JP6407561B2 - 有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置 - Google Patents

Description

本発明は、有機金属錯体、発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。

近年、エレクトロルミネッセンス（ＥＬ：Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光物質からの発光を得ることができる。

このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。

そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状に発光を得ることができる。よって、大面積の素子を容易に形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。

そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できる。発光物質に有機化合物を用い、一対の電極間に当該有機化合物を含む層を設けた有機ＥＬ素子の場合、発光素子に電圧を印加することにより、陰極から電子が、陽極から正孔（ホール）がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、注入した電子及び正孔が有機化合物を励起状態に至らしめ、励起された有機化合物から発光を得るものである。

有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態（Ｓ^＊）からの発光が蛍光、三重項励起状態（Ｔ^＊）からの発光が燐光と呼ばれている。また、発光素子におけるその統計的な生成比率は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であると考えられている。

一重項励起エネルギーを発光に変換する化合物（以下、蛍光性化合物と称す）では室温において、三重項励起状態からの発光（燐光）は観測されず、一重項励起状態からの発光（蛍光）のみが観測される。したがって、蛍光性化合物を用いた発光素子における内部量子効率（注入したキャリアに対して発生するフォトンの割合）の理論的限界は、Ｓ^＊：Ｔ^＊＝１：３であることを根拠に２５％とされている。

一方、三重項励起エネルギーを発光に変換する化合物（以下、燐光性化合物と称す）を用いれば、三重項励起状態からの発光（燐光）が観測される。また、燐光性化合物は項間交差（一重項励起状態から三重項励起状態へ移ること）が起こりやすいため、内部量子効率は１００％まで理論上は可能となる。つまり、蛍光性化合物より高い発光効率が可能となる。このような理由から、高効率な発光素子を実現するために、燐光性化合物を用いた発光素子の開発が近年盛んに行われている。

上述した燐光性化合物を用いて発光素子の発光層を形成する場合、燐光性化合物の濃度消光や三重項−三重項消滅による消光を抑制するために、他の化合物からなるマトリクス中に該燐光性化合物が分散するようにして形成することが多い。このとき、マトリクスとなる化合物はホスト材料、燐光性化合物のようにマトリクス中に分散される化合物はゲスト材料（ドーパント）と呼ばれる。

ゲスト材料（ドーパント）としては、その燐光量子収率の高さゆえに、とくにイリジウム（Ｉｒ）等を中心金属とする有機金属錯体が注目されている。イリジウムを中心金属とする燐光性の有機金属錯体として、例えば、４位にアリール基を有するピリミジンの３位の窒素が金属に配位し、該ピリミジンの２位、５位、及び６位のいずれか一つにアルキル基またはアリール基を有し、該ピリミジンの４位のアリール基が、金属と結合することによりオルトメタル化した構造を有する燐光性有機金属イリジウム錯体を含む発光装置が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２０１２−２３８８５４号公報

特許文献１において報告されているように、燐光性化合物のゲスト材料の開発は活発に行われている。しかし、発光素子としてみた場合、発光効率、信頼性、発光特性、合成効率、またはコストといった面で改善の余地が残されており、より優れた発光素子の開発が望まれている。

上記問題に鑑み、本発明の一態様は、燐光性の有機金属錯体を有する発光素子を提供することを目的の一つとする。該有機金属錯体は、黄緑〜橙色の波長域に燐光発光を示し、高い発光効率、及び高い信頼性を有する。したがって、本発明の他の一態様は、上記燐光発光を示す有機金属錯体を提供することを目的の一つとする。

また、本発明の他の一態様は、上記発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置を提供することを目的の一とする。

本発明の一態様は、ピリミジン環の３位の窒素が金属に配位し、ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を有し、カルバゾール骨格が金属と結合した有機金属錯体を発光中心とすることを特徴とする発光素子である。

また、上記構成において、金属が第９族元素または第１０族元素であると好ましい。金属はイリジウム、白金、パラジウム、またはロジウムのうちから選ばれるのが好ましい。また、金属がイリジウムであると、さらに好ましい。

また、本発明の他の一態様は、一般式（Ｇ１−１）で表される構造を含む有機金属錯体である。

一般式（Ｇ１−１）中において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。

また、本発明の他の一態様は、一般式（Ｇ１−２）で表される構造を含む有機金属錯体である。

一般式（Ｇ１−２）中において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝３であり、第１０族元素の時はｎ＝２である。

また、本発明の他の一態様は、一般式（Ｇ１−３）で表される構造を含む有機金属錯体である。

一般式（Ｇ１−３）中において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。また、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。

また、上記構成において、モノアニオン性の配位子は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子であると好ましい。

また、上記構成において、モノアニオン性の配位子は、一般式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）のいずれか一であると好ましい。

一般式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）中において、Ｒ^７１〜Ｒ^１０９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基を表す。また、Ａ^１〜Ａ^３は、それぞれ独立に、窒素、水素もしくは置換基Ｒと結合する炭素を表し、置換基Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜６のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。

なお、上記一般式（Ｇ１−１）〜（Ｇ１−３）に示す有機金属錯体は、第９族元素または第１０族元素の金属と配位子が、金属−炭素結合を有していることから、配位子のピリミジン環への電荷の移動（ＭＬＣＴ（Ｍｅｔａｌ ｔｏ Ｌｉｇａｎｄ Ｃｈａｒｇｅ Ｔｒａｎｓｆｅｒ）遷移）が起こり易くなる。このように、ＭＬＣＴ遷移が起こりやすくなる結果、燐光発光のような禁制遷移が生じやすくなる上に、三重項励起寿命も短くなり、該有機金属錯体の発光効率を高める効果を奏する。

また、上記発光素子を用いた発光装置、電子機器、及び照明装置も本発明の範疇に含めるものとする。なお、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス及び光源を含む。また、パネルにコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、又は発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。

本発明の一態様により、燐光性の有機金属錯体を有する発光素子を提供できる。また、本本発明の一態様により、黄緑〜橙色の波長域に燐光発光を示し、高い発光効率、及び高い信頼性を有する有機金属錯体を提供できる。

本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光素子を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の発光装置を説明する図。 本発明の一態様の電子機器を説明する図。 本発明の一態様の電子機器を説明する図。 本発明の一態様の照明装置を説明する図。 実施例１で合成した有機金属錯体の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 実施例２で合成した有機金属錯体の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 実施例３で合成した有機金属錯体の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 実施例４で合成した有機金属錯体の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 実施例５で合成した有機金属錯体の^１Ｈ−ＮＭＲチャートを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３のジクロロメタン溶液における紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトルを示す図。 本発明の一態様の有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３のＬＣ／ＭＳ測定結果を示す図。 実施例６及び実施例７の発光素子を説明する図。 発光素子１乃至５の輝度−電流効率特性及び電圧−電流特性を示す図。 発光素子１乃至５の電圧−輝度特性及び輝度−外部量子効率特性を示す図。 発光素子１乃至５の発光スペクトルを示す図。 発光素子１乃至５の時間−規格化輝度特性を示す図。 発光素子６の輝度−電流効率特性及び電圧−電流特性を示す図。 発光素子６の電圧−輝度特性及び輝度−外部量子効率特性を示す図。 発光素子６の発光スペクトルを示す図。 発光素子６の時間−規格化輝度特性を示す図。

以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることは当業者であれば容易に理解される。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。

（実施の形態１）
本実施の形態では、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層に有機金属錯体を含む発光素子について、図１を用いて説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように一対の電極（第１の電極１０１と第２の電極１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔（または、ホール）注入層１１１、正孔（または、ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層１１６などを含んで形成される。なお、本実施の形態においては、第１の電極１０１を陽極として用い、第２の電極１０３を陰極として用いる。また、第１の電極１０１は、基板１００上に形成されている。また、発光層１１３には、本発明の一態様である有機金属錯体が含まれている。

このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第１の電極１０１側から注入された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合し、発光層１１３に含まれた有機金属錯体を励起状態にする。そして、励起状態の有機金属錯体が基底状態に戻る際に発光する。このように、本発明の一態様において、有機金属錯体は、発光素子における発光物質として機能する。

なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることにより正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。

また、電荷発生層１１６は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるため、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層１１５から電子輸送層１１４を介して発光層１１３に注入される。なお、図１に示す発光素子において、発光素子が電荷発生層１１６を有する構造について例示したが、これに限定されない。例えば、発光素子は、電荷発生層１１６を有さない構造としてもよい。

以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。

基板１００は、発光素子の支持体として用いられる。基板１００としては、例えばガラス、石英、又はプラスチックなどを用いることができる。また可撓性基板を用いてもよい。可撓性基板とは、曲げることができる（フレキシブル）基板のことであり、例えば、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエーテルスルフォンからなるプラスチック基板等が挙げられる。また、フィルム（ポリプロピレン、ポリエステル、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化ビニル等からなる）、無機蒸着フィルムなどを用いることもできる。なお、発光素子の作製工程において支持体として機能するものであれば、これら以外のものでもよい。

第１の電極１０１、および第２の電極１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（ＩＴＯ：Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、シリコンまたは酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびカルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他、グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極１０１および第２の電極１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。

正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層１１６に用いる正孔輸送性の高い物質としては、例えば、π電子過剰型複素芳香族化合物（例えばカルバゾール誘導体やインドール誘導体）や芳香族アミン化合物が好ましく、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−３’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ｍＢＰＡＦＬＰ）、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、４，４’−ジフェニル−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＢｉ１ＢＰ）、４−（１−ナフチル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＮＢ）、４、４’−ジ（１−ナフチル）−４’’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＮＢＢ）、９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＦ）、Ｎ−フェニル−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＡＳＦ）などの芳香族アミン骨格を有する化合物や、１，３−ビス（Ｎ−カルバゾリル）ベンゼン（略称：ｍＣＰ）、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、３，６−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）−９−フェニル−カルバゾール（略称：ＣｚＴＰ）、３，３’−ビス（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール）（略称：ＰＣＣＰ）などのカルバゾール骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）、２，８−ジフェニル−４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］ジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＩＩ）、４−［４−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］−６−フェニルジベンゾチオフェン（略称：ＤＢＴＦＬＰ−ＩＶ）などのチオフェン骨格を有する化合物や、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾフラン）（略称：ＤＢＦ３Ｐ−ＩＩ）、４−｛３−［３−（９−フェニル−９Ｈ−フルオレン−９−イル）フェニル］フェニル｝ジベンゾフラン（略称：ｍｍＤＢＦＦＬＢｉ−ＩＩ）などのフラン骨格を有する化合物が挙げられる。上述した中でも、芳香族アミン骨格を有する化合物やカルバゾール骨格を有する化合物は、信頼性が良好であり、また、正孔輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与するため好ましい。

さらに、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層１１６に用いる正孔輸送性の高い物質としては、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。

また、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層１１６に用いる材料としては、上記正孔輸送性の高い物質と、アクセプター性を有する物質との混合層を用いてもよい。この場合、キャリア注入性が良好となり好ましい。用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物、例えば、元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。

発光層１１３は、ゲスト材料として本発明の一態様である有機金属錯体を発光物質として含み、この有機金属錯体よりも三重項励起エネルギーの大きい物質をホスト材料として用いて形成される層である。

また、発光層１１３は、上記ゲスト材料と、上記ホスト材料の他に、アシスト材料を含む構成としてもよい。ゲスト材料としては、例えば、本発明の一態様である有機金属錯体を用い、ホスト材料としては、例えば、電子輸送性材料を用い、アシスト材料としては、正孔輸送性材料を用いることができる。

