CN104576688A - 发光装置以及电子设备 - Google Patents

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Abstract

本发明提供发光装置以及电子设备，其中，发光装置具备：发光元件，其配置在基体的显示区域内，并包含第一电极以及第二电极以及发光功能层；第一导电体；第一绝缘层，其覆盖第一导电体；第二导电体；以及第二绝缘层，其覆盖第二导电体。第二电极形成在第一绝缘层的面上，并经由该第一绝缘层的第一导通孔与第一导电体导通，第一导电体形成在第二绝缘层的面上，并经由该第二绝缘层的第二导通孔与第二导电体导通，第一导通孔与第二导通孔在俯视时相互不重叠。

Description

发光装置以及电子设备
技术领域
本发明涉及利用了例如有机EL材料等发光材料的发光装置。
背景技术
以往提出有在基板的显示区域排列利用了有机EL材料的发光元件的发光装置。发光元件包含第一电极(阳极)以及第二电极(阴极)、和根据两电极间的电流发光的发光功能层，向第一电极供给与发光的亮度对应的电位，向第二电极供给低位侧的电源电位。专利文献1以及专利文献2公开了与发光元件的第二电极连接并供给电源电位的电源布线在俯视时形成在显示区域的周围的发光装置。
专利文献1：日本特开2001－109395号公报
专利文献2：日本特开2013－54863号公报
在专利文献1的技术中，电源布线与第二电极经由中继导电体连接。具体而言，电源布线被绝缘层(布线侧绝缘层)覆盖，且在布线侧绝缘层的面上形成有中继导电体。电源布线与中继导电体经由布线侧绝缘层的导通孔连接。另外，中继导电体被绝缘层(电极侧绝缘层)覆盖，且在电极侧绝缘层的面上形成有第二电极。第二电极与中继导电体经由电极侧绝缘层的导通孔连接。在专利文献1的技术中，在俯视时布线侧绝缘层的导通孔与电极侧绝缘层的导通孔重复，所以存在第二电极中在俯视时位于导通孔的外侧的区域的表面与进入导通孔的内侧的区域的表面之间，可能产生与布线侧绝缘层以及电极侧绝缘层的膜厚的合计相当的高度的阶梯差这样的问题。
在专利文献2的技术中，第二电极在显示区域内形成在发光功能层的面上，经由在显示区域的周围形成于绝缘层的导通孔与电源布线(周边布线)导通。但是，发光功能层的周缘和用于第二电极与电源布线(周边布线)的导通的导通孔内重叠(即，导通孔的一部分的区域被发光功能层覆盖)，所以不能在导通孔内的整个区域使第二电极与周边布线接触。因此，与第二电极和周边布线在导通孔内的整个区域接触的构成相比较，存在第二电极与周边布线在导通孔内接触的面积变小，第二电极与周边布线的连接变得不充分的问题。
发明内容
考虑到以上的情况，本发明的目的在于降低第二电极上所产生的阶梯差。另外，本发明的目的在于使发光元件的电极与周边布线充分地导通。
为了解决以上的课题，本发明的发光装置具备：发光元件，其配置于基体的显示区域内，并包含第一电极以及第二电极、和根据第一电极和第二电极之间的电流发光的发光功能层；第一导电体；第一绝缘层，其覆盖第一导电体；第二导电体；以及第二绝缘层，其覆盖第二导电体，第二电极形成在第一绝缘层的面上，并经由该第一绝缘层的第一导通孔与第一导电体导通，第一导电体形成在第二绝缘层的面上，并经由该第二绝缘层的第二导通孔与第二导电体导通，第一导通孔与第二导通孔在俯视时相互不重叠。根据以上的构成，第一导通孔与第二导通孔相互不重叠，所以第二电极中位于第一导通孔的外侧的区域的表面与位于第一导通孔的内侧的区域的表面之间，不产生与第一绝缘层和第二绝缘层的膜厚的和相当的阶梯差。因此，与在俯视时第一导通孔与第二导通孔重叠的构成相比较，能够降低第二电极所产生的阶梯差。
在本发明的优选的方式中，第一导电体以及第一导通孔形成为在俯视时包围显示区域的连续的框状(即相当于封闭图形的周缘的环状)，第二电极遍及显示区域的全周而经由第一导通孔与第一导电体导通。根据以上的构成，第二电极遍及显示区域的全周而与第一导电体导通，所以能够使第二电极与第一导电体充分地导通。
在本发明的优选的方式中，第二导电体以及第二导通孔形成为在俯视时包围显示区域的连续的框状，第一导电体遍及显示区域的全周而经由第二导通孔与第二导电体导通。根据以上的构成，第一导电体遍及显示区域的全周而与第二导电体导通，所以能够使第一导电体与第二导电体充分地导通。
在本发明的优选的方式中，第一导通孔在俯视时与第二导通孔相比位于显示区域侧。根据以上的构成，与第二导通孔在俯视时与第一导通孔相比位于显示区域侧的构成(即，第二导通孔位于显示区域与第一导通孔之间的构成)相比较，能够使显示区域的周缘到第一导通孔的距离较短地形成。即，能够使形成于从显示区域的周缘到第一导通孔的区域的第二电极较短地形成。因此，有减少形成于显示区域的周围的第二电极的断线这样的优点。
在本发明的优选的方式中，具备由遮光性的导电材料的第一布线层形成并遮挡向基体侧的光的遮光层，第二导电体由第一布线层形成。根据以上的构成，向基体侧行进的外光被遮光层遮挡，所以有例如在形成在基体的面上的有源元件中能够防止由光照射引起的电流泄漏这样的优点。另外，第二导电体与遮光层均由第一布线层形成，所以能够利用共用的工序一并地形成。因此，与利用与第二导电体的形成不同的工序形成遮光层的情况相比较，有使制造工序简化这样的优点。
在本发明的优选的方式中，具备：第三导电体；以及第三绝缘层，其覆盖第三导电体，第二导电体形成在第三绝缘层的面上，并经由该第三绝缘层的第三导通孔与第三导电体导通，第三导通孔在俯视时不与第一导通孔以及第二导通孔重复。根据以上的构成，第二导通孔与第三导通孔在俯视时不重叠，所以在第一导电体中位于第二导通孔的外侧的区域的表面与位于第二导通孔的内侧的区域的表面之间，不产生与第二绝缘层和第三绝缘层的膜厚的和相当的阶梯差。因此，与第二导通孔与第三导通孔在俯视时重叠的构成相比较，能够降低第一导电体所产生的阶梯差。
在本发明的优选的方式中，第三导电体以及第三导通孔形成为俯视时包围显示区域的连续的框状，第二导电体遍及显示区域的全周而经由第三导通孔与第三导电体导通。根据以上的构成，第二导电体遍及显示区域的全周而与第三导电体导通，所以能够使第二导电体与第三导电体充分地导通。
在本发明的优选的方式中，第一导通孔在俯视时与第二导通孔相比位于显示区域侧，第二导通孔在俯视时与第三导通孔相比位于显示区域侧。根据以上的构成，第一导通孔与第二导通孔以及第三导通孔相比位于显示区域侧，所以与第二导通孔以及第三导通孔与第一导通孔相比位于显示区域侧的构成相比较，能够缩短从显示区域的周缘形成至第一导通孔的第二电极的长度。另外，第二导通孔与第三导通孔相比位于显示区域侧(第一导通孔侧)，所以与第三导通孔与第二导通孔相比位于第一导通孔侧的构成(即，第三导通孔位于第一导通孔与第二导通孔之间的构成)相比较，能够缩短第二导通孔到第一导通孔的距离。即，能够缩短从第一导通孔形成至第二导通孔的第一导电体的长度。因此，能够抑制从第一导通孔形成至第二导通孔的的第一导电体的断线。
在本发明的优选的方式中，具备由光反射性的导电材料的第二布线层形成并反射向基体侧的光的反射层，第三导电体由第二布线层形成。根据以上的构成，能够使向基体侧行进的外光在反射层反射。另外，第三导电体与反射层均由第二布线层形成，所以能够以共用的工序一并地形成。因此，与利用与第三导电体的形成不同的工序形成反射层的情况相比较，有使制造工序简化这样的优点。
为了解决以上的课题，本发明的发光装置具备：周边布线；绝缘层，其覆盖周边布线；以及发光元件，其配置在基体的显示区域内，并包含第一电极以及第二电极、和形成在绝缘层的面上并根据第一电极和第二电极之间的电流发光的发光功能层，第二电极在显示区域内覆盖发光功能层，并在俯视时位于显示区域的周围的第一区域内经由绝缘层的导通孔与周边布线连接，发光功能层的周缘位于俯视时位于显示区域与第一区域之间的第二区域内，周边布线遍及第一区域和第二区域形成。在以上的构成中，发光功能层的周缘位于相对于形成了用于使第二电极和周边布线导通的导通孔的第一区域位于显示区域侧的第二区域内。即，在绝缘层的导通孔的内侧发光功能层不夹在第二电极与周边布线之间。因此，与俯视时发光功能层位于导通孔的内侧的构成(发光功能层在导通孔的内侧夹在第二电极与周边布线之间的构成)相比较，能够使第二电极和周边布线充分地导通。此外，若仅考虑第二电极与周边布线的导通，则周边布线仅存在于形成了导通孔的第一区域内即可。在本发明中，以除了遍及第一区域还遍及第二区域的方式形成周边布线。即，与仅在第一区域形成周边布线的构成相比较，能够充分地确保周边布线的面积。因此，有使周边布线低电阻化这样的优点。
