JP2014026846A - 発光装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

【課題】色ずれが少なく、高輝度な、表示品位に優れた発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置としての有機ＥＬ装置１は、基板１０の第１の面１０Ａ上に配置され、第１画素電極１７Ｒを有する第１発光素子１５Ｒと、第２画素電極１７Ｇを有する第２発光素子１５Ｇと、第１画素電極１７Ｒを露出させる第１の開口３１と、第２画素電極１７Ｇを露出させる第２の開口３２とが設けられた絶縁層２９と、を有し、第１の開口３１は絶縁層２９が第１画素電極１７Ｒの周縁部４０Ｒのうち５０％以上を覆うことにより構成され、第２の開口３２は絶縁層２９が第２画素電極１７Ｇの周縁部４０Ｇのうち５０％未満を覆うことで構成されている。
【選択図】図３

Description

本発明は、発光装置、及び当該発光装置を備えた電子機器に関する。

陰極と陽極の間に有機エレクトロルミネセンス層を挟持したＥＬ素子と、ＥＬ素子の駆動を制御するためのトランジスターとコンデンサーを含む、アクティブマトリックス型のＥＬデバイスが知られている。このようなＥＬデバイスでは、隣り合う陽極同士を電気的に絶縁するために、陽極上に開口を有し、その底端が陽極上に延在するパッシベーション層が設けられている（特許文献１）。

また、ＥＬ素子と、ＥＬ素子を駆動させるスイッチング素子としての薄膜トランジスターを備えた有機ＥＬ表示装置において、マトリックス状に配列された各色（赤、緑、青）の表示画素にそれぞれ設けられたＥＬ素子の発光面積を異ならせることが提案されている。これにより、発光層の発光効率が色ごとに異なることに起因したホワイトバランスの崩れを制御し、長寿命の表示装置を提供しようというものである。表示画素の発光面積を異ならせる方法として、（ｉ）陽極の面積を変える、（ｉｉ）陽極の端部を覆う平坦化絶縁膜の開口部の大小を異ならせる方法が挙げられている（特許文献２）。

特開平８−２４１０４８号公報 特開２００８−３００３６７号公報

しかしながら、特許文献１、２にあるように、パッシベーション層や平坦化絶縁層といういわゆる絶縁層が陽極の端部を覆っている場合、開口率を上げるには限界がある。一方、特許文献２にあるように絶縁層が陽極の端部を覆わない構成とした場合には陽極の端部付近において発光層を含む機能層が薄くなりやすい。機能層に膜厚の薄い部分があると、その部分に電流が集中して流れるから発光素子の劣化につながる。特定の色の発光素子が劣化すると、再現可能な色範囲が変化するから表示品位が低下する。

本発明は、上述の課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。

［適用例１］本適用例に係る発光装置は、基板と、前記基板の第１の面上に配置され、第１画素電極と、対向電極と、前記第１画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する第１の光を放出すべき第１発光素子と、前記第１の面上に配置され、第２画素電極と、対向電極と、前記第２画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する第２の光を放出すべき第２発光素子と、前記第１画素電極及び前記第２画素電極を介して前記第１の面と前記機能層との間に配置され、前記第１画素電極を露出させる第１の開口と、前記第２画素電極を露出させる第２の開口とが設けられた絶縁層と、を有し、前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極の周端部のうち５０％以上を覆うことにより構成され、前記第２の開口は、前記絶縁層が前記第２画素電極の周端部のうち５０％未満を覆うことで構成されていることを特徴とする。

本適用例によれば、第１発光素子と第２発光素子のうち、例えば第１画素電極の周縁部付近において機能層の膜厚が薄くなりやすい第１発光素子については、第１画素電極の周縁部の５０％以上を絶縁層が覆うようにする。これにより、第１画素電極が絶縁層に覆われている領域上に形成された機能層に電流が流れにくくなり、機能層の膜厚の薄い部分に電流が集中して流れることを低減することができる。このため、特定の色の発光素子の劣化を抑制することができる。また、第１発光素子と第２発光素子のうち、第２画素電極の端部付近において機能層の膜厚が薄くなり難い第２発光素子については、周縁部の５０％未満を絶縁層が覆うようにする。これにより、第２画素電極の周縁部全てを絶縁層で覆う構成とした場合に比べて第２画素電極と機能層との接触面積を広く取ることができる。つまり、従来の発光装置と比較して開口率を向上させることができる。なお、本明細書において開口率とは一画素または一サブ画素に占める発光面積の割合を指し、発光面積とは画素電極と機能層との接触面積とする。これにより、開口率が高く、色ずれの少ない、表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例２］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１画素電極及び前記第２画素電極は、第１の方向における長さよりも前記第１の方向に交差する第２の方向における長さが短い平面形状であり、前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極の周縁部のうち少なくとも前記第１の方向に沿った端部を覆って構成され、前記第２の開口は、前記絶縁層が前記第２画素電極の周縁部のうち前記第２の方向に沿った端部の少なくとも一部を覆って構成されていることが好ましい。

これにより、特定の色の発光素子の劣化の抑制と、開口率の向上に効率的に寄与することができる。したがって、表示品質がより優れた発光装置とすることができる。

［適用例３］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１の面と前記第１画素電極との間に配置され、前記第１発光素子の駆動を制御する第１画素回路と、前記第１画素電極と前記第１画素回路とを接続する第１接続部と、前記第１の面と前記第２画素電極との間に配置され、前記第２発光素子の駆動を制御する第２画素回路と、前記第２画素電極と前記第２画素回路とを接続する第２接続部と、を有し、前記絶縁層は前記第１の方向から見て前記第１接続部及び前記第２接続部と重なって形成されていることが好ましい。

画素電極と画素回路とを接続する接続部は、その周囲と比べて凹凸が生じ易く、機能層の膜厚が薄くなりやすい。
本適用例の発光装置においては、絶縁層は第１及び第２接続部と重なって形成されているので、この部分の機能層に集中して電流が流れるのを低減することができる。これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例４］上記適用例に記載の発光装置において、前記第１接続部は、前記第１画素電極の周端部のうち前記第２の方向に沿った端部側に配置され、前記第２接続部は、前記第２画素電極の周端部のうち前記第２の方向に沿った端部側に配置されていることが好ましい。

本適用例の発光装置においては、第１接続部と第２接続部とが第１画素電極と第２画素電極の同じ側に配置されている。これにより、第１接続部及び第２接続部を覆うように絶縁層を設けても開口率が大幅に低下することを避けることができる。

［適用例５］上記適用例に記載の発光装置において、前記第２画素電極の厚さは、前記第１画素電極の厚さよりも薄いことが好ましい。

画素電極の厚さが厚い発光素子ほど、画素電極の端部付近において機能層の膜厚が薄くなり易い。それゆえに、膜厚が薄い部分に電流が集中して流れると、発光素子の機能層が劣化し易い。
本適用例によれば、絶縁層に覆われていない部分を有する第２画素電極の厚さは第１画素電極の厚さよりも薄いから、第２画素電極の端部付近では機能層の膜厚が薄くなり難く、第１発光素子と比べて第２発光素子は劣化し難い。したがって、第２画素電極の周端部のうち絶縁層で覆われる割合を５０％未満としても、表示品位に優れるとともに高輝度の発光装置を実現することができる。

