CN103579290A - 发光装置和电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及发光装置、以及电子设备。提供一种色差少、且高亮度的、显示品质优异的发光装置。作为发光装置的有机EL装置（1）具有：配置在基板（10）的第一面（10A）上，并具有第一像素电极（17R）的第一发光元件（15R）；具有第二像素电极（17G）的第二发光元件（15G）；以及设置有使第一像素电极（17R）露出的第一开口（31）和使第二像素电极（17G）露出的第二开口（32）的绝缘层（29），第一开口（31）通过绝缘层（29）覆盖第一像素电极（17R）的周边部（40R）中50％以上而构成，第二开口（32）通过绝缘层（29）覆盖第二像素电极（17G）的周边部40G中小于50％而构成。

Description

发光装置和电子设备
技术领域
本发明涉及发光装置和具备该发光装置的电子设备。
背景技术
公知有下述有源矩阵型的EL器件：包含在阴极与阳极之间夹持有机电致发光层的EL元件、以及用于控制EL元件的驱动的晶体管和电容器。在这种EL器件中，为了使相邻的阳极彼此电绝缘而设置有在阳极上具有开口，且其底端在阳极上延伸的钝化层（专利文献1）。
另外还提出了在具备EL元件和作为驱动EL元件的开关元件的薄膜晶体管的有机EL显示装置中，使分别设置在配列成矩阵状的各色（红、绿、蓝）的显示像素中的EL元件的发光面积不同。由此，提供一种对由于发光层的发光效率按每个颜色而不同所导致的白平衡的破坏进行控制，且长寿命的显示装置。作为使显示像素的发光面积不同的方法，列举出（i）改变阳极的面积，（ii）使覆盖阳极的端部的平坦化绝缘膜的开口部的大小不同的方法（专利文献2）。
专利文献1：日本特开平8－241048号公报
专利文献2：日本特开2008－300367号公报
然而，如专利文献1、2那样，在钝化层、平坦化绝缘层这样的所谓绝缘层覆盖阳极的端部的情况下，对提高开口率有限制。另一方面，如专利文献2那样，在成为绝缘层未覆盖阳极的端部的构成的情况下，在阳极的端部附近包含发光层的功能层容易变薄。若在功能层具有膜厚薄的部分，则会因电流集中流过该部分而导致发光元件的劣化。若特定颜色的发光元件劣化，则可再现的颜色范围发生变化因而显示品质降低。
发明内容
本发明是为了解决上述的课题的至少一部分而完成的，能够作为以下的方式或者应用例来实现。
应用例1
本应用例所涉及的发光装置的特征在于具有：基板；第一发光元件，，其被配置在上述基板的第一面上，并具有第一像素电极、对置电极、以及在上述第一像素电极与上述对置电极之间包含发光层的功能层；该第一发光元件应释放出第一光；第二发光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第二像素电极、对置电极、以及在上述第二像素电极与上述对置电极之间包含发光层的功能层，该第二发光元件应释放出第二光；以及绝缘层，其经由上述第一像素电极以及上述第二像素电极配置在上述第一面与上述功能层之间，并设置有使上述第一像素电极露出的第一开口、和使上述第二像素电极露出的第二开口，上述第一开口通过上述绝缘层覆盖上述第一像素电极的周边部中50％以上而构成，上述第二开口通过上述绝缘层覆盖上述第二像素电极的周边部中小于50％而构成。
根据本应用例，对于第一发光元件和第二发光元件中的、例如在第一像素电极的周边部附近功能层的膜厚容易变薄的第一发光元件，使得绝缘层覆盖第一像素电极的周边部的50％以上。由此，电流难以流向在第一像素电极被绝缘层覆盖的区域上形成的功能层，从而能够减少电流集中在功能层的膜厚较薄的部分中流动。因此，能够抑制特定的颜色的发光元件的劣化。另外，对于第一发光元件和第二发光元件中的、在第二像素电极的端部附近功能层的膜厚很难变薄的第二发光元件，使得绝缘层覆盖周边部的小于50％。由此，与以绝缘层覆盖第二像素电极的周边部全部的构成的情况相比，能够增大第二像素电极和功能层的接触面积。换句话说，与现有的发光装置相比较，能够提高开口率。此外，在本说明书中，所谓开口率是指在一个像素或者一个子像素中所占的发光面积的比例，所谓发光面积为像素电极和功能层的接触面积。由此，能够作为开口率高、且色差少、显示品质优异的发光装置。
应用例2
在上述应用例所记载的发光装置中，优选上述第一像素电极以及上述第二像素电极为平面形状，该平面形状在第二方向上的长度比与第一方向上的长度短，上述第二方向与上述第一方向交叉，上述第一开口通过上述绝缘层覆盖上述第一像素电极的周边部中至少沿着上述第一方向的端部而构成，上述第二开口通过上述绝缘层覆盖上述第二像素电极的周边部中沿着上述第二方向的端部的至少一部分而构成。
由此，能够高效地有助于特定的颜色的发光元件的劣化的抑制、和开口率的提高。因此，能够作为显示品质更为优异的发光装置。
应用例3
在上述应用例所记载的发光装置中，优选具有：第一像素电路，其被配置在上述第一面与上述第一像素电极之间，并控制上述第一发光元件的驱动；第一连接部，其将上述第一像素电极和上述第一像素电路连接起来；第二像素电路，其被配置在上述第一面和上述第二像素电极之间，并控制上述第二发光元件的驱动；以及第二连接部，其将上述第二像素电极和上述第二像素电路连接起来，上述绝缘层从上述第一方向观察以与上述第一连接部以及上述第二连接部重叠的方式形成。
将像素电极和像素电路连接起来的连接部与其周围相比容易产生凹凸、且功能层的膜厚容易变薄。
在本应用例的发光装置中，绝缘层以与第一以及第二连接部重叠的方式形成，因而能够减少电流集中流过该部分的功能层的情况。由此，能够作为色差少、且显示品质优异的发光装置。
应用例4
在上述应用例所记载的发光装置中，优选上述第一连接部被配置在上述第一像素电极的周边部中沿着上述第二方向的端部侧，上述第二连接部被配置在上述第二像素电极的周边部中沿着上述第二方向的端部侧。
在本应用例的发光装置中，第一连接部和第二连接部被配置在第一像素电极和第二像素电极的相同侧。由此，即使以覆盖第一连接部以及第二连接部的方式设置绝缘层也能够避免大幅度地降低开口率。
应用例5
在上述应用例所记载的发光装置中，优选上述第二像素电极的厚度比上述第一像素电极的厚度薄。
