JP2014011916A - 整流回路 - Google Patents
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Abstract
【課題】効率的な整流動作が可能な整流回路を提供すること。
【解決手段】整流回路100は、入力信号Vin+を整流した信号を出力するサブ整流回路10を有する。サブ整流回路10は、NMOSトランジスタMN1、切替回路2、電位差保持回路3を有する。NMOSトランジスタMN1は、第1の入力端子Tin1と第1の出力端子Tout1との間に接続される。電位差保持回路3は、両端に印可される電位差を保持する。切替回路2は、複数のスイッチを有する。切替回路2は、複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、入力信号Vin+の電圧が所定値以下の場合に、NMOSトランジスタMN1の降下電圧VTを電位差保持回路3に保持させ、入力信号Vin+の電圧が所定値よりも大きい場合には、電位差保持回路3に保持した降下電圧VTをNMOSトランジスタMN1のゲートに印可する。
【選択図】図2
【解決手段】整流回路100は、入力信号Vin+を整流した信号を出力するサブ整流回路10を有する。サブ整流回路10は、NMOSトランジスタMN1、切替回路2、電位差保持回路3を有する。NMOSトランジスタMN1は、第1の入力端子Tin1と第1の出力端子Tout1との間に接続される。電位差保持回路3は、両端に印可される電位差を保持する。切替回路2は、複数のスイッチを有する。切替回路2は、複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、入力信号Vin+の電圧が所定値以下の場合に、NMOSトランジスタMN1の降下電圧VTを電位差保持回路3に保持させ、入力信号Vin+の電圧が所定値よりも大きい場合には、電位差保持回路3に保持した降下電圧VTをNMOSトランジスタMN1のゲートに印可する。
【選択図】図2
Description
本発明は整流回路に関し、例えば環境電力回収に適用される整流回路に関する。
近年、省エネルギー技術の一環として、太陽光や熱、振動、圧力、電波といった環境エネルギーから電力を回収する環境電力回収技術(エネルギーハーベスト技術)が注目されている。環境電力回収技術では、交流電圧を直流電圧に変換するために、整流回路が用いられる。一般的な整流回路ではダイオードが用いられる(特許文献1〜3)。
特許文献1にかかる高利得整流回路は、ダイオード接続されたNMOSトランジスタを整流素子として有する。そして、電圧源を用いて容量を充電し、整流動作時に充電により容量に発生する電圧を、ダイオード接続されたNMOSトランジスタのゲート−ソース間にバイアス電圧として印可する。これにより、ダイオード接続されたNMOSトランジスタによる電圧降下を補償している。
特許文献2にかかる整流回路は、ダイオード接続されたNMOSトランジスタを整流素子として有する。そして、整流回路の出力電圧を分圧した電圧を、ダイオード接続されたのNMOSトランジスタゲートにキャンセル電圧として印可する。これにより、ダイオード接続されたNMOSトランジスタの閾値電圧を低減し、整流効率を向上させることが可能となる。
特許文献3にかかる整流回路は、ダイオードを有する全波整流回路において、同期整流素子のオン/オフのタイミングを高精度に制御することができる。これにより、全波整流回路における損失や発熱を低減し、エネルギー効率を改善することができるものである。
ところが、発明者は、上述の整流回路には、以下で説明する問題点があることを見出した。上述の整流回路では、整流素子としてダイオードが用いられる。そのため、整流回路の出力電圧は、入力電圧に比べて、ダイオードの閾値電圧分だけ低くなってしまう。整流回路を用いて電力を回収する場合には、出力電圧が低下してしまうと、回収可能な電力が低下してしまう。つまり、ダイオードを用いる整流回路では、電力の回収効率が低下してしまう。
これに対し、例えば特許文献1及び2では、整流に用いるダイオードとは別の回路素子を用いて電圧降下を補償している。そのため、ダイオードでの電圧降下と同じ分だけの電圧を補償することが難しく、高精度な電圧補償は困難であった。