上記発光層１１３におけるホスト材料として用いることのできる電子輸送性材料としては、含窒素複素芳香族化合物のようなπ電子不足型複素芳香族化合物が好ましく、例えば、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（略称：ｍＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）などのポリアゾール骨格を有する複素環化合物（オキサジアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、トリアゾール誘導体等）や、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［３’−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＣｚＢＰＤＢｑ）、４，６−ビス［３−（フェナントレン−９−イル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＰｎＰ２Ｐｍ）、４，６−ビス［３−（４−ジベンゾチエニル）フェニル］ピリミジン（略称：４，６ｍＤＢＴＰ２Ｐｍ−ＩＩ）などのジアジン骨格を有する複素環化合物（ピラジン誘導体、ピリミジン誘導体、ピリダジン誘導体、キノキサリン誘導体、ジベンゾキノキサリン誘導体等）や、３，５−ビス（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル）ピリジン（略称：３５ＤＣｚＰＰｙ）、１，３，５−トリ［３−（３−ピリジル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴｍＰｙＰＢ）などのピリジン骨格を有する複素環化合物（ピリジン誘導体、キノリン誘導体、ジベンゾキノリン誘導体等）が挙げられる。上述した中でも、ジアジン骨格を有する複素環化合物やピリジン骨格を有する複素環化合物は、信頼性が良好であり好ましい。特に、ジアジン（ピリミジンやピラジン）骨格を有する複素環化合物は、電子輸送性が高く、駆動電圧低減にも寄与する。

また、発光層１１３におけるアシスト材料として用いることのできる正孔輸送性材料としては、正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層１１６に用いることのできる正孔輸送性の高い物質を用いればよい。

なお、これらの電子輸送性材料および正孔輸送性材料は、青色の領域に吸収スペクトルを有さないことが好ましい。具体的には、吸収スペクトルの吸収端が４４０ｎｍ以下であることが好ましい。

ここで、発光層１１３において、ゲスト材料として用いる本発明の一態様の有機金属錯体について、以下詳細に説明を行う。

本発明の一態様は、ピリミジン環の３位の窒素が金属に配位し、該ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を有し、該カルバゾール骨格は、金属と結合した有機金属錯体を発光中心とする有機金属錯体である。

また、上記構成において、金属が、第９族元素または第１０族元素であると好ましい。金属はイリジウム、白金、パラジウム、またはロジウムのうちから選ばれるのが好ましい。さらに、該第９族元素または第１０族元素がイリジウムであると、好ましい。

すなわち、本発明の一態様の有機金属錯体は、一般式（Ｇ１−１）で表される構造を含む構成である。

一般式（Ｇ１−１）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。

また、上述の一般式（Ｇ１−１）で表される構造を含む有機金属錯体は、具体的には、一般式（Ｇ１−２）、及び／又は一般式（Ｇ１−３）で表される。なお、一般式（Ｇ１−１）で表される構造を含む有機金属錯体、並びに一般式（Ｇ１−２）及び一般式（Ｇ１−３）で表される構造を含む有機金属錯体は、本発明の一態様の有機金属錯体である。

一般式（Ｇ１−２）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝３であり、第１０族元素の時はｎ＝２である。

一般式（Ｇ１−３）中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。また、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。

上記一般式（Ｇ１−１）〜（Ｇ１−３）に示す有機金属錯体は、第９族元素または第１０族元素と配位子が、金属−炭素結合を有していることから、配位子のピリミジン環への電荷の移動（ＭＬＣＴ遷移）が起こり易くなる。このように、ＭＬＣＴ遷移が起こりやすくなる結果、燐光発光のような禁制遷移が生じやすくなる上に、三重項励起寿命も短くなり、該有機金属錯体の発光効率を高める効果を奏する。

また、上記一般式（Ｇ１−１）〜（Ｇ１−３）に示す有機金属錯体は、ピリミジン環に
第９族元素または第１０族元素の金属イオンが配位してオルトメタル化し、バルキーな構造（または、嵩高い構造）を形成するため、濃度消光を抑制することができる。

また、上記一般式（Ｇ１−１）〜（Ｇ１−３）に示す有機金属錯体は、ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を含む置換基を有している。このように、オルトメタル錯体にみられるＭＬＣＴ遷移のＨＯＭＯに影響を与える含窒素芳香環と、ホールトラップ性の優れたカルバゾール骨格と、が結合した構造とすることにより、ＥＬ材料として電気的に安定な物質が得られる。

また、上記一般式（Ｇ１−３）中におけるモノアニオン性の配位子（Ｌ）は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子であると好ましい。特に、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子であると、ベータジケトン構造を有することで、有機金属錯体の有機溶媒への溶解性が高まり、精製が容易となり好ましい。また、ベータジケトン構造を有することで、発光効率の高い有機金属錯体を得ることができるため好ましい。また、ベータジケトン構造を有することで昇華性が高まり、蒸着性能に優れるという利点がある。

また、上記一般式（Ｇ１−３）中におけるモノアニオン性の配位子（Ｌ）は、一般式（Ｌ１）〜（Ｌ７）に示すいずれか１つであることが好ましい。これらの配位子は、配位能力が高く、また、安価に入手することができるため有効である。

一般式（Ｌ１）〜（Ｌ７）において、Ｒ^７１〜Ｒ^１０９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、ビニル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基を表す。また、Ａ^１〜Ａ^３は、それぞれ独立に、窒素、水素もしくは置換基Ｒと結合する炭素を表し、置換基Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜６のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。

また、上述の一般式（Ｇ１−１）〜（Ｇ１−３）で表される有機金属錯体としては、構造式（１００）〜構造式（１１７）に示される有機金属錯体を挙げることができる。ただし、本発明はこれに限定されない。

また、本発明の一態様の有機金属錯体の合成方法としては、種々の反応を適用することができる。ここで、一般式（Ｇ０）で表される構造を含む有機金属錯体、及び一般式（Ｇ１−２）で表される構造を含む有機金属錯体の合成方法について、以下説明を行う。
≪一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体の合成法≫
下記一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体は、以下のような簡便な合成スキーム（ａ−１）または（ａ−２）により合成できる。

一般式（Ｇ０）において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。

例えば、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体は、下記合成スキーム（ａ−１）に示すように、カルバゾール−３−イル−ボロン酸化合物（Ａ１）とハロゲン化ピリミジン化合物（Ａ２）とをカップリングすることにより得られる。

合成スキーム（ａ−１）において、Ｘはハロゲンを表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。

また、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体は、下記合成スキーム（ａ−２）に示すように、カルバゾールの１，３−ジケトン（Ａ３）とアミジン（Ａ４）を反応させることにより得られる。

合成スキーム（ａ−２）において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。

なお、一般式（Ｇ０）において、Ｒ^１が水素の場合は、非特許文献（Ｈ．Ｂｒｅｄｅｒｅｃｋ，Ｒ．Ｇｏｍｐｐｅｒ，Ｇ．Ｍｏｒｌｏｃｋ，「Ｃｈｅｍｉｓｃｈｅ Ｂｅｒｉｃｈｔｅ」，９０，９４２（１９５７））に示されるように、カルバゾールの１，３−ジケトン（Ａ３）とホルムアミドを酸触媒存在下で加熱し、反応させることにより得られる。

また、上述の化合物（Ａ１）〜（Ａ４）は、様々な種類が市販されているか、あるいは合成可能であるため、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体は数多くの種類を合成することができる。したがって、本発明の一態様である有機金属錯体は、その配位子のバリエーションが豊富であるという特徴がある。

≪一般式（Ｇ１−２）で表される本発明の一態様の有機金属錯体の合成方法≫
まず、下記合成スキーム（ｂ）に示すように、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体と、ハロゲンを含む第９族もしくは第１０族の金属化合物（塩化ロジウム水和物、塩化パラジウム、塩化イリジウム水和物、ヘキサクロロイリジウム酸アンモニウム、テトラクロロ白金酸カリウム等）、または第９族もしくは第１０族の有機金属錯体化合物（アセチルアセトナト錯体、ジエチルスルフィド錯体等）とを混合した後、加熱することにより、一般式（Ｇ１−２）で表される構造を有する有機金属錯体を得ることができる。また、この加熱プロセスは、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体と、ハロゲンを含む第９族もしくは第１０族の金属化合物、または第９族もしくは第１０族の有機金属錯体化合物とをアルコール系溶媒（グリセロール、エチレングリコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノール等）に溶解した後に行ってもよい。

合成スキーム（ｂ）において、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素を表す。また、Ｍが第９族元素のときはｎ＝３であり、Ｍが第１０族元素のときはｎ＝２である。

また、本発明の一態様においては、カルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体を配位子とするオルトメタル錯体を得るために、ピリミジンの６位（すなわちＲ^３）に置換基が結合していることが好ましい。特にＲ^３として、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、又は置換もしくは無置換の炭素数６〜１０のアリール基を用いる。このため、Ｒ^３として水素を用いた場合と比較して、合成スキーム（ｂ）における収率を高めることができる。

≪一般式（Ｇ１−３）で表される本発明の一態様の有機金属錯体の合成方法≫
まず、下記合成スキーム（ｃ−１）に示すように、一般式（Ｇ０）で表されるカルバゾール−３−イル−ピリミジン誘導体と、ハロゲンを含む金属化合物（塩化パラジウム、塩化イリジウム、臭化イリジウム、ヨウ化イリジウム、テトラクロロ白金酸カリウムなど）とを無溶媒、またはアルコール系溶媒（グリセロール、エチレングリコール、２−メトキシエタノール、２−エトキシエタノールなど）単独、あるいはアルコール系溶媒１種類以上と水との混合溶媒を用いて、不活性ガス雰囲気にて加熱することにより、ハロゲンで架橋された構造を有する有機金属錯体の一種であり、新規物質である複核錯体（Ｐ）を得ることができる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、又はアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。

合成スキーム（ｃ−１）において、Ｘはハロゲンを表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。

さらに、下記合成スキーム（ｃ−２）に示すように、上述の合成スキーム（ｃ−１）で得られる複核錯体（Ｐ）と、モノアニオン性の配位子の原料ＨＬとを、不活性ガス雰囲気にて反応させることにより、ＨＬのプロトンが脱離してＬが中心金属Ｍに配位し、一般式（Ｇ１−３）で表される本発明の一態様である有機金属錯体が得られる。加熱手段として特に限定はなく、オイルバス、サンドバス、又はアルミブロックを用いてもよい。また、マイクロ波を加熱手段として用いることも可能である。

合成スキーム（ｃ−２）において、Ｌはモノアニオン性の配位子を表し、Ｘはハロゲンを表し、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。

このように、本発明の一態様においては、ピリミジン誘導体を配位子とするオルトメタル錯体を得るために、ピリミジン環の４位に置換基が結合している。特に該置換基として、カルバゾール骨格を用いている。このため、ピリミジン環の４位に水素を用いた場合と比較して、合成スキーム（ｃ−１）において生成したハロゲンで架橋された複核金属錯体が合成スキーム（ｃ−２）で表される反応中に分解してしまうことを抑制し、飛躍的に高い収率を得ることができる。

以上によって、本実施の形態である有機金属錯体を合成することができる。

なお、発光層１１３において、ホスト材料と、上述した有機金属錯体であるゲスト材料と、を含んで形成することにより、発光層１１３からは、発光効率の高い燐光発光を得ることができる。

以上により、発光層１１３を形成することができる。

次に、発光層１１３上に設けられる電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、Ａｌｑ_３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ_３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ_２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）_２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。

また、電子輸送層１１４は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が２層以上積層したものとしてもよい。

電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ_２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ_３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。

または、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。

なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、及び電荷発生層１１６は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。

また、上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１、及び第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。したがって、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。