［適用例６］上記適用例に記載の発光装置は、前記第１の面上に配置され、第３画素電極と、前記第３画素電極と対向して配置された対向電極と、前記第３画素電極と前記対向電極との間に配置され、発光層を含む機能層とを有する第３の光を放出すべき第３発光素子を備え、前記第２発光素子と前記第３発光素子とは第２の方向に隣り合って配置され、前記第２の開口は、前記第２の方向に交差する第１の方向において前記第２画素電極と前記第３画素電極とに跨っており、前記第２画素電極及び第３画素電極の周端部のうち５０％未満を覆うことで構成されていることが好ましい。

本適用における発光装置では、発光波長の異なる３つの発光素子でひとつの単位画素を構成することができるから、２つの発光素子で１つの単位画素を構成する場合と比較してより色再現性に優れた発光装置とすることができる。このような発光装置において、第１乃至第３発光素子のうち、画素電極の周縁部付近において機能層の膜厚が薄くなりやすい第１発光素子については第１画素電極の周縁部の５０％以上を絶縁層が覆うようにすることで、第１発光素子が劣化するのを抑制することができる。また、画素電極の周縁部付近において機能層の膜厚が薄くなるおそれの低い第２発光素子の第２画素電極及び第３発光素子の第３画素電極の周縁部は５０％未満が絶縁層で覆われるように構成する。これにより、第２画素電極及び第３画素電極の周縁部が全て絶縁層によって覆われている構成と比較して発光面積を広く取ることができ、開口率を向上させることができる。これにより、開口率が高く、表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例７］上記適用例に記載の発光装置は、前記第１の面と前記第１画素電極及び前記第２画素電極並びに前記第３画素電極との間に配置された反射層を有し、前記対向電極は前記機能層から放出される光の一部を透過し一部を反射する半透過反射層であり、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子のそれぞれにおいて前記反射層と前記半透過反射層との間で共振器構造が形成されていることが好ましい。

本適用例のように共振器構造を有する発光装置では、取り出したい波長の光を強めることができるため、発光装置から射出される光の色純度を高めることができる。したがって、表示品質がより優れた発光装置とすることができる。

［適用例８］上記適用例に記載の発光装置は、前記第１の面と前記第３画素電極との間に配置され、前記第３発光素子の駆動を制御する第３画素回路と、前記第３画素電極と前記第３画素回路とを接続する第３接続部と、を有し、前記絶縁層は前記第３接続部と重なることが好ましい。

これにより、色ずれの少ない、表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例９］上記適用例に記載の発光装置において、前記第３画素電極の厚さは、前記第１画素電極の厚さよりも薄いことが好ましい。

これにより、色ずれの少ない表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例１０］上記適用例に記載の発光装置は、前記第１の面上に配置され、第４画素電極と、対向電極と、前記第４画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する前記第１の光を放出すべき第４発光素子を備え、前記第１発光素子と前記第２発光素子とは第２の方向に隣り合って配置され、前記第１発光素子と前記第４発光素子とは前記第２の方向に交差する第１の方向に隣り合って配置され、前記第１の開口は、前記第２の方向において前記第１画素電極と前記第４画素電極とに跨っており、前記絶縁層が前記第１画素電極及び前記第４画素電極の周端部のうち５０％以上を覆うことにより構成されていることが好ましい。

本適用例における発光装置では、第１の光を放出する第１発光素子と第４発光素子とが、線対称に配置されている。そして第１画素電極と第４画素電極とを露出させる第１の開口を一括して形成することができるから、製造方法をより簡便にすることができる。また、第１画素電極と第４画素電極との間に、これらを区画するための絶縁層を配置する必要がないから第１発光素子と第４発光素子との間隔を狭くすることができ、高精細な発光装置とすることができる。
また、第１発光素子及び第４発光素子が、それぞれの画素電極の端部付近において機能層の膜厚が薄くなりやすい発光素子であったとしても、第１画素電極と第４画素電極の周縁部の５０％以上は絶縁層によって覆われているから、画素電極の周縁部が絶縁層に覆われていない構成と比較して第１発光素子及び第４発光素子の劣化は抑制される。また、第１画素電極と第４画素電極の周縁部の一部は絶縁層に覆われていないため、周縁部の全てが絶縁層に覆われている構成と比較して開口率を大きくすることもできる。したがって、輝度が高く、高精細であり、表示品位に優れた発光装置とすることができる。

［適用例１１］上記適用例に記載の発光装置は、前記第１画素電極及び前記第４画素電極は、前記第１の方向における長さよりも前記第２の方向における長さが短い平面形状であり、前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極及び前記第４画素電極の周端部のうち前記第１の方向に沿った端部を覆い、前記第２の方向に沿った端部のうち前記第１の方向において隣り合う端部を覆わずに構成されていることが好ましい。

これにより、特定の色の発光素子の劣化の抑制と、開口率の向上に効率的に寄与することができる。

［適用例１２］本適用例に係る電子機器は、上記適用例のいずれかに記載の発光装置を備えることを特徴とする。

本適用例によれば、上記適用例のいずれかに記載の発光装置を備えているので、発光輝度が高く、表示品位に優れた電子機器を提供することができる。

実施形態１に係る発光装置の基本的な構成を示す概略平面図。 実施形態１に係る発光装置における電気的な構成を示す等価回路図。 実施形態１に係る発光装置における発光素子の平面図及び断面図。 実施形態１に係る発光装置における発光素子の断面図。 実施形態２に係る発光装置における発光素子の平面図。 変形例に係る発光装置における発光素子の平面図。 従来の発光装置における発光素子の平面図。 従来の発光装置における発光素子の部分断面図。 電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略斜視図。

以下、本発明の実施形態について、図面を参照して説明する。なお、以下の各図においては、各層や各部材を認識可能な程度の大きさにするため、各層や各部材の尺度を実際とは異ならせしめている。

（実施形態１）
＜発光装置＞
図１は、実施形態１に係る発光装置の基本的な構成を示す概略平面図である。
まず、実施形態１に係る発光装置としての有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）装置１の概略構成について説明する。

図１に示すように、本実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０の第１の面上の表示領域１１と、表示領域１１の外側（表示領域１１と基板１０の周縁部との間の領域）に設けられた非表示領域１２とを有する。表示領域１１には複数の画素１３がマトリックス状に配置されており、非表示領域１２には画素１３を発光させるための周辺回路が設けられている。周辺回路の例としては走査線駆動回路８０、データ線駆動回路９０、検査回路などが挙げられる。
複数の画素１３の各々は異なる波長の光を射出する複数のサブ画素１４、例えば赤色（Ｒ）のサブ画素１４Ｒと緑色（Ｇ）のサブ画素１４Ｇと青色（Ｂ）のサブ画素１４Ｂとを含んで構成されている。