一実施の形態によれば、整流回路は、入力端子に入力される信号を整流した信号を出力端子から出力する第1の回路を備え、前記第1の回路は、入力信号が入力される前記入力端子と、前記出力端子と、の間に接続された第1のトランジスタと、両端に印可される電位差を保持する電位差保持回路と、複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、前記入力信号の電圧が所定値以下の場合には、前記第1のトランジスタの降下電圧を前記電位差保持回路に保持させ、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記電位差保持回路に保持した前記降下電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印可する切替回路と、を備える。
上記一実施の形態によれば、効率的な整流動作が可能な整流回路を提供することができる。
以下、図面を参照して実施の形態について説明する。各図面においては、同一要素には同一の符号が付されており、必要に応じて重複説明は省略される。
実施の形態1
まず、実施の形態1にかかる整流回路100について説明する。整流回路100は、半波整流回路として構成される。図1は、実施の形態1にかかる整流回路100の構成を模式的に示すブロック図である。図1に示すように、整流回路100は、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、整流回路100の外部の交流電圧源101と接続される。ここで、交流電圧源101は、例えば、環境中の電磁波を受けるアンテナなどの交流電圧を発生させるエネルギーハーベスト素子を適用することができる。
まず、実施の形態1にかかる整流回路100について説明する。整流回路100は、半波整流回路として構成される。図1は、実施の形態1にかかる整流回路100の構成を模式的に示すブロック図である。図1に示すように、整流回路100は、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、整流回路100の外部の交流電圧源101と接続される。ここで、交流電圧源101は、例えば、環境中の電磁波を受けるアンテナなどの交流電圧を発生させるエネルギーハーベスト素子を適用することができる。
整流回路100は、サブ整流回路10を有する。サブ整流回路10の入力端子INは第1の入力端子Tin1と接続され、出力端子OUTは第1の出力端子Tout1と接続される。第2の入力端子Tin2は、第2の出力端子Tout2と接続される。サブ整流回路10は、入力側の電圧が正(+)の場合にのみ電流を流す、整流機能を有する回路である。
整流回路100の外部には、第1の出力端子Tout1と第2の出力端子Tout2との間に、負荷102が接続される。負荷102は、例えば、整流回路100により電源供給を受ける回路や、整流回路100が出力する電力により充電される二次電池などである。図1では、図面の簡略化のため、負荷102を抵抗素子として表示している。
図2は、実施の形態1にかかる整流回路100のサブ整流回路10の構成を模式的に示すブロック図である。サブ整流回路10は、タイミング信号生成回路1、切替回路2、電位差保持回路3及びNMOSトランジスタMN1を有する。
NMOSトランジスタMN1は、ドレインが入力端子INと接続され、ソースが出力端子OUTと接続される。また、NMOSトランジスタMN1のソース、ドレイン及びゲートは、切替回路2と接続される。
タイミング信号生成回路1には、入力端子INを介して、入力信号Vin+が入力される。タイミング信号生成回路1には、外部の電源から、電源電圧VDが供給される。タイミング信号生成回路1は、入力信号に同期して、タイミング信号φ1及びφ1Bを切替回路2に出力する。なお、タイミング信号φ1Bは、タイミング信号φ1の反転信号である。
切替回路2は、タイミング信号φ1及びφ1Bに応じて、NMOSトランジスタMN1と電位差保持回路3と間の接続を切り替える。切替回路2には、外部の電源から、電源電圧VDが供給される。電位差保持回路3は、電位差保持回路3の2つの入力端子間の電位差を保持する。
切替回路2及び電位差保持回路3の構成について詳細に説明する。図3は、サブ整流回路10の切替回路2及び電位差保持回路3の構成を示す回路図である。切替回路2は、スイッチSW1〜SW5を有する。電位差保持回路3は、容量C1により構成される。スイッチSW1は、NMOSトランジスタMN1のゲートと容量C1の端子Tc1との間に挿入される。スイッチSW2は、容量C1の端子Tc2と入力端子IN及びNMOSトランジスタMN1のドレインとの間に挿入される。スイッチSW3は、容量C1の端子Tc1と入力端子IN及びNMOSトランジスタMN1のドレインとの間に挿入される。スイッチSW4は、容量C1の端子Tc2と出力端子OUT及びNMOSトランジスタMN1のソースとの間に挿入される。スイッチSW5は、NMOSトランジスタMN1のゲートと入力端子IN及びNMOSトランジスタMN1のドレインとの間に挿入される。
