JP2014030047A - スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 - Google Patents
スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2014030047A JP2014030047A JP2013201126A JP2013201126A JP2014030047A JP 2014030047 A JP2014030047 A JP 2014030047A JP 2013201126 A JP2013201126 A JP 2013201126A JP 2013201126 A JP2013201126 A JP 2013201126A JP 2014030047 A JP2014030047 A JP 2014030047A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- target
- periodic
- features
- array
- layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70483—Information management; Active and passive control; Testing; Wafer monitoring, e.g. pattern monitoring
- G03F7/70605—Workpiece metrology
- G03F7/70616—Monitoring the printed patterns
- G03F7/70633—Overlay, i.e. relative alignment between patterns printed by separate exposures in different layers, or in the same layer in multiple exposures or stitching
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
【解決手段】基板の層の間のアライメントを決定する際に利用されるスキャトロメトリターゲットを含む。ターゲット配列が、基板上に形成されており、複数のターゲットセルを備えている。各セルは、周期的なフィーチャを含む2つの層を有しており、上側の層が下側の層よりも上に配列され、上側の層の周期的なフィーチャは、下側の層の周期的なフィーチャに対するオフセット、および/または、下側の層の周期的なフィーチャと異なるピッチを有する。それらのピッチは、ターゲットが照明源にさらされた時に周期信号を生成するよう配列されている。ターゲットは、さらに、セルの間に配列された曖昧性除去用フィーチャを備えており、曖昧性除去用フィーチャは、照明源にさらされた時にセルによって生成される周期信号により引き起こされる曖昧性を解決する。
【選択図】図2(g)
Description
概して、本発明は、場合によって異なるピッチを有するよう形成された周期的なフィーチャの上層を有するターゲットセルを備えたターゲット配列を対象としている。さらなる実施形態は、ターゲットセルによって生成される周期信号の曖昧性の解決を可能にする曖昧性除去用フィーチャによって、ターゲット配列を改良する。これらのターゲット配列の利用方法も、開示されている。
本発明の他の態様および利点については、本発明の原理を例示的に説明した以下の詳細な説明および添付の図面から明らかになる。
Xa=+F+f0(ターゲットA)、
Xb=−F+f0(ターゲットB)、
Xc=+F−f0(ターゲットC)、および
Xd=−F−f0(ターゲットD)。
発明者は、SCOLオーバレイ測定値を取得するための改良方法を意図している。
以下では、本発明の原理に従ってオーバレイアライメント誤差を決定するための一実施形態について、概略を簡単に説明する。
本発明の実施形態は、上側および下側の回折格子に対して、異なる回折格子ピッチを有するSCOLターゲットを備えてよい。下側および上側の回折格子のピッチのための異なる回折格子ピッチの値を、それぞれ、p1およびp2とすることができる。ピッチの値の間の関係は、結果としてのスキャトロメトリ信号が、オーバレイの関数として周期的なままであるように選択される。
上述したような技術は、オーバレイ誤差の決定に有用であり、正確である。しかしながら、簡単に上述したように、SCOL信号の周期性は、一般に、オーバレイにおけるn・p/2の曖昧性につながる。ここで、nは、整数値を有する。発明者は、SCOLターゲットを改善するために曖昧性除去用フィーチャを追加することによって、この問題に対処する。かかる曖昧性除去用フィーチャは、オーバレイオフセットの粗測定を可能にする。かかる粗測定は、2つの層に曖昧性除去用ターゲット構造を追加し、例えば、ボックス・イン・ボックス型のアルゴリズムを用いることによって実現され、オーバレイ誤差の粗測定値を生成することで、セルの測定値における曖昧性を解消する。
Claims (26)
- 基板上のオーバレイアライメントを決定するためのターゲット配列であって、
少なくとも2つの層を上に形成された基板と、
前記基板上に形成されたターゲット配列と、
を備え、
前記ターゲット配列は、複数の周期的なターゲットセルを備え、各セルは、最下層よりも上に配置された最上層を有するよう構成されており、前記最上層は、周期的なフィーチャを有し、前記最下層は、周期的なフィーチャを有し、前記セルの前記最上層の前記周期的なフィーチャと前記最下層の前記周期的なフィーチャとの間に、所定のオフセットが存在する、
ターゲット配列。 - 請求項1に記載のターゲット配列であって、前記ターゲットセルは、前記最上層の前記周期的なフィーチャが、前記最下層の前記周期的なフィーチャと異なるピッチを有するよう構成されており、前記ピッチの間の関係は、前記ターゲットセルが照明源にさらされた時に前記ターゲットについての周期信号を生成するよう構成されている、ターゲット配列。
