JP2014022625A - プリント配線基板及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】信頼性を向上させることが可能なビアホール又はスルーホールを有する。
【解決手段】プリント配線基板は、配線３側から電極４に向かって、１５０μｍ以下の径のレーザ光Ｌ１を照射して、配線３及び絶縁基板１の一部を除去して段部２０を形成し、これよりも小径のレーザ光Ｌ２を用いて、段部２０の開口端側から電極４側に向かう、段部２０よりも小径で絶縁基板１を貫通するビアホール１０を段部２０の所定箇所に形成して、形成されたビアホール１０及び段部２０に電解銅めっきを施してめっき層９を形成することにより製造される。
【選択図】図１

Description

この発明は、ビアホール又はスルーホールを有するプリント配線基板及びその製造方法に関する。

プリント配線基板の配線の微細化等に伴い、配線間を層間接続するビアホールやスルーホールの小径化が進められている。スルーホールの小径化を図るものとして、基板の両面側から第１及び第２の開口部を形成し、これらをつなげて貫通孔を形成すると共に、各開口部を途中から内側に屈曲させるような形状とすることにより、第１及び第２の開口部の位置が多少ずれても両開口部の結合位置が余りずれないようにして、スルーホール内に形成される導体層の信頼性を低下させずに高密度で配置するようにしたプリント配線基板（例えば、下記特許文献１参照）が知られている。

特開２０１１−２０５０６９号公報

しかしながら、上述した特許文献１に開示された従来技術のプリント配線基板では、両開口部の周縁の基板表面とスルーホール内壁とのなす角度や両開口部が結合される中間部分での角度が直角に近いため、開口部周縁と内壁との境界部位及びスルーホール中間部の内壁において導体層にクラックが発生するおそれがあり、信頼性という点においては十分とは言い難かった。

この発明は、上述した従来技術による問題点を解消し、信頼性を向上させることが可能なビアホール又はスルーホールを有するプリント配線基板及びその製造方法を提供することを目的とする。

本発明に係るプリント配線基板は、絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径を有するビアホールが形成されると共に、前記ビアホールの開口端側に前記ビアホールよりも大径の段部が形成され、前記ビアホール及び段部にめっき層が形成されていることを特徴とする。

本発明の一実施形態においては、前記ビアホールの開口端側と反対側の端部に電極が形成され、前記めっき層は前記電極と接続されている。

また、本発明に係るプリント配線基板は、絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径を有するスルーホールが形成されると共に、前記スルーホールの両開口端側に前記スルーホールよりも大径の段部がそれぞれ形成され、前記スルーホール及び段部にめっき層が形成されていることを特徴とする。

本発明に係るプリント配線基板によれば、絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径で形成されたビアホール又はスルーホールの開口端側に、これらの穴径よりも大径の段部が形成された上で、導体層としてのめっき層がビアホール及びスルーホールと共に段部に形成されているので、段部が基板表面とホールとの間のいわゆる面取りの役目を果たし、基板表面とホール内との境界部位において導体層にクラックが発生し難く、信頼性を向上させることができる。

また、ビアホール又はスルーホールが１５μｍ以上１５０μｍ未満の極めて小径で形成されると、ビアホール又はスルーホールのアスペクト比が高くなり、めっき形成に支障を来すという問題もあるが、本発明のプリント配線基板によれば、段部が形成されることにより、ビアホール又はスルーホールのアスペクト比を低下させることができ、めっき形成も支障無く行うことができる。これにより、小径化を促進しつつ信頼性向上を図ることができる。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径のビアホールと共に、前記ビアホールの開口端側に前記ビアホールよりも大径の段部をレーザ加工により形成する工程と、前記形成されたビアホール及び段部にめっき層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。

また、本発明に係るプリント配線基板の製造方法は、絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径のスルーホールと共に、前記スルーホールの両開口端側に前記スルーホールよりも大径の段部をレーザ加工によりそれぞれ形成する工程と、前記形成されたスルーホール及び段部にめっき層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。