以上により説明した発光素子は、有機金属錯体に基づく燐光発光が得られることから、蛍光性化合物を用いた発光素子と比較し、高効率な発光素子を実現することができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態２）
本実施の形態では、一対の電極間にＥＬ層を有し、ＥＬ層に本発明の一態様の有機金属錯体と、他の２種類以上の有機化合物を発光層に用いた発光素子について、図２を用いて説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図２に示すように一対の電極（第１の電極２０１及び第２の電極２０２）間にＥＬ層２０３を有する構造である。なお、ＥＬ層２０３には、少なくとも発光層２０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などが含まれていても良い。なお、図２において、第１の電極２０１とＥＬ層２０３の間の領域、及び第２の電極２０２とＥＬ層２０３の間の領域には、上述した正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などを適宜設ける構成とすることができる。また、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層には、実施の形態１に示した物質を用いることができる。なお、本実施の形態においては、第１の電極２０１を陽極として用い、第２の電極２０２を陰極として用いる。

本実施の形態に示す発光層２０４は、実施の形態１に示した本発明の一態様の有機金属錯体を用いた燐光性化合物２０５と、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７が含まれている。なお、燐光性化合物２０５は、発光層２０４におけるゲスト材料である。また、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７のうち発光層２０４に含まれる割合の多い方が、発光層２０４におけるホスト材料である。

発光層２０４において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。

なお、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７のそれぞれの三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）は、燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも高いことが好ましい。第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）のＴ１準位が燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光性化合物２０５の三重項励起エネルギーを第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。

ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、分子間の移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およびデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（より詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯におけるスペクトル）との重なりが大きくなることが好ましい。しかしながら通常の燐光性のゲスト材料の場合、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネルギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。

そこで本実施形態においては、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成する組み合わせであることが好ましい。この場合、発光層２０４におけるキャリア（電子及びホール）の再結合の際に第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７は、励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成する。これにより、発光層２０４において、第１の有機化合物２０６の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物２０７の蛍光スペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物と第２の有機化合物を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。

燐光性化合物２０５としては、実施の形態１で示した本発明の一態様である有機金属錯体を用いる。また、第１の有機化合物２０６、及び第２の有機化合物２０７としては、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホールを受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）と、を組み合わせることが好ましい。

ホールを受け取りやすい化合物としては、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、（９，９−ジメチル−２−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、４−フェニルジフェニル−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣＡ１ＢＰ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ−ジ（ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）アミン（略称：ＰＣｚＢＢＡ１）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。

上述した第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成できる組み合わせの一例であり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。

なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９〜９：１（重量比）の範囲が好ましい。

本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。

なお、本発明に含まれる別の構成として、燐光性化合物２０５（ゲスト材料）の他の２種類の有機化合物として、正孔トラップ性のホスト材料、および電子トラップ性のホスト材料を用いて発光層２０４を形成し、２種類のホスト材料中に存在するゲスト分子に正孔と電子を導いて、ゲスト分子を励起状態とする現象（すなわち、Ｇｕｅｓｔ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｗｉｔｈ Ｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｈｏｓｔｓ：ＧＣＣＨ）が得られるように発光層２０４を形成する構成も可能である。

この時、正孔トラップ性のホスト材料、および電子トラップ性のホスト材料としては、それぞれ、上述した正孔を受け取りやすい化合物、および電子を受け取りやすい化合物を用いることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。

本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極３０１および第２の電極３０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））を有するタンデム型発光素子である。

本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電極３０４は、実施の形態１と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））は、実施の形態１または実施の形態２で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層３０２（１）と第２のＥＬ層３０２（２）は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態１または実施の形態２と同様なものを適用することができる。

また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））の間には、電荷発生層３０５が設けられている。電荷発生層３０５は、第１の電極３０１と第２の電極３０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層３０５から第１のＥＬ層３０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層３０２（２）に正孔が注入される。

なお、電荷発生層３０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層３０５に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３０４よりも低い導電率であっても機能する。

電荷発生層３０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。

正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。

一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ_３、ＢｅＢｑ_２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）_２、Ｚｎ（ＢＴＺ）_２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、ＢＰｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０^−６ｃｍ^２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。また、第２のピリミジン骨格を含む有機化合物を用いても良い。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。

また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。

なお、上述した材料を用いて電荷発生層３０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。

図３（Ａ）に示す発光素子においては、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層を積層した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能である。電流密度を低く保てるため、長寿命素子を実現できる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。

また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合すると、白色発光を得ることができる。

また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態４）
本実施の形態では、ＥＬ層に有機金属錯体を含む発光素子を用いた発光装置について、図４を用いて説明する。

本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４５１及び半透過・半反射電極４５２）間に少なくともＥＬ層４５５を有する構造である発光素子を、複数有している。また、ＥＬ層４５５は、少なくとも発光領域となる第１の発光層４５４Ｂ、第２の発光層４５４Ｇ、及び第３の発光層４５４Ｒを有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層などが含まれていてもよい。なお、第１の発光層４５４Ｂ、第２の発光層４５４Ｇ、及び第３の発光層４５４Ｒの少なくとも一つの層には、本発明の一態様である有機金属錯体が含まれている。

本実施の形態では、図４に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、第３の発光素子４５０Ｂ）を有した発光装置について説明する。

第１の発光素子４５０Ｒは、反射電極４５１上に第１の透明導電層４５３ａと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子４５０Ｇは、反射電極４５１上に第２の透明導電層４５３ｂと、ＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子４５０Ｂは、反射電極４５１上にＥＬ層４５５と、半透過・半反射電極４５２と、が順次積層された構造を有する。

なお、上記発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、及び第３の発光素子４５０Ｂ）において、反射電極４５１、ＥＬ層４５５、半透過・半反射電極４５２は共通である。

また、ＥＬ層４５５は、第１の発光層４５４Ｂと、第２の発光層４５４Ｇと、第３の発光層４５４Ｒと、を含んだ構造である。なお、第１の発光層４５４Ｂは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λ_Ｂ）を発光し、第２の発光層４５４Ｇは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λ_Ｇ）を発光し、第３の発光層４５４Ｒは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λ_Ｒ）を発光する。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子４５０Ｒ、第２の発光素子４５０Ｇ、第３の発光素子４５０Ｂ）でも、第１の発光層４５４Ｂ、第２の発光層４５４Ｇ、および第３の発光層４５４Ｒからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λ_Ｂ＜λ_Ｇ＜λ_Ｒとなる関係であるとする。

本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２との間にＥＬ層４５５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４５５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有する反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２とによって共振される。なお、反射電極４５１は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４５２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０^−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。

また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子４５０Ｒと第２の発光素子４５０Ｇにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４５３ａ、第２の透明導電層４５３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の間の光学的距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな光は、反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の間の光学的距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。

なお、光学的距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「光学的距離＝実膜厚×ｎ（屈折率）」である。

また、第１の発光素子４５０Ｒでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｒ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第２の発光素子４５０Ｇでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｇ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）、第３の発光素子４５０Ｂでは、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離をｍλ_Ｂ／２（ただし、ｍは１以上の自然数）としている。

以上より、第１の発光素子４５０Ｒからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第３の発光層４５４Ｒで発光した光（λ_Ｒ）が取り出され、第２の発光素子４５０Ｇからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第２の発光層４５４Ｇで発光した光（λ_Ｇ）が取り出され、第３の発光素子４５０Ｂからは、主としてＥＬ層４５５に含まれる第１の発光層４５４Ｂで発光した光（λ_Ｂ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４５２側からそれぞれ射出される。

また、上記構成において、反射電極４５１から半透過・半反射電極４５２までの光学的距離は、厳密には反射電極４５１における反射領域から半透過・半反射電極４５２における反射領域までの距離である。しかし、反射電極４５１や半透過・半反射電極４５２における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と半透過・半反射電極４５２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

次に、第１の発光素子４５０Ｒにおいて、第３の発光層４５４Ｒからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第３の発光層４５４Ｒから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｒの光学的距離を（２ｎ_Ｒ−１）λ_Ｒ／４（ただし、ｎ_Ｒは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第３の発光層４５４Ｒからの発光を増幅させることができる。

なお、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｒとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第３の発光層４５４Ｒにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第３の発光層４５４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第３の発光層４５４Ｒの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

次に、第２の発光素子４５０Ｇにおいて、第２の発光層４５４Ｇからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層４５４Ｇから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇの光学的距離を（２ｎ_Ｇ−１）λ_Ｇ／４（ただし、ｎ_Ｇは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層４５４Ｇからの発光を増幅させることができる。

なお、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第２の発光層４５４Ｇにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第２の発光層４５４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第２の発光層４５４Ｇの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

次に、第３の発光素子４５０Ｂにおいて、第１の発光層４５４Ｂからの発光のうち、反射電極４５１によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層４５４Ｂから半透過・半反射電極４５２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｂの光学的距離を（２ｎ_Ｂ−１）λ_Ｂ／４（ただし、ｎ_Ｂは１以上の自然数）に調節する。光学的距離を調節することにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層４５４Ｂからの発光を増幅させることができる。

なお、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｂとの光学的距離とは、厳密には反射電極４５１における反射領域と第１の発光層４５４Ｂにおける発光領域との光学的距離ということができる。しかし、反射電極４５１における反射領域や第１の発光層４５４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４５１と第１の発光層４５４Ｂの任意の位置を、それぞれ反射領域、発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。

なお、上記構成において、いずれの発光素子もＥＬ層に複数の発光層を有する構造を有しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態３で説明したタンデム型（積層型）発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数または複数の発光層を形成する構成としてもよい。

本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じＥＬ層を有していても発光素子毎に異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明などの用途に用いてもよい。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。

（実施の形態５）
本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を用いた発光装置について、図５を用いて説明する。

本発明の一態様である発光素子を用いた発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。

本実施の形態では、本発明の一態様である発光素子を用いた発光装置として、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。

なお、図５（Ａ）は、発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）の鎖線Ｘ−Ｙの断面図に相当する。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４と、を有する。画素部５０２、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４は、シール材５０５によって、素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。

また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４に外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ５０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態も含むものとする。

次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３と、画素部５０２が示されている。

駆動回路部５０３は、ｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバ一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。

また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。なお、本実施の形態においては、第１の電極５１３を陽極として用い、第２の電極５１６を陰極として用いる。

また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、ネガ型の感光性樹脂、またはポジ型の感光性樹脂のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸化窒化シリコン等、の両者を使用することができる。

第１の電極５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６が積層形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも発光層が設けられており、発光層には、本発明の一態様である有機金属錯体が含まれている。また、ＥＬ層５１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。

なお、第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６との積層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極５１６の用いる材料としては、実施の形態１に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極５１６は外部入力端子であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。

また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。

さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。

なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒ Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。

以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。

なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。

（実施の形態６）
本実施の形態では、上記実施の形態に示す本発明の一態様の発光装置をその一部に含む電子機器について説明する。電子機器としては、デジタルビデオカメラ、デジタルカメラ等のカメラ、ゴーグル型ディスプレイ、ナビゲーションシステム、音響再生装置（カーオーディオ、オーディオコンポ等）、コンピュータ、ゲーム機器、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、タブレット型端末、携帯電話、携帯型ゲーム機又は電子書籍等）、記録媒体を備えた画像再生装置（具体的には、Ｄｉｇｉｔａｌ Ｖｅｒｓａｔｉｌｅ Ｄｉｓｃ（ＤＶＤ）等の記録媒体を再生し、その画像を表示しうる表示装置を備えた装置）などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６、及び図７に示す。

図６（Ａ）は、本発明の一態様に係るテレビ装置であり、筐体６１１、支持台６１２、表示部６１３、スピーカー部６１４、ビデオ入力端子６１５等を含む。このテレビ装置において、表示部６１３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたテレビ装置を得ることができる。

図６（Ｂ）は、本発明の一態様に係るコンピュータであり、本体６２１、筐体６２２、表示部６２３、キーボード６２４、外部接続ポート６２５、ポインティングデバイス６２６等を含む。このコンピュータにおいて、表示部６２３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたコンピュータを得ることができる。