スイッチSW1及びSW2は、タイミング信号φ1に応じてオン/オフする。具体的には、スイッチSW1及びSW2は、タイミング信号φ1がHighである場合にオンとなり、タイミング信号φ1がLowである場合にオフなる。スイッチSW3〜SW5は、タイミング信号φ1Bに応じてオン/オフする。具体的には、スイッチSW3〜SW5は、タイミング信号φ1BがHighである場合にオンとなり、タイミング信号φ1がLowである場合にオフなる。タイミング信号φ1Bはタイミング信号φ1の反転信号であるので、スイッチSW1及びSW2は、スイッチSW3〜SW5に対して相補的にオン/オフする。
続いて、サブ整流回路10の動作について説明する。図4は、サブ整流回路10の動作を示すタイミングチャートである。まず、初期状態において、タイミング信号φ1はLow、タイミング信号φ1BはHighである。以降では、タイミング信号φ1がLow、タイミング信号φ1BがHighである期間を、期間P1と称する。期間P1では、スイッチSW1及びSW2はオフ、スイッチSW3〜SW5はオンである。なお、期間P1における整流回路100の動作は、第1のモードに対応する。
図5Aは、期間P1における切替回路2及び電位差保持回路3の等価回路図である。期間P1では、入力信号Vinが立ち上がる(タイミングT1)と、NMOSトランジスタMN1は、入力信号Vinに対してNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTに相当する電圧だけ降下した電圧を、出力端子OUT及び第2の出力端子Tout2を介して、出力電圧VOUTとして出力する。このとき、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(閾値電圧VT)により、容量C1が充電される。具体的には、容量C1の端子Tc1側に正電荷が蓄積し、端子Tc2側に負電荷が蓄積する。
次に、入力信号Vinが所定の正の値V1に達すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ1をLowからHighに、タイミング信号φ1BをHighからLowに遷移させる(タイミングT2)。以降では、タイミング信号φ1がHigh、タイミング信号φ1BがLowである期間を、期間P2と称する。なお、期間P2における整流回路100の動作は、第2のモードに対応する。また、タイミングT1とタイミングT2との間の時間を、遅延TDと称する。つまり、タイミング信号φ1及びφ1Bは、遅延TDの後に、入力信号Vinに同期して遷移する信号である。
図5Bは、期間P2における切替回路2及び電位差保持回路3の等価回路図である。図5Bに示すように、期間P2では、期間P1で充電された容量C1の正極である端子Tc1は、NMOSトランジスタMN1のゲートと接続される。期間P1で充電された容量C1の負極である端子Tc2は、NMOSトランジスタMN1のドレインと接続される。これにより、NMOSトランジスタMN1のゲート−ドレイン間に、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(ドレイン−ソース間電圧)と同じ大きさの電圧が印可される。よって、NMOSトランジスタMN1のゲート電圧が、ドレイン電圧よりもNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTだけ昇圧される。これにより、NMOSトランジスタMN1での電圧降下が補償され、期間P2では出力電圧VOUTが入力電圧Vinと同電位となる。
その後、入力信号Vinが低下すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ1をHighからLowに、タイミング信号φ1BをLowからHighに遷移させる(タイミングT3)。これにより、期間P1が再度開始する。タイミングT3後、入力信号Vinの値は負の値となり、その後上昇に転じて再度正の値をとる。そして、入力信号Vinが所定の正の値V1に達する(タイミングT1)と、タイミング信号生成回路1は、再びタイミング信号φ1をLowからHighに、タイミング信号φ1BをHighからLowに遷移させる(タイミングT2)。
以上より、本構成によれば、期間P2において出力電圧VOUTの電圧降下を防止することができる。これにより、効率的な整流動作が可能となり、整流回路100から回収できる電力を増大させることができる。
