能なタブレット型端末である。図７（Ａ）は、開いた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂ、表示モード切り替えスイッチ９０３４、電源スイッチ９０３５、省電力モード切り替えスイッチ９０３６、留め具９０３３、操作スイッチ９０３８、を有する。

上記実施の形態のいずれかに示す発光装置は、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂに用いることが可能であり、消費電力の低減されたタブレット型端末とすることが可能となる。

表示部９６３１ａは、一部をタッチパネルの領域９６３２ａとすることができ、表示された操作キー９６３８にふれることでデータ入力をすることができる。なお、表示部９６３１ａにおいては、一例として半分の領域が表示のみの機能を有する構成、もう半分の領域がタッチパネルの機能を有する構成を示しているが該構成に限定されない。表示部９６３１ａの全ての領域がタッチパネルの機能を有する構成としても良い。例えば、表示部９６３１ａの全面をキーボードボタン表示させてタッチパネルとし、表示部９６３１ｂを表示画面として用いることができる。

また、表示部９６３１ｂにおいても表示部９６３１ａと同様に、表示部９６３１ｂの一部をタッチパネルの領域９６３２ｂとすることができる。また、タッチパネルのキーボード表示切り替えボタン９６３９が表示されている位置に指やスタイラスなどでふれることで表示部９６３１ｂにキーボードボタン表示することができる。

また、タッチパネルの領域９６３２ａとタッチパネルの領域９６３２ｂに対して同時にタッチ入力することもできる。

また、表示モード切り替えスイッチ９０３４は、縦表示又は横表示などの表示の向きを切り替え、白黒表示やカラー表示の切り替えなどを選択できる。省電力モード切り替えスイッチ９０３６は、タブレット型端末に内蔵している光センサで検出される使用時の外光の光量に応じて表示の輝度を最適なものとすることができる。タブレット型端末は光センサだけでなく、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサなどの他の検出装置を内蔵させてもよい。

また、図７（Ａ）では表示部９６３１ｂと表示部９６３１ａの表示面積が同じ例を示しているが特に限定されず、一方のサイズともう一方のサイズが異なっていてもよく、表示の品質も異なっていてもよい。例えば一方が他方よりも高精細な表示を行える表示パネルとしてもよい。

図７（Ｂ）は、閉じた状態であり、タブレット型端末は、筐体９６３０、太陽電池９６３３、充放電制御回路９６３４を有する。なお、図７（Ｂ）では充放電制御回路９６３４の一例としてバッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６を有する構成について示している。

なお、タブレット型端末は２つ折り可能なため、未使用時に筐体９６３０を閉じた状態にすることができる。従って、表示部９６３１ａ、表示部９６３１ｂを保護できるため、耐久性に優れ、長期使用の観点からも信頼性の優れたタブレット型端末を提供できる。

また、この他にも図７（Ａ）及び図７（Ｂ）に示したタブレット型端末は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。

タブレット型端末の表面に装着された太陽電池９６３３によって、電力をタッチパネル、表示部、又は映像信号処理部等に供給することができる。なお、太陽電池９６３３は、筐体９６３０の片面又は両面に設けることができ、バッテリー９６３５の充電を効率的に行う構成とすることができる。なおバッテリー９６３５としては、リチウムイオン電池を用いると、小型化を図れる等の利点がある。

また、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４の構成、及び動作について図７（Ｃ）にブロック図を示し説明する。図７（Ｃ）には、太陽電池９６３３、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３、表示部９６３１について示しており、バッテリー９６３５、ＤＣＤＣコンバータ９６３６、コンバータ９６３７、スイッチＳＷ１乃至ＳＷ３が、図７（Ｂ）に示す充放電制御回路９６３４に対応する箇所となる。