像素电极的厚度越厚的发光元件，其在像素电极的端部附近功能层的膜厚越容易变薄。因此，若电流集中流过在膜厚较薄的部分，则发光元件的功能层容易劣化。
根据本应用例，由于具有未被绝缘层覆盖的部分的第二像素电极的厚度比第一像素电极的厚度薄，所以在第二像素电极的端部附近功能层的膜厚很难变薄，与第一发光元件相比，第二发光元件很难劣化。因此，即便使第二像素电极的周边部中以绝缘层覆盖的比例小于50％，也能够实现显示品质优异并且高亮度的发光装置。
应用例6
上述应用例所记载的发光装置优选具备第三发光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第三像素电极、与上述第三像素电极对置地配置的对置电极、以及配置在上述第三像素电极与上述对置电极之间且包含发光层的功能层，上述第三发光元件应释放出第三光，上述第二发光元件和上述第三发光元件在第二方向上相邻地被配置，上述第二开口在与上述第二方向交叉的第一方向上跨越上述第二像素电极和上述第三像素电极，并通过覆盖上述第二像素电极以及第三像素电极的周边部中的小于50％而构成。
在本应用的发光装置中，能够以发光波长不同的3个发光元件构成一个单位像素，因而与以2个发光元件构成一个单位像素的情况相比较，能够作为颜色再现性更为优异的发光装置。在这样的发光装置中，对于第一至第三发光元件中的、在像素电极的周边部附近功能层的膜厚容易变薄的第一发光元件，使得绝缘层覆盖第一像素电极的周边部的50％以上，从而能够抑制第一发光元件劣化。另外，在像素电极的周边部附近功能层的膜厚变薄的可能性较低的第二发光元件的第二像素电极以及第三发光元件的第三像素电极的周边部以绝缘层覆盖其小于50％的方式构成。由此，与第二像素电极以及第三像素电极的周边部全部被绝缘层覆盖的构成相比较，能够增大发光面积，并能够提高开口率。由此，能够作为开口率高、且显示品质优异的发光装置。
应用例7
上述应用例所记载的发光装置优选具有反射层，该反射层配置在上述第一面与上述第一像素电极、上述第二像素电极以及上述第三像素电极之间，上述对置电极是使从上述功能层释放出的光的一部分透过、一部分反射的半透过反射层，在上述第一发光元件、上述第二发光元件、上述第三发光元件的每一个发光元件中，在上述反射层与上述半透过反射层之间形成有共振器结构。
在如本应用例那样，在具有共振器结构的发光装置中，能够增强想要取出的波长的光，因此能够提高从发光装置射出的光的颜色纯度。因此，能够作为显示品质更为优异的发光装置。
应用例8
上述应用例所记载的发光装置优选具有：第三像素电路，其被配置在上述第一面与上述第三像素电极之间，并控制上述第三发光元件的驱动；和第三连接部，其将上述第三像素电极和上述第三像素电路连接起来，上述绝缘层与上述第三连接部重叠。
由此，能够作为色差少、且显示品质优异的发光装置。
应用例9
在上述应用例所记载的发光装置中，优选上述第三像素电极的厚度比上述第一像素电极的厚度薄。
由此，能够作为色差少、且显示品质优异的发光装置。
应用例10
上述应用例所记载的发光装置优选具备第四发光元件，其被配置在上述第一面上，并具有第四像素电极、对置电极、以及在上述第四像素电极与上述对置电极之间包含发光层的功能层，上述第四发光元件应释放出上述第一光，上述第一发光元件和上述第二发光元件在第二方向上相邻配置，上述第一发光元件和上述第四发光元件在与上述第二方向交叉的第一方向上相邻配置，上述第一开口在上述第二方向上跨越上述第一像素电极和上述第四像素电极，并通过上述绝缘层覆盖上述第一像素电极以及上述第四像素电极的周边部中50％以上而构成。
在本应用例的发光装置中，线对称地配置有释放出第一光的第一发光元件和第四发光元件。而且能够一并形成使第一像素电极和第四像素电极露出的第一开口，因此能够使制造方法更加简便。另外，无需在第一像素电极和第四像素电极之间配置用于划分它们的绝缘层，所以能够使第一发光元件和第四发光元件的间隔变窄，能够作为高精细的发光装置。
另外，即使第一发光元件以及第四发光元件是在各自的像素电极的端部附近功能层的膜厚容易变薄的发光元件，也由于被绝缘层覆盖第一像素电极和第四像素电极的周边部的50％以上，所以与像素电极的周边部未被绝缘层覆盖的构成相比较，抑制第一发光元件以及第四发光元件的劣化。另外，第一像素电极和第四像素电极的周边部的一部分未被绝缘层覆盖，所以与周边部全部被绝缘层覆盖的构成相比较，能够增大开口率。因此，能够作为亮度高、高精细、且显示品质优异的发光装置。
应用例11
上述应用例所记载的发光装置，优选上述第一像素电极以及上述第四像素电极为平面形状，该平面形状在上述第二方向上的长度比上述第一方向上的长度短，上述第一开口被构成为：上述绝缘层覆盖上述第一像素电极和上述第四像素电极的周边部中沿着上述第一方向的端部，而未覆盖沿着上述第二方向的端部中在上述第一方向上相邻的端部。
由此，能够高效地有助于特定的颜色的发光元件的劣化的抑制、和开口率的提高。
应用例12
本应用例所涉及的电子设备的特征在于具备上述应用例中的任意一项所记载的发光装置。
根据本应用例，由于具备上述应用例中的任意一项所记载的发光装置，所以能够提供一种发光亮度高、且显示品质优异的电子设备。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的发光装置的基本构成的示意俯视图。
图2是表示实施方式1所涉及的发光装置中的电构成的等效电路图。
图3是实施方式1所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图以及剖视图。
图4是实施方式1所涉及的发光装置中的发光元件的剖视图。
图5是实施方式2所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图。
图6是变形例所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图。
图7是现有的发光装置中的发光元件的俯视图。
图8是现有的发光装置中的发光元件的局部剖视图。
图9是表示作为电子设备的头戴显示器的示意立体图。
具体实施方式