なお、整流回路100は、期間P2でのNMOSトランジスタでの電圧降下を補償するため、期間P1において、容量C1にNMOSトランジスタの閾値電圧VTを保持することが必要である。よって、期間P1において、容量C1の端子Tc1と端子Tc2との間に閾値電圧VTを印可するには、所定の正の値V1を、NMOSトランジスタでの閾値電圧VTよりも大きく設定すればよい。
よって、期間P1及びP2の動作を繰り返すことにより、整流回路100は、効率的な半波整流動作を行うことができる。本構成によれば、期間P2でのNMOSトランジスタでの電圧降下を、期間P1で保持した閾値電圧VTにより相殺することができる。従って、期間P2でのNMOSトランジスタでの電圧降下を正確に補償することができる。
実施の形態2
次に、実施の形態2にかかる整流回路200について説明する。整流回路200は、実施の形態1にかかる整流回路100のサブ整流回路10を2つ有する。これにより、整流回路200は、全波整流回路として構成される。図6は、実施の形態2にかかる整流回路200の構成を模式的に示すブロック図である。図6に示すように、整流回路200は、実施の形態1と同様に、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、外部の交流電圧源101と接続される。交流電圧源101は、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
次に、実施の形態2にかかる整流回路200について説明する。整流回路200は、実施の形態1にかかる整流回路100のサブ整流回路10を2つ有する。これにより、整流回路200は、全波整流回路として構成される。図6は、実施の形態2にかかる整流回路200の構成を模式的に示すブロック図である。図6に示すように、整流回路200は、実施の形態1と同様に、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、外部の交流電圧源101と接続される。交流電圧源101は、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
整流回路200は、2つのサブ整流回路10a及び10b、ダイオード21及び22を有する。サブ整流回路10a及び10bは、実施の形態1にかかるサブ整流回路10と同様の構成を有する。
サブ整流回路10aの入力端子IN1は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10aの出力端子OUT1は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10aの入力端子IN1は、第1の入力端子Tin1と接続される。サブ整流回路10aの出力端子OUT1は、第1の出力端子Tout1と接続される。
サブ整流回路10bの入力端子IN2は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10bの出力端子OUT2は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10bの入力端子IN2は、第2の入力端子Tin2と接続される。サブ整流回路10bの出力端子OUT2は、第1の出力端子Tout1と接続される。
ダイオード21のアノードは、第2の出力端子Tout2と接続される。ダイオード21のカソードは、第2の入力端子Tin2と接続される。ダイオード22のアノードは、第2の出力端子Tout2と接続される。ダイオード21のカソードは、第1の入力端子Tin1と接続される。
なお、サブ整流回路10bでは、サブ整流回路10と比べて、タイミング信号φ1がタイミング信号φ2に、タイミング信号φ1Bがタイミング信号φ2Bに置換される。なお、タイミング信号φ2及びφ2Bは、遅延TDの後に、入力信号Vin−に同期して遷移する信号である。サブ整流回路10bのその他の構成は、サブ整流回路10と同様であるので、説明を省略する。
続いて、整流回路200の動作について説明する。図7は、整流回路200の動作を示すタイミングチャートである。期間P1及び期間P2におけるサブ整流回路10aにおける整流作用は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10と同様であるので、説明を省略する。
サブ整流回路10bの動作について説明する。初期状態において、タイミング信号φ2はLow、タイミング信号φ2BはHighである。以降では、タイミング信号φ2がLow、タイミング信号φ2BがHighである期間を、期間P3と称する。期間P3では、スイッチSW1及びSW2はオフ、スイッチSW3〜SW5はオンである。