図６（Ｃ）は、本発明の一態様に係る携帯電話であり、本体６３１、筐体６３２、表示部６３３、音声入力部６３４、音声出力部６３５、操作キー６３６、外部接続ポート６３７、アンテナ６３８等を含む。この携帯電話において、表示部６３３には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減された携帯電話を得ることができる。

図６（Ｄ）は、本発明の一態様に係るデジタルビデオカメラであり、本体６４１、表示部６４２、筐体６４３、外部接続ポート６４４、リモコン受信部６４５、受像部６４６、バッテリー６４７、音声入力部６４８、操作キー６４９、接眼部６５０等を含む。このデジタルビデオカメラにおいて、表示部６４２には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、消費電力の低減されたカメラを得ることができる。

図７は、タブレット型端末の一例を示しており、図７（Ａ−１）乃至図７（Ａ−３）は、タブレット型端末５０００を示し、図７（Ｂ）は、タブレット型端末６０００を示している。

図７（Ａ−１）乃至図７（Ａ−３）に示すタブレット型端末５０００において、図７（Ａ−１）は正面図を、図７（Ａ−２）は側面図を、図７（Ａ−３）は背面図を、それぞれ示している。また、図７（Ｂ）に示すタブレット型端末６０００においては、正面図を示している。

タブレット型端末５０００は、筐体５００１、表示部５００３、電源ボタン５００５、前面カメラ５００７、背面カメラ５００９、第１の外部接続端子５０１１、及び第２の外部接続端子５０１３などにより構成されている。

また、表示部５００３は、筐体５００１に組み込まれており、タッチパネルとしても用いることができる。例えば、表示部５００３上にアイコン５０１５等を表示させて、メールや、スケジュール管理といった作業を行うことができる。また、筐体５００１には、正面側に前面カメラ５００７が組み込まれており、使用者側の映像を撮影することができる。また、筐体５００１には、背面側に背面カメラ５００９が組み込まれており、使用者と反対側の映像を撮影することができる。また、筐体５００１には、第１の外部接続端子５０１１、及び第２の外部接続端子５０１３を備えており、例えば、第１の外部接続端子５０１１により、イヤホン等に音声を出力し、第２の外部接続端子５０１３により、データの移動等を行うことができる。

次に、図７（Ｂ）に示すタブレット型端末６０００は、第１の筐体６００１、第２の筐体６００３、ヒンジ部６００５、第１の表示部６００７、第２の表示部６００９、電源ボタン６０１１、第１のカメラ６０１３、第２のカメラ６０１５などにより構成されている。

また、第１の表示部６００７は、第１の筐体６００１に組み込まれており、第２の表示部６００９は、第２の筐体６００３に組み込まれている。第１の表示部６００７、及び第２の表示部６００９は、例えば、第１の表示部６００７を表示用パネルとして使用し、第２の表示部６００９をタッチパネルとする。第１の表示部６００７に表示されたテキストアイコン６０１７を確認し、第２の表示部６００９に表示させたアイコン６０１９、またはキーボード６０２１（実際には第２の表示部６００９に表示されたキーボード画像）を用いて、画像の選択、または文字の入力等を行うことができる。もちろん、第１の表示部６００７がタッチパネルであり、第２の表示部６００９が表示用パネルといった構成や、第１の表示部６００７、及び第２の表示部６００９ともにタッチパネルといった構成としてもよい。

また、第１の筐体６００１と、第２の筐体６００３は、ヒンジ部６００５により接続されており、第１の筐体６００１と、第２の筐体６００３と、を開閉することができる。このような構成とすることにより、タブレット型端末６０００を持ち運ぶ際に、第１の筐体６００１に組み込まれた表示部６００７と、第２の筐体６００３に組み込まれた表示部６００９と、を合わせることで、表示部６００７、及び表示部６００９の表面（例えば、プラスチック基板等）を保護することができるので好適である。

また、第１の筐体６００１と第２の筐体６００３は、ヒンジ部６００５により、分離できる構成としても良い（所謂コンバーチブル型）。このような構成とすることで、例えば、第１の筐体６００１を縦置きとし、第２の筐体６００３を横置きとして使用するといったように、使用範囲が広がるので好適である。

また、第１のカメラ６０１３、及び第２のカメラ６０１５により、３Ｄ画像の撮影を行うこともできる。

また、タブレット型端末５０００、及びタブレット型端末６０００は、無線で情報を送受信できる構成としてもよい。例えば、無線により、インターネット等に接続し、所望の情報を購入し、ダウンロードする構成とすることも可能である。

また、タブレット型端末５０００、及びタブレット型端末６０００は、様々な情報（静止画、動画、テキスト画像など）を表示する機能、カレンダー、日付又は時刻などを表示部に表示する機能、表示部に表示した情報をタッチ入力操作又は編集するタッチ入力機能、様々なソフトウェア（プログラム）によって処理を制御する機能、等を有することができる。また、外光の光量に応じて表示の輝度を最適にすることができる光センサや、ジャイロ、加速度センサの傾きを検出するセンサなどといった検出装置を内蔵させてもよい。

上記タブレット型端末５０００の表示部５００３、タブレット型端末６０００の第１の表示部６００７、または／および第２の表示部６００９には、本発明の一態様の発光装置を適用することができる。本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い発光効率が得られるため、消費電力の低減されたタブレット型端末を得ることができる。

以上のように、本発明の一態様の発光装置の適用範囲は極めて広く、この発光装置をあらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。本発明の一態様の発光装置を用いることにより、消費電力の低減された電子機器を得ることができる。

また、本発明の一態様の発光装置は、照明装置として用いることもできる。図８（Ａ）は、本発明の一態様の発光装置をバックライトとして用いた液晶表示装置の一例である。図８（Ａ）に示した液晶表示装置は、筐体７０１、液晶層７０２、バックライト７０３、筐体７０４を有し、液晶層７０２は、ドライバＩＣ７０５と接続されている。また、バックライト７０３は、本発明の一態様の発光装置が用いられおり、端子７０６により、電流が供給されている。

このように本発明の一態様の発光装置を液晶表示装置のバックライトとして用いることにより、低消費電力のバックライトが得られる。また、本発明の一態様の発光装置は、面発光の照明装置であり大面積化も可能であるため、バックライトの大面積化も可能である。従って、低消費電力であり、大面積化された液晶表示装置を得ることができる。

次に、図８（Ｂ）は、本発明の一態様の発光装置を、照明装置である電気スタンドとして用いた例である。図８（Ｂ）に示す電気スタンドは、筐体８０１と、光源８０２を有し、光源８０２として、本発明の一態様の発光装置が用いられている。低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の電気スタンドを得ることが可能となる。

次に、図８（Ｃ）は、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた例である。本発明の一態様の発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置として用いることができる。また、本発明の一態様の発光装置は、低駆動電圧で、高い電流効率が得られるため、本発明の一態様の発光装置を適用することで、低消費電力の照明装置を得ることが可能となる。このように、本発明の一態様の発光装置を、室内の照明装置９０１として用いた部屋に、図６（Ａ）で説明したような、本発明の一態様のテレビ装置９０２を設置して公共放送や映画を鑑賞することができる。

なお、本実施の形態は、他の実施の形態と適宜組み合わせることが可能である。

≪合成例１≫
本合成例１では、実施形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］（２，２，６，６−テトラメチル−３，５−ヘプタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ））の合成例を具体的に例示する。

＜構造式（１００）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）の合成法＞
まず、下記構造式（１００）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）の合成法の一例について説明する。

＜ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンの合成＞
まず、ホルムアミジン酢酸塩７．２ｇ、ナトリウムメトキシド７．５ｇ、メタノール７０ｍＬを１００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合溶液に４，４−ジメチルオキソ吉草酸メチル１０ｇを加え、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、この混合溶液に、水１７ｍＬと酢酸７．２ｍＬの混合溶液を加え、室温で撹拌した。この混合物を濃縮し、得られた残渣を水に溶解し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンを得た（白色粉末、収率４９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｄ−１）に示す。

＜ステップ２；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジン４．７ｇ、塩化ホスホリル１４ｍＬを５０ｍＬ三口フラスコに入れ、１．５時間加熱還流した。還流後、減圧下にて塩化ホスホリルを留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンを得た（白色粉末、収率７８％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｄ−２）に示す。

＜ステップ３；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｔＢｕｐｃｚｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジン１．００ｇと９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸３．４４ｇ、炭酸ナトリウム１．３２ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（略称：ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２）０．０５０ｇ、水２０ｍＬ、ＤＭＦ２０ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。このフラスコにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝２：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｔＢｕｐｃｚｐｍを得た（白色粉末、収率９５％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製 Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。ステップ３の合成スキームを下記（ｄ−３）に示す。

＜ステップ４；ジ−μ−クロロ−テトラキス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｔＢｕｐｃｚｐｍ（略称）２．１０ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．８０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２を得た（緑色粉末、収率７２％）。また、ステップ４の合成スキームを下記（ｄ−４）に示す。

＜ステップ５；Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール３０ｍＬ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２ ０．９３ｇ、ジピバロイルメタン（略称：Ｈｄｐｍ）０．２６ｇ、炭酸ナトリウム０．５０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ ２００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。ここで更に、Ｈｄｐｍ ０．２６ｇを加え、フラスコに、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ ２００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過した。得られた固体を水、エタノールで洗浄した。得られた固体をジクロロメタンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通して濾過した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶した。得られた固体を、ヘキサン：酢酸エチル＝５：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）を黄橙色粉末として得た（収率２１％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｄ−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄橙色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図９に示す。このことから、本合成例１において、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：０．８７（ｓ，１８Ｈ），１．４５（ｓ，１８Ｈ），５．５８（ｓ，１Ｈ），６．１９（ｓ，２Ｈ），７．１８（ｄ，２Ｈ），７．２１（ｔ，２Ｈ），７．２８−７．３０（ｍ，６Ｈ），７．３９（ｔ，２Ｈ），７．５０（ｔ，４Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．２３（ｓ，２Ｈ），８．７１（ｓ，２Ｈ），８．９４（ｓ，２Ｈ）．

次に、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用い、ジクロロメタン溶液（０．０５９ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を行った。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用い、脱気したジクロロメタン溶液（０．０５９ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れ、室温で測定を行った。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１０に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図１０において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。なお、図１０に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０５９ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図１０に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）は、５４９ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは黄緑色の発光が観測された。

次に、本実施例で得られたＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）を液体クロマトグラフ質量分析（Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｈｒｏｍａｔｏｇｒａｐｈｙ Ｍａｓｓ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｒｙ，略称：ＬＣ／ＭＳ分析）によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、ＬＣ（液体クロマトグラフィー）分離をウォーターズ社製Ａｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣにより、ＭＳ分析（質量分析）をウォーターズ社製Ｘｅｖｏ Ｇ２ Ｔｏｆ ＭＳにより行った。ＬＣ分離で用いたカラムはＡｃｑｕｉｔｙ ＵＰＬＣ ＢＥＨ Ｃ８ （２．１×１００ｍｍ １．７μｍ）、カラム温度は４０℃とした。移動相は移動相Ａをアセトニトリル、移動相Ｂを０．１％ギ酸水溶液とした。また、サンプルは任意の濃度のＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）をクロロホルムに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は５．０μＬとした。

ＬＣ分離には移動相の組成を変化させるグラジエント法を用い、測定開始後０分から１分までが、移動相Ａ：移動相Ｂ＝８５：１５、その後組成を変化させ、１０分における移動相Ａと移動相Ｂとの比が移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５となるようにした。組成の変化はリニアに変化させた。

ＭＳ分析では、エレクトロスプレーイオン化法（ＥｌｅｃｔｒｏＳｐｒａｙ Ｉｏｎｉｚａｔｉｏｎ、略称：ＥＳＩ）によるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１３００とした。

以上の条件で分離、イオン化されたｍ／ｚ＝１１２９．４８の成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスに衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。解離させたプロダクトイオンを飛行時間（ＴＯＦ）型ＭＳで検出した結果を図１１に示す。

