JP2014026712A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2014026712A5
JP2014026712A5 JP2013048776A JP2013048776A JP2014026712A5 JP 2014026712 A5 JP2014026712 A5 JP 2014026712A5 JP 2013048776 A JP2013048776 A JP 2013048776A JP 2013048776 A JP2013048776 A JP 2013048776A JP 2014026712 A5 JP2014026712 A5 JP 2014026712A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
value
conversion candidate
conversion
write
data
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013048776A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2014026712A (ja
JP5929790B2 (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Priority to JP2013048776A priority Critical patent/JP5929790B2/ja
Priority claimed from JP2013048776A external-priority patent/JP5929790B2/ja
Priority to US13/873,679 priority patent/US9229714B2/en
Priority to CN201310231214.5A priority patent/CN103513934B/zh
Publication of JP2014026712A publication Critical patent/JP2014026712A/ja
Publication of JP2014026712A5 publication Critical patent/JP2014026712A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5929790B2 publication Critical patent/JP5929790B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (13)

  1. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理部と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補または第2の変換候補の何れに遷移させるかを選択する際に、前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方の値に基づいて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れを選択すべきかを判定結果として生成する変換判定部と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御部と
    を具備する記憶制御装置。
  2. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理部と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方と、前記プレリードデータから前記ライトデータの第2の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方とを比較して、前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れを選択すべきかについて前記比較対象の遷移ビット数が小さくなる方を判定結果として生成する変換判定部と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御部と
    を具備する記憶制御装置。
  3. 前記変換判定部は、
    前記プレリードデータと前記第1の変換候補および前記第2の変換候補とにおける前記第1の値から第2の値への遷移または前記第1の値から第2の値への遷移の組合せを対応するビット毎に検出する検出器と、
    前記組合せの各々について検出されたビット数を計数するカウンタと、
    前記第1の変換候補および前記第2の変換候補の各々について前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数と前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数とのうち大きい方を選択する選択器と、
    前記第1の変換候補および前記第2の変換候補の各々について選択された遷移ビット数を比較して、前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択すべきかについて前記比較対象の遷移ビット数が小さくなる方を前記判定結果とする比較器とを備える
    請求項2記載の記憶制御装置。
  4. 前記ライトデータおよび前記選択情報を保持するライトバッファをさらに具備し、
    前記変換制御部は、前記判定結果に従って前記ライトバッファに保持されているライトデータを前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかに変換させるとともに何れに変換されたのかを前記選択情報として前記ライトバッファに保持させる
    請求項2または3に記載の記憶制御装置。
  5. 前記第1の変換候補は前記ライトバッファと所定の値との排他的論理和演算により得られる値であり、前記第2の変換候補は前記ライトバッファと前記所定の値の反転値との排他的論理和演算により得られる値である請求項2から4のいずれかに記載の記憶制御装置。