在本发明的优选的方式中，发光功能层在俯视时与周边布线重叠。根据以上的构成，与周边布线在俯视时不与发光功能层重叠的构成相比较，在第二区域较广地形成周边布线。因此，实现周边布线的进一步低电阻化。
在本发明的优选的方式中，周边布线以及导通孔形成为在俯视时包围显示区域的连续的框状，第二电极经由导通孔遍及第一区域的全周与周边布线导通。在以上的构成中，第二电极与周边布线经由包围显示区域的框状的导通孔遍及第一区域的全周导通。因此，充分地连接第二电极与周边布线这样的效果特别显著。
在本发明的优选的方式中，具备由遮光性的导电材料的第一布线层形成并遮挡向基体侧的光的遮光层，周边布线包含由第一布线层形成的第一布线。根据以上的构成，向基体侧行进的外光被遮光层遮挡，所以有例如在形成在基体的面上的有源元件中能够防止由光照射引起的电流泄漏这样的优点。另外，第一布线与遮光层均由第一布线层形成，所以能够以共用的工序一并地形成。因此，与利用与第一布线的形成不同的工序形成遮光层的情况相比较，有使制造工序简化这样的优点。
在本发明的优选的方式中，具备由光反射性的导电材料的第二布线层形成并反射向基体侧的光的反射层，周边布线包含由第二布线层形成的第二布线。根据以上的构成，能够使向基体侧行进的外光在反射层反射。另外，第二布线与反射层均由第二布线层形成，所以能够以共用的工序一并地形成。因此，与利用与第二布线的形成不同的工序形成反射层的情况相比较，有使制造工序简化这样的优点。
在本发明的优选的方式中，俯视时第二区域的宽度比第一区域的宽度大。根据以上的构成，与俯视时第二区域的宽度比第一区域的宽度小的构成相比较，形成了周边布线的区域变宽，降低周边布线的电阻这样的效果特别显著。
在本发明的优选的方式中，具备形成在第二电极的面上并密封发光元件的密封层，密封层的周缘位于俯视时位于第一区域的与显示区域相反的一侧的第三区域内，周边布线遍及第一区域和第三区域形成。在以上的构成中，具备密封发光元件的密封层，所以发光元件的密封性能提高。另外，在本发明中，以除了遍及第一区域还遍及第三区域的方式形成周边布线。即，与仅在第一区域内形成周边布线的构成相比较，充分地确保周边布线的面积。因此，降低周边布线的电阻这样的效果特别显著。
在本发明的优选的方式中，俯视时第三区域的宽度比第一区域的宽度大。根据以上的构成，与俯视时第三区域的宽度比第一区域的宽度小的构成相比较，能够形成周边布线的区域变宽，降低周边布线的电阻这样的效果特别显著。
以上的各方式所涉及的发光装置例如作为显示装置利用于各种电子设备。具体而言，头戴式显示装置、拍摄装置的电子取景器等能够作为本发明的电子设备的优选例例示，但本发明的应用范围并不限定于以上的例示。
附图说明
图1是本发明的第一实施方式的发光装置的俯视图。
图2是像素的电路图。
图3是发光装置的剖视图。
图4是发光装置的剖视图。
图5是形成在基板上的各要素的说明图。
图6是形成在基板上的各要素的说明图。
图7是形成在基板上的各要素的说明图。
图8是形成在基板上的各要素的说明图。
图9是形成在基板上的各要素的说明图。
图10是第一电源导电体以及第二电源导电体的示意图。
图11是形成在基板上的各要素的位置关系的说明图。
图12是第二导电体的效果的说明图。
图13是形成于周边区域的各导通孔的俯视图。
图14是对比例中的形成于周边区域的导通孔的附近的剖视图。
图15是本发明的第一实施方式以及对比例中的发光功能层的周缘的附近的剖视图。
图16是密封体以及滤光层的剖视图。
图17是密封体以及滤光层的俯视图。
图18是对比例中的密封体以及滤光层的剖视图。
图19是第二实施方式中的密封体以及滤光层的剖视图。
图20是变形例中的密封体以及滤光层的剖视图。
图21是变形例中的发光功能层的俯视图。
图22是作为电子设备的一个例子的头戴式显示装置的示意图。
具体实施方式
第一实施方式
图1是本发明的第一实施方式所涉及的发光装置100的俯视图。第一实施方式的发光装置100是在基板10的面上形成了利用了有机EL材料的发光元件的有机EL装置。基板10是由硅(silicon)等半导体材料形成的板状部件(半导体基板)，作为形成了多个发光元件的基体(基底)被利用。
如图1所例示，在基板10的表面划定显示区域12、周边区域14以及安装区域16。显示区域12是排列有多个像素P的矩形区域。在显示区域12形成有向X方向延伸的多条扫描线22、与各扫描线22对应地向X方向延伸的多条控制线24、以及向与X方向交叉的Y方向延伸的多条信号线26。与多条扫描线22和多条信号线26的各交叉对应地形成像素P。因此，多个像素P遍及X方向以及Y方向排列成矩阵状。
周边区域14是包围显示区域12的矩形框状的区域。在周边区域14设置有驱动电路30。驱动电路30是驱动显示区域12内的各像素P的电路，并包含2个扫描线驱动电路32和信号线驱动电路34而构成。第一实施方式的发光装置100是由直接地形成于基板10的表面的晶体管等有源元件构成驱动电路30的电路内置型的显示装置。此外，也可以在周边区域14内形成不直接有助于图像显示的虚拟像素。
安装区域16是隔着周边区域14与显示区域12相反的一侧(即周边区域14的外侧)的区域，排列有多个安装端子36。从控制电路、电源电路等各种外部电路(图示省略)向各安装端子36供给控制信号、电源电位。外部电路例如被安装于与安装区域16接合的挠性的布线基板(图示省略)。
图2是显示区域12内的各像素(像素电路)P的电路图。如图2所例示，像素P包含发光元件45、驱动晶体管TDR、发光控制晶体管TEL、选择晶体管TSL以及电容元件C而构成。此外，在第一实施方式中，使像素P的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)为P沟道型，但也能够利用N沟道型的晶体管。
发光元件45是使包括有机EL材料的发光层的发光功能层46夹在第一电极(阳极)E1和第二电极(阴极)E2之间的电光学元件。第一电极E1按照每个像素P分别独立地形成，第二电极E2遍及多个像素P连续。由图2可知，发光元件45配置在连结第一电源导电体41和第二电源导电体42的电流路径上。第一电源导电体41是供给高位侧的电源电位(第一电位)VEL的电源布线，第二电源导电体42是供给低位侧的电源电位(第二电位)VCT的电源布线。
驱动晶体管TDR和发光控制晶体管TEL在连结第一电源导电体41和第二电源导电体42的电流路径上以与发光元件45串联的方式配置。具体而言，驱动晶体管TDR的一对电流端中的一方(源极)与第一电源导电体41连接。发光控制晶体管TEL作为控制驱动晶体管TDR的一对电流端中的另一方(漏极)和发光元件45的第一电极E1的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。驱动晶体管TDR生成与自身的栅极-源极间的电压对应的电流量的驱动电流。在将发光控制晶体管TEL控制为接通状态的状态下，驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL被供给至发光元件45，从而发光元件45以与驱动电流的电流量对应的亮度发光。在将发光控制晶体管TEL控制为截止状态的状态下，切断针对发光元件45的驱动电流的供给，从而发光元件45熄灭。发光控制晶体管TEL的栅极与控制线24连接。
图2的选择晶体管TSL作为控制信号线26和驱动晶体管TDR的栅极的导通状态(导通/非导通)的开关发挥作用。选择晶体管TSL的栅极与扫描线22连接。另外，电容元件C是使电介质夹在第一电极C1和第二电极C2之间的静电电容。第一电极C1与驱动晶体管TDR的栅极连接，第二电极C2与第一电源导电体41(驱动晶体管TDR的源极)连接。因此，电容元件C保持驱动晶体管TDR的栅极-源极间的电压。
信号线驱动电路34在每个写入期间(水平扫描期间)对多条信号线26并列地供给与从外部电路供给的图像信号按照每个像素P所指定的灰度对应的灰度电位(数据信号)。另一方面，各扫描线驱动电路32向各扫描线22供给扫描信号，从而在每个写入期间依次地选择多条扫描线22的每一条。与扫描线驱动电路32选择出的扫描线22对应的各像素P的选择晶体管TSL移至接通状态。因此，经由信号线26和选择晶体管TSL向各像素P的驱动晶体管TDR的栅极供给灰度电位，使电容元件C保持与灰度电位对应的电压。另一方面，若写入期间内的扫描线22的选择结束，则各扫描线驱动电路32向各控制线24供给控制信号，从而将与该控制线24对应的各像素P的发光控制晶体管TEL控制为导通状态。因此，与在之前的写入期间被电容元件C保持的电压对应的驱动电流从驱动晶体管TDR经由发光控制晶体管TEL供给至发光元件45。如以上各发光元件45以与灰度电位对应的亮度发光，从而图像信号指定的任意的图像显示于显示区域12。