まず外光により太陽電池９６３３により発電がされる場合の動作の例について説明する。太陽電池で発電した電力は、バッテリー９６３５を充電するための電圧となるようＤＣＤＣコンバータ９６３６で昇圧又は降圧がなされる。そして、表示部９６３１の動作に太陽電池９６３３からの電力が用いられる際にはスイッチＳＷ１をオンにし、コンバータ９６３７で表示部９６３１に必要な電圧に昇圧又は降圧をすることとなる。また、表示部９６３１での表示を行わない際には、ＳＷ１をオフにし、ＳＷ２をオンにしてバッテリー９６３５の充電を行う構成とすればよい。

なお太陽電池９６３３については、発電手段の一例として示したが、特に限定されず、圧電素子（ピエゾ素子）や熱電変換素子（ペルティエ素子）などの他の発電手段によるバッテリー９６３５の充電を行う構成であってもよい。例えば、無線（非接触）で電力を送受信して充電する無接点電力伝送モジュールや、また他の充電手段を組み合わせて行う構成としてもよい。

本実施の形態に示す構成、方法などは、他の実施の形態に示す構成、方法などと適宜組み合わせて用いることができる。

以上のように、本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光装置を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。

また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。照明装置の具体例について、図８を用いて説明する。

図８（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図８（Ａ）に示した液晶表示装置は、筐体７０１、液晶パネル７０２、バックライト７０３、筐体７０４を有し、液晶パネル７０２は、ドライバＩＣ７０５と接続されている。また、バックライト７０３は、本発明の一態様の発光装置が用いられおり、端子７０６により、電流が供給されている。このように本発明の一態様の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の一態様の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。

図８（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図８（Ｂ）に示す電気スタンドは、筐体８０１と、光源８０２を有し、光源８０２として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の電気スタンドを得ることが可能となる。

図８（Ｃ）は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の照明装置を得ることが可能となる。このように、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明の一態様のテレビ装置９０２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

本実施例では、実施の形態１において構造式（１０１）で示す有機化合物を製造する合成法の一例について、以下説明を行う。

＜構造式（１０１）で示す７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン（略称：７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ）の合成法＞
まず、下記構造式（１０１）で示す７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩの合成法の一例について説明する。

２００ｍＬ三口フラスコに７−ブロモイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン１．２ｇ（４．０ｍｍｏｌ）、３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニルボロン酸１．３ｇ（４．４ｍｍｏｌ）、トルエン４０ｍＬ、エタノール８ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液４ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、テトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）９２ｍｇ（８０μｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で６時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水を加え、析出した固体を吸引ろ過し、固体をメタノールで洗浄した。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、固体を得た。この固体をトルエンで再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量１．４ｇ、収率７４％で得た。

得られた７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジンの白色粉末１．４ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．３Ｐａ、アルゴン流量５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジンを２８０℃で加熱して行った。昇華精製後７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジンの白色固体を１．３ｇ、回収率９３％で得た。上記合成法の反応スキームを下記（Ｃ−１）に示す。

上記反応スキーム（Ｃ−１）で得られた化合物を核磁気共鳴法（^１Ｈ ＮＭＲ）により同定した。以下に測定データを示す。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．４５−７．５２（ｍ、２Ｈ）、７．５８−７．７０（ｍ、６Ｈ）、７．７８−７．８７（ｍ、３Ｈ）、７．９４−８．００（ｍ、２Ｈ）、８．０３（ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１Ｈ）、８．１２（ｔ、Ｊ＝１．８Ｈｚ、１Ｈ）、８．１９−８．２３（ｍ、２Ｈ）、８．４７−８．５０（ｍ、１Ｈ）、８．６７−８．７０（ｍ、１Ｈ）、８．７５（ｄ、Ｊ＝１．５Ｈｚ、１Ｈ）．

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図９（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図９（Ｂ）は、図９（Ａ）を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩが得られたことを確認した。

次に、本実施例で得られた７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩを液体クロマトグラフ質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，略称：ＬＣ／ＭＳ分析）によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析は、ウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣおよびウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳを用いて行った。

ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥｌｅｃｔｒｏＳｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ、略称：ＥＳＩ）によるイオン化を行った。この時のキャピラリー電圧は３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧は３０Ｖとし、検出はポジティブモードで行った。さらに、以上の条件でイオン化された成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスと衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンを衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