図２は、実施形態１に係る発光装置における電気的な構成を示す等価回路図である。
図２に示すように、本実施形態の発光装置としての有機ＥＬ装置１は、複数の走査線２０と、走査線２０に対して交差する方向に延びる複数のデータ線２１と、データ線２１に平行して延在する複数の電源線２２とを有する。走査線２０とデータ線２１との交差に対応して、サブ画素１４（１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ）が設けられている。複数のサブ画素１４の各々は発光素子１５と、発光素子１５の駆動を制御するための画素回路１６（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）とを含んでいる。

本実施形態において発光素子１５は、画素電極１７と、対向電極１８と、画素電極１７と対向電極１８との間に配置された有機発光層を含む機能層１９と、を含む有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子である。走査線２０は走査線駆動回路８０に接続され、データ線２１はデータ線駆動回路９０に接続されている。本実施形態において電源線２２は、陽極としての画素電極１７に電位を与えるための陽極用電源線である。

画素回路１６（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）は、スイッチングトランジスター２３と、駆動トランジスター２４と、駆動トランジスター２４のゲート電極に接続された保持容量２５とを含み、発光素子１５の駆動を制御する。ここで発光素子１５の駆動の制御とは、書き込み期間にデータ線２１を介して供給されたデータ信号に基づいて、発光期間に発光素子１５を発光させることを意味する。スイッチングトランジスター２３のゲート電極には走査線２０を介して走査信号が供給され、このスイッチングトランジスター２３がオン状態にあるときに、データ線２１から供給されるデータ信号が保持容量２５に保持される。

駆動トランジスター２４がオン状態にあるときに、画素電極１７と電源線２２とは駆動トランジスター２４を介して電気的に接続され、保持容量２５に保持されたデータ信号の電位に応じた量の電流が発光素子１５に供給される。発光素子１５は供給される電流量に応じた輝度で発光する。

図３は実施形態１に係る発光装置における発光素子の平面図及び断面図、図４は実施形態に１係る発光装置における発光素子の断面図である。詳しくは、図３（ａ）は有機ＥＬ装置１の表示領域１１に配置されたサブ画素１４の構造を示す平面図であり、図３（ｂ）は図３（ａ）のＡ−Ａ’における断面図である。図４（ａ）は図３（ａ）のＢ−Ｂ’における発光素子１５Ｒの断面図、図４（ｂ）は図３（ａ）のＣ−Ｃ’における発光素子１５Ｇの断面図である。

図３（ａ）に示すように、本実施形態において画素１３を構成するサブ画素１４の各々は、基板１０の第１の面１０Ａに沿った第１の方向（図３（ａ）におけるＢ−Ｂ’方向）の長さに対して、第１の面１０Ａに沿うとともに第１の方向に交差する第２の方向（図３（ａ）におけるＡ−Ａ’方向）の長さが短い形状（例えば矩形状）で形成されている。
そして、赤色のサブ画素１４Ｒ、緑色のサブ画素１４Ｇ、青色のサブ画素１４Ｂが第２の方向に沿って配置され、赤色のサブ画素１４Ｒには第１発光素子としての発光素子１５Ｒが配置されている。緑色のサブ画素１４Ｇには第２発光素子としての発光素子１５Ｇが配置されている。青色のサブ画素１４Ｂには第３発光素子としての発光素子１５Ｂが配置されている。

図３（ｂ）及び図４（ａ）、（ｂ）に示すように、本実施形態における有機ＥＬ装置１は、基板１０と、基板１０の第１の面１０Ａ上に形成された画素回路１６（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）と、画素回路１６（１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ）上に形成された平坦化層２６と、平坦化層２６上に配置された反射層２７と、反射層２７上に層間絶縁層２８を介して配置された画素電極１７と、層間絶縁層２８と画素電極１７の一部を覆って形成された絶縁層２９と、画素電極１７（１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ）上に形成された有機発光層を含む機能層１９と、機能層１９上に形成された対向電極１８とを含んで構成されている。
画素電極１７Ｒと、機能層１９と、対向電極１８とで発光素子１５Ｒが構成され、画素電極１７Ｇと、機能層１９と、対向電極１８とで発光素子１５Ｇが構成される。同じく、画素電極１７Ｂと、機能層１９と、対向電極１８とで発光素子１５Ｂが構成される。

本実施形態において有機ＥＬ装置１は、対向電極１８側から光が取り出されるトップエミッション方式が採用されている。したがって、基板１０は、樹脂材料や石英ガラス、ソーダガラスのような材料からなる透明基板でもいいし、セラミックス材料で構成された基板や金属材料からなる不透明基板であってもよい。

画素回路１６を構成する要素であるスイッチングトランジスター２３及び駆動トランジスター２４は、ソース領域とドレイン領域とチャネル領域とが形成される半導体領域と、チャネル領域と対向して形成されたゲート電極とを含む。また、画素回路１６を構成するこれらのトランジスターは薄膜トランジスターでもよいし、バルクシリコン基板などの半導体基板に形成する電界効果トランジスター（ＭＯＳトランジスター）であってもよい。
表示領域１１内の第１の面１０Ａと発光素子１５との間の層には、スイッチングトランジスター２３のゲート電極に走査信号を供給する走査線２０、保持容量２５に保持されるデータ信号を供給するデータ線２１、発光素子１５に供給される電流を供給する電源線２２なども配置される。なお、図３（ｂ）、図４（ａ）及び（ｂ）においては画素回路１６を構成する要素の一部のみを示している。

画素回路１６上には酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなど、絶縁性を有する材料からなる平坦化層２６を介して反射層２７が配置される。反射層２７は、後述する有機発光層から反射層２７側に放出された光を有機発光層側に反射する。また、反射層２７は、後述する対向電極１８との間で共振器構造を形成している。反射層２７に用いられる材料としてはＡｌ及びその合金、Ａｇ及びその合金などが挙げられる。

本実施形態において、反射層２７はサブ画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂごとに独立して設けられているが、これに限定されるものではなく、複数のサブ画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに跨って形成されていてもよい。そのような場合は反射層２７と各画素回路１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂを電気的に絶縁する必要がある。反射層２７のコンタクトホール３０と重なる領域に開口を設け、この開口を通じてサブ画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂと画素回路１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂとを各々接続すればよい。

反射層２７上には酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどからなる層間絶縁層２８を介して画素電極１７が配置されている。層間絶縁層２８には画素電極１７と画素回路１６とを接続させるための接続部が設けられている。本実施形態において画素電極１７は陽極として機能し、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）などからなる透明電極である。接続部はコンタクトホール３０を含む。コンタクトホール３０は、画素電極１７の画素回路１６と接続する部分が画素電極１７の角部になるような位置に設けられることが好ましい。また本実施形態において、コンタクトホール３０は図３（ａ）に示すようにサブ画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂの同じ側に設けられている。