図１１の結果から、構造式（１００）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）は、主としてｍ／ｚ＝９４５．３３付近、ｍ／ｚ＝３６２．１７付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図１１に示す結果は、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）を同定する上での重要なデータであるといえる。

なお、ｍ／ｚ＝９４５．３３付近のプロダクトイオンは、構造式（１００）の化合物におけるジピバロイルメタンが離脱した状態のカチオンと推定され、本発明の一態様である有機金属錯体の特徴の一つである。

≪合成例２≫
本合成例２では、実施の形態１の構造式（１０１）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ））の合成例を具体的に例示する。

＜構造式（１０１）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成法＞
まず、下記構造式（１０１）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成法の一例について説明する。

＜ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンの合成＞
まず、ホルムアミジン酢酸塩７．２ｇ、ナトリウムメトキシド７．５ｇ、メタノール７０ｍＬを１００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合溶液に４，４−ジメチルオキソ吉草酸メチル１０ｇを加え、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、この混合溶液に、水１７ｍＬと酢酸７．２ｍＬの混合溶液を加え、室温で撹拌した。この混合物を濃縮し、得られた残渣を水に溶解し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンを得た（白色粉末、収率４９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｅ−１）に示す。

＜ステップ２；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジン４．７ｇ、塩化ホスホリル１４ｍＬを５０ｍＬ三口フラスコに入れ、１．５時間加熱還流した。還流後、減圧下にて塩化ホスホリルを留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンを得た（白色粉末、収率７８％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｅ−２）に示す。

＜ステップ３；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｔＢｕｐｃｚｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジン１．００ｇと９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸３．４４ｇ、炭酸ナトリウム１．３２ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（略称：ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２）０．０５０ｇ、水２０ｍＬ、ＤＭＦ２０ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。このフラスコにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝２：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｔＢｕｐｃｚｐｍを得た（白色粉末、収率９５％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製 Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。ステップ３の合成スキームを下記（ｅ−３）に示す。

＜ステップ４；ジ−μ−クロロ−テトラキス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｔＢｕｐｃｚｐｍ（略称）２．１０ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．８０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２を得た（緑色粉末、収率７２％）。また、ステップ４の合成スキームを下記（ｅ−４）に示す。

＜ステップ５；Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール３０ｍＬ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２ ０．９９ｇ、アセチルアセトン（略称：Ｈａｃａｃ）０．１５ｇ、炭酸ナトリウム０．５３ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。ここで更に、Ｈａｃａｃ ０．１５ｇを加え、フラスコに、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過した。得られた固体を水、エタノールで洗浄した。得られた固体をジクロロメタンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通して濾過した。ろ液を濃縮し、得られた固体を、ジクロロメタン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーにより精製した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）を黄色粉末として得た（収率２２％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｅ−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１２に示す。このことから、本合成例２において、上述の構造式（１０１）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＤＭＳＯ−ｄ６）：１．４６（ｓ，１８Ｈ），１．７５（ｓ，６Ｈ），５．３２（ｓ，１Ｈ），６．０７（ｓ，２Ｈ），７．１４（ｄ，２Ｈ），７．２０（ｔ，２Ｈ），７．２７−７．３０（ｍ，６Ｈ），７．４０（ｔ，２Ｈ），７．５１（ｔ，４Ｈ），８．１４（ｄ，２Ｈ），８．２３（ｓ，２Ｈ），８．８３（ｓ，２Ｈ），８．９２（ｓ，２Ｈ）．

次に、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトル）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定については、実施例１と同様の装置及び同様の手法とした。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１３に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図１３において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。なお、図１３に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０６４ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図１３に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、５３９ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは黄緑色の発光が観測された。

次に、本実施例で得られたＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）をＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１と同様の測定装置及び同様の測定方法を用いた。なお、サンプルは任意の濃度のＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）をクロロホルムに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は５．０μＬとした。

ＬＣ分離には移動相の組成を変化させるグラジエント法を用い、測定開始後０分から１分までが、移動相Ａ：移動相Ｂ＝７５：２５、その後組成を変化させ、１０分における移動相Ａと移動相Ｂとの比が移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５となるようにした。組成の変化はリニアに変化させた。ＭＳ分析では、ＥＳＩによるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

以上の条件で分離、イオン化されたｍ／ｚ＝１０４４．４０の成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスに衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は３０ｅＶとした。解離させたプロダクトイオンを飛行時間（ＴＯＦ）型ＭＳで検出した結果を図１４に示す。

図１４の結果から、構造式（１０１）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、主としてｍ／ｚ＝９４５．３５付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図１４に示す結果は、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）を同定する上での重要なデータであるといえる。

なお、ｍ／ｚ＝９４５．３５付近のプロダクトイオンは、構造式（１０１）の化合物におけるアセチルアセトンが離脱した状態のカチオンと推定され、本発明の一態様である有機金属錯体の特徴の一つである。

≪合成例３≫
本合成例３では、実施の形態１の構造式（１１２）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、トリス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］｝イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３）の合成例を具体的に例示する。

＜構造式（１１２）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の合成法＞
まず、下記構造式（１１２）で示すＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の合成法の一例について説明する。

＜ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンの合成＞
まず、ホルムアミジン酢酸塩７．２ｇ、ナトリウムメトキシド７．５ｇ、メタノール７０ｍＬを１００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合溶液に４，４−ジメチルオキソ吉草酸メチル１０ｇを加え、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、この混合溶液に、水１７ｍＬと酢酸７．２ｍＬの混合溶液を加え、室温で撹拌した。この混合物を濃縮し、得られた残渣を水に溶解し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンを得た（白色粉末、収率４９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｆ−１）に示す。

＜ステップ２；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジン４．７ｇ、塩化ホスホリル１４ｍＬを５０ｍＬ三口フラスコに入れ、１．５時間加熱還流した。還流後、減圧下にて塩化ホスホリルを留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンを得た（白色粉末、収率７８％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｆ−２）に示す。

＜ステップ３；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｔＢｕｐｃｚｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジン１．００ｇと９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イルボロン酸３．４４ｇ、炭酸ナトリウム１．３２ｇ、ビス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（ＩＩ）ジクロリド（略称：ＰｄＣｌ_２（ＰＰｈ_３）_２）０．０５０ｇ、水２０ｍＬ、ＤＭＦ２０ｍＬを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、内部をアルゴン置換した。このフラスコにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝２：１を展開溶媒とするフラッシュカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｔＢｕｐｃｚｐｍを得た（白色粉末、収率９５％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＣＥＭ社製 Ｄｉｓｃｏｖｅｒ）を用いた。ステップ３の合成スキームを下記（ｆ−３）に示す。

＜ステップ４；ジ−μ−クロロ−テトラキス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｔＢｕｐｃｚｐｍ ２．１０ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．８０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２を得た（緑色粉末、収率７２％）。また、ステップ４の合成スキームを下記（ｆ−４）に示す。

＜ステップ５；Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の合成＞
さらに、フェノール１０ｇ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２ １．０７ｇ、ＨｔＢｕｐｃｚｐｍ １．０６ｇ、炭酸カリウム０．７７ｇを、還流管を付けた１００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。その後、１８５℃で９時間加熱し、反応させた。得られた残渣をメタノールで超音波にかけ、吸引ろ過した。得られた固体をジクロロメタンに溶解させ、水、飽和食塩水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタンに溶解させ、セライト／アルミナ／セライトでろ過した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３を黄色粉末として得た（収率７４％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｆ−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１５に示す。このことから、本合成例３において、上述の構造式（１１２）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤ_２Ｃｌ_２）：１．３９（ｓ，２７Ｈ），６．４１（ｔ，３Ｈ），６．５０（ｓ，３Ｈ），６．６７（ｔ，６Ｈ），６．９３（ｄ，６Ｈ），７．２７（ｔ，３Ｈ），７．３２−７．３７（ｍ，６Ｈ），７．９３（ｓ，３Ｈ），８．１０（ｄ，３Ｈ），８．５０（ｓ，３Ｈ），８．５４（ｓ，３Ｈ）．

次に、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトル）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定については、実施例１と同様の装置及び同様の手法とした。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１６に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図１６において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。図１６に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０５５ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図１６に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は、５３４ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。

次に、本実施例で得られたＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３をＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１と同様の測定装置及び同様の測定方法を用いた。なお、サンプルは任意の濃度のＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３をクロロホルムに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は５．０μＬとした。

ＬＣ分離には移動相の組成を変化させるグラジエント法を用い、測定開始後０分から１分までが、移動相Ａ：移動相Ｂ＝７０：３０、その後組成を変化させ、１０分における移動相Ａと移動相Ｂとの比が移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５となるようにした。組成の変化はリニアに変化させた。ＭＳ分析では、ＥＳＩによるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１５００とした。

以上の条件で分離、イオン化されたｍ／ｚ＝１３２１．５１の成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスに衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。解離させたプロダクトイオンを飛行時間（ＴＯＦ）型ＭＳで検出した結果を図１７に示す。

図１７の結果から、構造式（１１２）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は、主としてｍ／ｚ＝９４５．３３付近、ｍ／ｚ＝３６２．１７付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図１７に示す結果は、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３を同定する上での重要なデータであるといえる。

≪合成例４≫
本合成例４では、実施形態１の構造式（１１０）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、ビス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］（２，４−ペンタンジオナト−κ^２Ｏ，Ｏ’）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ））の合成例を具体的に例示する。

＜構造式（１１０）で示すＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成法＞
まず、下記構造式（１１０）で示すＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成法の一例について説明する。

＜ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンの合成＞
まず、ホルムアミジン酢酸塩７．２ｇ、ナトリウムメトキシド７．５ｇ、メタノール７０ｍＬを１００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合溶液に４，４−ジメチルオキソ吉草酸メチル１０ｇを加え、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、この混合溶液に、水１７ｍＬと酢酸７．２ｍＬの混合溶液を加え、室温で撹拌した。この混合物を濃縮し、得られた残渣を水に溶解し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンを得た（白色粉末、収率４９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｈ−１）に示す。

＜ステップ２；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジン４．７ｇ、塩化ホスホリル１４ｍＬを５０ｍＬ三口フラスコに入れ、１．５時間加熱還流した。還流後、減圧下にて塩化ホスホリルを留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンを得た（白色粉末、収率７８％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｈ−２）に示す。

＜ステップ３；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｔＢｕｅｃｚｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジン２．２１ｇと９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸 ピナコールエステル４．９７ｇ、１Ｍ酢酸カリウム水溶液２０ｍＬ、１Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬ、アセトニトリル５０ｍＬを、還流管を付けた１００ｍＬ丸底フラスコにいれ、フラスコ内をアルゴン置換した。この混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．７８ｇを加え、フラスコにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ ４００Ｗ）を２時間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、トルエン：酢酸エチル＝４：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｔＢｕｅｃｚｐｍを得た（淡黄色粉末、収率７１％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＭＩＬＥＳＴＯＮＥ社製 ＭｉｃｒｏＳＹＮＴＨ）を用いた。ステップ３の合成スキームを下記（ｈ−３）に示す。

＜ステップ４；ジ−μ−クロロ−テトラキス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｔＢｕｅｃｚｐｍ １．９６ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．９０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２を得た（褐色粉末、収率６８％）。また、ステップ４の合成スキームを下記（ｈ−４）に示す。