以下详述第一实施方式的发光装置100的具体的结构。此外，为了方便说明，在以下的说明中参照的各附图中，使各要素的尺寸、比例与实际的发光装置100不同。图3以及图4是发光装置100的剖视图，图5～图9是着眼于一个像素P来图示在形成发光装置100的各要素的各阶段中的基板10的表面的样子的俯视图。与图5～图9的包含III－III线的剖面对应的剖视图相当于图3，与图5～图9的IV－IV线的剖面对应的剖视图相当于图4。此外，图5～图9是俯视图，但从使各要素的视觉掌握容易化的观点考虑，为了方便，对与图3或者图4共用的各要素附加与图3或者图4同方式的阴影线。
由图3、图4以及图5可知，在由硅等半导体材料形成的基板10，形成有像素P的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的能动区域10A(源极/漏极区域)。向能动区域10A注入离子。像素P的各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的活性层存在于源极区域与漏极区域之间，注入与能动区域10A不同种类的离子，但为了方便省略了图示。如图3以及图4所示，形成有能动区域10A的基板10的表面被绝缘膜L0(栅极绝缘膜)覆盖，各晶体管T的栅极G(GDR、GEL、GSL)形成在绝缘膜L0的面上。各晶体管T的栅极G隔着绝缘膜L0与活性层对置。图4图示了选择晶体管TSL的栅极GSL、驱动晶体管TDR的栅极GDR以及发光控制晶体管TEL的栅极GEL。
由图3以及图4可知，在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘膜L0的面上形成有交替地层叠了多个绝缘层L(LA～LE)和多个布线层W(WA～WE)的多层布线层。各布线层W由含有铝、银等的低电阻的导电材料形成。各绝缘层L由例如硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。此外，在以下的说明中，将通过选择性地除去导电层(单层或者多层)而以同一工序一并地形成多个要素的关系记载为“由同层形成”。
绝缘层LA形成在形成有各晶体管T的栅极G的绝缘膜L0的面上。由图3、图4以及图6可知，在绝缘层LA的面上，由同层(布线层WA)形成有包含扫描线22、控制线24、以及多个中继电极QA(QA1、QA2、QA3、QA4)的导体图案。扫描线22以及控制线24彼此隔着间隔并遍及多个像素P在X方向呈直线状地延伸。具体而言，如图6所例示，扫描线22以通过选择晶体管TSL的栅极GSL的上方以及驱动晶体管TDR的栅极GDR的上方的方式形成，且经由贯通绝缘层LA的导通孔(接触孔)HA1与选择晶体管TSL的栅极GSL导通。导通孔HA1以在俯视时与选择晶体管TSL的栅极GSL以及活性层重叠的方式形成。另一方面，控制线24以通过发光控制晶体管TEL的栅极GEL的上方的方式形成，且经由贯通绝缘层LA的导通孔HA2与发光控制晶体管TEL的栅极GEL导通。导通孔HA2以在俯视时与发光控制晶体管TEL的栅极GEL以及活性层重叠的方式形成。
中继电极QA1是连接选择晶体管TSL的能动区域10A和驱动晶体管TDR的栅极GDR的布线，如图6所例示，在俯视时位于扫描线22与控制线24之间。具体而言，由图4以及图6可知，中继电极QA1经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA3与选择晶体管TSL的能动区域10A导通，并且经由绝缘层LA的导通孔HA4与驱动晶体管TDR的栅极GDR导通。另外，由图6可知，中继电极QA2经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA5与选择晶体管TSL的能动区域10A导通。中继电极QA3经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA6与驱动晶体管TDR的能动区域10A(源极)导通。中继电极QA4经由贯通绝缘层LA和绝缘膜L0的导通孔HA7与发光控制晶体管TEL的能动区域10A(漏极)导通。由图6可知，选择晶体管TSL、驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL分别以沟道长沿Y方向的方式形成。另外，驱动晶体管TDR和发光控制晶体管TEL沿Y方向排列，选择晶体管TSL配置于相对于驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL向X方向(在图6中为X方向的负侧)偏移的位置。
绝缘层LB形成在形成有布线层WA的绝缘层LA的面上。由图3、图4以及图7可知，在绝缘层LB的面上由同层(布线层WB)形成有包含信号线26、第一电极C1以及多个中继电极QB(QB1、QB2)的导体图案。信号线26遍及多个像素P在Y方向上呈直线状延伸，通过绝缘层LA与扫描线22以及控制线24电绝缘。具体而言，信号线26以通过选择晶体管TSL的能动区域10A(源极，漏极)以及活性层的上方和与驱动晶体管TDR的栅极GDR导通的中继电极QA1的上方的方式形成，且沿选择晶体管TSL的沟道长的方向(Y方向)延伸并且在俯视时与选择晶体管TSL重叠。另外，信号线26形成在比各晶体管T(TDR、TEL、TSL)的能动区域10A(源极、漏极)、各晶体管T的栅极G靠上层。由图7可知，布线层WB的信号线26经由贯通绝缘层LB的导通孔HB1与布线层WA的中继电极QA2导通。即，信号线26与选择晶体管TSL的能动区域10A(源极)经由中继电极QA2连接。图7的布线层WB的第一电极C1经由贯通绝缘层LB的导通孔HB2与布线层WA的中继电极QA1导通。即，电容元件C的第一电极C1与驱动晶体管TDR的栅极GDR经由中继电极QA1连接。图7的布线层WB的中继电极QB1经由绝缘层LB的导通孔HB3与布线层WA的中继电极QA3导通，且布线层WB的中继电极QB2经由绝缘层LB的导通孔HB4与布线层WA的中继电极QA4导通。
绝缘层LC形成在形成有布线层WB的绝缘层LB的面上。由图3、图4以及图8可知，在绝缘层LC的面上由同层(布线层WC)形成有包含第二电极C2的导体图案。第二电极C2形成为在俯视(即，从与基板10的表面垂直的方向观察的状态)时与第一电极C1重复的形状以及位置。由图3可知，由第一电极C1以及第二电极C2和两者间的绝缘层LC构成电容元件C。如图8所例示，电容元件C(第一电极C1、第二电极C2)以在俯视时与驱动晶体管TDR以及发光控制晶体管TEL重叠的方式设置。
如图3以及图4所例示，绝缘层LD形成在形成有布线层WC的绝缘层LC的面上。在绝缘层LD的表面执行平坦化处理。在平坦化处理中任意地采用化学机械研磨(CMP：Chemical Mechanical Polishing)等公知的表面处理技术。如图3以及图4所例示，在平坦化处理中被高度地平坦化的绝缘层LD的表面上由同层(布线层WD)形成有包含第一电源导电体41、第二电源导电体42以及中继电极QD1的导体图案。如图3所示，第一电源导电体41与第二电源导电体42彼此分离地形成且电绝缘。第一电源导电体41经由多层布线层内的布线(省略图示)，与供给高位侧的电源电位VEL的安装端子36导通。同样，第二电源导电体42(第二布线)经由多层布线层内的布线(省略图示)，与供给低位侧的电源电位VCT的安装端子36导通。第一实施方式的布线层(第二布线层)WD例如由含有银、铝的光反射性的导电材料形成为例如100nm左右的膜厚。
图10是第一电源导电体41和第二电源导电体42的俯视图。第一电源导电体41如上述是供给高位侧的电源电位VEL的电源布线，如图10所示，遍及显示区域12的大致整个区域形成为面状的大致矩形形状的实心图案。所谓的实心图案不是线状或者带状的图案、或其组合(例如格子状)的图案，而是指以全部涂满显示区域12的大致整个面的方式实际上无缝隙地均匀地连续的面状(即实心状)的图案。此外，也可以按照每个像素P分别独立地形成第一电源导电体41。
由图4以及图9可知，形成在显示区域12内的第一电源导电体41按照每个像素P经由贯通绝缘层LD和绝缘层LC的导通孔HD1与中继电极QA3导通。即，由图4可知，作为驱动晶体管TDR的源极发挥作用的能动区域10A经由中继电极QA3以及中继电极QB1与第一电源导电体41连接。另外，如图9所例示，第一电源导电体41经由绝缘层LD的导通孔HD2与电容元件C的第二电极C2连接。即，在驱动晶体管TDR的栅极GDR与源极(第一电源导电体41)之间夹有电容元件C。此外，也能够在绝缘层LD形成多个导通孔HD2，而第一电源导电体41和电容元件C的第二电极C2在多个位置连接。