図３（ａ）及び（ｂ）に示すように、各サブ画素１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂに跨って、各画素電極１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの大部分を露出させる開口が設けられた絶縁層２９が配置されている。絶縁層２９は酸化シリコンや窒化シリコン、酸窒化シリコンなどの絶縁性の材料からなり、５ｎｍ〜１００ｎｍ程度の膜厚で形成される。平面視で絶縁層２９と画素電極１７とが重なる領域では、画素電極１７と機能層１９との間にはこれらの層に接して絶縁層２９が設けられているから、当該重なる領域において電流が流れ難くなり機能層１９からの光の放出が抑制される。各画素電極１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂと機能層１９とが接する領域が各発光素子１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの発光領域として意図された領域である。

本実施形態において、絶縁層２９には第１の開口３１と第２の開口３２とが設けられている。第１の開口３１は機能層１９を形成する前の段階では発光素子１５Ｒの画素電極１７Ｒを露出させており、機能層１９を形成した後の段階では第１の開口３１を通じて画素電極１７Ｒと機能層１９とが接している。画素電極１７Ｒの周縁部４０Ｒは全て絶縁層２９によって覆われている。

第２の開口３２は、機能層１９を形成する前の段階にでは発光素子１５Ｇの画素電極１７Ｇと発光素子１５Ｂの画素電極１７Ｂとを露出させており、機能層１９を形成した後の段階では第２の開口３２を通じて画素電極１７Ｇ，１７Ｂはそれぞれ機能層１９と接している。つまり第２の開口３２は発光素子１５Ｇと発光素子１５Ｂとに跨って共通に設けられており、第２の方向に配列したサブ画素１４Ｇとサブ画素１４Ｂとの間の少なくとも一部には絶縁層２９が配置されていない。

各画素電極１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの周縁部４０（４０Ｒ，４０Ｇ，４０Ｂ）は第１の方向に沿う端部と、第２の方向に沿う端部とからなる。本実施形態において第１の方向に沿う端部の長さは、第２の方向に沿う端部の長さよりも大きい。以降、画素電極１７Ｒの第１の方向に沿う端部を第１の端部４１とし、第２の方向に沿う端部を第２の端部４２とする。同様に、画素電極１７Ｇの第１の方向に沿う端部を第３の端部４３とし、第２の方向に沿う端部を第４の端部４４とし、画素電極１７Ｂの第１の方向に沿う端部を第５の端部４５とし、第２の方向に沿う端部を第６の端部４６とする。

本実施形態では画素電極１７が矩形状であるので、画素電極１７Ｒは２つの第１の端部を有することになるが、コンタクトホール３０に遠い方の第１の端部を４１Ａとし、近い方の第１の端部を４１Ｂとする。また、２つの第２の端部のうちコンタクトホール３０に遠い方の第２の端部を４２Ａとし、遠い方の第２の端部を４２Ｂとする。つまり、画素電極１７Ｒの画素回路１６Ｒと接続する部分は、画素電極１７Ｒの４つの角部のうち第１の端部４１Ｂと第２の端部４２Ｂが交差する角部に最も近い。第３の端部４３、第４の端部４４、第５の端部４５、第６の端部４６も同様にコンタクトホール３０に遠い方の端部を４３Ａ，４４Ａ，４５Ａ，４６Ａとし、近い方の端部を４３Ｂ，４４Ｂ，４５Ｂ，４６Ｂとする。

画素電極１７Ｇの大部分（５０％以上）と画素電極１７Ｂの大部分（５０％以上）とは絶縁層２９で覆われていない。より詳しくは、本実施形態において第３の端部４３（４３Ａ，４３Ｂ）の大部分と、第５の端部４５（４５Ａ，４５Ｂ）の大部分と、第４の端部４４Ａと、第６の端部４６Ａとは、絶縁層２９で覆われていない。言い換えれば、画素電極１７Ｒの第２の端部４２（４２Ａ，４２Ｂ）、画素電極１７Ｇの第４の端部４４Ｂ、画素電極１７Ｂの第６の端部４６Ｂは、それぞれ絶縁層２９によって覆われている（図４（ａ）及び（ｂ）参照）。本実施形態において、画素電極１７Ｇ，１７Ｂの周縁部４０Ｇ，４０Ｂのうち絶縁層２９によって覆われる部分は、第２の開口３２を略矩形状としてコンタクトホール３０を絶縁層２９で覆う際に絶縁層２９と重なる部分である。

絶縁層２９上には有機発光層を含む機能層１９が蒸着法等により形成される。本実施形態において機能層１９は正孔注入層、正孔輸送層、有機発光層、電子輸送層、電子注入層を含むが、これらの層に加えて他の層を設けてもよいし、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層のうちいずれかの層を設けなくてもよい。また、これらの層のうち複数の層を一体に形成してもよい。本実施形態において機能層１９は、画素電極１７と対向電極１８との間に電流が流れると赤色の光が放出される赤色発光層と、緑色の光が放出される緑色発光層と、青色の光が放出される青色発光層とを含む。このため機能層１９からは赤色の波長の光と緑色の波長の光と青色の波長の光とを含んだ光が放出され、全体として白色として視認される光が放出される。機能層１９は複数の発光素子１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂに共通に形成されており、１００ｎｍ〜２００ｎｍ程度の膜厚となるよう設計される。

機能層１９上には対向電極１８が形成される。本実施形態において対向電極１８は陰極として機能し、前述の反射層２７との間で共振器構造を形成する半透過反射層でもある。対向電極１８は複数の発光素子１５（１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ）に亘って形成され、有機発光層から放出される光の一部を透過し、一部を反射層２７側に反射する。このような対向電極１８はＡｇやＡｌ及びそれらの合金からなる金属を薄く蒸着することで形成してもよいし、異なる材料からなる層を積層してもよい。

また、反射層２７と半透過反射層との間で共振器構造を形成しているから、有機発光層から放出された光は反射層２７と半透過反射層との間を往復し、共振波長の光だけが半透過反射層側から取り出される。このとき、反射層２７と半透過反射層との間の光学的距離を調整することで、所望の波長の光だけを取り出すことができる。本実施形態において第１発光素子としての発光素子１５Ｒでは赤色の光が、第２発光素子としての発光素子１５Ｇでは緑色の光が、第３発光素子としての発光素子１５Ｂでは青色の光がそれぞれ強められるように各発光素子１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂの共振器構造における光学的距離が設計されている。本実施形態においては画素電極１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂの厚さを互いに異ならせることによって光学的距離を調整したが、例えば画素電極１７と反射層２７との間の層間絶縁層２８の膜厚を各発光素子１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂで異ならせることによって調整してもよい。

なお、本明細書において赤色の光とは６００ｎｍ〜７００ｎｍの波長の光をいい、緑色の光とは５００ｎｍ〜６００ｎｍの波長の光をいい、青色の波長の光とは４００ｎｍ〜５００ｎｍの波長の光をいう。

本実施形態における絶縁層２９の構造について、従来の構造と比較して説明する。図７（ａ）、（ｂ）は従来の発光装置における発光素子の平面図である。図８は従来の発光装置における発光素子の部分断面図である。

図７（ａ）に示されるように、従来の発光装置４０１ではひとつの画素４１３を構成する複数のサブ画素４１４（４１４Ｒ，４１４Ｇ，４１４Ｂ）の各々において、画素電極４１７（４１２７Ｒ，４１７Ｇ，４１７Ｂ）の周縁部４４０の全てが絶縁層４２９によって覆われていた。そして、絶縁層４２９にはサブ画素４１４ごとに画素電極４１７の大部分を露出させる開口４３１が設けられ、この開口４３１を通じて画素電極４１７と機能層とを接触させていた。