ＭＳ分析した測定結果を図１０に示す。図１０の結果から、本発明の一態様である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩは、主としてｍ／ｚ＝２５８付近、ｍ／ｚ＝４２１付近、及びｍ／ｚ＝４３３付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝４７７付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。ここで、付近とは、ＬＣ／ＭＳ分析において、水素イオンの存在の有無や同位体の存在によりプロダクトイオンやプレカーサーイオンの数値の変化を表しており、この数値の変化も含めて、同程度の骨格に含まれることを許容範囲とする。なお、図１０に示す結果は、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩを同定する上での重要なデータであるといえる。

また、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩのトルエン溶液の吸収スペクトルを図１１（Ａ）に、発光スペクトルを図１１（Ｂ）にそれぞれ示す。また、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩの薄膜の吸収スペクトルを図１２（Ａ）に、発光スペクトルを図１２（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルの測定には紫外可視分光光度計（日本分光株式会社製、Ｖ５５０型）を用いた。溶液は石英セルに入れ、薄膜は石英基板に蒸着してサンプルを作製して測定を行った。吸収スペクトルに関して、溶液については石英セルにトルエンのみを入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示し、薄膜については石英基板の吸収スペクトルを差し引いた吸収スペクトルを示した。

なお、図１１及び図１２において、横軸は波長（ｎｍ）を、縦軸は強度（任意単位）をそれぞれ表す。トルエン溶液の場合では、２８２ｎｍ及び３３３ｎｍに吸収ピークが見られ、発光のピークは、３８２ｎｍ（励起波長３３４ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では２５１、２６４、２８４及び３３５ｎｍに吸収ピークが見られ、発光のピークは４０２ｎｍ（励起波長３３８ｎｍ）であった。

本実施例では、実施の形態１において構造式（１０７）で示す有機化合物を製造する合成法の一例について、以下説明を行う。

＜構造式（１０７）で示す７−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン（略称：７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔ）の合成法＞
まず、下記構造式（１０７）で示す７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの合成法の一例について説明する。

２００ｍＬ三口フラスコに７−ブロモイミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン１．８ｇ（６．０ｍｍｏｌ）、３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）−３−ビフェニルボロン酸２．５ｇ（６．６ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン０．１８ｇ（０．６０ｍｍｏｌ）、トルエン６０ｍＬ、エタノール１２ｍＬ、２Ｍの炭酸カリウム水溶液６ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌することで脱気し、フラスコ内を窒素置換した。この混合物に、酢酸パラジウム（ＩＩ）２７ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）を加え、窒素気流下、８０℃で１１時間攪拌した。所定時間経過後、この混合物に水を加え、水層をトルエンで抽出した。得られた抽出溶液と有機層を合わせ、水、飽和食塩水で洗浄し、有機層を硫酸マグネシウムで乾燥した。この混合物を自然ろ過し、ろ液を濃縮して固体を得た。得られた固体をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（トルエン：酢酸エチル＝１：１）で精製し、白色固体を得た。この固体をトルエン／ヘキサンの混合溶媒を用いて再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量２．９ｇ、収率８８％で得た。

得られた７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの白色粉末２．６ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力４．９Ｐａ、アルゴン流量１０ｍＬ／ｍｉｎの条件で、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔを３１０℃で加熱して行った。昇華精製後７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの白色固体を２．１ｇ、回収率８１％で得た。上記合成法の反応スキームを下記（Ｄ−１）に示す。

上記反応スキーム（Ｄ−１）で得られた化合物を^１Ｈ ＮＭＲにより同定した。以下に測定データを示す。

^１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，３００ＭＨｚ）：δ＝７．４５−７．５２（ｍ、２Ｈ）、７．５８−７．７０（ｍ、７Ｈ）、７．７４−７．８４（ｍ、５Ｈ）、７．９２−８．０５（ｍ、４Ｈ）、８．１０−８．１２（ｍ、１Ｈ）、８．１８−８．２３（ｍ、２Ｈ）、８．５０（ｄｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、２．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．６９（ｄｄ、Ｊ＝６．９Ｈｚ、２．４Ｈｚ、１Ｈ）、８．７４（ｄ、Ｊ＝２．４Ｈｚ、１Ｈ）。