期間P3では、入力信号Vinがマイナスに振れる(タイミングT4)と、サブ整流回路10bのNMOSトランジスタMN1は、入力信号Vin−に対してNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTに相当する電圧だけ降下した電圧を、出力端子OUT2及び第2の出力端子Tout2を介して、出力電圧VOUTとして出力する。このとき、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(閾値電圧VT)により、サブ整流回路10bの容量C1が充電される。具体的には、サブ整流回路10bの容量C1の端子Tc1側に正電荷が蓄積し、端子Tc2側に負電荷が蓄積する。このときのサブ整流回路10bの等価回路図は、図5Aと同様である。
次に、入力信号Vinが所定の負の値である−V1に達すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ2をLowからHighに、タイミング信号φ2BをHighからLowに遷移させる(タイミングT5)。以降では、タイミング信号φ2がHigh、タイミング信号φ2BがLowである期間を、期間P4と称する。また、タイミングT4とタイミングT5との間の時間を、図4と同様に、遅延TDと称する。つまり、タイミング信号φ2及びφ2Bは、上述のように、遅延TDの後に、入力信号Vinに同期して遷移する信号である。
期間P4では、期間P3で充電された容量C1の正極である端子Tc1は、NMOSトランジスタMN1のゲートと接続される。期間P3で充電された容量C1の負極である端子Tc2は、NMOSトランジスタMN1のドレインと接続される。これにより、NMOSトランジスタMN1のゲート−ドレイン間に、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(ドレイン−ソース間電圧)と同じ大きさの電圧が印可される。よって、NMOSトランジスタMN1のゲート電圧が、ドレイン電圧よりもNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTだけ昇圧される。これにより、NMOSトランジスタMN1での電圧降下が補償され、期間P2では期間P1に比べて出力電圧VOUTが閾値電圧VTだけ昇圧される。このときのサブ整流回路10bの等価回路図は、図5Bと同様である。
その後、入力信号Vinが上昇すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ2をHighからLowに、タイミング信号φ2BをLowからHighに遷移させる(タイミングT6)。これにより、期間P6が再度開始する。タイミングT6後、入力信号Vinの値は正の値となり、その後上昇に転じて再度負の値をとる。そして、入力信号Vinが所定の負の値−V1に達する(タイミングT4)と、タイミング信号生成回路1は、再びタイミング信号φ2をLowからHighに、タイミング信号φ2BをHighからLowに遷移させる(タイミングT5)。
よって、サブ整流回路10bは、サブ整流回路10aと同様の整流動作を行う。しかも、サブ整流回路10bは、入力信号Vinが負の値をとる場合に整流動作を行うため、サブ整流回路10aに対して相補的に整流動作を行う。つまり、サブ整流回路10b及びサブ整流回路10bを組み合わせることで、全波整流動作を実現することが可能である。従って、本構成によれば、効率的な全波整流動作が可能となり、整流回路200から回収される電力を増大させることができる。
実施の形態3
次に、実施の形態3にかかる整流回路300について説明する。整流回路300は、実施の形態1にかかる整流回路100のサブ整流回路10を4つ有する。これにより、整流回路300は、全波整流回路として構成される。図8は、実施の形態3にかかる整流回路300の構成を模式的に示すブロック図である。図8に示すように、整流回路300は、実施の形態1と同様に、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、外部の交流電圧源101と接続される。交流電圧源101は、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
次に、実施の形態3にかかる整流回路300について説明する。整流回路300は、実施の形態1にかかる整流回路100のサブ整流回路10を4つ有する。これにより、整流回路300は、全波整流回路として構成される。図8は、実施の形態3にかかる整流回路300の構成を模式的に示すブロック図である。図8に示すように、整流回路300は、実施の形態1と同様に、第1の入力端子Tin1及び第2の入力端子Tin2を介して、外部の交流電圧源101と接続される。交流電圧源101は、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