このような構成では、画素電極４１７の面積のうち一定の部分が絶縁層４２９によって覆われているため、開口率を上げるには限界がある。なお、本明細書において開口率とは一画素における発光面積が占める割合を指し、発光面積とは第３の方向（有機ＥＬ素子が配置された基板の法線方向）から見て画素電極４１７と機能層とが接触している領域の面積にほぼ等しい。

図７（ｂ）は複数のサブ画素４１４’（４１４’Ｒ、４１４’Ｇ，４１４’Ｂ）の各々において画素電極４１７’ （４１７’Ｒ、４１７’Ｇ，４１７’Ｂ）の周縁部４４０’を覆う絶縁層を設けないタイプの従来の発光装置４０１’である。図８は赤色のサブ画素４１４Ｒ’のコンタクトホール４３０’の断面図である。
図７（ｂ）に示す従来の発光装置４０１’では、発光領域は画素電極４１７’の面積と等しく、図７（ａ）のような発光装置４０１と比較して開口率を大きくすることができる。しかしながら、図８に示すように、発光装置４０１’では、画素電極４１７’Ｒの周縁部４４０’やコンタクトホール４３０’が設けられた部分に段差が生じている。したがって、平面視で画素電極４１７’Ｒの周縁部４４０’に近い領域に形成された機能層１９の膜厚ｄ１及びコンタクトホール４３０’と重なる部分に形成された機能層１９の膜厚ｄ３は、画素電極４１７’Ｒの中央部上に形成された機能層１９の膜厚ｄ２と比較して薄くなりやすい。これは機能層１９を成膜する際に、画素電極４１７’Ｒの周縁部４４０’では層間絶縁層４２８’と画素電極４１７’Ｒとの間の凹凸（段差）が障害となり、機能層１９の材料がこの部分に到達し難いためと考えられる。

機能層１９に膜厚の薄い部分があると、その部分に電流が集中して流れるから発光素子の劣化につながる。特定の色の発光素子が劣化すると、再現可能な色範囲が変化するから表示品位が低下する。本実施形態ではこのような発光素子（たとえば赤色の発光素子１５Ｒ）の画素電極１７の周縁部４０は絶縁層２９によって覆われているからこのような不具合が生じるのを抑制することができる。さらに絶縁層２９を設けることで周縁部４０での凹凸が緩和されるから、機能層１９のつきまわりの悪さも解消される。コンタクトホール３０に重なる領域に形成された機能層１９に電流が流れることを抑制したい場合には、絶縁層２９で覆えばよい。

発光素子１５の断面において、絶縁層２９が画素電極１７の周縁部４０をわずかでも覆っていれば上述したような効果を得ることができる。より確実に効果を得るためには、第１の開口３１の周縁部が画素電極１７Ｒの周縁部よりも０．１μｍ以上、さらに好ましくは０．２５μｍ以上内側（画素電極の中央側）になるようにすればよい。つまり、画素電極１７Ｒの周縁部４０Ｒと第１の開口３１との間の距離が０．１μｍ〜０．２５μｍの範囲が絶縁層２９で覆われるようにすればよい。これにより、製造時に誤差が生じたとしても確実に周縁部４０Ｒを覆うことができる。ただし、コンタクトホール３０も覆うように絶縁層２９を形成する場合においては、第２の端部４２Ｂと第１の開口３１の周縁部との間の距離はより大きなものとなる。

本発明は共振器構造を備えた発光装置に特に有効であり、中でも各サブ画素における共振器の光学的距離を画素電極の厚さで調整するような発光装置に有効である。

共振器構造を有する発光装置では取り出したい波長の光を強めることができるため、発光装置から射出される光の色純度を高めることができる。したがって、共振器構造を有する発光装置では表示品質がより優れた発光装置とすることができる。一方で画素電極の端部の膜厚や、画素電極の端部付近上の機能層の膜厚を、画素電極の中央部の膜厚や画素電極の中央部上に形成された機能層の膜厚と同じ厚さで形成することは難しい。よって共振構造を有する発光装置では、画素電極の端部周辺の領域からは本来意図した波長とは異なる波長の光が強められて放出されるおそれがある。このような異常発光が発光素子から放出される光に混在すると、サブ画素の周縁部４０で色ずれが生じ、表示品位の低下につながる。

特に本実施形態のように赤色の発光素子１５Ｒと緑色の発光素子１５Ｇと青色の発光素子１５Ｂとで画素電極１７の厚さを異ならせる場合、最も厚い画素電極１７Ｒは複数の導電膜を積層して形成することが知られている。複数の導電膜を平面的に誤差なく積層するのは困難であるから、画素電極１７Ｒの周縁部付近では均一な膜厚で画素電極１７Ｒを形成することができない。そうすると、そのような領域では反射層２７と半透過反射層との間の光学的距離にずれが生じるから、本来意図したものとは異なる波長の光が強められることになる。このような異常発光が発光素子から放出される光に混じると色ずれの原因となり、表示品位の低下につながる。

これに対し、本実施形態では図３（ａ）に示すように赤色の発光素子１５Ｒの画素電極１７Ｒの周縁部は全て絶縁層２９によって覆われているから、画素電極１７Ｒの周縁部上に形成された機能層１９へのキャリアの注入が抑制される。従ってこの部分の機能層１９からの光の放出が抑えられ、発光素子１５Ｒから放出される光に含まれる異常発光の割合を低減でき、色再現性にすぐれた有機ＥＬ装置１とすることができる。

緑色の発光素子１５Ｇと青色の発光素子１５Ｂにおいては、周縁部４０Ｇの５０％以上と、周縁部４０Ｂの５０％以上、詳細には第３の端部４３の大部分と、第５の端部４５の大部分と、第４の端部４４Ａと、第６の端部４６Ａとを絶縁層２９で覆わない構成としているから、画素電極１７Ｇ，１７Ｂの周縁部４０Ｇ、４０Ｂの全てが絶縁層２９によって覆われている構成と比較して画素電極１７Ｇ，１７Ｂと機能層１９との接触面積を大きくすることができる。従って開口率の高い、高輝度な有機ＥＬ装置１とすることができる。

本実施形態において、緑色の発光素子１５Ｇは上述したように画素電極１７Ｇの周縁部４０Ｇのうち大部分が絶縁層２９に覆われていない。一般的に緑色の光は人間の目に視認されやすいことが知られており、仮に周縁部４０Ｇ上で異常発光が生じたとしても発光素子１５Ｒから放出された光に色ずれが生じたとは感じにくい。このような場合は画素電極１７Ｇの周縁部４０Ｇの大部分を絶縁層２９で覆わない構成としても有機ＥＬ装置１の表示品位が著しく低下することはない。