- 請求項1に記載のターゲット配列であって、前記ターゲットセルは、前記最上層の前記周期的なフィーチャが、前記最下層の前記周期的なフィーチャと同じピッチを有するよう構成されている、ターゲット配列。
- 請求項1に記載のターゲット配列であって、さらに、前記照明されたターゲットセルによって生成された前記周期信号におけるアライメントの曖昧性を解決するよう構成された1セットの曖昧性除去用フィーチャを備える、ターゲット配列。
- 請求項4に記載のターゲット配列であって、各曖昧性除去用フィーチャは、2つの少なくとも2つの直交する縁部を有する、ターゲット配列。
- 請求項1に記載のターゲット配列であって、前記複数の周期的なターゲットセルは、第1のセットの周期的なターゲットセルを含み、前記第1のセットの周期的なターゲットセルの前記最上層および最下層の前記周期的なフィーチャは、第1の方向に配置されている、ターゲット配列。
- 請求項6に記載のターゲット配列であって、前記第1のセットの周期的なターゲットセルは、前記ターゲット配列が、第1の方向のオーバレイ誤差を決定することが、前記周期的なフィーチャによって可能になるよう構成されている、ターゲット配列。
- 請求項6に記載のターゲット配列であって、さらに、前記ターゲットセルの間に配列された曖昧性除去用フィーチャを備え、前記曖昧性除去用フィーチャは、前記ターゲット配列が前記照明源にさらされた時に前記周期信号の前記生成によって引き起こされる信号の曖昧性を解決するよう構成されている、ターゲット配列。
- 請求項6に記載のターゲット配列であって、前記ターゲットセルの前記最上層の前記周期的なフィーチャは、第1のピッチp1と、関連の値n1とを有し、前記最下層の前記周期的なフィーチャは、第2のピッチp2と、関連の値n2とを有し、前記ピッチの間の関係は、関係式n1p1=n2p2によって定義され、空間周期(P)は、関係式n1p1=n2p2=Pに従って前記ターゲットセルごとに定義され、前記ピッチは、分数p1/p2が有理数であるように選択される、ターゲット配列。
- 請求項9に記載のターゲット配列であって、前記最下層の前記周期的なフィーチャと、前記最上層の前記周期的なフィーチャとの間の前記所定のオフセットは、p1およびp2の前記値の最大公約数に関連する、ターゲット配列。
- 請求項9に記載のターゲット配列であって、前記ターゲットセルは、前記セルの前記空間周期(P)の少なくとも15倍のサイズを有する、ターゲット配列。
- 請求項6に記載のターゲット配列であって、さらに、
第2の複数のターゲットセルを有する第2のセットの周期的ターゲットセル
を備え、
前記第2のセットの各セルは、周期的なフィーチャを含む2つの層を有し、最上層は最下層よりも上に配列されており、両方の層は、第2の方向に配置された周期的なフィーチャを備えるよう構成され、前記第2のセットの前記最上層および最下層の前記周期的なフィーチャは、互いに異なるピッチを有し、前記ピッチの間の関係は、前記第2のセットが前記照明源にさらされた時に信号を生成するよう構成されている、
ターゲット配列。 - 請求項12に記載のターゲット配列であって、前記第2のセットの周期的なターゲットセルは、前記ターゲット配列が、前記第1の方向に垂直な第2の方向のオーバレイ誤差を決定することが、前記周期的なフィーチャによって可能になるよう構成されている、ターゲット配列。
- 請求項12に記載のターゲット配列であって、さらに、
前記周期的なターゲットセルの間に配列された少なくとも2つの曖昧性除去用フィーチャ
を備え、
前記曖昧性除去用フィーチャは、前記ターゲット配列が前記照明源にさらされた時に前記信号の生成によって引き起こされる信号の曖昧性を解決するよう構成されている、
ターゲット配列。 - 請求項14に記載のターゲット配列であって、前記ターゲット配列は、対称中心を有し、前記少なくとも2つの曖昧性除去用フィーチャは、対称軸に関して対称的に180°回転されることが可能であるよう構成される、ターゲット配列。
- 請求項15に記載のターゲット配列であって、
前記ターゲット配列の前記第1のセットの周期的なターゲットセルは、4つのターゲットセルの2×2行列の配列で前記基板上に配列され、
前記ターゲット配列の前記第2のセットの周期的なターゲットセルは、4つのターゲットセルの別の2×2行列の配列で前記基板上に配列されると共に前記第1のセットに隣接するよう配置され、
前記少なくとも2つの曖昧性除去用フィーチャは、
第1の曖昧性除去用フィーチャが、前記第1のセットの周期的なフィーチャの前記4つのターゲットセルの間に配列されると共に前記最上層および最下層の一方に存在するよう形成された十字形のフィーチャを含み、
第2の曖昧性除去用フィーチャが、前記第2のセットの周期的なフィーチャの前記4つのターゲットセルの間に配列されると共に前記第1の曖昧性除去用フィーチャと同じ層に存在するよう形成された十字形のフィーチャを含み、
第3の曖昧性除去用フィーチャが、前記最上層および最下層の他方に存在するよう形成され、前記ターゲット配列の4辺の周りに伸びて前記第1および第2の曖昧性除去用フィーチャを取り囲む外側部分と、前記第1および第2のセットの曖昧性除去用フィーチャの間を通る内側部分と、を含む、ように構成されている、
ターゲット配列。 - 請求項15に記載のターゲット配列であって、各曖昧性除去用フィーチャは、2つの少なくとも2つの直交する縁部を有する、ターゲット配列。
- 請求項17に記載のターゲット配列であって、各曖昧性除去用フィーチャは、2つの隣接するターゲットセルの間のスペースに全体が配置されている、ターゲット配列。
- 請求項18に記載のターゲット配列であって、各曖昧性除去用フィーチャは、長方形の形状である、ターゲット配列。