＜ステップ５；Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の合成＞
さらに、２−エトキシエタノール２０ｍＬ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２ ０．８８ｇ、アセチルアセトン（略称：Ｈａｃａｃ）０．１５ｇ、炭酸ナトリウム０．５３ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １２０Ｗ）を６０分間照射することで加熱した。溶媒を留去し、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過した。得られた固体を水、エタノールで洗浄した。得られた固体をジクロロメタンに溶かし、セライト、アルミナ、セライトの順で積層した濾過補助剤を通して濾過した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）を黄橙色粉末として得た（収率４２％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｈ−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄橙色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１８に示す。このことから、本合成例４において、上述の構造式（１１０）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：１．１６（ｔ，６Ｈ），１．５８（ｓ，１８Ｈ），１．８４（ｓ，６Ｈ），３．９０−３．９６（ｍ，４Ｈ），５．３２（ｓ，１Ｈ），６．１４（ｓ，２Ｈ），７．０９（ｔ，２Ｈ），７．１５（ｄ，２Ｈ），７．２９（ｔ，２Ｈ），７．９０（ｓ，２Ｈ），７．９６（ｄ，２Ｈ），８．３５（ｓ，２Ｈ），９．１３（ｓ，２Ｈ）．

次に、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（吸収スペクトル）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定については、実施例１と同様の装置及び同様の手法とした。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１９に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図１９において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。図１９に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０７０ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図１９に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、５４０ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは黄緑色の発光が観測された。

次に、本実施例で得られたＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）をＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１と同様の測定装置及び同様の測定方法を用いた。なお、サンプルは任意の濃度のＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）をクロロホルムに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は５．０μＬとした。

ＬＣ分離には、移動相の組成を変化させるグラジエント法を用い、測定開始後０分から１分までが、移動相Ａ：移動相Ｂ＝７０：３０、その後組成を変化させ、１０分における移動相Ａと移動相Ｂとの比が移動相Ａ：移動相Ｂ＝９５：５となるようにした。組成の変化はリニアに変化させた。ＭＳ分析では、ＥＳＩによるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

以上の条件で分離、イオン化されたｍ／ｚ＝９４８．３７の成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスに衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は３０ｅＶとした。解離させたプロダクトイオンを飛行時間（ＴＯＦ）型ＭＳで検出した結果を図２０に示す。

図２０の結果から、構造式（１１０）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、主としてｍ／ｚ＝８４９．３３付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図２０に示す結果は、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）を同定する上での重要なデータであるといえる。

≪合成例５≫
本合成例５では、実施形態１の構造式（１１３）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、トリス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３）の合成例を具体的に例示する。

＜構造式（１１３）で示すＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３の合成法＞
まず、下記構造式（１１３）で示すＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３の合成法の一例について説明する。

＜ステップ１；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンの合成＞
まず、ホルムアミジン酢酸塩７．２ｇ、ナトリウムメトキシド７．５ｇ、メタノール７０ｍＬを１００ｍＬ三口フラスコに入れ、この混合溶液に４，４−ジメチルオキソ吉草酸メチル１０ｇを加え、室温で２４時間撹拌した。所定時間経過後、この混合溶液に、水１７ｍＬと酢酸７．２ｍＬの混合溶液を加え、室温で撹拌した。この混合物を濃縮し、得られた残渣を水に溶解し、酢酸エチルで抽出した。得られた抽出溶液を飽和食塩水で洗浄し、有機層に無水硫酸マグネシウムを加えて乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮して固体を得た。この固体を酢酸エチルで洗浄し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジンを得た（白色粉末、収率４９％）。ステップ１の合成スキームを下記（ｊ−１）に示す。

＜ステップ２；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンの合成＞
次に、上記ステップ１で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−ヒドロキシピリミジン４．７ｇ、塩化ホスホリル１４ｍＬを５０ｍＬ三口フラスコに入れ、１．５時間加熱還流した。還流後、減圧下にて塩化ホスホリルを留去した。得られた残渣をジクロロメタンに溶解し、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で洗浄した。得られた有機層に無水硫酸マグネシウムを加え、乾燥させた。硫酸マグネシウムを自然ろ過で取り除き、ろ液を濃縮した。得られた残渣を、ヘキサン：酢酸エチル＝１０：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーにより精製し、４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジンを得た（白色粉末、収率７８％）。ステップ２の合成スキームを下記（ｊ−２）に示す。

＜ステップ３；４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−（９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）ピリミジン（略称：ＨｔＢｕｅｃｚｐｍ）の合成＞
次に、上記ステップ２で得た４−ｔｅｒｔ−ブチル−６−クロロピリミジン２．２１ｇと９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸 ピナコールエステル４．９７ｇ、１Ｍ酢酸カリウム水溶液２０ｍＬ、１Ｍ炭酸ナトリウム水溶液２０ｍＬ、アセトニトリル５０ｍＬを、還流管を付けた１００ｍＬ丸底フラスコにいれ、フラスコ内をアルゴン置換した。この混合物にテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（０）０．７８ｇを加え、フラスコにマイクロ波（２．４５ＧＨｚ ４００Ｗ）を２時間照射することで加熱した。その後この溶液に水を加え、ジクロロメタンにて有機層を抽出した。得られた有機層を水、飽和食塩水で洗浄し、硫酸マグネシウムにて乾燥した。乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、トルエン：酢酸エチル＝４：１を展開溶媒とするシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し、目的のピリミジン誘導体ＨｔＢｕｅｃｚｐｍを得た（淡黄色粉末、収率７１％）。なお、マイクロ波の照射はマイクロ波合成装置（ＭＩＬＥＳＴＯＮＥ社製 ＭｉｃｒｏＳＹＮＴＨ）を用いた。ステップ３の合成スキームを下記（ｊ−３）に示す。

＜ステップ４；ジ−μ−クロロ−テトラキス［３−（６−ｔｅｒｔ−ブチル−４−ピリミジニル−κＮ３）−９−エチル−９Ｈ−カルバゾール−２−イル−κＣ］ジイリジウム（ＩＩＩ）（略称：［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２）の合成＞
次に、２−エトキシエタノール３０ｍＬと水１０ｍＬ、上記ステップ３で得たＨｔＢｕｅｃｚｐｍ １．９６ｇ、塩化イリジウム水和物（ＩｒＣｌ_３・Ｈ_２Ｏ）（Ｓｉｇｍａ−Ａｌｄｒｉｃｈ社製）０．９０ｇを、還流管を付けたナスフラスコに入れ、フラスコ内をアルゴン置換した。その後、マイクロ波（２．４５ＧＨｚ １００Ｗ）を１時間照射し、反応させた。溶媒を留去した後、得られた残渣をエタノールで吸引ろ過、洗浄し、複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２を得た（褐色粉末、収率６８％）。また、ステップ４の合成スキームを下記（ｊ−４）に示す。

＜ステップ５；Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３の合成＞
さらに、フェノール８ｇ、上記ステップ４で得た複核錯体［Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２Ｃｌ］_２ ０．８９ｇ、ＨｔＢｕｅｃｚｐｍ０．８２ｇ、炭酸カリウム０．６９ｇを、還流管を付けた２００ｍＬ三口フラスコに入れ、フラスコ内を窒素置換した。その後、１８５℃で９時間加熱し、反応させた。得られた残渣をメタノールで超音波にかけ、吸引ろ過した。得られた固体をジクロロメタンに溶解させ、水、飽和食塩水で洗浄した。得られた有機層を硫酸マグネシウムで乾燥させ、乾燥した後の溶液をろ過し、硫酸マグネシウムを取り除いた。この溶液の溶媒を留去した後、得られた残渣を、ジクロロメタンに溶解させ、セライト／アルミナ／セライトでろ過した後、ジクロロメタンとエタノールの混合溶媒にて再結晶することにより、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３を黄色粉末として得た（収率５９％）。ステップ５の合成スキームを下記（ｊ−５）に示す。

なお、上記ステップ５で得られた黄色粉末の核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、^１Ｈ−ＮＭＲチャートを図２１に示す。このことから、本合成例５において、上述の構造式（１１３）で表される本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３が得られたことがわかった。

^１Ｈ−ＮＭＲ．δ（ＣＤＣｌ_３）：１．０３（ｔ，９Ｈ），１．４１（ｓ，２７Ｈ），３．７０−３．７８（ｍ，３Ｈ），３．８２−３．８９（ｍ，３Ｈ），６．９１（ｓ，３Ｈ），７．１７−７．２２（ｍ，６Ｈ），７．３７（ｔ，３Ｈ），７．８９（ｓ，３Ｈ），８．１１（ｄ，３Ｈ），８．３２（ｓ，３Ｈ），８．５２（ｓ，３Ｈ）．

次に、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３のジクロロメタン溶液の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定については、実施例１と同様の装置及び同様の手法とした。得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図２２に示す。横軸は波長、縦軸は吸収強度および発光強度を表す。また、図２２において２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。図２２に示す吸収スペクトルは、ジクロロメタン溶液（０．０５９ｍｍｏｌ／Ｌ）を石英セルに入れて測定した吸収スペクトルから、ジクロロメタンのみを石英セルに入れて測定した吸収スペクトルを差し引いた結果を示している。

図２２に示す通り、本発明の一態様である有機金属錯体Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３は、５３２ｎｍに発光ピークを有しており、ジクロロメタン溶液からは緑色の発光が観測された。

次に、本実施例で得られたＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３をＬＣ／ＭＳ分析によって分析した。

ＬＣ／ＭＳ分析としては、実施例１と同様の測定装置及び同様の測定方法を用いた。なお、サンプルは任意の濃度のＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３（略称）をクロロホルムに溶解し、アセトニトリルで希釈して調整し、注入量は５．０μＬとした。

ＬＣ分離としては、実施例１と同様の方法を用いた。ＭＳ分析としては、ＥＳＩによるイオン化を行い、キャピラリー電圧を３．０ｋＶ、サンプルコーン電圧を３０Ｖ、検出をポジティブモードで行った。なお、測定する質量範囲はｍ／ｚ＝１００〜１２００とした。

以上の条件で分離、イオン化されたｍ／ｚ＝１１７８．５１の成分を衝突室（コリジョンセル）内でアルゴンガスに衝突させてプロダクトイオンに解離させた。アルゴンに衝突させる際のエネルギー（コリジョンエネルギー）は７０ｅＶとした。解離させたプロダクトイオンを飛行時間（ＴＯＦ）型ＭＳで検出した結果を図２３に示す。

図２３の結果から、構造式（１１３）で表される本発明の一態様である有機金属錯体、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、主としてｍ／ｚ＝８４９．３３付近、ｍ／ｚ＝５１６．１１付近、ｍ／ｚ＝３１４．１６付近にプロダクトイオンが検出されることがわかった。なお、図２３に示す結果は、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３に由来する特徴的な結果を示すものであることから、混合物中に含まれるＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３を同定する上での重要なデータであるといえる。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子１乃至５）について、図２４（Ａ）を用いて説明する。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。

以下に、本実施例の発光素子１の作製方法を示す。

（発光素子１）
まず、基板１１００上に、シリコン、または酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＯ−ＳｉＯ_２、以下ＩＴＳＯと略記する。）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、Ｉｎ_２Ｏ_３：ＳｎＯ_２：ＳｉＯ_２＝８５：１０：５［重量％］とした。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、４，４’，４’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリ（ジベンゾチオフェン）（略称：ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ）と酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は２０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ（略称）と酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層１１１１上に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。

さらに、２−［３’−（ジベンゾチオフェン−４−イル）ビフェニル−３−イル］ジベンゾ［ｆ、ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ）と、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−［４−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）フェニル］−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン（略称：ＰＣＢＢｉＦ）と、実施例１にて合成したＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。ここで、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

なお、発光素子１の発光層１１１３において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ｄｐｍ）は本発明の一態様の有機金属錯体である。

次に、発光層１１１３上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、電子輸送層１１１４を形成した。

次に、電子輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：ＢＰｈｅｎ）を膜厚１５ｎｍとなるように成膜し、第１の電子注入層１１１５ａを形成した。

さらに、第１の電子注入層１１１５ａ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、第２の電子注入層１１１５ｂを形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子１を作製した。