また、本実施形態では青色の発光素子１５Ｂの画素電極１７Ｂについても第５の端部４５の大部分と第６の端部４６Ａとが絶縁層２９によって覆われていない。本実施形態では画素電極１７Ｂの膜厚は画素電極１７Ｒに比べると薄いため、画素電極１７Ｂの周縁部４０Ｂでは比較的均一に機能層１９を成膜することができる。その場合は反射層２７と半透過反射層との間の光学的距離のずれもわずかだから、画素電極１７Ｂの周縁部４０Ｂ上の機能層１９から放出される光も異常発光とはなりにくい。よって画素電極１７Ｂの周縁部の大部分を絶縁層２９で覆わない構成としても有機ＥＬ装置１の表示品位が著しく低下することはない。

本発明は、画素サイズが小さい発光装置に特に有効である。画素電極１７の面積が比較的大きい場合、例えば画素電極１７の長辺が１００μｍ程度の場合、画素電極１７の周縁部４０で異常発光が生じたとしても、発光素子１５全体から放出される光全体に占める割合は小さく、異常発光を視認しにくい。しかしながら画素電極１７の面積が小さくなると、例えば画素電極１７の長辺が１０μｍ程度まで小さくなると、発光素子１５から放出される光に占める異常発光の割合は相対的に大きくなり、サブ画素の周縁部４０での色ずれが顕著に認められるようになる。本発明は画素電極１７の長辺が１０μｍ以下の発光装置に特に有効であり、画素電極１７の長辺が５μｍ以下の発光装置にさらに有効である。

以上に述べたように、本実施形態によれば、色ずれが少なく、発光輝度が高い、表示品位に優れた発光装置としての有機ＥＬ装置１を提供することができる。

（実施形態２）
図５は、実施形態２に係る発光装置における発光素子の平面図である。本実施形態に係る発光装置について、図５を参照して説明する。なお、実施形態１と同一の構成部位については同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。

本実施形態に係る発光装置としての有機ＥＬ装置１０１では、第１の画素１１３を構成する第１赤色サブ画素１１４Ｒ、第１緑色サブ画素１１４Ｇ、第１青色サブ画素１１４Ｂと、第２の画素１１３’を構成する第２赤色サブ画素１１４’Ｒ、第２緑色サブ画素１１４’Ｇ、第２青色サブ画素１１４’Ｂとが第１の方向（同色のサブ画素が配列する方向）において線対称になるように配置されている。サブ画素１１４，１１４’には、それぞれ対応する発光素子１１５，１１５’が配置されており、発光素子１１５，１１５’は画素電極１１７または画素電極１１７’、機能層１９、対向電極１８を含む。

第１赤色サブ画素１１４Ｒに配置された第１の赤色の発光素子１１５Ｒの画素電極１１７Ｒは、第１の方向に沿う第１の端部１４１Ａ，１４１Ｂと、第２の方向に沿う第２の端部１４２Ａ，１４２Ｂとを有する。第２赤色サブ画素１１４’Ｒに配置された第２の赤色の発光素子１１５’Ｒの画素電極１１７’Ｒは、第１の方向に沿う第７の端部１４７Ａ，１４７Ｂと第２の方向に沿う第８の端部１４８Ａ，１４８Ｂとを有する。上記実施形態１と同様に、コンタクトホール１３０，１３０’から遠い方の端部に符号Ａ、近い方の端部に符号Ｂを付している。

絶縁層１２９は、赤色の発光素子１１５Ｒ，１１５’Ｒの画素電極１１７Ｒ，１１７’Ｒの周縁部１４０Ｒ，１４０’Ｒの５０％以上を覆っている。より詳細には、絶縁層１２９は第１の端部１４１（１４１Ａ，１４１Ｂ）と、第２の端部１４２Ｂと、第７の端部１４７（１４７Ａ，１４７Ｂ）と、第８の端部１４８Ｂを覆っている。

絶縁層１２９に設けられた第１の開口１３１は、第１赤色サブ画素１１４Ｒと第２赤色サブ画素１１４’Ｒに配置された赤色の発光素子１１５，１１５’の画素電極１１７Ｒの一部と画素電極１１７’Ｒの一部に跨って形成されており、第１の開口１３１を通じて画素電極１１７Ｒ，１１７’Ｒは機能層１９と接している。つまり、第２の端部１４２Ａの一部と第８の端部１４８Ａの一部は絶縁層１２９によって覆われておらず、第１赤色サブ画素１１４Ｒと第２赤色サブ画素１１４’Ｒとの間の少なくとも一部には絶縁層１２９が配置されていない。

第２赤色サブ画素１１４’Ｒの発光素子１１５’Ｒは、本発明の第４発光素子に相当するものである。したがって、画素電極１１７’Ｒが本発明の第４画素電極に相当する。

絶縁層１２９は緑色の発光素子１１５Ｇ，１１５’Ｇの画素電極１１７Ｇ，１１７’Ｇの周縁部１４０Ｇ，１４０’Ｇの大部分（５０％以上）を覆っていない。例えば、絶縁層１２９は画素電極１１７Ｇの第３の端部１４３（１４３Ａ，１４３Ｂ）の大部分と第４の端部１４４Ａを覆っていない。同様に、絶縁層１２９は画素電極１１７Ｂの第５の端部１４５（１４５Ａ，１４５Ｂ）の大部分と第６の端部１４６Ａを覆っていない。

絶縁層１２９に設けられた第２の開口１３２は、第１緑色サブ画素１１４Ｇに配置された第１の緑色の発光素子１１５Ｇの画素電極１１７Ｇの少なくとも一部と、第２緑色サブ画素１１４’Ｇに配置された第２の緑色の発光素子１１５’Ｇの画素電極１１７’Ｇの少なくとも一部と、第１青色サブ画素１１４Ｂに配置された第１の青色の発光素子１１５Ｂの画素電極１１７Ｂの少なくとも一部と、第２青色サブ画素１１４’Ｂに配置された第２の青色の発光素子１１５’Ｂの画素電極１１７’Ｂの少なくとも一部とに跨って形成されている。

画素電極１１７Ｇ，１１７’Ｇ，１１７Ｂ，１１７’Ｂは、第２の開口１３２において機能層１９と接している。本実施形態において、第１の方向に隣り合って配列する第１緑色サブ画素１１４Ｇと第２緑色サブ画素１１４’Ｇとの間の少なくとも一部には絶縁層１２９が配置されていない。同じく第１の方向に隣り合って配列する第１青色サブ画素１１４Ｂと第２青色サブ画素１１４’Ｂの間の少なくとも一部には絶縁層１２９が配置されていない。また、第２の方向に隣り合って配列する第１緑色サブ画素１１４Ｇと第１青色サブ画素１１４Ｂの間の少なくとも一部、第２緑色サブ画素１１４’Ｇと第２青色サブ画素１１４’Ｂの間の少なくとも一部も同様に絶縁層１２９が配置されていない。

コンタクトホール１３０，１３０’に重なる領域において発光素子１１５，１１５’に不具合が生じる場合には、第１の実施形態と同様にコンタクトホール１３０を絶縁層１２９で覆ってやればよい。