また、^１Ｈ ＮＭＲチャートを図２３（Ａ）、（Ｂ）に示す。なお、図２３（Ｂ）は、図２３（Ａ）を拡大して表したチャートである。測定結果から、目的物である７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔが得られたことを確認した。

次に、本実施例で得られた７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔをＬＣ／ＭＳによって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析では、実施例１と同様の測定装置と測定条件を用いた。

ＭＳ分析した測定結果を図２４に示す。図２４の結果から、本発明の一態様である７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔは、主としてｍ／ｚ＝２５８付近、ｍ／ｚ＝４９７付近、及びｍ／ｚ＝５１０付近にプロダクトイオンのピークが、ｍ／ｚ＝５５３付近にプレカーサーイオン由来のピークが、それぞれ検出されることがわかった。なお、図２４に示す結果は、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔに由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれる７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔを同定する上での重要なデータであるといえる。

また、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔのトルエン溶液の吸収スペクトルを図２５（Ａ）に、発光スペクトルを図２５（Ｂ）にそれぞれ示す。また、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔの薄膜の吸収スペクトルを図２６（Ａ）に、発光スペクトルを図２６（Ｂ）にそれぞれ示す。吸収スペクトルと発光スペクトルの測定では、実施例１と同じ装置、条件を適用した。

なお、図２５及び図２６において、横軸は波長（ｎｍ）を、縦軸は強度（任意単位）をそれぞれ表す。トルエン溶液の場合では、２９０ｎｍ及び３３０ｎｍに吸収ピークが見られ、発光のピークは、３８８ｎｍ（励起波長３３２ｎｍ）であった。また、薄膜の場合では２６７、２８８、３２０及び３３６ｎｍに吸収ピークが見られ、発光のピークは４１０及び４２６ｎｍ（励起波長３２１ｎｍ）であった。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子１）について、図１３を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子１の作製方法を示す。

（発光素子１）
まず、基板１１００上に、珪素または酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ−ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板１１００を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＣＢＰと酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、６０ｎｍとし、ＣＢＰと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＣＢＰ：酸化モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層１１１１上に、ＰＣＣＰを蒸着することで、正孔輸送層１１１２を形成した。その膜厚は、２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層１１１２上に、ＰＣＣＰと、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩと、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３とを共蒸着し、第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、ＰＣＣＰと７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｐｐｙ）_３の重量比は、０．３：１：０．０６（＝ＰＣＣＰ：７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。

なお、第１の発光層１１１３ａにおいて、本発明の一態様である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩは、第１の有機化合物（ホスト材料）として用い、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３は、第２の有機化合物（ゲスト材料）として用い、ＰＣＣＰは、第３の有機化合物（アシスト材料）として用いた。本実施例に示すように第３の有機化合物（アシスト材料）は、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料である。

次に、第１の発光層１１１３ａ上に、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩと、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３とを共蒸着し、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｐｐｙ）_３の重量比は、１：０．０６（＝７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｐｐｙ）_３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。

なお、第２の発光層１１１３ｂにおいて、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩは、第１の有機化合物（ホスト材料）として用い、Ｉｒ（ｐｐｙ）_３は、第２の有機化合物（ゲスト材料）として用いた。

次に、第２の発光層１１１３ｂ上に２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）を膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。

次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にＢＰｈｅｎを膜厚２０ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。

次に、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウムを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。

次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子１が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、発光素子１の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子１の電流密度−輝度特性を図１４に示す。図１４において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子１の電圧−輝度特性を図１５に示す。図１５において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子１の輝度−電流効率特性を図１６に示す。図１６において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）をそれぞれ表す。また、発光素子１の電圧−電流特性を図１７に示す。図１７において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流（ｍＡ）をそれぞれ表す。