整流回路300は、4つのサブ整流回路10a、10b、10c及び10dを有する。サブ整流回路10a、10b、10c及び10dは、実施の形態1にかかるサブ整流回路10と同様の構成を有する。
サブ整流回路10aの入力端子IN1は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10aの出力端子OUT1は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10aの入力端子IN1は、第1の入力端子Tin1と接続される。サブ整流回路10aの出力端子OUT1は、第1の出力端子Tout1と接続される。
サブ整流回路10bの入力端子IN2は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10bの出力端子OUT2は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10bの入力端子IN2は、第2の出力端子Tin2と接続される。サブ整流回路10bの出力端子OUT2は、第1の出力端子Tout1と接続される。
サブ整流回路10cの入力端子IN3は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10cの出力端子OUT3は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10cの入力端子IN3は、第2の出力端子Tout2と接続される。サブ整流回路10cの出力端子OUT3は、第1の入力端子Tin1と接続される。
サブ整流回路10dの入力端子IN4は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の入力端子INに相当する。サブ整流回路10dの出力端子OUT4は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10の出力端子OUTに相当する。サブ整流回路10dの入力端子IN4は、第2の出力端子Tout2と接続される。サブ整流回路10dの出力端子OUT4は、第2の入力端子Tin2と接続される。
なお、サブ整流回路10b及び10cでは、サブ整流回路10と比べて、タイミング信号φ1がタイミング信号φ2に、タイミング信号φ1Bがタイミング信号φ2Bに置換される。なお、タイミング信号φ2及びφ2Bは、遅延TDの後に、入力信号Vin−に同期して遷移する信号である。サブ整流回路10b及び10cのその他の構成は、サブ整流回路10と同様であるので、説明を省略する。
続いて、整流回路300の動作について説明する。図9は、整流回路300の動作を示すタイミングチャートである。期間P1及び期間P2におけるサブ整流回路10a及び10dにおける整流作用は、実施の形態1にかかるサブ整流回路10と同様であるので、説明を省略する。
サブ整流回路10b及び10cの動作について説明する。初期状態において、タイミング信号φ2はLow、タイミング信号φ2BはHighである。以降では、タイミング信号φ2がLow、タイミング信号φ2BがHighである期間を、期間P3と称する。期間P3では、スイッチSW1及びSW2はオフ、スイッチSW3〜SW5はオンである。
期間P3では、入力信号Vinがマイナスに振れる(タイミングT4)と、サブ整流回路10bのNMOSトランジスタMN1は、入力信号Vinに対してNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTに相当する電圧だけ降下した電圧を、出力端子OUT2及び第2の出力端子Tout2を介して、出力電圧VOUTとして出力する。このとき、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(閾値電圧VT)により、サブ整流回路10bの容量C1が充電される。具体的には、サブ整流回路10bの容量C1の端子Tc1側に正電荷が蓄積し、端子Tc2側に負電荷が蓄積する。このときのサブ整流回路10bの等価回路図は、図5Aと同様である。
次に、入力信号Vinが所定の負の値である−V1に達すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ2をLowからHighに、タイミング信号φ2BをHighからLowに遷移させる(タイミングT5)。以降では、タイミング信号φ2がHigh、タイミング信号φ2BがLowである期間を、期間P4と称する。また、タイミングT4とタイミングT5との間の時間を、図4と同様に、遅延TDと称する。つまり、タイミング信号φ2及びφ2Bは、上述のように、遅延TDの後に、入力信号Vinに同期して遷移する信号である。