- 請求項1に記載のターゲット配列であって、前記複数の周期的なターゲットセルは、
第1のセットの周期的なターゲットセルであって、前記第1のセットの周期的なターゲットセルの最上層および最下層の前記周期的なフィーチャが、第1の構成の方向に配置され、前記ターゲット配列が第1の方向のオーバレイ誤差を決定することを可能にするよう配列されている、第1のセットの周期的なターゲットセルと、
第2のセットの周期的なターゲットセルであって、前記第2のセットの周期的なターゲットセルの最上層および最下層の前記周期的なフィーチャが、前記第1の構成と垂直な第2の構成の方向に配置され、前記ターゲット配列が前記第1の方向に垂直な第2の方向のオーバレイ誤差を決定することを可能にするよう配列されている、第2のセットの周期的なターゲットセルと、
前記周期的なターゲットセルの間に配列された曖昧性除去用フィーチャであって、前記ターゲット配列が前記照明源にさらされた時に前記周期信号の前記生成によって引き起こされる信号の曖昧性を除去するよう構成された、曖昧性除去用フィーチャと、
を含む、ターゲット配列。 - 請求項20に記載のターゲット配列であって、
前記第1のセットの周期的なターゲットセルは、6つのターゲットセルを含み、
前記第2のセットの周期的なターゲットセルは、6つのターゲットセルを含む、ターゲット配列。 - 請求項20に記載のターゲット配列であって、
前記第1のセットの周期的なターゲットセルは、4つのターゲットセルを含み、
前記第2のセットの周期的なターゲットセルは、4つのターゲットセルを含む、ターゲット配列。 - サンプルの層の間のオーバレイ誤差を決定するための方法であって、
ターゲット配列を上に形成された基板を準備する工程であって、前記ターゲット配列は、複数のターゲットセルを備え、前記複数のターゲットセルの各々は、1セットの周期的なフィーチャをそれぞれ備えた第1および第2の層を有し、前記第1の層の前記周期的なフィーチャは、前記第2の層の前記周期的なフィーチャに対するオフセットを有する、工程と、
周期信号を生成するために前記ターゲット配列を照明することができる照明源を準備する工程と、
前記ターゲット配列の部分が、前記照明源によって照明されるように、前記基板を適切な位置に誘導する工程と、
前記照明源で前記ターゲットセルを照明して、前記ターゲットセルの各々について信号を取得する工程と、
前記ターゲットセルの各々について取得された前記信号から得られる情報を用いて、前記第1の層と前記第2の層との間の任意のオーバレイ誤差を決定する工程と、
を備える、方法。 - 請求項23に記載の方法であって、前記ターゲット配列を有する前記基板を準備する工程は、前記第1の層の前記周期的なフィーチャが前記第2の層の前記周期的なフィーチャと異なるピッチを有するように形成されたターゲット配列を準備する工程を備える、方法。
- 請求項23に記載の方法であって、
前記ターゲット配列を準備する工程は、さらに、
第1の方向に配置された周期的なフィーチャを有する第1のセットのターゲットセルと、第2の方向に配置された周期的なフィーチャを有する第2のセットのターゲットセルとを有するターゲット配列を準備する工程を備え、
前記第1および第2のセットのターゲットセルの前記周期的なフィーチャは、前記第1および第2の層がそれぞれ異なるピッチを有するように構成され、前記ピッチの間の関係は、前記ターゲットセルが前記照明源にさらされた時に周期信号を生成するよう構成されている、方法。 - 請求項23に記載の方法であって、
前記ターゲット配列を準備する工程は、さらに、
前記ターゲットセルの間に配列された曖昧性除去用フィーチャを有するターゲット配列を準備する工程であって、前記曖昧性除去用フィーチャは、前記周期信号の前記生成によって引き起こされる信号の曖昧性を解決することを可能にするよう構成されている、工程と、
前記照明源で前記曖昧性除去用フィーチャを照明して、前記曖昧性除去用フィーチャに関連する信号を取得する工程と、
前記曖昧性除去用フィーチャに関連する前記信号から得られた情報を用いて、前記オーバレイ誤差の前記決定における曖昧性を解決する工程と、
を備える、方法。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US78800506P | 2006-03-31 | 2006-03-31 | |
US60/788,005 | 2006-03-31 | ||
US11/525,320 US7616313B2 (en) | 2006-03-31 | 2006-09-21 | Apparatus and methods for detecting overlay errors using scatterometry |
US11/525,320 | 2006-09-21 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009502820A Division JP5616627B2 (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-08 | ターゲットおよびサンプルの層の間のオーバレイ誤差を決定するための方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2014030047A true JP2014030047A (ja) | 2014-02-13 |
Family
ID=38558396
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009502820A Active JP5616627B2 (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-08 | ターゲットおよびサンプルの層の間のオーバレイ誤差を決定するための方法 |