また、発光素子１における輝度１０５０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２に示す。

このように、本発明の一態様である発光素子１は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られることが確認された。

次に、発光素子１について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図１８に示す。

信頼性試験では、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動し、輝度の変化をモニターした。図１８においては、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を対数で表し、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。

図１８より、発光素子１の規格化輝度が５０％低下するまでの時間は７９０ｈであった。

このように、本発明の発光素子１は、長寿命な発光素子であることが確認された。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子２）について、図１３を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子２の作製方法を示す。

（発光素子２）
まず、基板１１００上に、ＩＴＯ−ＳｉＯ_２をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板１１００を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、抵抗加熱を用いた蒸着法により、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は、６０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層１１１１上に、ＰＣＣＰを蒸着することで、正孔輸送層１１１２を形成した。その膜厚は、２０ｎｍとした。

次に、正孔輸送層１１１２上に、ＰＣＣＰと、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩと、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３とを共蒸着し、第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、ＰＣＣＰと７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の重量比は、１：０．３：０．０６（＝ＰＣＣＰ：７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は３０ｎｍとした。

なお、第１の発光層１１１３ａにおいて、本発明の一態様である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩは、第３の有機化合物（アシスト材料）として用い、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３は、第２の有機化合物（ゲスト材料）として用い、ＰＣＣＰは、第１の有機化合物（ホスト材料）として用いた。

次に、第１の発光層１１１３ａ上に、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩと、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３とを共蒸着し、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩとＩｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の重量比は、１：０．０６（＝７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は１０ｎｍとした。

なお、第２の発光層１１１３ｂにおいて、本発明の一態様である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩは第１の有機化合物（ホスト材料）として用い、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３］は第２の有機化合物（ゲスト材料）として用いた。

次に、第２の発光層１１１３ｂ上に７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子輸送層１１１４ａを形成した。

このように第２の発光層１１１３ｂに接して第１の電子輸送層１１１４ａを形成し、第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ及び第１の電子輸送層１１１４ａともに、本発明の一態様である７ｍＤＢＴＰＩＰｔ−ＩＩを含む構成とすることで、発光特性を向上することが可能となり、好適である。

次に、第１の電子輸送層１１１４ａ上にＢＰｈｅｎを膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第２の電子輸送層１１１４ｂを形成した。

次に、第２の電子輸送層１１１４ｂ上に、フッ化リチウムを１ｎｍの膜厚で蒸着し、電子注入層１１１５を形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子２を作製した。

なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。

以上により得られた発光素子２の素子構造を表３に示す。

次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子２が大気に曝されないようにガラス基板により封止する作業（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、発光素子２の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子２の電流密度−輝度特性を図１９に示す。図１９において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子２の電圧−輝度特性を図２０に示す。図２０において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子２の輝度−電流効率特性を図２１に示す。図２１において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）をそれぞれ表す。また、発光素子２の電圧−電流特性を図２２に示す。図２２において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流（ｍＡ）をそれぞれ表す。

また、発光素子２における輝度１０７０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表４に示す。

このように、本発明の一態様である発光素子２は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られることが確認された。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子３）について、図１３を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

（発光素子３）
発光素子３は、発光素子２と同様に作製した。発光素子２の作製と異なる点は、第１の発光層１１１３ａと第２の発光層１１１３ｂ、および第１の電子輸送層１１１４ａに発光素子２とは異なる化合物を用いた点である。

具体的には、正孔輸送層１１１２上に、ＰＣＣＰと、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔと、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３とを共蒸着し、第１の発光層１１１３ａを膜厚３０ｎｍで形成した。ここで、ＰＣＣＰと７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔとＩｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の重量比は、１：０．５：０．０６（＝ＰＣＣＰ：７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３となるように調節した。