如图9所例示，在第一电源导电体41按照每个像素P形成有开口部41A。在各开口部41A的内侧由与第一电源导电体41以及第二电源导电体42同层形成有中继电极QD1。中继电极QD1与第一电源导电体41彼此分离地形成且电绝缘。由图4以及图9可知，中继电极QD1经由贯通绝缘层LD和绝缘层LC的导通孔HD3与中继电极QB2导通。此外，在将显示区域12的面积除以显示区域12中的像素P的总数得到的面积作为一个像素P的面积的情况下，各开口部41A的面积形成为各像素P的面积的20％以下。例如，在使像素P形成为横向2.5μm×纵向7.5μm的矩形形状的构成中，开口部41A形成为横向0.9μm×纵向0.9μm的尺寸(像素P的大约4％的面积)。
第二电源导电体42形成在周边区域14内，如上述是供给低位侧的电源电位VCT的电源布线，如图10所示，本实施方式的第二电源导电体42形成为在俯视时包围第一电源导电体41(显示区域12)的矩形框状(封闭图形)。第二电源导电体42的宽度(从内周缘到外周缘的距离)例如为1.5mm。图11是形成在绝缘层LD的面上的各要素的位置关系的说明图。图10中的区域α的放大图与图11的各部分((A)～(D))对应。由图10和图11的部分(A)可知，俯视时显示区域12与周边区域14的边界位于被第一电源导电体41的周缘和第二电源导电体42的内周缘包围的区域。
如图3以及图4所例示，绝缘层LE形成在形成有布线层WD的绝缘层LD的面上。在绝缘层LE的面上由同层(布线层WE)形成有包含图3所示的第二导电体58和图4所示的中继电极QE1的导体图案。布线层(第一布线层)WE例如由遮光性的导电材料(例如氮化钛)形成。
中继电极QE1经由贯通绝缘层LE的导通孔与中继电极QD1导通。由图4可知，中继电极QE1以在俯视时与第一电源导电体41的开口部41A重复的方式形成。即，中继电极QE1的外周缘在俯视时位于开口部41A的内周缘的外侧。中继电极QE1由遮光性的导电材料形成，所以通过中继电极QE1防止针对多层布线层的来自开口部41A的外光的侵入。因此，中继电极QE1作为遮光层发挥作用，有能够防止由光照射引起的各晶体管T的电流泄漏这样的优点。
如图10以及图11的部分(B)所示，第二导电体58(第一布线)形成在第一电源导电体41以及第二电源导电体42的面上。在图10中以实线图示第二导电体58的一部分，以点划线表现另外的一部分的外形。由图10可知，第二导电体58形成为与第二电源导电体42类似的环状(矩形框状)，且形成为在俯视时与第一电源导电体41以及第二电源导电体42双方重叠的带状。具体而言，俯视时第二导电体58的内周缘位于第一电源导电体41的周缘的内侧。即，第二导电体58与第一电源导电体41中周缘的附近的区域重叠。另外，俯视时第二导电体58的外周缘位于第二电源导电体42的外周缘的外侧。即，俯视时第二导电体58与第二电源导电体42的整个区域重叠。由以上的说明可知，俯视时第二导电体58与第一电源导电体41和第二电源导电体42的间隙的区域(即显示区域12与周边区域14的边界的附近的区域)重叠。
将不形成第二导电体58的构成假定为对比例(以下称为“对比例1”)。图12是对比例1中的第一电源导电体41以及第二电源导电体42的剖视图(显示区域12与周边区域14的边界的附近的剖视图)。由图12可知，在对比例1中，在形成覆盖第一电源导电体41以及第二电源导电体42的绝缘层LE后，第一电源导电体41以及第二电源导电体42的缘端部(角部)e从绝缘层LE露出，存在对第一电源导电体41、第二电源导电体42产生损伤、腐蚀的可能性。另一方面，在第一实施方式中，以与第一电源导电体41以及第二电源导电体42的间隙重叠(覆盖第一电源导电体41、第二电源导电体42的缘端部e)的方式形成第二导电体58，所以有能够防止由从绝缘层LE的露出引起的第一电源导电体41以及第二电源导电体42的损伤、腐蚀这样的优点。
如图3以及图11的部分(B)所示，第二导电体58经由贯通绝缘层LE的导通孔HE1与第二电源导电体42导通。图13是形成于周边区域14的各导通孔(HE1、HF1、HG1)的俯视图。如图13所示，导通孔HE1是除去了绝缘层LE中在俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域的贯通孔。导通孔HE1形成在俯视时与第二电源导电体42重叠的区域中的第一区域S1内。如图13所示，第一区域S1在俯视时是矩形框状的区域，如图11的部分(D)所示，在周边区域14位于第二电源导电体42的内周缘与外周缘之间。第一区域S1的宽度(从内周缘到外周缘的距离)例如为0.3mm。第二导电体58经由导通孔HE1遍及周边区域14的全周与第二电源导电体42导通。
如图3以及图4所例示，在形成有布线层WE的绝缘层LE的面上形成有光路调整层60。光路调整层60是用于按照像素P的显示颜色分别独立地设定共振结构的共振波长(即显示颜色)的要素，由硅化合物(典型的是氮化硅、氧化硅)等透光性的绝缘材料形成。具体而言，通过根据光路调整层60的膜厚适当地调整构成共振结构的第一电源导电体41与第二电极E2之间的光路长(光学距离)来按照显示颜色设定各像素P的射出光的共振波长。
如图3所例示，在光路调整层60的面上，由同层形成有显示区域12内的每个像素P的第一电极E1和周边区域14内的第一导电体63。第一电极E1和第一导电体63例如由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性的导电材料形成。如参照图2所说明的那样，第一电极E1是作为发光元件45的阳极发挥作用的大致矩形形状的电极(像素电极)，如图4所示，经由贯通光路调整层60的导通孔与中继电极QE1导通。即，第一电极E1经由多层布线层的各中继电极(QE1、QD1、QB2、QA4)与发光控制晶体管TEL的能动区域10A(漏极)导通。
第一导电体63形成为与第二导电体58类似的环状(矩形框状)。如图11的部分(C)所示，第一导电体63的内周缘位于第二导电体58的内周缘的内侧(基板10的周缘侧)，且第一导电体63的外周缘位于第二导电体58的外周缘的内侧。如图3以及图11的部分(C)所示，第一导电体63经由贯通光路调整层60的导通孔HF1与第二导电体58导通。如图13所示，导通孔HF1是除去了光路调整层60中在俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域的贯通孔。导通孔HF1与导通孔HE1相比位于显示区域12侧。第一导电体63经由导通孔HF1遍及周边区域14的全周与第二导电体58导通。
如图3所例示，在形成有第一电极E1和第一导电体63的光路调整层60的面上遍及基板10的整个区域形成有像素定义层65。像素定义层65例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成。由图3可知，在像素定义层65形成有与显示区域12内的各第一电极E1对应的开口部65A。
如图3以及图4所例示，在形成有第一电极E1、第一导电体63以及像素定义层65的光路调整层60的面上形成有发光功能层46。发光功能层46包含由有机EL材料形成的发光层而构成，且通过电流的供给放射白色光。发光层利用印刷技术、蒸镀技术等公知的成膜技术形成。白色光是具有遍及蓝色的波长范围、绿色的波长范围以及红色的波长范围的光谱的光，在可见光的波长范围内至少观测到两个峰值。此外，也能够使向发光层供给的电子、空穴的输送层或者注入层包含于发光功能层46。
如图3所示，发光功能层46遍及显示区域12内的多个像素P连续，且周缘48在俯视时位于周边区域14。具体而言，如图11的部分(D)所示，发光功能层46的周缘48位于第二区域S2内。第二区域S2是俯视时位于第一区域S1的显示区域12侧的矩形框状的区域。在发光功能层46的周缘48的位置可能产生制造上的误差。在发光功能层46的形成采用了制造精度比较低的印刷技术等成膜技术的情况下，周缘48的位置的误差特别显著。第二区域S2是以包含周缘48的位置的误差范围的方式确保的区域(制造差值(margin))。具体而言，第二区域S2的宽度设定为第一区域S1的两倍左右的宽度(例如0.6mm)，优选为第一区域S1的一倍以上三倍以下。