JP2013201126A Pending JP2014030047A (ja) | 2006-03-31 | 2013-09-27 | スキャトロメトリを用いてオーバレイ誤差を検出するための装置および方法 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009502820A Active JP5616627B2 (ja) | 2006-03-31 | 2007-03-08 | ターゲットおよびサンプルの層の間のオーバレイ誤差を決定するための方法 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7616313B2 (ja) |
JP (2) | JP5616627B2 (ja) |
WO (1) | WO2007126559A2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160143786A (ko) * | 2014-04-09 | 2016-12-14 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 셀간 프로세스 변동 부정확성의 추정 및 제거 |
Families Citing this family (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4839127B2 (ja) * | 2006-05-10 | 2011-12-21 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 校正用標準部材及びこれを用いた校正方法および電子ビーム装置 |
US7911612B2 (en) * | 2007-06-13 | 2011-03-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection method and apparatus, lithographic apparatus, lithographic processing cell and device manufacturing method |
US7808638B2 (en) * | 2007-07-13 | 2010-10-05 | Kla-Tencor Corporation | Scatterometry target and method |
US8004679B2 (en) * | 2008-05-09 | 2011-08-23 | Kla-Tencor Corporation | Target design and methods for scatterometry overlay determination |
TWI364784B (en) * | 2008-06-13 | 2012-05-21 | Ind Tech Res Inst | Method for designing overlay targets and method and system for measuring overlay error using the same |
US8441639B2 (en) * | 2009-09-03 | 2013-05-14 | Kla-Tencor Corp. | Metrology systems and methods |
US9927718B2 (en) | 2010-08-03 | 2018-03-27 | Kla-Tencor Corporation | Multi-layer overlay metrology target and complimentary overlay metrology measurement systems |
US9007584B2 (en) | 2010-12-27 | 2015-04-14 | Nanometrics Incorporated | Simultaneous measurement of multiple overlay errors using diffraction based overlay |
TWI539250B (zh) * | 2011-03-15 | 2016-06-21 | Orc Mfg Co Ltd | A registration device and an exposure device having a registration device |
US10890436B2 (en) | 2011-07-19 | 2021-01-12 | Kla Corporation | Overlay targets with orthogonal underlayer dummyfill |
JP6045588B2 (ja) * | 2011-08-23 | 2016-12-14 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | メトロロジ方法及び装置並びにデバイス製造方法 |
US10107621B2 (en) * | 2012-02-15 | 2018-10-23 | Nanometrics Incorporated | Image based overlay measurement with finite gratings |
WO2013178422A1 (en) | 2012-05-29 | 2013-12-05 | Asml Netherlands B.V. | Metrology method and apparatus, substrate, lithographic system and device manufacturing method |
KR102102007B1 (ko) | 2012-06-26 | 2020-04-20 | 케이엘에이 코포레이션 | 근접장 계측 |