期間P4では、期間P3で充電された容量C1の正極である端子Tc1は、NMOSトランジスタMN1のゲートと接続される。期間P3で充電された容量C1の負極である端子Tc2は、NMOSトランジスタMN1のドレインと接続される。これにより、NMOSトランジスタMN1のゲート−ドレイン間に、NMOSトランジスタMN1の降下電圧(ドレイン−ソース間電圧)と同じ大きさの電圧が印可される。よって、NMOSトランジスタMN1のゲート電圧が、ドレイン電圧よりもNMOSトランジスタMN1の閾値電圧VTだけ昇圧される。これにより、NMOSトランジスタMN1での電圧降下が補償され、期間P2では期間P1に比べて出力電圧VOUTが閾値電圧VTだけ昇圧される。このときのサブ整流回路10bの等価回路図は、図5Bと同様である。
その後、入力信号Vinが上昇すると、タイミング信号生成回路1は、タイミング信号φ2をHighからLowに、タイミング信号φ2BをLowからHighに遷移させる(タイミングT6)。これにより、期間P6が再度開始する。タイミングT6後、入力信号Vinの値は正の値となり、その後上昇に転じて再度負の値をとる。そして、入力信号Vinが所定の負の値−V1に達する(タイミングT4)と、タイミング信号生成回路1は、再びタイミング信号φ2をLowからHighに、タイミング信号φ2BをHighからLowに遷移させる(タイミングT5)。
なお、サブ整流回路10dは、入力端子IN4が第2の出力端子Tout2と接続され、出力端子OUT4が第2の入力端子Tin2と接続される他は、サブ整流回路10aと同様の動作を行う。サブ整流回路10cは、入力端子IN3が第2の出力端子Tout2と接続され、出力端子OUT3が第1の入力端子Tin1と接続される他は、サブ整流回路10bと同様の動作を行う。
よって、サブ整流回路10b及び10cは、サブ整流回路10a及び10dと同様の整流動作を行う。しかも、サブ整流回路10b及び10cは、入力信号Vinが負の値をとる場合に整流動作を行うため、サブ整流回路10a及び10dに対して相補的に整流動作を行う。つまり、サブ整流回路10a及び10d並びにサブ整流回路10b及び10cを組み合わせることで、全波整流動作を実現することが可能である。従って、本構成によれば、効率的な全波整流動作が可能となり、整流回路300から回収される電力を増大させることができる。
実施の形態3にかかる整流回路300では、整流回路200と比較すると、ダイオード21及び22をサブ整流回路に置換しているため、ダイオード21及び22で生じていた電圧降下を補償でき、実効的な入力電圧Vin+の振幅をより大きく確保できる。その結果、整流回路200に比較して回収される電力をさらに増大させることができる。
実施の形態4
次に、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aについて説明する。タイミング信号生成回路1aは、サブ整流回路10に組み込まれるタイミング信号生成回路1の具体例である。図10は、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aの構成を示すブロック図である。ここでは、タイミング信号生成回路1aがサブ整流回路10又は10aに組み込まれる場合について説明する。タイミング信号生成回路1aは、バッファ部31を有する。
次に、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aについて説明する。タイミング信号生成回路1aは、サブ整流回路10に組み込まれるタイミング信号生成回路1の具体例である。図10は、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aの構成を示すブロック図である。ここでは、タイミング信号生成回路1aがサブ整流回路10又は10aに組み込まれる場合について説明する。タイミング信号生成回路1aは、バッファ部31を有する。
バッファ部31は、インバータINV1及びINV2を有する。インバータINV1の入力には、入力信号Vin+が入力される。インバータINV1の出力は、インバータINV2の入力と接続されるとともに、タイミング信号φ1Bを出力する。インバータINV2の出力は、タイミング信号φ1Bの反転信号であるタイミング信号φ1を出力する。なお、インバータINV1及びINV2は外部電源から電源電圧VDが供給される。