以下，参照附图对本发明的实施方式进行说明。其中，在以下的各图中，使各层、各部件成为可视觉识别的程度的大小，因此各层、各部件的尺度与实际不同。
实施方式1
发光装置
图1是表示实施方式1所涉及的发光装置的基本构成的示意俯视图。
首先，对作为实施方式1所涉及的发光装置的有机电致发光（EL）装置1的示意构成进行说明。
如图1所示，作为本实施方式的发光装置的有机EL装置1具有基板10、基板10的第一面上的显示区域11、以及设置在显示区域11的外侧（显示区域11与基板10的周边部之间的区域）的非显示区域12。在显示区域11中矩阵状地配置有多个像素13，在非显示区域12中设置有用于使像素13发光的外围电路。作为外围电路的例子，列举出扫描线驱动电路80、数据线驱动电路90、检查电路等。
多个像素13的每一个构成为包含射出不同波长的光的多个子像素14，例如红色（R）的子像素14R、绿色（G）的子像素14G以及蓝色（B）的子像素14B。
图2是表示实施方式1所涉及的发光装置中的电构成的等效电路图。
如图2所示，作为本实施方式的发光装置的有机EL装置1具有多条扫描线20、在与扫描线20交叉的方向上延伸的多条数据线21、以及与数据线21平行延伸的多条电源线22。与扫描线20和数据线21的交叉对应地设置有子像素14（14R、14G、14B）。多个子像素14的每一个包含发光元件15、和用于控制发光元件15的驱动的像素电路16（16R、16G、16B）。
在本实施方式中，发光元件15是包含像素电极17、对置电极18、以及包含配置在像素电极17与对置电极18之间的有机发光层的功能层19的有机电致发光（EL）元件。扫描线20被连接于扫描线驱动电路80，数据线21被连接于数据线驱动电路90。在本实施方式中，电源线22是用于向作为阳极的像素电极17赋予电位的阳极用电源线。
像素电路16（16R、16G、16B）包含开关晶体管23、驱动晶体管24、以及连接于驱动晶体管24的栅电极的保持电容25，并控制发光元件15的驱动。这里所谓发光元件15的驱动控制是指，基于在写入期间经由数据线21供给的数据信号使发光元件15在发光期间发光。经由扫描线20向开关晶体管23的栅电极供给扫描信号，在该开关晶体管23处于导通的状态时，从数据线21供给的数据信号被保持于电容25。
在驱动晶体管24处于导通的状态时，像素电极17和电源线22经由驱动晶体管24电连接，并向发光元件15供给与保持于保持电容25的数据信号的电位对应量的电流。发光元件15以与被供给的电流量对应的亮度发光。
图3是实施方式1所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图以及剖视图，图4是实施方式1所涉及的发光装置中的发光元件的剖视图。详细而言，图3（a）是表示配置在有机EL装置1的显示区域11中的子像素14的结构的俯视图，图3（b）是图3（a）的A－A’处的剖视图。图4（a）是图3（a）的B－B’处的发光元件15R的剖视图，图4（b）是图3（a）的C－C’处的发光元件15G的剖视图。
如图3（a）所示，在本实施方式中，构成像素13的子像素14的每一个子像素形成为相对于沿着基板10的第一面10A的第一方向（图3（a）中的B－B’方向）的长度，沿着第一面10A并且在与第一方向交叉的第二方向（图3（a）中的A－A’方向）上的长度短的形状（例如矩形）。
而且，红色的子像素14R、绿色的子像素14G、蓝色的子像素14B沿着第二方向而配置，在红色的子像素14R中配置有作为第一发光元件的发光元件15R。在绿色的子像素14G中配置有作为第二发光元件的发光元件15G。在蓝色的子像素14B中配置有作为第三发光元件的发光元件15B。
如图3（b）以及图4（a）、（b）所示，本实施方式中的有机EL装置1构成为包括：基板10；形成在基板10的第一面10A上的像素电路16（16R、16G、16B）；形成在像素电路16（16R、16G、16B）上的平坦化层26；配置在平坦化层26上的反射层27；经由层间绝缘层28而配置在反射层27上的像素电极17；覆盖层间绝缘层28和像素电极17的一部分而形成的绝缘层29；包含形成在像素电极17（17R、17G、17B）上的有机发光层的功能层19；以及形成在功能层19上的对置电极18。
由像素电极17R、功能层19、以及对置电极18构成发光元件15R，由像素电极17G、功能层19、以及对置电极18构成发光元件15G。同样，由像素电极17B、功能层19、以及对置电极18构成发光元件15B。
在本实施方式中有机EL装置1采用从对置电极18侧取出光的顶部发光方式。因此，基板10可以是由如树脂材料、石英玻璃、钠玻璃这样的材料构成的透明基板，也可以是由以陶瓷材料构成的基板或由金属材料构成的不透明基板。
构成像素电路16的要素亦即开关晶体管23和驱动晶体管24包含形成有源极区域、漏极区域及沟道区域的半导体区域、以及与沟道区域对置地形成的栅电极。另外，构成像素电路16的这些晶体管可以是薄膜晶体管，也可以是形成于体硅衬底等半导体基板的场效应晶体管（MOS晶体管）。
在显示区域11内的第一面10A与发光元件15之间的层中，还配置有向开关晶体管23的栅电极供给扫描信号的扫描线20、供给被保持于保持电容25的数据信号的数据线21、以及供给向发光元件15供给的电流的电源线22等。此外，在图3（b）、图4（a）以及图4（b）中仅示出构成像素电路16的要素的一部分。
在像素电路16上经由平坦化层26配置有反射层27，该平坦化层26由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等具有绝缘性的材料构成。反射层27将从后述的有机发光层向反射层27侧释释放出的光反射至有机发光层侧。另外，在反射层27与后述的对置电极18之间形成有共振器结构。作为反射层27所使用的材料，列举出Al及其合金、Ag及其合金等。
在本实施方式中，反射层27按每个子像素14R、14G、14B独立地设置，但并不限于此，也可以跨越多个子像素14R、14G、14B而形成。那样的情况下需要将反射层27与各像素电路16R、16G、16B电绝缘。在与反射层27的接触孔30重叠的区域设置开口，并经过该开口将子像素14R、14G、14B与像素电路16R、16G、16B分别连接即可。