JP6133980B2 (ja) * | 2012-07-05 | 2017-05-24 | エーエスエムエル ネザーランズ ビー.ブイ. | リソグラフィのためのメトロロジ |
TWI598972B (zh) | 2012-11-09 | 2017-09-11 | 克萊譚克公司 | 減少散射量測疊對量測技術中演算法之不準確 |
WO2014194095A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Kla-Tencor Corporation | Combined imaging and scatterometry metrology |
US9885962B2 (en) | 2013-10-28 | 2018-02-06 | Kla-Tencor Corporation | Methods and apparatus for measuring semiconductor device overlay using X-ray metrology |
JP2015095631A (ja) * | 2013-11-14 | 2015-05-18 | マイクロン テクノロジー, インク. | 半導体装置 |
CN106030414B (zh) * | 2014-02-21 | 2018-10-09 | Asml荷兰有限公司 | 目标布置的优化和相关的目标 |
US10415963B2 (en) | 2014-04-09 | 2019-09-17 | Kla-Tencor Corporation | Estimating and eliminating inter-cell process variation inaccuracy |
US10352876B2 (en) | 2014-05-09 | 2019-07-16 | KLA—Tencor Corporation | Signal response metrology for scatterometry based overlay measurements |
KR101986258B1 (ko) * | 2014-08-29 | 2019-06-07 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 메트롤로지 방법, 타겟 및 기판 |
CN107111250B (zh) * | 2014-11-26 | 2019-10-11 | Asml荷兰有限公司 | 度量方法、计算机产品和系统 |
KR20160066448A (ko) | 2014-12-02 | 2016-06-10 | 삼성전자주식회사 | 표면 검사 방법 |
KR20160121206A (ko) | 2015-04-10 | 2016-10-19 | 삼성전자주식회사 | 오버레이 에러의 검출 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법 |
US10545104B2 (en) | 2015-04-28 | 2020-01-28 | Kla-Tencor Corporation | Computationally efficient X-ray based overlay measurement |
WO2017178220A1 (en) | 2016-04-11 | 2017-10-19 | Asml Netherlands B.V. | Metrology target, method and apparatus, target design method, computer program and lithographic system |
US10527952B2 (en) | 2016-10-25 | 2020-01-07 | Kla-Tencor Corporation | Fault discrimination and calibration of scatterometry overlay targets |
WO2018081147A1 (en) * | 2016-10-25 | 2018-05-03 | Kla-Tencor Corporation | Fault discrimination and calibration of scatterometry overlay targets |
US11112704B2 (en) | 2017-02-10 | 2021-09-07 | Kla-Tencor Corporation | Mitigation of inaccuracies related to grating asymmetries in scatterometry measurements |
US10204867B1 (en) * | 2017-08-31 | 2019-02-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Semiconductor metrology target and manufacturing method thereof |
US10990022B2 (en) | 2018-12-20 | 2021-04-27 | Kla Corporation | Field-to-field corrections using overlay targets |
US11874102B2 (en) * | 2019-12-30 | 2024-01-16 | Kla Corporation | Thick photo resist layer metrology target |
CN115428139B (zh) * | 2020-04-15 | 2024-04-12 | 科磊股份有限公司 | 可用于测量半导体装置偏移的具有装置级特征的偏移目标 |