本発明の一実施形態においては、前記レーザ加工で、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いる。

本発明に係るプリント配線基板の製造方法によれば、上記と同様の作用効果を奏するプリント配線基板を製造することができる。

本発明によれば、信頼性を向上させることが可能なビアホール又はスルーホールを有することができる。

本発明の第１の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。 同プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の第２の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。 同プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の第３の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。 同プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の第４の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。 同プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。 本発明の第１及び第２の実施形態に係るプリント配線基板の各部の寸法例を示す断面図である。 本発明の第３及び第４の実施形態に係るプリント配線基板の各部の寸法例を示す断面図である。 本発明の実施例及び比較例のプリント配線基板の試験結果を示す図である。

以下、添付の図面を参照して、この発明の実施の形態に係るプリント配線基板及びその製造方法を詳細に説明する。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。図２は、プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。第１の実施形態に係るプリント配線基板は、絶縁基板に形成されたビアホール（ＬＶＨ）を有する構造を備え、例えば次のように製造される。

まず、図１（ａ）に示すように、絶縁基板１の両面に銅箔からなる導体層２が形成された両面ＣＣＬを準備し（ステップＳ１００）、両面の各導体層２上にフォトリソグラフィによりエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って、図１（ｂ）に示すような配線３や電極４を構成する配線パターンを形成する（ステップＳ１０２）。ステップＳ１００にて用いる両面ＣＣＬとしては、例えば厚さ２５μｍ程度の樹脂フィルムからなる絶縁基板１に、厚さ１２μｍ程度の銅箔からなる導体層２を貼り合わせた構造のものなどを用いることができる。

この両面ＣＣＬは、例えば公知のキャスティング法により、銅箔にポリイミドのワニスを塗布してそのワニスを硬化させて作製されたものを使用することができる。その他、両面ＣＣＬとしては、圧延或いは電解銅箔とポリイミドの樹脂フィルムとを接着材により貼り合わせて作成されたものなどを用いることもできる。

絶縁基板１を構成する樹脂フィルムとしては、例えばポリイミド、ポリオレフィン、液晶ポリマー（ＬＣＰ）等を用いることができる。また、ステップＳ１０２でのエッチングには、例えば塩化第二鉄や塩化第二銅などを主成分とするエッチャントを用いることができる。

次に、図１（ｃ）に示すように、例えば配線３側から電極４に向かって、図示しないＵＶ−ＹＡＧレーザ装置を用いて１５０μｍ以下の径のレーザ光Ｌ１を照射して、配線３及び絶縁基板１の一部を除去して段部２０を形成する（ステップＳ１０４）。段部２０は、絶縁基板１の表面側の開口周縁部２１と、この開口周縁部２１からビアホール１０へと続く内壁部２２とのなす角度θが、非常に緩やかで平角に近い鈍角（例えば１２０°〜１６０°）となるような球面状に形成されることが望ましい。

段部２０を形成したら、図１（ｄ）に示すように、再度ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりステップＳ１０４よりも小径のレーザ光Ｌ２を用いて、段部２０の開口端側から電極４側に向かう、段部２０よりも小径で絶縁基板１を貫通するビアホール１０を段部２０の所定箇所に形成する（ステップＳ１０６）。なお、形成された段部２０及びビアホール１０内には、形成後に例えばプラズマデスミア処理が施される。

ステップＳ１０６にて形成されるビアホール１０は、最大直径が１５μｍ以上１５０μｍ未満となるように形成されている。段部２０は例えば直径が１５０μｍ以下で且つビアホール１０よりも大径となるように形成される。段部２０やビアホール１０は、その他、炭酸ガスレーザ（ＣＯ_２レーザ）やエキシマレーザなどで形成しても良いし、化学的なエッチングなどにより形成しても良い。また、デスミア処理は、ＣＦ_４及びＯ_２（四フッ化メタン＋酸素）の混合ガスにより行うことができるが、Ａｒ（アルゴン）などのその他の不活性ガスを用いることもでき、いわゆるドライ処理ではなく、薬液を用いたウェットデスミア処理としてもよい。

そして、図１（ｅ）に示すように、ビアホール１０の内壁１１及び段部２０の内壁部２２の表面に、例えばコロイドを付与して導電皮膜１９を形成し（ステップＳ１０８）、最後に、電解銅めっき等のめっき処理を行って（ステップＳ１１０）、図１（ｆ）に示すような配線３上から段部２０を経てビアホール１０内にて電極４上にフィリングされためっき層９を形成する。これにより、第１の実施形態に係るプリント配線基板を製造する。