如图11的部分(B)～部分(D)所示，发光功能层46的周缘48与第二导电体58重叠。具体而言，周缘48的全周俯视时与矩形框状的第二导电体58重叠。在发光功能层46的周缘48的一部分与第二导电体58重叠，另外的一部分不与第二导电体58重叠的构成中，存在反映了第二导电体58的膜厚的阶梯差出现在发光功能层46的表面的可能性。在本实施方式中，周缘48的全周与单一的部件(第二导电体58)重叠，所以存在降低发光功能层46的表面的阶梯差这样的优点。
在形成有发光功能层46的光路调整层60的面上遍及显示区域12的整个区域形成有第二电极E2。如图11的部分(D)所示，第二电极E2经由像素定义层65的导通孔HG1与第一导电体63导通。如图13所示，导通孔HG1是除去了像素定义层65中在俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域的贯通孔，位于周边区域14的第一区域S1内。第二电极E2经由导通孔HG1遍及周边区域14的全周与第一导电体63导通。导通孔HG1与导通孔HF1相比位于显示区域12侧。
由图3以及图11可知，第二电源导电体42与第二导电体58经由导通孔HE1连接，第二导电体58与第一导电体63经由导通孔HF1连接，第一导电体63与第二电极E2经由导通孔HG1连接。因此，供给到第二电源导电体42的低位侧的电源电位(第二电位)VCT经由第二导电体58和第一导电体63被供给至第二电极E2。另外，第二电源导电体42与第二电极E2的连接所利用的各导通孔(HE1、HF1、HG1)在俯视时形成在矩形框状的第一区域S1内。换句话说，如图11所示，将在俯视时由导通孔HE1的外周缘与导通孔HG1的内周缘包围的区域划定为第一区域S1。此外，在以下的说明中将形成于周边区域14且与第二电极E2连接的布线记载为“周边布线D”。如图3所例示，第一实施方式的周边布线D包含第二电源导电体42、第二导电体58以及第一导电体63。
如图3所例示，在发光功能层46中像素定义层65的各开口部65A的内侧被第一电极E1与第二电极E2夹持的区域(发光区域)发光。即，在开口部65A的内侧层叠了第一电极E1、发光功能层46以及第二电极E2的部分作为发光元件45发挥作用。由以上的说明可知，像素定义层65规定各像素P的发光元件45的平面形状、尺寸(实际上发光的区域)。第一实施方式的发光装置100是非常高精细地配置了发光元件45的微型显示器。例如一个发光元件45的面积(一个开口部65A的面积)设定为40μm2以下，将在X方向彼此相邻的各发光元件45的间隔设定为1.5μm以下。
第二电极E2作为使到达表面的光的一部分透过并且使剩余的反射的性质(半透光反射性)的半透光反射层发挥作用。例如，通过将含有银、镁的合金等的光反射性的导电材料形成为充分薄的膜厚来形成半透光反射性的第二电极E2。来自发光功能层46的放射光在第一电源导电体41与第二电极E2之间往复，在选择性地放大了特定的共振波长的成分后透过第二电极E2并向观察侧(与基板10相反的一侧)射出。即，在作为反射层发挥作用的第一电源导电体41与作为半透光反射层发挥作用的第二电极E2之间形成使来自发光功能层46的射出光共振的共振结构。
如上所述，第二电极E2与第一导电体63的导通用的导通孔HG1形成于第一区域S1，发光功能层46的周缘48位于比第一区域S1靠显示区域12侧的第二区域S2内。因此，如图3以及图11所示，发光功能层46与导通孔HG1俯视时相互不重叠。
图14是导通孔HG1与发光功能层46在俯视时重叠的构成(以下称为“对比例2”)的说明图。在对比例2中，在导通孔HG1内的区域U中，在第二电极E2与第一导电体63之间夹有发光功能层46。因此，在对比例2中，存在第二电极E2与第一导电体63的导通不充分的可能性。如上述，在发光功能层46的周缘48的位置可能产生制造误差。在因制造误差而区域U扩大的情况下(第二电极E2与第一导电体63的接触面积减少的情况下)，第二电极E2与第一导电体63的导通的不足特别显著化。另一方面，在第一实施方式中，发光功能层46与导通孔HG1不重叠，所以发光功能层46与第一导电体63不接触。因此，第二电极E2与第一导电体63经由导通孔HG1充分地连接。
另外，如上述，导通孔HG1在俯视时与导通孔HF1相比位于显示区域12侧，导通孔HF1与导通孔HE1相比位于显示区域12侧。换句话说，如图11以及图13所示，导通孔HE1、导通孔HF1以及导通孔HG1形成于俯视时彼此偏离的位置。图15的部分(A)是放大了本实施方式所涉及的导通孔HG1和导通孔HF1的剖视图。另一方面，图15的部分(B)例示了俯视时导通孔HG1与导通孔HF1重叠的构成(以下称为“对比例3”)。如图15的部分(B)所示，在俯视时导通孔HG1与导通孔HF1重复的情况下，在第二电极E2中位于导通孔HG1的外侧的区域的表面与进入导通孔HG1的内侧的区域的表面之间产生与光路调整层60的膜厚与像素定义层65的膜厚的合计相当的高度的阶梯差R。因此，在覆盖第二电极E2的各层，可能产生反映了第二电极E2的表面的阶梯差R的阶梯差(凹凸)。另一方面，在第一实施方式中，如图15的部分(A)所示，俯视时导通孔HG1与导通孔HF1不重叠。因此，与对比例3比较有降低第二电极E2的表面的阶梯差这样的优点。同样地，在本实施方式中，导通孔HE1与导通孔HF1俯视时形成于偏离的位置，所以不产生与像素定义层65的膜厚与绝缘层LE的膜厚的合计相当的阶梯差。因此，能够降低第一导电体63的表面的阶梯差。
若仅考虑第二电极E2与第二电源导电体42的导通，则第二电源导电体42仅存在于第一区域S1内即可。但是，在第一实施方式中，如图11的部分(D)所示，以遍及第一区域S1以外，还遍及作为发光功能层46的制造差值来确保的第二区域S2的方式形成第二电源导电体42。根据以上的构成，与仅在第一区域S1内形成第二电源导电体42的构成相比较充分地确保第二电源导电体42的面积，所以有降低第二电源导电体42的电阻这样的优点。因电阻的降低而抑制第二电源导电体42中的电压下降，所以供给至显示区域12内的各像素P的电位VCT被均匀化，有降低由电位VCT的误差引起的显示不均这样的优点。
如图3所示，在第二电极E2的面上遍及基板10的整个区域形成有密封体70。此外，在图4中为了方便省略了密封体70的图示。密封体70是通过密封形成在基板10上的各要素来防止外部空气、水分的侵入的透光性的膜体，由第一密封层71、第二密封层72以及第三密封层73的层叠构成。在第三密封层73的面上形成第一密封层71，在第一密封层71以及第三密封层73的面上形成第二密封层72。
密封体70的第三密封层73形成在第二电极E2的面上并与第二电极E2的表面直接接触。由图3可知，第三密封层73遍及包含显示区域12和周边区域14的基板10的整个区域而形成。第三密封层73例如由硅化合物(典型的为氮化硅、氧化硅)等绝缘性的无机材料形成为例如200nm～400nm左右的膜厚。第三密封层73优选形成为光路调整层60的膜厚差(例如120nm)以上的膜厚。第三密封层73的形成中，优选利用等离子体CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法或者ECR(Electron Cyclotron Resonance：电子回旋共振)等离子体溅射法、离子镀法等高密度等离子体成膜技术。也可以通过在氮气环境中蒸镀氧化硅来形成硅酸氮化物的第三密封层73。另外，作为第三密封层73的材料也能够采用以氧化钛等金属氧化物为代表的无机氧化物。
第一密封层71是密封发光元件45的要素，如图3所示，包含密封面82和侧端面84而构成。密封面82是第一密封层71的上表面(和与第三密封层73的接触面相反的一侧的面)中，与发光元件45重叠的面。侧端面84是与密封面82连续的面，且在俯视时位于密封面82的外侧并且相对于密封面82倾斜。侧端面84包含密封面82侧的上侧周缘86和基板10侧的下侧周缘88，以越接近下侧周缘88膜厚越小的方式形成。如图11的部分(D)所示，俯视时第一密封层71的下侧周缘88位于第一区域S1的基板10的周缘侧(与显示区域12相反的一侧)的第三区域S3内。第三区域S3是规定的宽度的矩形框状的区域。在第一密封层71的下侧周缘88的位置可能产生制造上的误差。第一密封层71的形成采用了制造精度比较低的印刷技术等成膜技术的情况下，下侧周缘88的位置的误差特别显著。第三区域S3是以包含下侧周边88的位置的误差范围的方式确保的区域(制造差值)。具体而言，第三区域S3的宽度设定为第一区域S1的两倍左右的宽度(例如0.6mm)，优选为第一区域S1的一倍以上三倍以下。