在反射层27上经由层间绝缘层28而配置有像素电极17，该层间绝缘层28由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等构成。在层间绝缘层28上设置有用于使像素电极17与像素电路16连接的连接部。在本实施方式中，像素电极17作为阳极发挥作用，并且是由ITO（Indium Tin Oxide：氧化铟锡）、IZO（Indium Zinc Oxide：氧化铟锌）等构成的透明电极。连接部包含接触孔30。接触孔30优选设置在与像素电极17的像素电路16连接的部分成为像素电极17的角部那样的位置处。另外在本实施方式中，如图3（a）所示那样，接触孔30设置在子像素14R、14G、14B的相同侧。
如图3（a）以及图3（b）所示，跨越各子像素14R、14G、14B地配置有绝缘层29，该绝缘层29设置有使各像素电极17R、17G、17B的大部分露出的开口。绝缘层29由氧化硅、氮化硅、氮氧化硅等绝缘性的材料构成，以5nm～100nm左右的膜厚形成。俯视时在绝缘层29与像素电极17重叠的区域中，在像素电极17与功能层19之间与这些层接触地设置有绝缘层29，因此在该重叠区域中电流难以流动，从而抑制来自功能层19的光的释放出。各像素电极17R、17G、17B与功能层19相接的区域是意图作为各发光元件15R、15G、15B的发光区域的区域。
在本实施方式中，在绝缘层29设置有第一开口31和第二开口32。第一开口31在形成功能层19之前的阶段使发光元件15R的像素电极17R露出，在形成功能层19之后的阶段，像素电极17R与功能层19通过第一开口31相接。像素电极17R的周边部40R全部被绝缘层29覆盖。
第二开口32在形成功能层19之前的阶段使发光元件15G的像素电极17G和发光元件15B的像素电极17B露出，在形成了功能层19之后的阶段，像素电极17G、17B通过第二开口32分别与功能层19相接。也就是说，第二开口32跨越发光元件15G和发光元件15B而被共用地设置，在第二方向上配列的子像素14G和子像素14B之间的至少一部分未配置绝缘层29。
各像素电极17R、17G、17B的周边部40（40R、40G、40B）由沿着第一方向的端部、和沿着第二方向的端部构成。在本实施方式中，沿着第一方向的端部的长度比沿着第二方向的端部的长度长。以下，将像素电极17R的沿着第一方向的端部设为第一端部41，将沿着第二方向的端部设为第二端部42。同样，将像素电极17G的沿着第一方向的端部设为第三端部43，将沿着第二方向的端部设为第四端部44，将像素电极17B的沿着第一方向的端部设为第五端部45，将沿着第二方向的端部设为第六端部46。
在本实施方式中像素电极17为矩形，因而像素电极17R具有2个第一端部，将距离接触孔30远的第一端部设为41A，将距离接触孔30近的第一端部设为41B。另外，将2个第二端部中距离接触孔30远的第二端部设为42A，距离接触孔30近的第二端部设为42B。也就是说，与像素电极17R的像素电路16R连接的部分距离像素电极17R的4个角部中第一端部41B与第二端部42B交叉的角部最近。第三端部43、第四端部44、第五端部45、第六端部46也同样地、将距离接触孔30远的端部设为43A、44A、45A、46A，将距离接触孔30近的端部设为43B、44B、45B、46B。
像素电极17G的大部分（50％以上）和像素电极17B的大部分（50％以上）未被绝缘层29覆盖。详细而言，在本实施方式中，第三端部43（43A、43B）的大部分、第五端部45（45A、45B）的大部分、第四端部44A、以及第六端部46A未被绝缘层29覆盖。换句话说，像素电极17R的第二端部42（42A、42B）、像素电极17G的第四端部44B、像素电极17B的第六端部46B分别被绝缘层29覆盖（参照图4（a）以及图4（b））。在本实施方式中，像素电极17G、17B的周边部40G、40B中被绝缘层29覆盖的部分是将第二开口32设为大致矩形而在以绝缘层29覆盖接触孔30时与绝缘层29重叠的部分。
在绝缘层29上利用蒸镀法等形成有包含有机发光层的功能层19。在本实施方式中，功能层19包含空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、电子输送层、电子注入层，但除了这些层以外还可以设置其他层，也可以不设置空穴注入层、空穴输送层、电子输送层、电子注入层中的任意一层。另外，也可以将这些层中多个层形成为一体。在本实施方式中，功能层19包括当电流在像素电极17和对置电极18之间流动时，释放出红色光的红色发光层、释放出绿色光的绿色发光层、和释放出蓝色光的蓝色发光层。因此从功能层19释放出光，该光包含有红色的波长的光、绿色的波长的光以及蓝色的波长的光，从而释放出整体被视觉识别为白色的光。功能层19被共用地形成在多个发光元件15R、15G、15B，并设计为100nm～200nm左右的膜厚。
在功能层19上形成有对置电极18。在本实施方式中，对置电极18作为阴极发挥作用，并且也是在与上述的反射层27之间形成共振器结构的半透过反射层。对置电极18跨越多个发光元件15（15R、15G、15B）而形成，使从有机发光层释放出的光的一部分透过、一部分反射至反射层27侧。这样的对置电极18可以通过薄薄地蒸镀由Ag、Al以及它们的合金构成的金属而形成，也可以层叠由不同的材料构成的层。
另外，在反射层27与半透过反射层之间形成共振器结构，因而从有机发光层释放出的光在反射层27与半透过反射层之间往复，并从半透过反射层侧只取出共振波长的光。此时，通过调整反射层27与半透过反射层之间的光学距离，能够只取出所希望的波长的光。在本实施方式中，以在作为第一发光元件的发光元件15R中增强红色的光、在作为第二发光元件的发光元件15G中增强绿色的光，在作为第三发光元件的发光元件15B中增强蓝色的光的方式来设计各发光元件15R、15G、15B的共振器结构中的光学距离。在本实施方式中，通过使像素电极17R、17G、17B的厚度相互不同来调整光学距离，但例如也可以通过使像素电极17与反射层27之间的层间绝缘层28的膜厚在各发光元件15R、15G、15B中不同来进行调整。