本実施形態のように第１の開口１３１と第２の開口１３２とを形成した場合、第１の画素１１３と第２の画素１１３’との間の少なくとも一部に絶縁層１２９を配置する必要がないから、画素間の距離を短くすることができ、より高精細な有機ＥＬ装置１０１とすることができる。

また、本実施形態では赤色の発光素子１１５Ｒ，１１５’Ｒにおいて、第２の方向に隣り合う第２の端部１４２Ａの少なくとも一部と、第８の端部１４８Ａの少なくとも一部とは絶縁層１２９によって覆われていないから、第２の端部１４２Ａと第８の端部１４８Ａが全て絶縁層１２９に覆われていた場合と比較して画素電極１１７Ｒ，１１７’Ｒと機能層１９との接触面積を大きくすることができ、開口率を向上させることができる。開口率を向上させることは発光面積を広げることにつながるから、より高輝度な有機ＥＬ装置１０１とすることができる。

さらに赤色の発光素子１１５Ｒ，１１５’Ｒにおいて、第１の端部１４１及び第７の端部１４７については絶縁層１２９によって覆われているから、第１の端部１４１の一部や第７の端部１４７の一部が露出されている場合や、画素電極１１７Ｒ，１１７’Ｒの周縁部１４０Ｒ，１４０’Ｒ全てが絶縁層１２９によって覆われていないような場合と比較して、赤色の発光素子１１５Ｒ，１１５’Ｒから放出される光のうち、異常発光が占める割合を低減することができる。これにより、色ずれが少なく、表示品位に優れた有機ＥＬ装置１０１とすることができる。

本発明は、上記した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲及び明細書全体から読み取れる発明の要旨あるいは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴う発光装置もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。上記実施形態以外にも様々な変形例が考えられる。以下、変形例を挙げて説明する。
図６（ａ）は変形例１に係る発光装置における発光素子の平面図、同図（ｂ）は変形例２に係る発光装置における発光素子の平面図である。

（変形例１）上記実施形態１、２では、第４の端部４４Ａ，１４４Ａ及び第６の端部４６Ａ，１４６Ａ側は、絶縁層２９，１２９により覆われていない構成としたが、これに限定されない。例えば、図６（ａ）に示すように、変形例の発光装置２０１では、１つの画素２１３を構成するところの、サブ画素２１４Ｇにおける画素電極２１７Ｇの第２の方向に沿った第４の端部２４４Ａと、サブ画素２１４Ｂにおける画素電極２１７Ｂの第２の方向に沿った第６の端部２４６Ａとが絶縁層２２９により覆われる構成としてもよい。言い換えれば、画素電極２１７Ｇ，２１７Ｂの長手方向の端部２４３，２４５の大部分が絶縁層２２９によって覆われない構成とすれば、サブ画素２１４Ｇ、２１４Ｂの開口率を向上させることができる。

（変形例２）上記実施形態１では、赤色の発光素子１５Ｒの画素電極１７Ｒの周縁部全てが絶縁層２９により覆われている構成としたが、これに限定されない。例えば、図６（ｂ）に示すように、変形例の発光装置３０１では、１つの画素３１３を構成するところの、サブ画素３１４Ｒにおける画素電極３１７Ｒの第２の端部３４２Ａの少なくとも一部（コンタクトホール３０が設けられていない側の一部）が絶縁層３２９に覆われていない構成としてもよい。これにより、赤色の発光素子３１５Ｒの画素電極３１７Ｒの周縁部３４０Ｒ全てが絶縁層３２９に覆われた構成とした場合と比較して発光面積を広くすることができ、高輝度な発光装置３０１とすることができる。

（変形例３）上記実施形態１では、赤色の発光素子１５Ｒの画素電極１７Ｒの第１の端部４１と第２の端部４２とが絶縁層２９に覆われる構成としたが、この構成に限定するものではない。緑色の発光素子１５Ｇにおいて異常発光が目立って視認されるようであれば、発光素子１５Ｇの画素電極１７Ｇの周縁部４０Ｇ、または第３の端部４３と第４の端部４４の少なくとも一部を絶縁層２９によって覆う構成とすればよい。また、青色の発光素子１５Ｂにおいて異常発光が目立つようならば、発光素子１５Ｂの画素電極１７Ｂの周縁部４０Ｂ、または第５の端部４５と第６の端部４６の少なくとも一部を絶縁層２９によって覆う構成としてもよい。すなわち、画素１３を構成する複数のサブ画素１４のうち、例えば異常発光が目立って視認される２種類のサブ画素１４に対して上記のような構成としてもよい。上記実施形態２についても同様である。

（変形例４）また、上記実施形態１では、赤色のサブ画素１４Ｒ、緑色のサブ画素１４Ｇ、青色のサブ画素１４Ｂでひとつの画素１３を構成としているが、２種類のサブ画素１４によってひとつの画素１３を構成してもよい。例として青色のサブ画素１４Ｂと黄色（Ｙ）のサブ画素１４Ｙとでひとつの画素１３を構成する場合が挙げられる。

（変形例５）上記実施形態１、２では共振器構造を有する形態としたが、共振器構造は必須な構成ではない。本発明の発光装置を、画像等を表示する表示装置として利用するために、発光素子から放出される光を分離するためのカラーフィルターを設けて色純度を向上させる場合がある。その際には共振構造を必ずしも採用しなくてもよい。しかしながらカラーフィルターの特性によっては画素電極の周縁部上の機能層から放出された異常発光を吸収しきれない場合がある。そのような場合に本発明を適用すれば、発光素子から放出された光に混在する異常発光の割合を低減できるから、表示品位に優れた高輝度な発光装置とすることができる。

なお、カラーフィルターは他の基板に形成したものを貼り合わせてもよいし、陰極上に水分や酸素が発光素子に到達するのを阻止するための保護層を設け、保護層上に直接カラーフィルターを形成してもよい。

（変形例６）上記実施形態１では、画素電極１７の形状が矩形状であるとしたが、これに限定されない。例えば、画素電極１７の角部が丸みを帯びた略矩形状でもよいし、多角形や円、楕円状であってもよい。また、矩形や楕円の一部に凸部が設けられたような構造であってもよい。そしてこの凸部に画素回路１６と接続する接続部を設けてもよい。画素電極１７の形状がどのようなものであっても、画素電極１７の周縁部４０において発光に不具合が生じる発光素子１５については画素電極１７の周縁部４０の大部分（５０％以上）を絶縁層２９が覆う構成とすればよい。そして、画素電極１７の周縁部４０において発光の不具合が生じない、あるいはその影響が小さい発光素子１５の画素電極１７の周縁部４０は大部分（５０％以上）を絶縁層２９が覆わない構成とすればよい。換言すれば、周縁部４０において発光の不具合が生じない、あるいはその影響が小さい発光素子１５の画素電極１７の周縁部は、５０％未満が絶縁層２９により覆われるようにすればよい。これにより、表示品位に優れた高輝度な発光装置とすることができる。

また、絶縁層２９に設けられた第１の開口３１、第２の開口３２の形状もどのようなものであってもよい。図３（ａ）に示したように矩形状であってもよいし、矩形の角部が丸みを帯びていてもよい。多角形や円、楕円状であってもよい。矩形や楕円の一部に凹部や凸部が設けられたような形状であってもよい。