如图11的部分(B)～部分(D)所示，下侧周缘88与第二导电体58重叠。具体而言，与发光功能层46的周缘48相同，俯视时下侧周缘88的全周与矩形框状的第二导电体58重叠。因此，对于发光功能层46与上述相同，与下侧周缘88的一部分与第二导电体58重叠而另外的一部分不与第二导电体58重叠的构成相比较，能够降低第一密封层71(下侧周缘88)的表面的阶梯差。
如上述，若仅考虑第二电极E2与第二电源导电体42的导通，则第二电源导电体42仅存在于第一区域S1内即可。但是，在第一实施方式中，如图11的部分(D)所示，以遍及第一区域S1以外，还遍及作为第一密封层71的制造差值确保的第三区域S3的方式形成第二电源导电体42。根据以上的构成，与仅在第一区域S1内形成了第二电源导电体42的构成相比较充分地确保第二电源导电体42的面积，所以有降低第二电源导电体42的电阻这样的优点。因电阻的降低而抑制在第二电源导电体42的电压下降，所以供给至显示区域12内的各像素P的电位VCT被均匀化，有降低由电位VCT的误差引起的显示不均这样的优点。
第一密封层71作为填补第二电极E2、第三密封层73的表面的阶梯差的平坦化膜发挥作用。即，虽然在第二电极E2、第三密封层73的表面形成有反映了下方(基板10侧)的各要素的形状的阶梯差，但第一密封层71的密封面82是充分地降低了阶梯差的大致平面。也可以说第一密封层71的密封面82比下表面(即与第三密封层73的接触面)平坦。例如，第一密封层71覆盖形成于第一区域S1的各导通孔(HE1、HF1、HG1)，使因该导通孔而在第一区域S1的面上(第二电极E2、第三密封层73)产生的阶梯差平坦化。为了实现以上所说明的平坦化的功能，第一密封层71形成为与第二密封层72以及第三密封层73相比较充分厚的膜厚(例如1μm～5μm，特别优选3μm)。第一密封层71通过以公知的涂覆技术(例如印刷法、旋涂法)在第二密封层72的表面涂覆例如环氧树脂等透光性的有机材料的溶液并利用加热处理使其固化的工序来形成。此外，第一密封层71的材料并不限定于有机材料。例如也能够通过以印刷法等涂覆技术涂覆氧化硅等无机材料并使其干燥来形成对平坦化充分的膜厚的第一密封层71。第一密封层71以遍及与形成了发光功能层46的区域相比较更宽广的区域连续，且至少覆盖发光功能层46的方式形成。另外，也能够采用第一密封层71覆盖第二电极E2的构成。
由图3可知，第二密封层72遍及包含显示区域12和周边区域14的基板10的整个区域形成。第二密封层72例如由耐水性、耐热性优异的无机材料形成为例如300nm～700nm左右(特别优选400nm左右)的膜厚。优选例如氮化物(硅氮化物、硅氧化物、硅酸氮化物)作为第三密封层73的材料。第二密封层72的形成能够任意地采用针对第三密封层73例示的公知的成膜技术。以上是密封体70的具体的构成。
在密封体70(第二密封层72)的面上形成有滤光层90。这里，在图16中，滤光层90层叠在密封体70(第二密封层72)的面上。图16是密封体70以及滤光层90(绝缘层92、彩色滤光片94、保护部96)的剖视图，图17是俯视图。在图17中滤光层90(保护部96)的一部分以实线图示，另外的一部分的外形以点划线表现。此外，在图3、图4中，为了方便省略了滤光层90的图示。
滤光层90包含绝缘层92、多个彩色滤光片94以及保护部96。绝缘层92是形成在第二密封层72的面上的绝缘性的部件，遍及基板10的整个区域形成。如图16所示，在显示区域12的绝缘层92按照每个像素P形成有开口部(第一开口部)92A，在周边区域14的绝缘层92形成有开口部(第二开口部)92B。如图17所示，开口部92B形成为俯视时包围显示区域12的矩形框状的区域。
彩色滤光片94与保护部96由使特定的波长的光透过的着色层K(KR、KG、KB)形成。具体而言，第一实施方式的各彩色滤光片94以及保护部96由使不同的波长的光透射的多个着色层K(KR、KG、KB)构成。第一着色层KR使波长大约610nm的红色光透过，第二着色层KG使波长大约550nm的绿色光透射，第三着色层KB使波长大约470nm的蓝色光透过。
第一实施方式的滤光层90包含使不同的波长的单色光透过的多个彩色滤光片94(94R、94G、94B)。第一彩色滤光片94R由第一着色层KR形成。同样地，第二彩色滤光片94G由第二着色层KG形成，第三彩色滤光片94B由第三着色层KB形成。各彩色滤光片94配置在按照每个像素P形成于绝缘层92的开口部92A的内侧且俯视时与各像素P的发光元件45重叠。具体而言，在红色的像素P(共振波长被设定为红色光的波长的像素P)的发光元件45重叠有第一彩色滤光片94R，在绿色的像素P的发光元件45重叠有第二彩色滤光片94G，在蓝色的像素P的发光元件45重叠有第三彩色滤光片94B。由图16可知，绝缘层92作为各彩色滤光片94的分隔壁发挥作用。来自各发光元件45的射出光在被与该发光元件45重叠的彩色滤光片94着色之后，向发光装置100的外部射出并被观测者视觉确认。此外，在图17中，例示了同颜色的多个像素P在Y方向上排列的条纹排列，但各显示颜色的像素P的排列的方式任意。
保护部96是使密封体70的密封性能提高的要素。如图16以及图17所示，保护部96以俯视时包围显示区域12全周的方式在周边区域14内形成为矩形框状。因此，显示区域12位于保护部96的内侧，安装区域16位于保护部96的外侧。即，在显示区域12与安装区域16之间存在保护部96。
保护部96俯视时与第一密封层71的侧端面84中位于基板10侧的下侧周缘88重叠。在周边区域14内密封体70的表面露出的构成中，存在水分、外部空气从第一密封层71与第一密封层71的基底面(第三密封层73)的边界部(下侧周缘88)进入并到达发光元件45的可能性。在本实施方式中，在第一密封层71的下侧周缘88重叠保护部96，所以能够防止水分、外部空气从第一密封层71的周缘进入。即，能够使第一密封层71的密封性能提高。
由16可知，第二密封层72中与上侧周缘86重叠的部分(以下称为“角部”)与第二密封层72中位于密封面82的面上的平坦的部分相比较存在容易受到外力而容易破损这样的问题。本实施方式的保护部96(第一层96R)在第二密封层72的面上与第一密封层71的上侧周缘86重叠(即覆盖第二密封层72的角部)。即，第二密封层72中容易破损的角部被保护部96保护。因此，有降低第二密封层72的角部破损的可能性(防止外部空气、水分从第二密封层72的破损部分进入)这样的优点。
如图16所示，第一实施方式的保护部96由第一层96R、第二层96G以及第三层96B的层叠构成。第一层96R形成在第二密封层72上。第二层96G重叠形成在第一层96R上，第三层96B重叠形成在第二层96G上。第一层96R由第一着色层KR形成。同样地，第二层96G由第二着色层KG形成，第三层96B由第三着色层KB形成。
如以上，第一彩色滤光片94R与保护部96的第一层96R由同层(第一着色层KR)形成。同样地，第二彩色滤光片94G与第二层96G由同层(第二着色层KG)形成，第三彩色滤光片94B与第三层96B由同层(第三着色层KB)形成。根据以上的构成，能够在形成各颜色的彩色滤光片94的工序中形成保护部96。即，不需要与彩色滤光片94的形成分别独立地执行形成保护部96的工序。因此，与分别独立地形成保护部96和彩色滤光片94的构成相比较，有发光装置的制造工序被简化这样的优点。
如图16所示，保护部96俯视时与周边区域14内的周边布线D(第二电源导电体42、第二导电体58、第一导电体63)重叠。在图16中，例示了保护部96与周边布线D的一部分(第二电源导电体42以及第一导电体63的全部和第二导电体58的一部分)重叠的构成。在外光进入了周边区域14的情况下，存在外光被周边布线D反射而被观测者察觉的可能性。在第一实施方式中，俯视时周边布线D与保护部96重叠，所以从观察侧朝向周边布线D的光、周边布线D的表面上的反射光被保护部96遮挡。因此，有周边布线D的表面上的反射光(观察侧的物体的摄入)难以被观察者察觉这样的优点。在第一实施方式中，特别是由红色的第一层96R、绿色的第二层96G以及蓝色的第三层96B的层叠形成保护部96，所以与例如由单层、双层形成保护部96的构成相比较，能够赋予保护部96充分的遮光性能。但是，也能够由单层、双层构成保护部96。