此外，在本说明书中，所谓的红色的光是指600nm～700nm波长的光，所谓的绿色的光是指500nm～600nm波长的光，所谓的蓝色的波长的光是指400nm～500nm波长的光。
将本实施方式中的绝缘层29的结构与现有的结构进行比较来说明。图7（a）、图7（b）是现有的发光装置中的发光元件的俯视图。图8是现有的发光装置中的发光元件的局部剖视图。
如图7（a）所示，在现有的发光装置401中，在各个构成一个像素413的多个子像素414（414R、414G、414B）中，利用绝缘层429覆盖像素电极417（417R、417G、417B）的周边部440的全部。而且，按每个子像素414为单位使像素电极417的大部分露出的开口431被设置于绝缘层429，通过该开口431使像素电极417与功能层相接触。
在这样的构成中，由绝缘层429覆盖像素电极417的面积中一定部分，因此在提高开口率上有限制。此外，在本说明书中，所谓开口率是指一个像素中的发光面积所占的比例，所谓发光面积与从第三方向（配置了有机EL元件的基板的法线方向）观察几乎与像素电极417和功能层相接触的区域的面积相等。
图7（b）是在多个子像素414’（414’R、414’G、414’B）的每一个子像素中未设置覆盖像素电极417’（417’R、417’G、417’B）的周边部440’的绝缘层的类型的现有发光装置401’。图8是红色的子像素414’R的接触孔430’的剖视图。
在图7（b）所示的现有的发光装置401’中，发光区域与像素电极417’的面积相等、且与图7（a）所示的发光装置401进行比较能够增大开口率。然而，如图8所示，在发光装置401’中，在设置有像素电极417’R的周边部440’、接触孔430’的部分产生阶梯差。因此，在俯视时在接近像素电极417’R的周边部440’的区域中形成的功能层19的膜厚d1以及在与接触孔430’重叠的部分上形成的功能层19的膜厚d3与在像素电极417’R的中央部上形成的功能层19的膜厚d2相比较容易变薄。其原因被认为在于在使功能层19成膜时，在像素电极417’R的周边部440’中，层间绝缘层428’与像素电极417’R之间的凹凸（阶梯差）成为障碍，功能层19的材料难以到达该部分。
若在功能层19存在膜厚较薄的部分，则电流集中流过该部分而导致发光元件的劣化。若特定的颜色的发光元件劣化，则由于能够再现的颜色范围发生变化而降低显示品质。在本实施方式中，能够抑制由于这样的发光元件（例如红色的发光元件15R）的像素电极17的周边部40被绝缘层29覆盖而产生这样的不良情况。并且通过设置绝缘层29来缓和周边部40中的凹凸，因此也能够消除功能层19的覆盖能力的劣化。在想要抑制电流流向在与接触孔30重叠的区域形成的功能层19的情况下，以绝缘层29进行覆盖即可。
在发光元件15的截面中，只要绝缘层29稍微覆盖像素电极17的周边部40就能够得到如上所述的效果。为了更加可靠地取得效果，使第一开口31的周边部与像素电极17R的周边部相比靠近内侧0.1μm以上，更为优选的是靠近内侧（像素电极的中央侧）0.25μm以上即可。也就是说，以绝缘层29覆盖像素电极17R的周边部40R与第一开口31之间的距离为0.1μm～0.25μm的范围即可。由此，即使在制造时产生了误差也能够准确地覆盖周边部40R。但是，在以还覆盖接触孔30的方式形成绝缘层29的情况下，第二端部42B与第一开口31的周边部之间的距离更大。
本发明对具备共振器结构的发光装置特别有效，尤其对以像素电极的厚度来调整各子像素中的共振器的光学距离那样的发光装置有效。
在具有共振器结构的发光装置中能够增强想要取出的波长的光，因而能够提高从发光装置射出的光的颜色纯度。因此，使用具有共振器结构的发光装置能够作为显示品质更为优异的发光装置。另一方面很难将像素电极的端部的膜厚、像素电极的端部附近的功能层的膜厚以与像素电极的中央部的膜厚、在像素电极的中央部上形成的功能层的膜厚相同的厚度形成。因此在具有共振结构的发光装置中，有可能从像素电极的端部周边的区域增强并释放出与本来想要的波长不同的波长的光。若这样的异常发光混在从发光元件释放出的光中，则在子像素的周边部40产生颜色偏差，导致显示品质的降低。
特别是如本实施方式那样在红色的发光元件15R、绿色的发光元件15G、以及蓝色的发光元件15B中使像素电极17的厚度不同的情况下，公知有最厚的像素电极17R是通过层叠多个导电膜而形成。很难在平面上无误差地层叠多个导电膜，因而不能够在像素电极17R的周边部附近以均匀的膜厚形成像素电极17R。因此，在那样的区域中反射层27与半透过反射层之间的光学距离产生偏差，因而与本来想要的波长不同的波长的光被增强。若这样的异常发光混入从发光元件释放出的光中，则成为色差的原因，会导致显示品质的降低。
与此相对，在本实施方式中如图3（a）所示，由于红色的发光元件15R的像素电极17R的周边部全部被绝缘层29覆盖，所以抑制了向形成在像素电极17R的周边部上的功能层19的载流子的注入。因此抑制来自该部分的功能层19的光的释放，并能够减少从发光元件15R释放出的光所包含的异常发光的比例，能够作为颜色再现性优异的有机EL装置1。
在绿色的发光元件15G和蓝色的发光元件15B中，构成为不以绝缘层29覆盖周边部40G的50％以上、和周边部40B的50％以上，详细而言，覆盖第三端部43的大部分、第五端部45的大部分、第四端部44A、和第六端部46A，因而与由绝缘层29覆盖像素电极17G、17B的周边部40G、40B的全部的构成相比较，能够增大像素电极17G、17B与功能层19的接触面积。因此能够作为开口率高、高亮度的有机EL装置1。
在本实施方式中，绿色的发光元件15G如上所述那样，像素电极17G的周边部40G中大部分未被绝缘层29覆盖。众所周知一般绿色的光容易被人眼视觉识别，假设即使在周边部40G上产生异常发光也很难感觉出从发光元件15G释放出的光中产生了色差。在这样的情况下即使是未以绝缘层29覆盖像素电极17G的周边部40G的大部分的构成也不会使有机EL装置1的显示品质显著降低。