なお、第１の発光層１１１３ａにおいて、本発明の一態様である７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔは、第３の有機化合物（アシスト材料）として用い、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３は、第２の有機化合物（ゲスト材料）として用い、ＰＣＣＰは、第１の有機化合物（ホスト材料）として用いた。本実施例に示すように第３の有機化合物（アシスト材料）は、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料である。上述したように、第１の有機化合物（ホスト材料）として、アミン骨格を含む正孔輸送性材料を用いた場合、三重項励起エネルギー準位が低いため、発光に寄与する第２の有機化合物の三重項励起エネルギーを消光（クエンチ）してしまい、発光効率が低下してしまう。

第２の発光層１１１３ｂは、第１の発光層１１１３ａ上に、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔと、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３とを共蒸着することによって形成した。ここで、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔとＩｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の重量比は、１：０．０６（＝７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔ：Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３）となるように調節した。

なお、第２の発光層１１１３ｂにおいて、７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔは、第１の有機化合物（ホスト材料）として用い、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３は、第２の有機化合物（ゲスト材料）として用いた。

第１の電子輸送層１１１４ａは、第２の発光層１１１３ｂ上に７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔを成膜することで形成した。

このように第２の発光層１１１３ｂに接して第１の電子輸送層１１１４ａを形成し、第１の発光層１１１３ａ、第２の発光層１１１３ｂ及び第１の電子輸送層１１１４ａともに、本発明の一態様である７ｍＤＢｔＢＰＩＰｔを含む構成とすることで、発光特性を向上することが可能となり、好適である。

以上により得られた発光素子３の素子構造を表５に示す。

発光素子３の動作特性の測定を室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子３の電流密度−輝度特性を図２７に示す。図２７において、横軸は電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子３の電圧−輝度特性を図２８に示す。図２８において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子３の輝度−電流効率特性を図２９に示す。図２９において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）をそれぞれ表す。また、発光素子３の電圧−電流特性を図３０に示す。図３０において、横軸は電圧（Ｖ）、縦軸は電流（ｍＡ）をそれぞれ表す。

また、発光素子３における輝度８１０ｃｄ／ｍ^２のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表６に示す。

このように、本発明の一態様である発光素子３は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られることが確認された。

（参考例）
上記実施例４及び実施例５で用いたＩｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の合成方法について説明する。なお、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の構造を以下に示す。

＜ステップ１；３−（２−メチルフェニル）−４−（２，６−ジメチルフェニル）−５−フェニル−４Ｈ−１，２，４−トリアゾール（略称；Ｈｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）の合成＞
まず、Ｎ−［１−クロロ−１−（２−メチルフェニル）メチリデン］−Ｎ’−［１−クロロ−（１−フェニル）メチリデン］ヒドラジン１２．６ｇ（４３．３ｍｍｏｌ）、２，６−ジメチルアニリン１５．７ｇ（１３４．５ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリン１００ｍｌを５００ｍｌナスフラスコに入れ、１２０℃で２０時間加熱攪拌した。所定時間反応後、この反応溶液を１Ｎ塩酸２００ｍｌにゆっくり加えた。この溶液にジクロロメタンを加え有機層に目的物を抽出した。得られた有機層を水、炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄し、硫酸マグネシウムで乾燥させた。自然ろ過により硫酸マグネシウムを除去し、得られたろ液を濃縮し、黒色の液体を得た。この液体をシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製した。展開溶媒は酢酸エチル：ヘキサン＝１：５とした。得られたフラクションを濃縮し、白色固体を得た。この固体を酢酸エチルにより再結晶を行い、Ｈｍｐｐｔｚ−ｄｍｐの白色固体を４．５ｇ、収率３１％で得た。ステップ１の合成スキームを以下に示す。

＜ステップ２；Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の合成＞
上記ステップ１で得た配位子Ｈｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ２．５ｇ（７．４ｍｍｏｌ）、トリス（アセチルアセトナト）イリジウム（ＩＩＩ）０．７ｇ（１．５ｍｍｏｌ）を高温加熱容器に入れ、脱気した。この反応容器を、内部をＡｒフローしながら２５０℃で４８時間加熱攪拌した。所定時間反応後、得られた固体をジクロロメタンで洗浄し、不溶物の緑色固体を吸引ろ過により得た。この固体をトルエンに溶解させ、アルミナとセライトの積層を通してろ過した。得られたフラクションを濃縮し、緑色固体を得た。この固体をトルエンで再結晶を行い、燐光性有機金属イリジウム錯体Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３の緑色粉末を０．８ｇ、収率４５％で得た。ステップ２の合成スキームを以下に示す。