如图16所例示，在滤光层90的面上经由粘合层21接合有密封基板20。密封基板20是由例如玻璃、石英等形成的透光性的板状部件。粘合层21通过使涂覆于滤光层90的表面的粘合剂固化来形成。粘合剂的涂覆优选采用旋涂法等。具体而言，将固化前的粘合剂滴在基板10(滤光层90)上，并使基板10旋转从而使粘合剂流动而均匀地涂覆于滤光层90的表面(绝缘层92、第三层96B、各彩色滤光片94的表面)的整个区域。若滤光层90的表面形成有阶梯差，则因该阶梯差而阻碍滤光层90的表面的粘合剂的流动而粘合剂未均匀地涂覆，可能产生粘合层21的成膜不良。特别是，在滤光层90的表面形成的阶梯差越大越容易产生成膜不良。图18是不在绝缘层92形成开口部92B而在绝缘层92的面上形成保护部96的构成(以下称为“对比例4”)的说明图。在对比例4中，保护部96形成在绝缘层92的面上，所以在滤光层90的表面产生与保护部96的膜厚(第一层96R、第二层96G以及第三层96B的膜厚的和)对应的阶梯差。另一方面，在本实施方式中，如图16所示，保护部96形成于在绝缘层92所形成的开口部92B的内侧(比绝缘层92靠下层的第二密封层72的面上)。因此，在本实施方式中，在滤光层90的面上产生的阶梯差为保护部96的膜厚减去绝缘层92的膜厚的大小。即，与对比例4相比较在滤光层90的面上形成的阶梯差变小，粘合层21的成膜不良减少。
第二实施方式
对本发明的第二实施方式进行说明。此外，在以下所例示的各方式中对于作用、功能与第一实施方式相同的要素，挪用在第一实施方式的说明参照的符号并适当地省略各个详细的说明。
图19是形成在第二实施方式的密封体70的面上的滤光层90的说明图。如图19所例示，在第二实施方式的绝缘层92不形成第一实施方式所说明的开口部92B。第二实施方式的保护部96的各层(第一层96R、第二层96G、第三层96B)的周缘的位置关系与第一实施方式不同。相对于在第一实施方式中，保护部96的各层的周缘在俯视时重叠(即，各层的侧面处于同一水平面上)，在第二实施方式中，各层的周缘的平面位置在俯视时不同。
具体而言，如图19所示，第一层96R的内周缘与第二层96G的内周缘相比位于更靠显示区域12侧距离L1，第一层96R的外周缘与第二层96G的外周缘相比位于更靠基板10的周缘侧(与显示区域12相反的一侧)距离L3。即，第二层96G与第一层96R相比较形成为小面积而在俯视时包含于下面的形成了第一层96R的范围。同样地，第二层96G的内周缘与第三层96B的内周缘相比位于更靠显示区域12侧距离L2，第二层96G的外周缘与第三层96B的外周缘相比位于更靠基板10的周缘侧距离L4。因此，保护部96的内周缘侧的侧面以及外周缘侧的侧面形成为与各层的膜厚相当的阶梯差的阶梯状。距离L1～距离L4设定为适当的大小，但优选形成为第一层96R～第三层96B的膜厚以上的大小。例如，相对于膜厚大约1μm的第一层96R～第三层96B，能够将距离L1～距离L4形成为大约5μm。
在第二实施方式中，也实现与第一实施方式相同的效果。另外，例如，在绝缘层92的表面形成使第一层96R～第三层96B的侧面为同一面的保护部96的构成(例如，图18所示的对比例4)中，在滤光层90的表面产生与保护部96的各层(第一层96R、第二层96G、第三层96B)的膜厚的和相当的阶梯差。在第二实施方式中，由图19可知，滤光层90的表面的一个阶梯的阶梯差与构成保护部96的各层(96R、96G、96B)的膜厚相当，比保护部96的各层的膜厚的和小。如以上，根据第二实施方式，通过形成保护部96而滤光层90的表面(绝缘层92、第一层96R、第二层96G、第三层96B、各彩色滤光片94的表面)上所产生的各阶梯差(可能阻碍滴下的粘合剂的流动的阶梯差)与对比例4相比较变小。因此，根据本实施方式，在以旋涂法等在滤光层90的表面涂覆粘合剂的情况下，降低粘合剂的流动被滤光层90的阶梯差阻碍的可能性，结果减少粘合层21的成膜不良。
变形例
以上所例示的方式能够进行多样的变形。以下例示具体的变形的方式。能够将从以下的例示任意地选择的两个以上的方式适当地合并。
(1)根据降低滤光层90的表面的阶梯差这样的观点，如图20所示，也可以在绝缘层92上所形成的开口部92B的内侧形成与绝缘层92同程度的膜厚的保护部96。根据以上的构成，如图20所示，绝缘层92的表面与保护部96的表面大致位于同一面内，所以降低滤光层90的表面的阶梯差这样的效果特别显著。
然而，在粘合层21的形成采用了旋涂法的情况下，有在显示区域12内滴下的粘合剂流动而从显示区域12、周边区域14到达安装区域16的可能性。在粘合剂到达安装区域16并附着于各安装端子36的表面的情况下，存在安装端子36与外部电路的端子不充分地导通的可能性。在第一实施方式中，保护部96位于显示区域12与安装区域16之间，在滤光层90的表面出现与保护部96的膜厚对应的阶梯差。在以上的构成中，对安装区域16的粘合剂的流动被保护部96的阶梯差阻止，所以起到能够防止由粘合剂的附着引起的安装端子36与外部电路的端子的导通不良这样的效果。
(2)在上述的各方式中，例示了保护部96覆盖第一密封层71的侧端面84的构成，但第一密封层71与保护部96的位置关系并不限定于上述的例示。例如，也能够采用从第一密封层71的周缘(下侧周缘88)观察在基板10的周缘侧(与显示区域12相反的一侧)的区域形成了保护部96的构成(即俯视时保护部96不与第一密封层71重叠的构成)。另外，也能够采用在第一密封层71的密封面82上形成保护部96的构成(从第一密封层71的上侧周缘86观察保护部96位于显示区域12侧的区域的构成)。由以上的说明可知，在本发明中不管保护部96在俯视时是否与第一密封层71(第一密封层71的侧端面84)重叠。
(3)以上的各方式中的各要素能够适当地省略。例如，在上述的各方式中，使滤光层90构成为包含绝缘层92，但也能够从滤光层90中省略绝缘层92。另外，使密封体70构成为包含第一密封层71、第二密封层72以及第三密封层73，但能够适当地省略各层。例如省略第二密封层72的情况下，在第一密封层71的表面直接形成保护部96。另外，使保护部96构成为包含第一层96R、第二层96G以及第三层96B三层，但例如，也可以构成为包含第一层96R～第三层96B的任意一层或者两层。
(4)在以上的各方式中，例示了与第一密封层71的侧端面84以及周边布线D双方重叠的保护部96，但也能够采用使保护部96与侧端面84以及周边布线D的任意一个重叠的构成。
(5)在上述的各方式中，使保护部96形成为与第一密封层71的周缘重叠，但也可以使保护部96形成为与发光功能层46的周缘48重叠。在以上的构成中，与第一实施方式相同，能够减少水分、外部空气从周缘48与基底层的缝隙进入。
(6)在以上的各方式中，使保护部96形成为与下侧周缘88的全周重叠，但也可以使保护部96与下侧周缘88的一部分重叠。同样地，也可以使保护部96与上侧周缘86的一部分重叠。另外，在以上的各方式中，构成为保护部96与周边布线D的一部分重叠，但也能够采用俯视时保护部96与周边布线D的整个区域重叠的构成。
(7)在以上的各方式中，使保护部96与第一密封层71的上侧周缘86以及下侧周缘88双方重叠，但也可以使保护部96与上侧周缘86以及下侧周缘88的任意一个重叠。
(8)滤光层90的着色层K的种类并不限定于上述的各方式的例示。例如，也可以使滤光层90构成为除了使红色的光透射的第一着色层KR、使绿色的光透射的第二着色层KG以及使蓝色的光透射的第三着色层KB以外，还包含使波长大约580nm的黄色的光透射的第四着色层。在以上的构成中，显示颜色为黄色的像素P形成于显示区域12，使用第四着色层由同层形成与该像素P的发光元件45重叠的第四彩色滤光片和与保护部96的第三层96B重叠的第四层。
(9)在图11中，例示了在第二区域S2中发光功能层46的周缘48与周边布线D(第二导电体58以及第二电源导电体42)在俯视时重叠的构成，但并不一定要使周边布线D与发光功能层46的周缘48重叠。在周边布线D与发光功能层46不重叠的构成中，通过使周边布线D遍及第一区域S1与第二区域S2双方形成，与使周边布线D仅形成于第一区域S1内的构成相比较，也能够实现周边布线D被低电阻化这样的所期望的效果。
(10)在上述的各方式中例示了利用了有机EL材料的发光元件45，但本发明也能够同样地应用于利用了由无机EL材料形成发光层的发光元件、LED等发光元件的构成。另外，在上述的各方式中，例示了向与基板10相反的一侧射出光的顶部发光型的发光装置100，但本发明也能够同样地应用于向基板10侧射出光的底部发光型的发光装置。
(11)在上述的各方式中，例示了遍及显示区域12的整个区域连续地形成放射白色光的发光功能层46的构成，但也能够利用使不同的波长的单色光发光的多个部分(以下称为“发光部”)构成发光功能层46。例如，图21所例示的发光功能层46(发光层)包含放射红色光的发光部47R、放射绿色光的发光部47G、以及放射蓝色光的发光部47B而构成。在图21中，假定在Y方向排列(条纹排列)同颜色的多个像素P的构成。因此，红色的发光部47R沿红色的多个像素P的排列在Y方向上直线状地延伸。同样地，发光部47G沿绿色的多个像素P的排列在Y方向上延伸，发光部47B沿蓝色的多个像素P在Y方向上延伸。如图21所示，以上的构成中的发光功能层46的周缘48不是各发光部47的各自的周缘，而是指相对于由多个发光部47(47R、47G、47B)构成的发光功能层46的整体掌握的周缘。在以上的构成中，省略滤光层90。