US20230176491A1 (en) * | 2020-05-07 | 2023-06-08 | Asml Netherlands B.V. | A substrate comprising a target arrangement, and associated at least one patterning device, lithographic method and metrology method |
US20230175835A1 (en) * | 2021-12-02 | 2023-06-08 | Micron Technology, Inc. | Apparatuses and methods for diffraction base overlay measurements |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2004076963A2 (en) * | 2003-02-22 | 2004-09-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for detecting overlay errors using scatterometry |
JP2004279405A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-10-07 | Asml Netherlands Bv | デバイス検査 |
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
JP2006509219A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5923041A (en) * | 1995-02-03 | 1999-07-13 | Us Commerce | Overlay target and measurement procedure to enable self-correction for wafer-induced tool-induced shift by imaging sensor means |
JP2003532306A (ja) * | 2000-05-04 | 2003-10-28 | ケーエルエー・テンコール・テクノロジーズ・コーポレーション | リソグラフィ・プロセス制御のための方法およびシステム |
US6819426B2 (en) * | 2001-02-12 | 2004-11-16 | Therma-Wave, Inc. | Overlay alignment metrology using diffraction gratings |
US20030002043A1 (en) * | 2001-04-10 | 2003-01-02 | Kla-Tencor Corporation | Periodic patterns and technique to control misalignment |
DE10142317B4 (de) * | 2001-08-30 | 2010-07-01 | Advanced Micro Devices, Inc., Sunnyvale | Vorrichtung zur Bestimmung eines Überlagerungsfehlers und kritischer Dimensionen in einer Halbleiterstruktur mittels Streuungsmessung |
US7170604B2 (en) * | 2002-07-03 | 2007-01-30 | Tokyo Electron Limited | Overlay metrology method and apparatus using more than one grating per measurement direction |
US7440105B2 (en) * | 2002-12-05 | 2008-10-21 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Continuously varying offset mark and methods of determining overlay |
US7230704B2 (en) * | 2003-06-06 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Diffracting, aperiodic targets for overlay metrology and method to detect gross overlay |
US7230703B2 (en) * | 2003-07-17 | 2007-06-12 | Tokyo Electron Limited | Apparatus and method for measuring overlay by diffraction gratings |
JP4734261B2 (ja) * | 2004-02-18 | 2011-07-27 | ケーエルエー−テンカー コーポレイション | 連続変化するオフセットマークと、オーバレイ決定方法 |
US20060012779A1 (en) * | 2004-07-13 | 2006-01-19 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
US7379184B2 (en) * | 2004-10-18 | 2008-05-27 | Nanometrics Incorporated | Overlay measurement target |
-
2006
- 2006-09-21 US US11/525,320 patent/US7616313B2/en active Active