なお、めっき層９は、例えば配線３上の厚さが１２μｍ程度となるように形成されており、ビアホール１０が１５μｍ以上１５０μｍ未満と非常に小さい径で形成されているため、上記のようにホール内にフィリングされた構成となっているが、フィリングされていなくても良い。また、段部２０とビアホール１０の形成工程は、順序が入れ替わっても良い。

図３は、本発明の第２の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。図４は、プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。第２の実施形態に係るプリント配線基板は、絶縁基板に形成されたビアホールを有する構造を備える点は第１の実施形態に係るプリント配線基板と同様であるが、片面ＣＣＬから製造される点などの製造工程が相違している。

まず、図３（ａ）に示すように、絶縁基板１の片面に導体層２が形成された片面ＣＣＬを準備し（ステップＳ２００）、図３（ｂ）に示すように、絶縁基板１の表面側から導体層２に向かって、図示しないＵＶ−ＹＡＧレーザ装置を用いてレーザ光Ｌ１を照射し、絶縁基板１を貫通するビアホール１０を所定箇所に形成して（ステップＳ２０２）、形成後にデスミア処理を施す。

次に、図３（ｃ）に示すように、再度ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりビアホール１０の開口端側から導体層２側に向かってレーザ光Ｌ２を照射して、ビアホール１０よりも大径の段部２０を形成する（ステップＳ２０４）。段部２０は、上述したものと同様に角度θが非常に緩やかで平角に近い鈍角（例えば１２０°〜１６０°）となるように形成される。

ビアホール１０及び段部２０を形成したら、図３（ｄ）に示すように、露出した導体層２の表面、ビアホール１０の内壁１１、段部２０の内壁部２２、絶縁基板１の開口周縁部２１、及び絶縁基板１の表面１ａ上に、シード層８を形成する（ステップＳ２０６）。シード層２は、例えば銅、ニッケル、クロム、チタン、タングステン、チタン及びタングステンの合金等の中から選択される少なくとも１種類の金属を含む材料からなり、例えばスパッタリングや無電解めっき等により絶縁基板１の導体層２形成側と反対側の全面に高い密着性を備えた状態で形成される。

その後、図３（ｅ）に示すように、シード層８上にめっきレジスト７をパターン形成した上で電解銅めっき等のめっき処理を行う（ステップＳ２０８）。最後に、図３（ｆ）に示すように、めっきレジスト７を剥離して除去しシード層８を除去してめっき層９を形成すると共に、導体層２にエッチングを施して電極４を構成する配線パターンを形成する（ステップＳ２１０）。これにより、第２の実施形態に係るプリント配線基板を製造する。

図５は、本発明の第３の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。図６は、プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。第３の実施形態に係るプリント配線基板は、絶縁基板に形成されたスルーホール（ＴＨ）を有する構造を備える点が、第１及び第２の実施形態に係るプリント配線基板と相違している。

まず、図５（ａ）に示すように、絶縁基板１の両面に導体層２が形成された両面ＣＣＬを準備し（ステップＳ３００）、図５（ｂ）に示すように、例えば一方の面の導体層２側から他方の面の導体層２側に向かって、図示しないＵＶ−ＹＡＧレーザ装置を用いてレーザ光Ｌ１を照射して、各導体層２及び絶縁基板１を貫通し最大直径が１５μｍ以上１５０μｍ未満となるスルーホール３０を所定箇所に形成する（ステップＳ３０２）。

次に、図５（ｃ）に示すように、再度ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりスルーホール３０の一方の開口端側からレーザ光Ｌ２を照射して、スルーホール３０よりも大径の段部２０ａを一方の面側に形成する。また、例えば両面ＣＣＬを位置合わせした上で表裏反転させたり、レーザ装置の照射方向を反対側に変更したりして、図５（ｄ）に示すように、ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりスルーホール３０の他方の開口端側からレーザ光Ｌ２を照射して、スルーホール３０よりも大径の段部２０ｂを他方の面側に形成し（ステップＳ３０４）、形成後にデスミア処理を施す。各段部２０ａ，２０ｂは、上述したものと同様に角度θが非常に緩やかで平角に近い鈍角（例えば１２０°〜１６０°）となるように形成される。