另外，在本实施方式中对蓝色的发光元件15B的像素电极17B也未以绝缘层29覆盖第五端部45的大部分和第六端部46A。在本实施方式中，像素电极17B的膜厚与像素电极17R相比较薄，因而能够在像素电极17B的周边部40B中比较均匀地使功能层19成膜。该情况下，反射层27与半透过反射层之间的光学距离的偏差很小，因此从像素电极17B的周边部40B上的功能层19释放出的光也很难异常发光。由此，即使是未以绝缘层29覆盖像素电极17B的周边部的大部分的构成也不会使有机EL装置1的显示品质显著降低。
本发明对像素尺寸小的发光装置特别有效。在像素电极17的面积比较大的情况下，例如在像素电极17的长边为100μm左右的情况下，即使在像素电极17的周边部40产生了异常发光，其在从发光元件15整体释放出的光整体中所占的比例也较小，很难视觉识别异常发光。但是若像素电极17的面积变小，例如若像素电极17的长边减小到10μm左右，则在从发光元件15释放出的光中所占的异常发光的比例相对增大，得以显著地识别出子像素的周边部40中的色差。本发明对像素电极17的长边为10μm以下的发光装置特别有效，对像素电极17的长边为5μm以下的发光装置更为有效。
如以上所述，根据本实施方式，能够提供作为色差较少、发光亮度高、显示品质优异的发光装置的有机EL装置1。
实施方式2
图5是实施方式2所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图。参照图5对本实施方式所涉及的发光装置进行说明。应予说明，对于与实施方式1相同的构成部位使用相同的附图标记，并省略重复的说明。
在作为本实施方式所涉及的发光装置的有机EL装置101中，在第一方向（同色的子像素配列的方向）上以线对称的方式配置有构成第一像素113的第一红色子像素114R、第一绿色子像素114G、第一蓝色子像素114B、和构成第二像素113’的第二红色子像素114’R、第二绿色子像素114’G、第二蓝色子像素114’B。在子像素114、114’中，分别配置有对应的发光元件115、115’，发光元件115、115’包含像素电极117或者像素电极117’、功能层19、以及对置电极18。
在第一红色子像素114R配置的第一红色的发光元件115R的像素电极117R具有沿着第一方向的第一端部141A、141B、和沿着第二方向的第二端部142A、142B。在第二红色子像素114’R配置的第二红色的发光元件115’R的像素电极117’R具有沿着第一方向的第七端部147A、147B、和沿着第二方向的第八端部148A、148B。与上述实施方式1相同，对距离接触孔130、130’远的端部标记符号A，对距离接触孔130、130’近的端部标记符号B。
绝缘层129覆盖红色的发光元件115R、115’R的像素电极117R、117’R的周边部140R、140’R的50％以上。更为详细而言，绝缘层129覆盖第一端部141（141A、141B）、第二端部142B、第七端部147（147A、147B）、和第八端部148B。
设置于绝缘层129的第一开口131跨越在第一红色子像素114R和第二红色子像素114’R配置的红色的发光元件115R、115’R的像素电极117R的一部分和像素电极117’R的一部分而形成，像素电极117R、117’R通过第一开口131与功能层19相接。也就是说，第二端部142A的一部分和第八端部148A的一部分未被绝缘层129覆盖，在第一红色子像素114R与第二红色子像素114’R之间的至少一部分未配置绝缘层129。
第二红色子像素114’R的发光元件115’R相当于本发明的第四发光元件。因此，像素电极117’R相当于本发明的第四像素电极。
绝缘层129未覆盖绿色的发光元件115G、115’G的像素电极117G、117’G的周边部140G、140’G的大部分（50％以上）。例如，绝缘层129未覆盖像素电极117G的第三端部143（143A、143B）的大部分和第四端部144A。同样地，绝缘层129未覆盖像素电极117B的第五端部145（145A、145B）的大部分和第六端部146A。
设置于绝缘层129的第二开口132跨越在第一绿色子像素114G配置的第一绿色的发光元件115G的像素电极117G的至少一部分、在第二绿色子像素114’G配置的第二绿色的发光元件115’G的像素电极117’G的至少一部分、在第一蓝色子像素114B配置的第一蓝色的发光元件115B的像素电极117B的至少一部分、和在第二蓝色子像素114’B配置的第二蓝色的发光元件115’B的像素电极117’B的至少一部分而形成。
像素电极117G、117’G、117B、117’B在第二开口132处与功能层19相接。在本实施方式中，在与第一方向相邻地配列的第一绿色子像素114G和第二绿色子像素114’G之间的至少一部分未配置有绝缘层129。同样在与第一方向相邻地配列的第一蓝色子像素114B和第二蓝色子像素114’B之间的至少一部分未配置有绝缘层129。另外，在与第二方向相邻地排列的第一绿色子像素114G和第一蓝色子像素114B之间的至少一部分、第二绿色子像素114’G和第二蓝色子像素114’B之间的至少一部分也同样未配置有绝缘层129。
在与接触孔130、130’重叠的区域中在发光元件115、115’中产生不良情况时，与第一实施方式相同，以绝缘层129覆盖接触孔130、130’即可。
如本实施方式那样在形成了第一开口131和第二开口132的情况下，无需在第一像素113和第二像素113’之间的至少一部分配置绝缘层129，因此能够缩短像素间的距离，并能够作为更高精细的有机EL装置101。
另外，在本实施方式中，在红色的发光元件115R、115’R中，与第一方向相邻的第二端部142A的至少一部分、和第八端部148A的至少一部未被绝缘层129覆盖，因而与第二端部142A和第八端部148A全部被绝缘层129覆盖的情况相比较，能够增大像素电极117R、117’R与功能层19的接触面积，并能够提高开口率。提高开口率会引起发光面积的增大，因此能够作为更高亮度的有机EL装置101。