（発光素子２）
発光素子２は、発光素子１と比較し発光層１１１３、電子輸送層１１１４、及び第１の電子注入層１１１５ａが異なる。具体的には以下の通りである。

発光素子２の発光層１１１３は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、実施例２にて合成したＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）と、を共蒸着した。なお、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

なお、発光素子２の発光層１１１３において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は本発明の一態様の有機金属錯体である。

発光素子２の電子輸送層１１１４は、膜厚１５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを用いた。

発光素子２の第１の電子注入層１１１５ａは、膜厚１０ｎｍのＢＰｈｅｎを用いた。

（発光素子３）
発光素子３は、発光素子１と比較し発光層１１１３、電子輸送層１１１４、及び第１の電子注入層１１１５ａが異なる。具体的には以下の通りである。

発光素子３の発光層１１１３は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、実施例４にて合成したＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）と、を共蒸着した。なお、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）の重量比は、０．８：０．２：０．０２５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ））となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

なお、発光素子３の発光層１１１３において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_２（ａｃａｃ）は本発明の一態様の有機金属錯体である。

発光素子３の電子輸送層１１１４は、膜厚１５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを用いた。

発光素子３の第１の電子注入層１１１５ａは、膜厚１０ｎｍのＢＰｈｅｎを用いた。

（発光素子４）
発光素子４は、発光素子１と比較し発光層１１１３、電子輸送層１１１４、及び第１の電子注入層１１１５ａが異なる。具体的には以下の通りである。

発光素子４の発光層１１１３は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、実施例５にて合成したＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３と、を共蒸着した。なお、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３の重量比は、０．８：０．２：０．０２５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

なお、発光素子４の発光層１１１３において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３は本発明の一態様の有機金属錯体である。

発光素子４の電子輸送層１１１４は、膜厚１５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ（略称）を用いた。

発光素子４の第１の電子注入層１１１５ａは、膜厚１０ｎｍのＢＰｈｅｎを用いた。

（発光素子５）
発光素子５は、発光素子１と比較し発光層１１１３、電子輸送層１１１４、及び第１の電子注入層１１１５ａが異なる。具体的には以下の通りである。

発光素子５の発光層１１１３は、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、実施例３にて合成したＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３と、を共蒸着した。なお、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、及びＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の重量比は、１：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３）となるように調節した。また、発光層１１１３の膜厚は４０ｎｍとした。

なお、発光素子５の発光層１１１３において、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は本発明の一態様の有機金属錯体である。このように、発光素子５の発光層１１１３は、発光素子１乃至４と異なり、アシスト材料であるＰＣＢＢｉＦを用いない構成である。

発光素子５の電子輸送層１１１４は、膜厚１５ｎｍの２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを用いた。

発光素子５の第１の電子注入層１１１５ａは、膜厚１０ｎｍのＢＰｈｅｎを用いた。

なお、発光素子２乃至５のその他の構成（第１の電極１１０１、正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、第２の電子注入層１１１５ｂ、及び第２の電極１１０３）については、発光素子１と同様の構成であるため、先の記載を援用することができる。

以上により得られた発光素子１乃至５の素子構造を表１に示す。

次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子１乃至５が大気に曝されないように封止する作業（具体的に、シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、発光素子１乃至５の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子１乃至５の輝度−電流効率特性を図２５（Ａ）に示す。図２５（Ａ）において、横軸は、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）をそれぞれ表す。また、発光素子１乃至５の電圧−電流特性を図２５（Ｂ）に示す。図２５（Ｂ）において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）をそれぞれ表す。また、発光素子１乃至５の電圧−輝度特性を図２６（Ａ）に示す。図２６（Ａ）において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子１乃至５の輝度−外部量子効率特性を図２６（Ｂ）に示す。図２６（Ｂ）において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は外部量子効率（％）をそれぞれ表す。

図２５及び図２６より、発光素子１乃至５は、低駆動電圧、低消費電力、及び高効率な発光素子であることがわかった。

次に、発光素子１乃至５の輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ^２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表２に示す。

また、発光素子１乃至５の電流密度を、２．５ｍＡ／ｃｍ^２とした際の発光スペクトルを図２７に示す。図２７に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは、５４５ｎｍにピークを有し、発光素子２の発光スペクトルは、５４３ｎｍにピークを有し、発光素子３の発光スペクトルは、５４８ｎｍにピークを有し、発光素子４の発光スペクトルは、５３２ｎｍにピークを有し、発光素子５の発光スペクトルは、５３４ｎｍにピークを有している。なお、図２７において、発光素子１乃至５の発光スペクトルは、概ね重なって表されている。

また、表２に示す通り、輝度が１０８７ｃｄ／ｍ^２における発光素子１の電圧は２．９Ｖであり、電流密度は１．１ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は１０２ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２６％であった。また、輝度が７２３ｃｄ／ｍ^２における発光素子２の電圧は２．８Ｖであり、電流密度は０．８ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は８８ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２３％であった。また、輝度が９３９ｃｄ／ｍ^２における発光素子３の電圧は３．１Ｖであり、電流密度は１．１ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は８８ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２３％であった。また、輝度が９３２ｃｄ／ｍ^２における発光素子４の電圧は３．２Ｖであり、電流密度は１．３ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は７１ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は１３％であった。また、輝度が８３６ｃｄ／ｍ^２における発光素子５の電圧は３．０Ｖであり、電流密度は０．９ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は９３ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は１８％であった。

また、表２に示す通り、発光素子１の輝度が、１０８７ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４１，０．５８）であり、発光素子２の輝度が、７２３ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４０，０．５９）であり、発光素子３の輝度が、９３９ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．４１，０．５８）であり、発光素子４の輝度が、９３２ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．３７，０．６１）であり、発光素子５の輝度が、８３６ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．３６，０．６２）であった。これらのことから、発光素子１乃至５は、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。

以上のように、本発明の一態様の有機金属錯体を発光層として用いた発光素子１乃至５は、緑色の波長領域の光を効率よく発光させることができると示された。そのため、本発明の一態様の有機金属錯体は、緑色の波長域で発光するゲスト材料として好適であることがわかった。

次に、上記発光素子１乃至５について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図２８に示す。

信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１乃至５を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図２８から、発光素子１の１８７時間経過後の規格化輝度は、８８％であった。また、発光素子２の３１７時間経過後の規格化輝度は、７７％であった。また、発光素子３の１３７時間経過後の規格化輝度は、８３％であった。また、発光素子４の１３７時間経過後の規格化輝度は、７７％であった。
また、発光素子５の２３７時間経過後の規格化輝度は、８２％であった。

図２８の結果より、本発明の一態様である発光素子１乃至５は、長寿命な発光素子であることがわかった。

本実施例では、本発明の一態様の発光素子（発光素子６）について、図２４（Ｂ）を用いて説明する。なお、本実施例で用いた材料については、実施例６と同様の材料のため、用いた材料の化学式は実施例６を援用することができる。

以下に、本実施例の発光素子６の作製方法を示す。

（発光素子６）
まず、基板１１００上に、シリコン、または酸化シリコンを含有した酸化インジウム−酸化スズ化合物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法にて成膜し、第１の電極１１０１を形成した。なお、用いたターゲットの組成は、実施例３と同じである。また、第１の電極１１０１の膜厚は、１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。ここで、第１の電極１１０１は、発光素子の陽極として機能する電極である。

次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。

その後、１０^−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。

次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、第１の電極１１０１が形成された基板１１００を真空蒸着装置内に設けられた基板ホルダーに固定し、１０^−４Ｐａ程度まで減圧した後、第１の電極１１０１上に、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンを共蒸着することで、正孔注入層１１１１を形成した。その膜厚は２０ｎｍとし、ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩと酸化モリブデンの比率は、重量比で４：２（＝ＤＢＴ３Ｐ−ＩＩ：酸化モリブデン）となるように調節した。

次に、正孔注入層１１１１上に、ＢＰＡＦＬＰを２０ｎｍの膜厚となるように成膜し、正孔輸送層１１１２を形成した。

さらに、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、実施例３にて合成したＩｒ（ｔＢｕｅｃｚｐｍ）_３と、を共蒸着し、正孔輸送層１１１２上に第１の発光層１１１３ａを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の重量比は、０．７：０．３：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３）となるように調節した。また、第１の発光層１１１３ａの膜厚は２０ｎｍとした。

なお、発光素子６の第１の発光層１１１３ａにおいて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は本発明の一態様の有機金属錯体である。

次に、第１の発光層１１１３ａ上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩと、ＰＣＢＢｉＦと、実施例５にて合成したＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３と、を共蒸着し、第２の発光層１１１３ｂを形成した。ここで、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ、ＰＣＢＢｉＦ、及びＩｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３の重量比は、０．８：０．２：０．０５（＝２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩ：ＰＣＢＢｉＦ：Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３）となるように調節した。また、第２の発光層１１１３ｂの膜厚は２０ｎｍとした。

なお、発光素子６の第２の発光層１１１３ｂにおいて、２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩは、ホスト材料であり、ＰＣＢＢｉＦは、アシスト材料であり、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は、ゲスト材料（トーパント）である。なお、Ｉｒ（ｔＢｕｐｃｚｐｍ）_３は本発明の一態様の有機金属錯体である。

次に、第２の発光層１１１３ｂ上に２ｍＤＢＴＢＰＤＢｑ−ＩＩを膜厚２５ｎｍとなるように成膜し、電子輸送層１１１４を形成した。

次に、電子輸送層１１１４上にＢＰｈｅｎを膜厚１０ｎｍとなるように成膜し、第１の電子注入層１１１５ａを形成した。

さらに、第１の電子注入層１１１５ａ上に、フッ化リチウム（ＬｉＦ）を１ｎｍの膜厚で蒸着し、第２の電子注入層１１１５ｂを形成した。

最後に、陰極として機能する第２の電極１１０３として、アルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着することで、本実施例の発光素子６を作製した。

以上により得られた発光素子６の素子構造を表３に示す。

次に、窒素雰囲気のグローブボックス内において、発光素子６が大気に曝されないように封止する作業（具体的に、シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）を行った。その後、発光素子６の動作特性について測定を行った。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。

発光素子６の輝度−電流効率特性を図２９（Ａ）に示す。図２９（Ａ）において、横軸は、輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は電流効率（ｃｄ／Ａ）をそれぞれ表す。また、発光素子６の電圧−電流特性を図２９（Ｂ）に示す。図２９（Ｂ）において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は電流（ｍＡ）をそれぞれ表す。また、発光素子６の電圧−輝度特性を図３０（Ａ）に示す。図３０（Ａ）において、横軸は電圧（Ｖ）を、縦軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）をそれぞれ表す。また、発光素子６の輝度−外部量子効率特性を図３０（Ｂ）に示す。図３０（Ｂ）において、横軸は輝度（ｃｄ／ｍ^２）を、縦軸は外部量子効率（％）をそれぞれ表す。

図２９及び図３０より、発光素子６は、低駆動電圧、低消費電力、及び高効率な発光素子であることがわかった。

次に、発光素子６の輝度１０００ｃｄ／ｍ^２付近のときの電圧（Ｖ）、電流密度（ｍＡ／ｃｍ^２）、ＣＩＥ色度座標（ｘ、ｙ）、輝度（ｃｄ／ｍ^２）、電流効率（ｃｄ／Ａ）、外部量子効率（％）を表４に示す。

また、発光素子６の電流密度を、２．５ｍＡ／ｃｍ^２とした際の発光スペクトルを図３１に示す。図３１に示す通り、発光素子６の発光スペクトルは、５３４ｎｍにピークを有している。

また、表４に示す通り、輝度が１０５８ｃｄ／ｍ^２における発光素子６の電圧は３．０Ｖであり、電流密度は１．３ｍＡ／ｃｍ^２であり、電流効率は８４ｃｄ／Ａであり、外部量子効率は２２％であった。