その後、図５（ｅ）に示すように、スルーホール３０の内壁３１及び段部２０ａ，２０ｂの内壁部２２の表面に導電皮膜１９を形成し（ステップＳ３０６）、図５（ｆ）に示すように、電解銅めっき等のめっき処理を行うことで（ステップＳ３０８）、両面の導体層２上から各段部２０ａ，２０ｂを経てスルーホール３０内にフィリングされためっき層９を形成する。

最後に、両面の各めっき層９上にフォトリソグラフィによりエッチングレジストを形成した後にエッチングを行って、図５（ｇ）に示すような配線３上にめっき層９が備えられた配線パターンを形成する（ステップＳ３１０）。これにより、第３の実施形態に係るプリント配線基板を製造する。

図７は、本発明の第４の実施形態に係るプリント配線基板を製造工程毎に示す断面図である。図８は、プリント配線基板の製造工程を示すフローチャートである。第４の実施形態に係るプリント配線基板は、絶縁基板に形成されたスルーホールを有する構造を備える点は第３の実施形態に係るプリント配線基板と同様であるが、絶縁基板から製造される点などの製造工程が相違している。

まず、図７（ａ）に示すように、絶縁基板１を準備し（ステップＳ４００）、図７（ｂ）に示すように、絶縁基板１の一方の面側から他方の面側に向かって、図示しないＵＶ−ＹＡＧレーザ装置を用いてレーザ光Ｌ１を照射し、絶縁基板１を貫通し最大直径が１５μｍ以上１５０μｍ未満となるスルーホール３０を所定箇所に形成する（ステップＳ４０２）。

次に、図７（ｃ）に示すように、再度ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりスルーホール３０の一方の開口端側からレーザ光Ｌ２を照射して、スルーホール３０よりも大径の段部２０ａを絶縁基板１の一方の面側に形成し、図７（ｄ）に示すように、ＵＶ−ＹＡＧレーザ装置によりスルーホール３０の他方の開口端側からレーザ光Ｌ２を照射して、スルーホール３０よりも大径の段部２０ｂを絶縁基板１の他方の面側に形成し（ステップＳ４０４）、形成後にデスミア処理を施す。段部２０ａ，２０ｂにおける上記角度θは、非常に緩やかで平角に近い鈍角（例えば１２０°〜１６０°）を構成する。

スルーホール３０及び各段部２０ａ，２０ｂを形成したら、図７（ｅ）に示すように、スルーホール３０の内壁３１及び各段部２０ａ，２０ｂの内壁部２２を含む絶縁基板１の表面１ａ全体に、シード層８を形成する（ステップＳ４０６）。その後、図７（ｆ）に示すように、シード層８上にめっきレジスト７をパターン形成した上で電解銅めっき等のめっき処理を行う（ステップＳ４０８）。

最後に、図７（ｇ）に示すように、めっきレジスト７を剥離して除去しシード層８を除去してめっき層９を構成する配線パターンを形成する（ステップＳ４１０）。これにより、第４の実施形態に係るプリント配線基板を製造する。なお、上述した第１〜第４の実施形態に係るプリント配線基板は、次のような寸法的特徴を有する。

以下、実施例によりプリント配線基板について具体的に説明する。
図９は、本発明の第１及び第２の実施形態に係るプリント配線基板の各部の寸法例を示す断面図、図１０は、本発明の第３及び第４の実施形態に係るプリント配線基板の各部の寸法例を示す断面図である。

図９に示すように、第１の実施形態に係るプリント配線基板として、厚さＡが２５μｍのポリイミド製の絶縁基板１に１２μｍの銅箔（不図示）を貼着したものを用いた。このような絶縁基板１に対して、１００μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０を形成し、その後３０μｍ径と５０μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザをそれぞれ照射して、最大直径ｂがそれぞれ３０μｍ及び５０μｍとなるビアホール１０を形成したものを用意した。この基板に対してデスミア処理を施した後に導電被膜１９を形成し、１２μｍ厚の電解めっき銅からなるめっき層９を形成し、その後、サブトラクティブ法により回路形成を行い、プリント配線基板を作製した。これを実施例１とする。