并且在红色的发光元件115R、115’R中，第一端部141以及第七端部147被绝缘层129覆盖，因此在露出第一端部141的一部分、第七端部147的一部分的情况，与像素电极117R、117’R的周边部140R、140’R全部未被绝缘层129覆盖的情况相比较，能够减少从红色的发光元件115R、115’R释放出的光中的异常发光所占的比例。由此，能够作为色差少、显示品质优异的有机EL装置101。
本发明并不限于上述的实施方式，能够在不违反从权利要求书以及说明书整体读取的发明的主旨或者思想的范围内适当地进行变更，伴随那样的变更的发光装置还是包含在本发明的技术范围内的装置。也可以在上述实施方式以外考虑各种变形例。以下，列举变形例进行说明。
图6（a）是变形例1所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图，该图6（b）是变形例2所涉及的发光装置中的发光元件的俯视图。
变形例1
在上述实施方式1、2中，第四端部44A、144A以及第六端部46A、146A侧为未被绝缘层29、129覆盖的构成，但并不限于此。例如，如图6（a）所示，在变形例的发光装置201中为，构成一个像素213的、沿着子像素214G中的像素电极217G的第二方向的第四端部244A、和沿着子像素214B中的像素电极217B的第二方向的第六端部246A被绝缘层229覆盖的构成。换句话说，若为像素电极217G、217B的长度方向的端部243、245的大部分未被绝缘层229覆盖的构成，则能够提高子像素214G、214B的开口率。
变形例2
在上述实施方式1中，为红色的发光元件15R的像素电极17R的周边部全部被绝缘层29覆盖的构成，但并不限于此。例如，如图6（b）所示，在变形例的发光装置301中，也可以构成为在构成一个像素313的、子像素314R中的像素电极317R的第二端部342A的至少一部分（未设置接触孔30侧的一部分）未被绝缘层329覆盖。由此，与红色的发光元件315R的像素电极317R的周边部340R全部被绝缘层329覆盖的构成的情况相比较，能够增大发光面积，并能够作为高亮度的发光装置301。
变形例3
在上述实施方式1中，为红色的发光元件15R的像素电极17R的第一端部41和第二端部42被绝缘层29覆盖的构成，但并不限于该构成。若在绿色的发光元件15G中能够明显地视觉识别异常发光，则也可以为以绝缘层29覆盖发光元件15G的像素电极17G的周边部40G、或者第三端部43和第四端部44的至少一部分的构成。另外，若在蓝色的发光元件15B中异常发光变得很明显，则也可以为以绝缘层29覆盖发光元件15B的像素电极17B的周边部40B、或者第五端部45和第六端部46的至少一部分的构成。即，也可以针对构成像素13的多个子像素14中、例如明显地视觉识别异常发光的两种子像素14成为如上所述的构成。对于上述实施方式2也同样。
变形例4
另外，在上述实施方式1中，以红色的子像素14R、绿色的子像素14G、蓝色的子像素14B构成一个像素13，但也可以由两种子像素14构成一个像素13。作为例子，列举出以蓝色的子像素14B和黄色（Y）的子像素14Y构成一个像素13的情况。
变形例5
在上述实施方式1、2中为具有共振器结构的方式，但共振器结构不是必需的构成。为了将本发明的发光装置作为显示图像等的显示装置而利用，有时设置用于分离从发光元件释放出的光的彩色滤光片来提高颜色纯度。此时也未必采用共振结构。然而由于彩色滤光片的特性有时不能完全吸收从像素电极的周边部上的功能层释放出的异常发光。若在那样的情况下应用本发明，能够减少混在从发光元件释放出的光中的异常发光的比例，因而能够作为显示品质优异的高亮度的发光装置。
此外，彩色滤光片也可以贴合形成在其他的基板上的部件，且在阴极上设置用于阻止水分、氧到达发光元件的保护层，在保护层上直接形成彩色滤光片。
变形例6
在上述实施方式1中，像素电极17的形状为矩形，但并不限于此。例如，也可以是像素电极17的角部带有圆弧的大致矩形，也可以是多边形、圆形、椭圆形。另外，也可以是如在矩形、椭圆的一部分设置凸部的结构。而且也可以在该凸部设置与像素电路16连接的连接部。无论像素电极17的形状是什么样的形状，在像素电极17的周边部40中对于在发光时产生不良情况的发光元件15，绝缘层29覆盖像素电极17的周边部40的大部分（50％以上）的构成即可。而且，在像素电极17的周边部40中不产生发光的不良情况、或者其影响很小的发光元件15的像素电极17的周边部40为绝缘层29未覆盖其大部分（50％以上）的构成即可。换句话说，在周边部40中未产生发光的不良情况、或者其影响很小的发光元件15的像素电极17的周边部以绝缘层29覆盖其小于50％即可。由此，能够作为显示品质优异的高亮度的发光装置。
另外，设置在绝缘层29的第一开口31、第二开口32的形状也可以是任意的形状。如图3（a）所示，可以为矩形，也可以为矩形的角部带有圆弧。也可以是多边形、圆形、椭圆形。也可以是如在矩形、椭圆的一部分上设置有凹部、凸部的形状。
实施方式3
电子设备
接下来，参照图9对本实施方式的电子设备进行说明。图9是表示作为电子设备的头戴显示器的示意立体图。
如图9所示，作为本实施方式的电子设备的头戴显示器1000具有与左右眼对应地设置的2个显示部1001。观察者通过将头戴显示器1000像眼镜那样地佩戴在头部，能够观察在显示部1001显示的文字、图像等。例如，若在左右的显示部1001显示考虑了视差的图像，则还能够欣赏立体的映像。
在显示部1001安装有上述的有机EL装置1。因此，能够作为色差少、显示品质优异的头戴显示器1000。另外，由于开口率高，所以能够作为单位面积的亮度高的头戴显示器1000。
头戴显示器1000并不限定具有2个显示部1001，也可以为具备与左右的任意一个对应的一个显示部1001的构成。
此外，安装有上述有机EL装置1的电子设备并不限定于头戴显示器1000。例如，列举出上升显示器、个人计算机、便携式信息终端、导航仪、浏览器等具有显示部的电子设备。
附图标记的说明