  6. 前記第1の変換候補は前記ライトバッファと所定の値との排他的論理和演算により得られる値に対して所定のビットシフト操作またはビット入れ換え操作の何れか一方の操作もしくはそれら操作の組合せを施したものであり、前記第2の変換候補は前記ライトバッファと前記所定の値の反転値との排他的論理和演算により得られる値に対して前記所定のビットシフト操作またはビット入れ換え操作の何れか一方の操作もしくはそれら操作の組合せを施したものである請求項2から5のいずれかに記載の記憶制御装置。
  7. 前記第1の変換候補は前記ライトバッファと同じ値であり、前記第2の変換候補は前記ライトバッファの反転値である請求項2から6のいずれかに記載の記憶制御装置。
  8. 前記第1の変換候補および前記第2の変換候補は、前記プレリードデータから前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方と、前記プレリードデータから前記第2の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方との何れか一方は前記ライトデータの全ビット長の半分以下になるように決定される請求項2から7のいずれかに記載の記憶制御装置。
  9. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理部と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補または第2の変換候補の何れに遷移させるかを選択する際に、前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方と前記ライトデータの全ビット長の半分とを比較して、前記比較対象の遷移ビット数が前記ライトデータの全ビット長の半分よりも小さい場合には前記第1の変換候補を選択し、それ以外の場合には前記第2の変換候補を選択すべき旨を判定結果として生成する変換判定部と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御部と
    を具備する記憶制御装置。
  10. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイと、
    前記メモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理部と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補または第2の変換候補の何れに遷移させるかを選択する際に、前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方の値に基づいて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れを選択すべきかを判定結果として生成する変換判定部と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御部と
    を具備する記憶装置。
  11. 前記メモリセルアレイは可変抵抗素子である請求項10記載の記憶装置。
  12. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイと、
    前記メモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理部と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補または第2の変換候補の何れに遷移させるかを選択する際に、前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方の値に基づいて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れを選択すべきかを判定結果として生成する変換判定部と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御部と、
    前記メモリアレイに対するリードコマンドまたはライトコマンドを発行するホストコンピュータと
    を具備する情報処理システム。
  13. ビット毎に第1の値または第2の値の何れか一方の値を保持するメモリセルアレイの所定のデータ領域について、ライト処理に先立ってライト対象のデータ領域からプレリードデータを読み出すプレリード処理手順と、
    前記プレリードデータから前記ライト処理の対象データとなるライトデータの第1の変換候補または第2の変換候補の何れに遷移させるかを選択する際に、前記第1の変換候補へ遷移させる場合の前記第1の値から前記第2の値への遷移ビット数および前記第2の値から前記第1の値への遷移ビット数の大きい方の値に基づいて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れを選択すべきかを判定結果として生成する変換判定手順と、
    前記判定結果に応じて前記第1の変換候補または前記第2の変換候補の何れかを選択するとともに、何れが選択されたのかを選択情報として出力する変換制御手順と
    を具備する記憶制御方法。
JP2013048776A 2012-06-19 2013-03-12 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法 Expired - Fee Related JP5929790B2 (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013048776A JP5929790B2 (ja) 2012-06-19 2013-03-12 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法
US13/873,679 US9229714B2 (en) 2012-06-19 2013-04-30 Memory control apparatus, memory apparatus, information processing system, and processing method for use therewith
CN201310231214.5A CN103513934B (zh) 2012-06-19 2013-06-09 存储器控制设备、存储器设备、信息处理系统和处理方法