なお、上記ステップ２で得られた緑色粉末の^１Ｈ−ＮＭＲによる分析結果を下記に示す。これより、上記合成方法において、Ｉｒ（ｍｐｐｔｚ−ｄｍｐ）_３（略称）が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ｔｏｌｕｅｎｅ−ｄ８）：１．８２（ｓ，３Ｈ），１．９０（ｓ，３Ｈ），２．６４（ｓ，３Ｈ），６．５６−６．６２（ｍ，３Ｈ），６．６７−６．７５（ｍ，３Ｈ），６．８２−６．８８（ｍ，１Ｈ），６．９１−６．９７（ｔ，１Ｈ），７．００−７．１２（ｍ，２Ｈ），７．６３−７．６７（ｄ，１Ｈ）．

１００ 基板
１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
２０１ 第１の電極
２０３ 第２の電極
２１０ ＥＬ層
２１３ 第１の有機化合物
２１４ 第２の有機化合物
２１５ 第３の有機化合物
２２１ 正孔注入層
２２２ 正孔輸送層
２２３ 発光層
２２４ 電子輸送層
２２５ 電子注入層
３０１ 第１の電極
３０３ 第２の電極
３１１ 第１のＥＬ層
３１２ 第２のＥＬ層
３１３ 電荷発生層
４５０Ｂ 第１の発光素子
４５０Ｇ 第２の発光素子
４５０Ｒ 第３の発光素子
４５１ 反射電極
４５２ 半透過・半反射電極
４５３ａ 第１の透明導電層
４５３ｂ 第２の透明導電層
４５４ 発光層
４５４Ｂ 第１の発光層
４５４Ｇ 第２の発光層
４５４Ｒ 第３の発光層
４５５ ＥＬ層
５０１ 素子基板
５０２ 画素部
５０３ 駆動回路部
５０４ 駆動回路部
５０５ シール材
５０６ 封止基板
５０７ 配線
５０８ ＦＰＣ
５０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 第１の電極
５１４ 絶縁物
５１５ ＥＬ層
５１６ 第２の電極
５１７ 発光素子
５１８ 空間
６１１ 筐体
６１２ 支持台
６１３ 表示部
６１４ スピーカー部
６１５ ビデオ入力端子
６２１ 本体
６２２ 筐体
６２３ 表示部
６２４ キーボード
６２５ 外部接続ポート
６２６ ポインティングデバイス
６３１ 本体
６３２ 筐体
６３３ 表示部
６３４ 音声入力部
６３５ 音声出力部
６３６ 操作キー
６３７ 外部接続ポート
６３８ アンテナ
６４１ 本体
６４２ 表示部
６４３ 筐体
６４４ 外部接続ポート
６４５ リモコン受信部
６４６ 受像部
６４７ バッテリー
６４８ 音声入力部
６４９ 操作キー
６５０ 接眼部
７０１ 筐体
７０２ 液晶パネル
７０３ バックライト
７０４ 筐体
７０５ ドライバＩＣ
７０６ 端子
８０１ 筐体
８０２ 光源
９０１ 照明装置
９０２ テレビ装置
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極
１１０３ 第２の電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ａ 第１の発光層
１１１３ｂ 第２の発光層
１１１４ａ 第１の電子輸送層
１１１４ｂ 第２の電子輸送層
１１１５ 電子注入層
９０３３ 留め具
９０３４ スイッチ
９０３５ 電源スイッチ
９０３６ スイッチ
９０３８ 操作スイッチ
９６３０ 筐体
９６３１ 表示部
９６３１ａ 表示部
９６３１ｂ 表示部
９６３２ａ 領域
９６３２ｂ 領域
９６３３ 太陽電池
９６３４ 充放電制御回路
９６３５ バッテリー
９６３６ ＤＣＤＣコンバータ
９６３７ コンバータ
９６３８ 操作キー
９６３９ ボタン