また、表４に示す通り、発光素子６の輝度が、１０５８ｃｄ／ｍ^２の時のＣＩＥ色度座標は、（ｘ，ｙ）＝（０．３７，０．６２）であった。これらのことから、発光素子６は、ドーパント由来の発光が得られていることがわかった。

以上のように、本発明の一態様の有機金属錯体を発光層として用いた発光素子６は、緑色の波長領域の光を効率よく発光させることができると示された。そのため、本発明の一態様の有機金属錯体は、緑色の波長域で発光するゲスト材料として好適であることがわかった。

次に、上記発光素子６について、信頼性試験の評価を行った。信頼性試験の結果を図３２に示す。

信頼性試験の測定方法としては、初期輝度を５０００ｃｄ／ｍ^２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子６を駆動した。横軸は素子の駆動時間（ｈ）を、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を表す。図３２から、発光素子６の４７３時間経過後の規格化輝度は、９０％であった。

図３２の結果より、本発明の一態様である発光素子６は、長寿命な発光素子であることがわかった。

（参考例）
実施例６及び実施例７で用いた下記に示すＰＣＢＢｉＦの合成方法について説明する。

＜ステップ１：Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンの合成＞
ステップ１の合成スキームを（ｘ−１）に示す。

１Ｌ三口フラスコに、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン４５ｇ（０．１３ｍｏｌ）と、ナトリウムｔｅｒｔ−ブトキシド３６ｇ（０．３８ｍｏｌ）と、ブロモベンゼン２１ｇ（０．１３ｍｏｌ）と、トルエン５００ｍＬを入れた。この混合物を減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。その後、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）０．８ｇ（１．４ｍｍｏｌ）と、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）１２ｍＬ（５．９ｍｍｏｌ）を加えた。

この混合物を窒素気流下、９０℃で２時間撹拌した。その後、混合物を室温まで冷やしてから、吸引濾過により固体を濾別した。得られた濾液を濃縮し、褐色溶液約２００ｍＬを得た。この褐色溶液をトルエンと混合してから、得られた溶液をセライト（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５３１−１６８５５、以下に記すセライトについても同様であるが繰り返しの記載は省略する）、アルミナ、フロリジール（和光純薬工業株式会社、カタログ番号：５４０−００１３５、以下に記すフロリジールについても同様であるが繰り返しの記載は省略する）を用いて精製した。得られた濾液を濃縮して淡黄色溶液を得た。この淡黄色溶液をヘキサンにて再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を収量５２ｇ、収率９５％で得た。

＜ステップ２：Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミンの合成＞
ステップ２の合成スキームを（ｘ−２）に示す。

１Ｌマイヤーフラスコに、Ｎ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−９，９−ジメチル−Ｎ−フェニル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン４５ｇ（０．１０ｍｏｌ）を入れ、トルエン２２５ｍＬを加えて加熱しながら撹拌して溶解した。この溶液を室温まで放冷した後、酢酸エチル２２５ｍＬを加えて、Ｎ−ブロモこはく酸イミド（略称：ＮＢＳ）１８ｇ（０．１０ｍｏｌ）を加えて、２．５時間室温にて撹拌した。撹拌終了後、この混合物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液で３回、飽和食塩水で１回洗浄した。得られた有機層に硫酸マグネシウムを加えて２時間静置し、乾燥した。この混合物を自然濾過して硫酸マグネシウムを除去し、得られた濾液を濃縮したところ、黄色溶液を得た。この黄色溶液をトルエンと混合し、この溶液をセライト、アルミナ、フロリジールを用いて精製した。得られた溶液を濃縮して淡黄色固体を得た。この淡黄色固体をトルエン／エタノールにて再結晶したところ、目的物の白色粉末を収量４７ｇ、収率８９％で得た。

＜ステップ３：ＰＣＢＢｉＦの合成＞
ステップ３の合成スキームを（ｘ−３）に示す。

１Ｌ三口フラスコにＮ−（１，１’−ビフェニル−４−イル）−Ｎ−（４−ブロモフェニル）−９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−アミン４１ｇ（８０ｍｍｏｌ）、９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−ボロン酸２５ｇ（８８ｍｍｏｌ）を入れ、トルエン２４０ｍＬとエタノール８０ｍＬと炭酸カリウム水溶液（２．０ｍｏｌ／Ｌ）１２０ｍＬを加えて、この混合物を減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。さらに、酢酸パラジウム（ＩＩ）２７ｍｇ（０．１２ｍｍｏｌ）、トリ（オルト−トリル）ホスフィン１５４ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）を加え、再度、減圧しながら撹拌することで脱気し、脱気後、フラスコ内を窒素置換した。この混合物を窒素気流下、１１０℃で１．５時間撹拌した。

その後、撹拌しながら室温まで放冷した後、この混合物の水層をトルエンで２回抽出した。得られた抽出液と有機層をあわせてから、水で２回、飽和食塩水で２回洗浄した。この溶液に硫酸マグネシウムを加えて静置し、乾燥した。この混合物を自然濾過して硫酸マグネシウムを除去し、得られた濾液を濃縮して褐色溶液を得た。この褐色溶液をトルエンと混合してから、得られた溶液をセライト、アルミナ、フロリジールを通して精製した。得られた濾液を濃縮して淡黄色固体を得た。この淡黄色固体を酢酸エチル／エタノールを用いて再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を収量４６ｇ、収率８８％で得た。

得られた淡黄色粉末３８ｇをトレインサブリメーション法により昇華精製した。昇華精製は、圧力３．７Ｐａ、アルゴン流量１５ｍＬ／ｍｉｎの条件で、淡黄色粉末を３４５℃で加熱して行った。昇華精製後、目的物の淡黄色固体を収量３１ｇ、回収率８３％で得た。

核磁気共鳴分光法（^１Ｈ−ＮＭＲ）によって、この化合物が目的物であるＰＣＢＢｉＦであることを確認した。

得られた淡黄色固体の^１Ｈ−ＮＭＲデータを以下に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３，５００ＭＨｚ）：δ＝１．４５（ｓ、６Ｈ）、７．１８（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、７．２７−７．３２（ｍ、８Ｈ）、７．４０−７．５０（ｍ、７Ｈ）、７．５２−７．５３（ｍ、２Ｈ）、７．５９−７．６８（ｍ、１２Ｈ）、８．１９（ｄ、Ｊ＝８．０Ｈｚ、１Ｈ）、８．３６（ｄ、Ｊ＝１．１Ｈｚ、１Ｈ）。

１００ 基板
１０１ 電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
２０１ 電極
２０２ 電極
２０３ ＥＬ層
２０４ 発光層
２０５ 燐光性化合物
２０６ 有機化合物
２０７ 有機化合物
３０１ 電極
３０２ ＥＬ層
３０４ 電極
３０５ 電荷発生層
４５０Ｂ 発光素子
４５０Ｇ 発光素子
４５０Ｒ 発光素子
４５１ 反射電極
４５２ 半透過・半反射電極
４５３ａ 透明導電層
４５３ｂ 透明導電層
４５４Ｂ 第１の発光層
４５４Ｇ 第２の発光層
４５４Ｒ 第３の発光層
４５５ ＥＬ層
５０１ 素子基板
５０２ 画素部
５０３ 駆動回路部
５０４ 駆動回路部
５０５ シール材
５０６ 封止基板
５０７ 配線
５０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 電極
５１４ 絶縁物
５１５ ＥＬ層
５１６ 電極
５１７ 発光素子
５１８ 空間
６１１ 筐体
６１２ 支持台
６１３ 表示部
６１４ スピーカー部
６１５ ビデオ入力端子
６２１ 本体
６２２ 筐体
６２３ 表示部
６２４ キーボード
６２５ 外部接続ポート
６２６ ポインティングデバイス
６３１ 本体
６３２ 筐体
６３３ 表示部
６３４ 音声入力部
６３５ 音声出力部
６３６ 操作キー
６３７ 外部接続ポート
６３８ アンテナ
６４１ 本体
６４２ 表示部
６４３ 筐体
６４４ 外部接続ポート
６４５ リモコン受信部
６４６ 受像部
６４７ バッテリー
６４８ 音声入力部
６４９ 操作キー
６５０ 接眼部
７０１ 筐体
７０２ 液晶層
７０３ バックライト
７０４ 筐体
７０５ ドライバＩＣ
７０６ 端子
８０１ 筐体
８０２ 光源
９０１ 照明装置
９０２ テレビ装置
１１００ 基板
１１０１ 電極
１１０３ 電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１３ａ 第１の発光層
１１１３ｂ 第２の発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ａ 第１の電子注入層
１１１５ｂ 第２の電子注入層
５０００ タブレット型端末
５００１ 筐体
５００３ 表示部
５００５ 電源ボタン
５００７ 前面カメラ
５００９ 背面カメラ
５０１１ 外部接続端子
５０１３ 外部接続端子
５０１５ アイコン
６０００ タブレット型端末
６００１ 筐体
６００３ 筐体
６００５ ヒンジ部
６００７ 表示部
６００９ 表示部
６０１１ 電源ボタン
６０１３ カメラ
６０１５ カメラ
６０１７ テキストアイコン
６０１９ アイコン
６０２１ キーボード

Claims (12)

1. ピリミジン環の３位の窒素が金属に配位し、
   前記ピリミジン環の４位にカルバゾール骨格を有し、
   前記カルバゾール骨格が前記金属と結合した有機金属錯体（ただし、重合性官能基を有する場合および重合体である場合を除く）を有する発光素子。
2. 請求項１において、
   前記金属が第９族元素または第１０族元素である発光素子。
3. 請求項１または請求項２において、
   前記金属がイリジウムである発光素子。
4. 式（Ｇ１−１）で表される構造を含む有機金属錯体（ただし、重合性官能基を有する場合および重合体である場合を除く）。
   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。）
5. 式（Ｇ１−２）で表される有機金属錯体（ただし、重合性官能基を有する場合および重合体である場合を除く）。
   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、前記Ｍが第９族元素の時はｎ＝３であり、第１０族元素の時はｎ＝２である。）
6. 式（Ｇ１−３）で表される有機金属錯体（ただし、重合性官能基を有する場合および重合体である場合を除く）。
   
   （式中、Ｒ^１〜Ｒ^１０は、それぞれ独立に、水素、炭素数１〜６のアルキル基、もしくは置換または無置換の炭素数６〜１０のアリール基のいずれかを表す。また、Ｍは、第９族元素または第１０族元素の金属を表す。また、前記Ｍが第９族元素の時はｎ＝２であり、第１０族元素の時はｎ＝１である。また、Ｌは、モノアニオン性の配位子を表す。）
7. 請求項６において、
   前記モノアニオン性の配位子は、ベータジケトン構造を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、カルボキシル基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、フェノール性水酸基を有するモノアニオン性の二座キレート配位子、又は２つの配位元素がいずれも窒素であるモノアニオン性の二座キレート配位子のいずれかである有機金属錯体。
8. 請求項６または請求項７において、
   前記モノアニオン性の配位子は、式（Ｌ１）乃至（Ｌ７）のいずれか一である有機金属錯体。
   
   （式中、Ｒ^７１〜Ｒ^１０９は、それぞれ独立に、水素、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のハロアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルコキシ基、又は置換もしくは無置換の炭素数１〜６のアルキルチオ基を表す。また、Ａ^１〜Ａ^３は、それぞれ独立に、窒素、水素もしくは置換基Ｒと結合する炭素を表し、前記置換基Ｒは炭素数１〜６のアルキル基、ハロゲン基、炭素数１〜６のハロアルキル基、またはフェニル基を表す。）
9. 請求項４乃至請求項８のいずれか一に記載の有機金属錯体を有する発光素子。
10. 請求項１乃至請求項３、請求項９のいずれか一に記載の発光素子を有する発光装置。
11. 請求項１０に記載の発光装置を有する電子機器。
12. 請求項１０に記載の発光装置を有する照明装置。