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012137397 2012-06-19
JP2012137397 2012-06-19
JP2013048776A JP5929790B2 (ja) 2012-06-19 2013-03-12 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2014026712A JP2014026712A (ja) 2014-02-06
JP2014026712A5 true JP2014026712A5 (ja) 2015-04-09
JP5929790B2 JP5929790B2 (ja) 2016-06-08

Family

ID=49757034

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013048776A Expired - Fee Related JP5929790B2 (ja) 2012-06-19 2013-03-12 記憶制御装置、記憶装置、情報処理システム、および、それらにおける処理方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9229714B2 (ja)
JP (1) JP5929790B2 (ja)
CN (1) CN103513934B (ja)

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9304709B2 (en) 2013-09-06 2016-04-05 Western Digital Technologies, Inc. High performance system providing selective merging of dataframe segments in hardware
JP6447629B2 (ja) * 2014-05-09 2019-01-09 ソニー株式会社 記憶制御装置、記憶装置、および、その記憶制御方法
KR102636091B1 (ko) * 2016-10-14 2024-02-14 에스케이하이닉스 주식회사 저항성 메모리 장치, 이를 위한 선택적 쓰기 장치 및 동작 방법
JP6387134B1 (ja) * 2017-03-09 2018-09-05 ウィンボンド エレクトロニクス コーポレーション 半導体記憶装置
JP6860787B2 (ja) * 2017-07-25 2021-04-21 富士通株式会社 メモリ制御回路、メモリ、及びメモリ制御方法
KR20190036795A (ko) * 2017-09-28 2019-04-05 에스케이하이닉스 주식회사 전류 소모량을 줄일 수 있는 반도체 메모리 장치 및 이를 포함하는 시스템
KR20190074890A (ko) * 2017-12-20 2019-06-28 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 컨트롤러 및 그 동작 방법
US10431301B2 (en) * 2017-12-22 2019-10-01 Micron Technology, Inc. Auto-referenced memory cell read techniques
US10566052B2 (en) 2017-12-22 2020-02-18 Micron Technology, Inc. Auto-referenced memory cell read techniques
CN108215513B (zh) * 2018-02-05 2019-06-21 杭州旗捷科技有限公司 可变阈值的反馈电路、耗材芯片、耗材
KR102495539B1 (ko) * 2018-07-16 2023-02-06 에스케이하이닉스 주식회사 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법
TWI725434B (zh) * 2019-05-24 2021-04-21 慧榮科技股份有限公司 藉助於組態設定來進行動態節流控制之方法、具備計算機功能的主機、以及資料儲存裝置及其控制器
US10937495B2 (en) 2019-07-02 2021-03-02 Winbond Electronics Corp. Resistive memory apparatus and method for writing data thereof
JP6893535B2 (ja) * 2019-08-15 2021-06-23 華邦電子股▲ふん▼有限公司Winbond Electronics Corp. 抵抗メモリ及びそのデータ書込み方法
WO2021176243A1 (en) 2020-03-03 2021-09-10 Micron Technology, Inc. On-the-fly programming and verifying method for memory cells based on counters and ecc feedback
TWI755154B (zh) 2020-03-03 2022-02-11 美商美光科技公司 基於計數器及錯誤校正碼反饋用於記憶體單元之即時程式化及驗證方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4134637B2 (ja) * 2002-08-27 2008-08-20 株式会社日立製作所 半導体装置
KR100510512B1 (ko) * 2002-11-18 2005-08-26 삼성전자주식회사 이중 데이터율 동기식 반도체 장치의 데이터 출력 회로 및그 방법
CN100476810C (zh) * 2005-05-08 2009-04-08 浙江大学 一种实现信息系统数据自动交换的方法
JP4719236B2 (ja) * 2008-03-21 2011-07-06 株式会社東芝 半導体記憶装置及び半導体記憶システム
JP5942781B2 (ja) * 2012-04-16 2016-06-29 ソニー株式会社 記憶制御装置、メモリシステム、情報処理システム、および、記憶制御方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2014026712A5 (ja)
US9229714B2 (en) Memory control apparatus, memory apparatus, information processing system, and processing method for use therewith
US9489148B2 (en) Selecting between non-volatile memory units having different minimum addressable data unit sizes
KR20200117045A (ko) 메모리 시스템의 온도에 기초한 프로그래밍 동작을 위한 파라미터 조정
CN109599143B (zh) 具有读阈值机制的存储系统及其操作方法
US9268487B2 (en) Method and apparatus for restricting writes to solid state memory when an end-of life condition is reached
US20180301193A1 (en) Apparatuses and methods for automated dynamic word line start voltage
CN114787761A (zh) 使用存储器单元的所测量信号及噪声特性的存储器系统性能增强
US11385836B2 (en) Read look ahead data size determination
US11762767B2 (en) Storing highly read data at low impact read disturb pages of a memory device
US20210034291A1 (en) Selecting a write operation mode from multiple write operation modes
CN114746942A (zh) 用于存储器子系统的容量扩展
EP2799998A1 (en) Storage control device, storage device, information processing system, and processing methods in same
US20200183592A1 (en) Storage device and method of operating the same
KR101146082B1 (ko) 비휘발성 메모리 저장 장치 및 비휘발성 메모리 저장 장치의 성능 향상 방법
US10977182B2 (en) Logical block mapping based on an offset
JP6419337B2 (ja) 正当なメモリアクセスの検知方法及び装置
CN103295645B (zh) 一种动态存储器的扫描检测方法及系统
KR20220148944A (ko) 호스트 시스템의 워크로드에 기초하여 저장 장치에 대한 판독 동작 식별
US11561713B2 (en) Simplified high capacity die and block management
CN114144756B (zh) 使用写入事务数据选择读取电压
CN114527860A (zh) 存储器子系统的独立热节流温度控制
US11720681B2 (en) Firmware execution profiling and verification
US11817154B2 (en) Optimized threshold translation from serialized pipeline
US11436154B2 (en) Logical block mapping based on an offset