図９に示すように、第２の実施形態に係るプリント配線基板として、厚さＡが２５μｍのポリイミド製の絶縁基板１を用いた。このような絶縁基板１に対して、１００μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０を形成し、その後３０μｍ径と５０μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザをそれぞれ照射して、最大直径ｂがそれぞれ３０μｍ及び５０μｍとなるビアホール１０を形成したものを用意した。この基板に対してスパッタによる成膜を行い図示しないシード層８を形成した。シード層８の種類と膜厚はＮｉ−Ｃｒの場合は２０ｎｍで、Ｃｕの場合は２００ｎｍとした。その後、セミアディティブ法により１２μｍ厚のめっき層９（不図示）を形成して回路形成を行い、プリント配線基板を作製した。なお、絶縁基板１とシード層８との密着性は７Ｎ／ｃｍ以上となるスパッタ条件を採用した。これを実施例２とする。

図１０に示すように、第３の実施形態に係るプリント配線基板として、厚さＡが２５μｍのポリイミド製の絶縁基板１の両面に１２μｍの銅箔（不図示）を貼着したものを用いた。このような絶縁基板１に対して、一方の面側に１００μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０ａすると共に、絶縁基板１を反転させて他方の面側に同径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０ｂを形成した。その後、所望の面側（例えば段部２０ａ側）から３０μｍ径と５０μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザをそれぞれ照射して、最大直径ｂがそれぞれ３０μｍ及び５０μｍとなるスルーホール３０を段部２０ａ，２０ｂ間の絶縁基板１に貫通形成したものを用意した。この基板に対してデスミア処理を施した後に導電被膜１９を形成し、１２μｍ厚の電解めっき銅からなるめっき層９を形成し、その後、サブトラクティブ法により回路形成を行い、プリント配線基板を作製した。これを実施例３とする。なお、形状の品質を向上させるために、スルーホール３０の穴開けは、上記２種類以上の異なるビーム径で行うようにしても良い。

図１０に示すように、第４の実施形態に係るプリント配線基板として、厚さＡが２５μｍのポリイミド製の絶縁基板１を用いた。このような絶縁基板１に対して、一方の面側に１００μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０ａを形成すると共に、絶縁基板１を反転させて他方の面側に同径のＵＶ−ＹＡＧレーザを照射して径Ｂが１００μｍとなる段部２０ｂを形成した。その後、所望の面側（例えば段部２０ａ側）から３０μｍ径と５０μｍ径のＵＶ−ＹＡＧレーザをそれぞれ照射して、最大直径ｂがそれぞれ３０μｍ及び５０μｍとなるスルーホール３０を段部２０ａ，２０ｂ間の絶縁基板１に貫通形成したものを用意した。この基板に対してスパッタによる成膜を行い図示しないシード層８を形成した。シード層８の種類と膜厚はＮｉ−Ｃｒの場合は２０ｎｍで、Ｃｕの場合は２００ｎｍとした。その後、セミアディティブ法により１２μｍ厚のめっき層９（不図示）を形成して回路形成を行い、プリント配線基板を作製した。なお、絶縁基板１とシード層８との密着性は７Ｎ／ｃｍ以上となるスパッタ条件を採用した。これを実施例４とする。

図１１は、本発明の実施例及び比較例のプリント配線基板の試験結果を示す図である。本実施例１〜４においては、上述した実施形態に係る製造方法で製造したプリント配線基板の各サンプルに対し、液相式（液槽式）ヒートショック試験機を用いて、各サンプルを試験温度２６０℃の環境下に１０秒間曝すことと、試験温度２０℃の環境下に２０秒間曝すことを２００サイクル繰り返して、クラックの有無を検査することを行った。

図１１に示すように、実施例１及び２は、図９に示すようなビアホール１０及び段部２０を絶縁基板１に形成したプリント配線基板における試験結果を示し、実施例３及び４は、図１０に示すようなスルーホール３０及び段部２０ａ，２０ｂを絶縁基板１に形成したプリント配線基板における試験結果を示している。