1…作为发光装置的有机EL装置；10…基板；13…像素；14、14R、14G、14B…子像素；15、15R、15G、15B…发光元件；16、16R、16G、16B…像素电路；17、17R、17G、17B…像素电极；18…对置电极；19…功能层；27…反射层；28…层间绝缘层；29…绝缘层；30…接触孔；31…第一开口；32…第二开口；40…周边部；41…第一端部；42…第二端部；43…第三端部；44…第四端部；45…第五端部；46…第六端部；1000…作为电子设备的头戴显示器。

Claims (12)

1.一种发光装置，其特征在于，具有：
基板；
第一发光元件，其被配置在所述基板的第一面上，并具有第一像素电极、对置电极、以及在所述第一像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层，该第一发光元件应释放出第一光；
第二发光元件，其被配置在所述第一面上，并具有第二像素电极、对置电极、以及在所述第二像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层，该第二发光元件应释放出第二光；以及
绝缘层，其经由所述第一像素电极和所述第二像素电极而配置在所述第一面与所述功能层之间，并设置有使所述第一像素电极露出的第一开口、和使所述第二像素电极露出的第二开口，
所述第一开口通过所述绝缘层覆盖所述第一像素电极的周边部中50％以上而构成，
所述第二开口通过所述绝缘层覆盖所述第二像素电极的周边部中小于50％而构成。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述第一像素电极和所述第二像素电极为平面形状，该平面形状在第二方向上的长度比第一方向上的长度短，所述第二方向与所述第一方向交叉，
所述第一开口通过所述绝缘层覆盖所述第一像素电极的周边部中至少沿着所述第一方向的端部而构成，
所述第二开口通过所述绝缘层覆盖所述第二像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部的至少一部分而构成。
3.根据权利要求1或2所述的发光装置，其特征在于，具有：
第一像素电路，其被配置在所述第一面与所述第一像素电极之间，并控制所述第一发光元件的驱动；
第一连接部，其将所述第一像素电极和所述第一像素电路连接起来；
第二像素电路，其被配置在所述第一面与所述第二像素电极之间，并控制所述第二发光元件的驱动；以及
第二连接部，其将所述第二像素电极和所述第二像素电路连接起来，
所述绝缘层以与所述第一连接部以及所述第二连接部重叠的方式被形成。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述第一连接部被配置在所述第一像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部侧，
所述第二连接部被配置在所述第二像素电极的周边部中沿着所述第二方向的端部侧。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第二像素电极的厚度比所述第一像素电极的厚度薄。
6.根据权利要求1～5中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备第三发光元件，该第三发光元件被配置在所述第一面上，并具有第三像素电极、对置电极、以及在所述第三像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层，所述第三发光元件应释放出第三光，
所述第二发光元件和所述第三发光元件在第二方向上相邻地被配置，
所述第二开口在与所述第二方向交叉的第一方向上跨越所述第二像素电极和所述第三像素电极，并通过覆盖所述第二像素电极和第三像素电极的周边部中小于50％而构成。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
具有反射层，该反射层被配置在所述第一面与所述第一像素电极、所述第二像素电极以及所述第三像素电极之间，
所述对置电极是使从所述功能层释放出的光的一部分透过、一部分反射的半透过反射层，
在所述第一发光元件、所述第二发光元件、所述第三发光元件的每一发光元件中，在所述反射层与所述半透过反射层之间形成有共振器结构。
8.根据权利要求6或7所述的发光装置，其特征在于，
具有：
第三像素电路，其被配置在所述第一面与所述第三像素电极之间，并控制所述第三发光元件的驱动；和
第三连接部，其将所述第三像素电极和所述第三像素电路连接起来，
所述绝缘层与所述第三连接部重叠。
9.根据权利要求6～8中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第三像素电极的厚度比所述第一像素电极的厚度薄。
10.根据权利要求1～9中任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备第四发光元件，其被配置在所述第一面上，并具有第四像素电极、对置电极、以及在所述第四像素电极与所述对置电极之间包含发光层的功能层，所述第四发光元件应释放出所述第一光，
所述第一发光元件和所述第二发光元件在第二方向上相邻地被配置，
所述第一发光元件和所述第四发光元件在与所述第二方向交叉的第一方向上相邻地被配置，
所述第一开口在所述第二方向上跨越所述第一像素电极和所述第四像素电极，并通过所述绝缘层覆盖所述第一像素电极和所述第四像素电极的周边部中50％以上而构成。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第一像素电极和所述第四像素电极为平面形状，该平面形状在所述第二方向上的长度比所述第一方向上的长度短，
所述第一开口被构成为：所述绝缘层覆盖所述第一像素电极和所述第四像素电极的周边部中沿着所述第一方向的端部，而未覆盖沿着所述第二方向的端部中在所述第一方向上相邻的端部。
12.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～11中任意一项所述的发光装置。
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