-
2007
- 2007-03-08 WO PCT/US2007/006031 patent/WO2007126559A2/en active Application Filing
- 2007-03-08 JP JP2009502820A patent/JP5616627B2/ja active Active
-
2013
- 2013-09-27 JP JP2013201126A patent/JP2014030047A/ja active Pending
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6982793B1 (en) * | 2002-04-04 | 2006-01-03 | Nanometrics Incorporated | Method and apparatus for using an alignment target with designed in offset |
JP2004279405A (ja) * | 2002-09-20 | 2004-10-07 | Asml Netherlands Bv | デバイス検査 |
JP2006509219A (ja) * | 2002-12-05 | 2006-03-16 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
WO2004076963A2 (en) * | 2003-02-22 | 2004-09-10 | Kla-Tencor Technologies Corporation | Apparatus and method for detecting overlay errors using scatterometry |
JP2006518942A (ja) * | 2003-02-22 | 2006-08-17 | ケーエルエー−テンカー テクノロジィース コーポレイション | 散乱計測を用いてオーバレイ誤差を検出する装置および方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160143786A (ko) * | 2014-04-09 | 2016-12-14 | 케이엘에이-텐코 코포레이션 | 셀간 프로세스 변동 부정확성의 추정 및 제거 |
KR102179990B1 (ko) | 2014-04-09 | 2020-11-18 | 케이엘에이 코포레이션 | 셀간 프로세스 변동 부정확성의 추정 및 제거 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2007126559A3 (en) | 2007-12-21 |
US20070229829A1 (en) | 2007-10-04 |
JP5616627B2 (ja) | 2014-10-29 |
WO2007126559A2 (en) | 2007-11-08 |
JP2009532862A (ja) | 2009-09-10 |
US7616313B2 (en) | 2009-11-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5616627B2 (ja) | ターゲットおよびサンプルの層の間のオーバレイ誤差を決定するための方法 | |
JP6735884B2 (ja) | ターゲットのパラメータを決定する方法及び装置 | |
JP7093429B2 (ja) | 拡張赤外分光エリプソメトリシステム | |
TWI748061B (zh) | 基於散射術之度量系統及方法 | |
KR102221063B1 (ko) | 스캐터로메트리 기반 오버레이 측정들을 위한 신호 응답 계측 | |
US8913237B2 (en) | Device-like scatterometry overlay targets | |
JP6723269B2 (ja) | 焦点感応オーバーレイターゲットを使用する焦点決定のためのシステムおよび方法 | |
KR101906289B1 (ko) | 리소그래피를 수반하는 제조 공정을 위한 공정 파라미터의 측정 | |
US20050173634A1 (en) | Optical metrology target design for simultaneous measurement of multiple periodic structures | |
KR20170139669A (ko) | 계산 효율적인 x 선 기반의 오버레이 측정 | |
JP6025489B2 (ja) | 検査装置および検査装置システム | |
KR20170066524A (ko) | 검증 계측 타겟 및 그 설계 | |
JP2007505322A (ja) | 線プロファイル非対称性測定 | |
CN103454861B (zh) | 一种套刻测量的标记和方法 | |
CN107533020B (zh) | 计算上高效的基于x射线的叠盖测量系统与方法 | |
TW202307991A (zh) | 電子束及散射量測疊對量測的疊對設計 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20140625 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140701 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140929 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20141002 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20150303 |