Claims (19)

1. 陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、
   前記発光層は、有機化合物を含み、
   前記有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合する
   ことを特徴とする発光素子。
2. 陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、
   前記発光層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物とを含み、
   前記第１の有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合し、
   前記第２の有機化合物が、有機金属イリジウム錯体である
   ことを特徴とする発光素子。
3. 陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、
   前記発光層は、第１の有機化合物と、第２の有機化合物と、第３の有機化合物とを含み、
   前記第１の有機化合物が、イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格と、ジベンゾチオフェン骨格またはジベンゾフラン骨格とがアリーレン基を介して結合し、
   前記第２の有機化合物が、有機金属イリジウム錯体であり、
   前記第３の有機化合物が、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料である
   ことを特徴とする発光素子。
4. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記陰極側の前記発光層に接して電子輸送層を、含み、
   前記電子輸送層が、前記有機化合物または前記第１の有機化合物を含む
   ことを特徴とする発光素子。
5. 請求項１乃至請求項３のいずれか一において、
   前記陽極側の前記発光層に接して正孔輸送層を、含み、
   前記正孔輸送層が、アミン骨格を含まない正孔輸送性材料である
   ことを特徴とする発光素子。
6. 請求項５において、
   前記正孔輸送層が、カルバゾール骨格を含む
   ことを特徴とする発光素子。
7. 請求項１乃至請求項６のずれか一において、
   前記ジベンゾチオフェン骨格または前記ジベンゾフラン骨格の４位が前記アリーレン基に結合する
   ことを特徴とする発光素子。
8. 前記請求項１乃至請求項７のいずれか一において、
   前記イミダゾ［１，２−ｆ］フェナントリジン骨格の７位が前記アリーレン基に結合する
   ことを特徴とする発光素子。
9. 陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、
   前記発光層は、有機化合物を含み、
   前記有機化合物が、一般式（Ｇ１）で表される
   ことを特徴とする発光素子。
   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）
10. 請求項９において、
    前記Ａｒが、置換または無置換のフェニレン基、あるいは置換または無置換のビフェニルジイル基である
    ことを特徴とする発光素子。
11. 請求項９または請求項１０において、
    前記Ａｒが、置換または無置換のｍ−フェニレン基である
    ことを特徴とする発光素子。
12. 陰極と陽極の間に挟持された発光層を含む発光素子において、
    前記発光層は、有機化合物を含み、
    前記有機化合物が、一般式（Ｇ２）で表される
    ことを特徴とする発光素子。
    
    （式中、Ｒ^１〜Ｒ^９、Ｒ^１１〜Ｒ^１４及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）
13. 請求項１乃至請求項１２のいずれか一に記載の発光素子を用いた発光装置。
14. 請求項１３に記載の発光装置を用いた電子機器。
15. 請求項１３に記載の発光装置を用いた照明装置。
16. 一般式（Ｇ１）で表されることを特徴とする有機化合物。
    
    （式中、Ｒ^１〜Ｒ^９及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ａｒは、炭素数６〜１３の置換または無置換のアリーレン基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）
17. 請求項１６において、前記Ａｒが、置換または無置換のフェニレン基、あるいは置換または無置換のビフェニルジイル基である
    ことを特徴とする有機化合物。
18. 請求項１６または請求項１７において、
    前記Ａｒが、置換または無置換のｍ−フェニレン基である
    ことを特徴とする有機化合物。
19. 一般式（Ｇ２）で表されることを特徴とする有機化合物。
    
    （式中、Ｒ^１〜Ｒ^９、Ｒ^１１〜Ｒ^１４及びＲ^２１〜Ｒ^２７は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜４のアルキル基、または炭素数６〜１３の置換もしくは無置換のアリール基を表す。また、Ｚは硫黄原子または酸素原子を表す。）