电子设备
上述的各方式中例示的发光装置100能够优选利用为各种电子设备的显示装置。图22中，作为电子设备例示了利用了上述的各方式所例示的发光装置100的头戴式显示装置1(HMD：Head Mounted Display)。
显示装置1是能够佩戴于利用者的头部的电子设备，具备与利用者的左眼重叠的透过部(透镜)2L、与利用者的右眼重叠的透过部2R、左眼用的发光装置100L以及半透半反镜4L、以及右眼用的发光装置100R以及半透半反镜4R。发光装置100L与发光装置100R以射出光向相互相反的方向行进的方式配置。左眼用的半透半反镜4L使透过部2L的透射光向利用者的左眼侧透射，并且使来自发光装置100L的射出光向利用者的左眼侧反射。同样地，右眼用的半透半反镜4R使透过部2R的透射光向利用者的右眼侧透射并且使来自发光装置100R的射出光向利用者的右眼侧反射。因此，利用者察觉重叠了经由透过部2L以及透过部2R观察到的像和各发光装置100的显示图像的图像。另外，通过使彼此赋予了视差的立体图像(左眼用图像以及右眼用图像)显示于发光装置100L和发光装置100R，能够使利用者察觉显示图像的立体感。
此外，应用上述的各方式的发光装置100的电子设备并不限定于图22的显示装置1。例如，本发明的发光装置100也能够合适地利用于摄像机、照相机等拍摄装置所利用的电子取景器(EVF：Electronic ViewFinder)。另外，能够在移动电话机、便携式信息终端(智能手机)，电视、个人计算机等监视器、车辆导航装置等各种电子设备采用本发明的发光装置。
符号说明
10…基板，100…发光装置，12…显示区域，14…周边区域，16…安装区域，22…扫描线，24…控制线，26…信号线，30…驱动电路，32…扫描线驱动电路，34…信号线驱动电路，36…安装端子，41…第一电源导电体，42…第二电源导电体，E1…第一电极，E2…第二电极，45…发光元件，46…发光功能层，47…发光部，48…周缘，58…第二导电体，60…光路调整层，63…第一导电体，65…像素定义层，70…密封体，71…第一密封层，82…密封面，84…侧端面，86…上侧周缘，88…下侧周缘，72…第二密封层，73…第三密封层，90…滤光层，92…绝缘层，94R、94G、94B…彩色滤光片，96…保护部，96R…第一层，96G…第二层，96B…第三层，20…密封基板，21…粘合层，C…电容元件，D…周边布线，TDR…驱动晶体管，TEL…发光控制晶体管，TSL…选择晶体管，Q(QA1、QA2、QA3、QA4、QB1、QB2、QD1、QE1)…中继电极，1…显示装置，2L…透过部，2R…透过部，4L…半透半反镜，4R…半透半反镜。

Claims (18)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
发光元件，其配置于基体的显示区域内，并包含第一电极、第二电极、和根据所述第一电极和所述第二电极之间的电流发光的发光功能层；
第一导电体；
第一绝缘层，其覆盖所述第一导电体；
第二导电体；以及
第二绝缘层，其覆盖所述第二导电体，
其中，所述第二电极形成在所述第一绝缘层的面上，并经由该第一绝缘层的第一导通孔与所述第一导电体导通，
所述第一导电体形成在所述第二绝缘层的面上，并经由该第二绝缘层的第二导通孔与所述第二导电体导通，
所述第一导通孔与所述第二导通孔在俯视时相互不重叠。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述第一导电体以及所述第一导通孔形成为在俯视时包围所述显示区域的连续的框状，
所述第二电极遍及所述显示区域的全周而经由所述第一导通孔与所述第一导电体导通。
3.根据权利要求1或者2所述的发光装置，其特征在于，
所述第二导电体以及所述第二导通孔形成为在俯视时包围所述显示区域的连续的框状，
所述第一导电体遍及所述显示区域的全周而经由所述第二导通孔与所述第二导电体导通。
4.根据权利要求1～3中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第一导通孔在俯视时与所述第二导通孔相比位于所述显示区域侧。
5.根据权利要求1～4中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备遮光层，该遮光层由遮光性的导电材料的第一布线层形成并遮挡向所述基体侧的光，
所述第二导电体由所述第一布线层形成。
6.根据权利要求1～5中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，具备：
第三导电体；以及
第三绝缘层，其覆盖所述第三导电体，
所述第二导电体形成在所述第三绝缘层的面上，并经由该第三绝缘层的第三导通孔与所述第三导电体导通，
所述第三导通孔在俯视时不与所述第一导通孔以及所述第二导通孔重复。
7.根据权利要求6所述的发光装置，其特征在于，
所述第三导电体以及所述第三导通孔形成为在俯视时包围所述显示区域的连续的框状，
所述第二导电体遍及所述显示区域的全周而经由所述第三导通孔与所述第三导电体导通。
8.根据权利要求6或者7所述的发光装置，其特征在于，
所述第一导通孔在俯视时与所述第二导通孔相比位于所述显示区域侧，
所述第二导通孔在俯视时与所述第三导通孔相比位于所述显示区域侧。
9.根据权利要求6～8中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备反射层，该反射层由光反射性的导电材料的第二布线层形成并对向所述基体侧的光进行反射，
所述第三导电体由所述第二布线层形成。
10.一种发光装置，其特征在于，具备：
周边布线；
绝缘层，其覆盖所述周边布线；以及
发光元件，其配置在基体的显示区域内，并包含第一电极、第二电极、和形成在所述绝缘层的面上并根据所述第一电极和所述第二电极之间的电流发光的发光功能层，
其中，所述第二电极在所述显示区域内覆盖所述发光功能层，并在俯视时位于所述显示区域的周围的第一区域内经由所述绝缘层的导通孔与所述周边布线连接，
所述发光功能层的周缘位于在俯视时位于所述显示区域与所述第一区域之间的第二区域内，
所述周边布线遍及所述第一区域和所述第二区域形成。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述发光功能层在俯视时与所述周边布线重叠。
12.根据权利要求10或者11所述的发光装置，其特征在于，
所述周边布线以及所述导通孔形成为在俯视时包围所述显示区域的连续的框状，
所述第二电极经由所述导通孔遍及所述第一区域的全周与所述周边布线导通。
13.根据权利要求10～12中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备遮光层，该遮光层由遮光性的导电材料的第一布线层形成并遮挡向所述基体侧的光，
所述周边布线包含由所述第一布线层形成的第一布线。
14.根据权利要求10～13中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备反射层，该反射层由光反射性的导电材料的第二布线层形成并对向所述基体侧的光进行反射，
所述周边布线包含由所述第二布线层形成的第二布线。
15.根据权利要求10～14中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
俯视时所述第二区域的宽度比所述第一区域的宽度大。
16.根据权利要求10～15中的任意一项所述的发光装置，其特征在于，
具备密封层，该密封层形成在所述第二电极的面上并密封所述发光元件，
所述密封层的周缘位于在俯视时位于所述第一区域的与所述显示区域相反的一侧的第三区域内，
所述周边布线遍及所述第一区域和所述第三区域形成。
17.根据权利要求16所述的发光装置，其特征在于，
俯视时所述第三区域的宽度比所述第一区域的宽度大。
18.一种电子设备，其特征在于，
具备权利要求1～17中的任意一项所述的发光装置。
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