（実施形態３）
＜電子機器＞
次に、本実施形態の電子機器について図９を参照して説明する。図９は電子機器としてのヘッドマウントディスプレイを示す概略斜視図である。

図９に示すように、本実施形態の電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ１０００は、左右の目に対応して設けられた２つの表示部１００１を有している。観察者はヘッドマイントディスプレイ１０００を眼鏡のように頭部に装着することにより、表示部１００１に表示された文字や画像などを見ることができる。例えば、左右の表示部１００１に視差を考慮した画像を表示すれば、立体的な映像を見て楽しむこともできる。
表示部１００１には、上述した有機ＥＬ装置１が搭載されている。したがって、色ずれが少なく、表示品位に優れたヘッドマウントディスプレイ１０００とすることができる。また、開口率が高いため、単位面積あたりの輝度が高いヘッドマウントディスプレイ１０００とすることができる。
ヘッドマウントディスプレイ１０００は、２つの表示部１００１を有することに限定されず、左右のいずれかに対応させた１つの表示部１００１を備える構成としてもよい。

なお、上記有機ＥＬ装置１が搭載された電子機器は、ヘッドマウントディスプレイ１０００に限定されない。例えば、ヘッドアップディスプレイ、パーソナルコンピューターや携帯型情報端末、ナビゲーター、ビューワーなどの表示部を有する電子機器が挙げられる。

１…発光装置としての有機ＥＬ装置、１０…基板、１３…画素、１４，１４Ｒ，１４Ｇ，１４Ｂ…サブ画素、１５，１５Ｒ，１５Ｇ，１５Ｂ…発光素子、１６，１６Ｒ，１６Ｇ，１６Ｂ…画素回路、１７，１７Ｒ，１７Ｇ，１７Ｂ…画素電極、１８…対向電極、１９…機能層、２７…反射層、２８…層間絶縁層、２９…絶縁層、３０…コンタクトホール、３１…第１の開口、３２…第２の開口、４０…周縁部、４１…第１の端部、４２…第２の端部、４３…第３の端部、４４…第４の端部、４５…第５の端部、４６…第６の端部、１０００…電子機器としてのヘッドマウントディスプレイ。

Claims (12)

1. 基板と、
   前記基板の第１の面上に配置され、第１画素電極と、対向電極と、前記第１画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する第１の光を放出すべき第１発光素子と、
   前記第１の面上に配置され、第２画素電極と、対向電極と、前記第２画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する第２の光を放出すべき第２発光素子と、
   前記第１画素電極及び前記第２画素電極を介して前記第１の面と前記機能層との間に配置され、前記第１画素電極を露出させる第１の開口と、前記第２画素電極を露出させる第２の開口とが設けられた絶縁層と、を有し、
   前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極の周端部のうち５０％以上を覆うことにより構成され、
   前記第２の開口は、前記絶縁層が前記第２画素電極の周端部のうち５０％未満を覆うことで構成されていることを特徴とする発光装置。
2. 前記第１画素電極及び前記第２画素電極は、第１の方向における長さよりも前記第１の方向に交差する第２の方向における長さが短い平面形状であり、
   前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極の周縁部のうち少なくとも前記第１の方向に沿った端部を覆って構成され、
   前記第２の開口は、前記絶縁層が前記第２画素電極の周縁部のうち前記第２の方向に沿った端部の少なくとも一部を覆って構成されていることを特徴とする請求項１に記載の発光装置。
3. 前記第１の面と前記第１画素電極との間に配置され、前記第１発光素子の駆動を制御する第１画素回路と、
   前記第１画素電極と前記第１画素回路とを接続する第１接続部と、
   前記第１の面と前記第２画素電極との間に配置され、前記第２発光素子の駆動を制御する第２画素回路と、
   前記第２画素電極と前記第２画素回路とを接続する第２接続部と、を有し、
   前記絶縁層は前記第１接続部及び前記第２接続部と重なって形成されていることを特徴とする請求項１または２に記載の発光装置。
4. 前記第１接続部は、前記第１画素電極の周端部のうち前記第２の方向に沿った端部側に配置され、
   前記第２接続部は、前記第２画素電極の周端部のうち前記第２の方向に沿った端部側に配置されていることを特徴とする請求項３に記載の発光装置。
5. 前記第２画素電極の厚さは、前記第１画素電極の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項１乃至４のいずれか一項に記載の発光装置。
6. 前記第１の面上に配置され、第３画素電極と、対向電極と、前記第３画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する第３の光を放出すべき第３発光素子を備え、
   前記第２発光素子と前記第３発光素子とは第２の方向に隣り合って配置され、
   前記第２の開口は、前記第２の方向に交差する第１の方向において前記第２画素電極と前記第３画素電極とに跨っており、前記第２画素電極及び第３画素電極の周端部のうち５０％未満を覆うことで構成されていることを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の発光装置。
7. 前記第１の面と前記第１画素電極及び前記第２画素電極並びに前記第３画素電極との間に配置された反射層を有し、
   前記対向電極は前記機能層から放出される光の一部を透過し一部を反射する半透過反射層であり、
   前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第３発光素子のそれぞれにおいて前記反射層と前記半透過反射層との間で共振器構造が形成されていることを特徴とする請求項６に記載の発光装置。
8. 前記第１の面と前記第３画素電極との間に配置され、前記第３発光素子の駆動を制御する第３画素回路と、
   前記第３画素電極と前記第３画素回路とを接続する第３接続部と、を有し、
   前記絶縁層は前記第３接続部と重なることを特徴とする請求項６または７に記載の発光装置。
9. 前記第３画素電極の厚さは、前記第１画素電極の厚さよりも薄いことを特徴とする請求項６乃至８のいずれか一項に記載の発光装置。
10. 前記第１の面上に配置され、第４画素電極と、対向電極と、前記第４画素電極と前記対向電極との間に発光層を含む機能層とを有する前記第１の光を放出すべき第４発光素子を備え、
    前記第１発光素子と前記第２発光素子とは第２の方向に隣り合って配置され、
    前記第１発光素子と前記第４発光素子とは前記第２の方向と交差する第１の方向に隣り合って配置され、
    前記第１の開口は、前記第２の方向において前記第１画素電極と前記第４画素電極とに跨っており、前記絶縁層が前記第１画素電極及び前記第４画素電極の周端部のうち５０％以上を覆うことにより構成されていることを特徴とする請求項１乃至９のいずれか一項に記載の発光装置。
11. 前記第１画素電極及び前記第４画素電極は、前記第１の方向における長さよりも前記第２の方向における長さが短い平面形状であり、
    前記第１の開口は、前記絶縁層が前記第１画素電極及び前記第４画素電極の周端部のうち前記第１の方向に沿った端部を覆い、前記第２の方向に沿った端部のうち前記第１の方向において隣り合う端部を覆わずに構成されていることを特徴とする請求項１０に記載の発光装置。
12. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の発光装置を備えたことを特徴とする電子機器。

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