各実施例１〜４において、上記のようにビアホール１０又はスルーホール３０の最大直径ｂをそれぞれ３０μｍにした場合と、５０μｍにした場合との各サンプルに対して試験を行った。なお、比較例は、段部２０（２０ａ，２０ｂ）が形成されていない従来形状のスルーホールを絶縁基板１に形成したプリント配線基板である。

実施例１〜４のプリント配線基板は、ビアホール１０又はスルーホール３０の最大直径ｂが３０μｍ及び５０μｍのいずれの場合においても、２００サイクル終了後にクラックは発見されなかった。一方、比較例のプリント配線基板は、スルーホールの最大直径が３０μｍのときは３サイクル終了時点で、５０μｍのときは６４サイクル終了時点で、それぞれクラックが発見された。

この結果から、実施例１〜４によれば、ビアホール１０又はスルーホール３０及び段部２０（２０ａ，２０ｂ）の小径化を促進することが可能である。特に、スルーホール３０に関しては、アスペクト比が１．５以下であれば品質を保つことが可能であることが確認された。また、実施例１〜４においては、絶縁基板１の表面１ａ側の開口周縁部２１とこの開口周縁部２１からビアホール１０又はスルーホール３０へと続く内壁部１１，３１とのなす角度θを、上述したように非常に緩やかで平角に近い鈍角を構成するように形成することができることが分かり、クラックの発生等を防止して基板の信頼性向上を図ることが可能であることが確認された。従って、本発明に係るプリント配線基板では、ビアホール１０及びスルーホール３０の小径化を可能にして、信頼性向上を図ることができる可能となることが分かった。

図９に示したプリント配線基板に関しては、段部２０の径Ｂが１５０μｍ以下（Ｂ≦１５０μｍ）、ビアホール１０の最大直径ｂが１５μｍ以上１５０μｍ未満（１５≦最大直径ｂ＜１５０μｍ）という条件が適用される。また、図１０に示したプリント配線基板に関しては、段部２０ａ，２０ｂの径Ｂがそれぞれ１５０μｍ以下（Ｂ≦１５０μｍ）、スルーホール３０の最大直径ｂが１５μｍ以上１５０μｍ未満（１５≦最大直径ｂ＜１５０μｍ）で、絶縁基板１の厚さＡに対するスルーホール３０の最大直径ｂのアスペクト比が１．５以下（Ａ／ｂ≦１．５）という条件が適用される。このような条件を満たすことで、プリント配線基板は、めっき形成も支障なく行うことができ、信頼性向上を図ることができる。

１ 絶縁基板
１ａ 表面
２ 導体層
３ 配線
４ 電極
８ シード層
９ めっき層
１０ ビアホール
１１ 内壁
１９ 導電皮膜
２０ 段部
２１ 開口周縁部
２２ 内壁部
３０ スルーホール
３１ 内壁

Claims (6)

1. 絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径を有するビアホールが形成されると共に、前記ビアホールの開口端側に前記ビアホールよりも大径の段部が形成され、
   前記ビアホール及び段部にめっき層が形成されている
   ことを特徴とするプリント配線基板。
2. 前記ビアホールの開口端側と反対側の端部に電極が形成され、
   前記めっき層は前記電極と接続されている
   ことを特徴とする請求項１記載のプリント配線基板。
3. 絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径を有するスルーホールが形成されると共に、前記スルーホールの両開口端側に前記スルーホールよりも大径の段部がそれぞれ形成され、
   前記スルーホール及び段部にめっき層が形成されている
   ことを特徴とするプリント配線基板。
4. 絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径のビアホールと共に、前記ビアホールの開口端側に前記ビアホールよりも大径の段部をレーザ加工により形成する工程と、
   前記形成されたビアホール及び段部にめっき層を形成する工程とを備えた
   ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
5. 絶縁基板に１５μｍ以上１５０μｍ未満の径のスルーホールと共に、前記スルーホールの両開口端側に前記スルーホールよりも大径の段部をレーザ加工によりそれぞれ形成する工程と、
   前記形成されたスルーホール及び段部にめっき層を形成する工程とを備えた
   ことを特徴とするプリント配線基板の製造方法。
6. 前記レーザ加工で、ＵＶ−ＹＡＧレーザを用いることを特徴とする請求項４又は５記載のプリント配線基板の製造方法。

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