ここで、インバータINV1は、論理閾値VTH_INVを有する。すなわち、入力信号Vin+が論理閾値VTH_INVに到達するまでは、インバータINV1が出力するタイミング信号φ1Bの電圧レベルは変化しない。つまり、インバータINV1には、論理閾値VTH_INVを利用することにより、タイミング信号φ1Bを、入力信号Vin+に一定の遅延を付与した信号として、自動的に生成することができる。
なお、入力信号Vin+が論理閾値VTH_INVに到達したならば、インバータINV1を十分な電圧レベル(例えば、電源電圧VD)のタイミング信号φ1Bを出力する。これにより、インバータINV2は、タイミング信号φ1Bの遷移に同期して、タイミング信号φ1の電圧レベルを遷移させることができる。
以上説明したように、タイミング信号生成回路1aによれば、図4及び図7に示すようなタイミング信号φ1及びφ1Bを生成することができる。
なお、タイミング信号生成回路1aをサブ整流回路10bに組み込む場合には、同様の構成のまま、入力信号を入力信号Vin+から入力信号Vin−に変更するだけで、タイミング信号φ2及びφ2Bを生成できることは言うまでもない。タイミング信号生成回路1aをサブ整流回路10c及び10dに組み込む場合には、同様の構成のまま、インバータINV1の入力を第2の出力端子と接続することで、タイミング信号φ2及びφ2Bを生成できることは言うまでもない。
実施の形態5
次に、実施の形態5にかかる整流回路500について説明する。図11は、実施の形態5にかかる整流回路500の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路500は、実施の形態2にかかる整流回路200に、平滑回路41、DC−DCコンバータ42及び二次電池43を追加した構成を有する。また、整流回路500では、サブ整流回路10a及び10bに供給する電源電圧として、整流回路500の出力電圧VOUTを用いる。
次に、実施の形態5にかかる整流回路500について説明する。図11は、実施の形態5にかかる整流回路500の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路500は、実施の形態2にかかる整流回路200に、平滑回路41、DC−DCコンバータ42及び二次電池43を追加した構成を有する。また、整流回路500では、サブ整流回路10a及び10bに供給する電源電圧として、整流回路500の出力電圧VOUTを用いる。
平滑回路41は、第1の出力端子Tout1と第2の出力端子Tout2との間に接続され、出力電圧VOUTの値を平滑化する。
DC−DCコンバータ42は、第1の出力端子Tout1及び第2の出力端子の前段に挿入される。DC−DCコンバータ42は、サブ整流回路10a及び10bから出力される電圧を、例えば昇圧して、昇圧した電圧を出力電圧VOUTとして出力する。
二次電池43は、第1の出力端子Tout1と第2の出力端子Tout2との間に接続され、両端子間の電圧により充電される。
また、第1の出力端子Tout1は、サブ整流回路10a及び10bの電源端子、DC−DCコンバータ42の電源端子と接続される。これにより、サブ整流回路10a及び10b、DC−DCコンバータ42には、第1の出力端子Tout1からの出力電圧VOUTが、電源電圧として供給される。
本構成によれば、整流回路500自身が生成する出力電圧を、サブ整流回路10a及び10bの電源電圧として使用することができるので、別途の電源を必要としない。これにより、整流回路500を組み込むシステムの構成を簡略化することができる。
なお、本構成では、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合には、整流回路500の出力電圧VOUTの振幅も小さくなる。しかし、整流回路500は二次電池43を有するので、第1の出力端子Tout1の電圧は、二次電池43の出力電圧のレベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルが低い場合でも、タイミング信号生成回路1のインバータINV1及びINV2への電源供給電圧が十分な電圧レベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、タイミング信号生成回路1は、好適にタイミング信号を生成することができる。その結果、整流回路500は、入力信号Vinの電圧レベルにかかわりなく、効率的な整流動作を行うことが可能となる。
なお、上述では、整流回路500が二次電池43を有する例について説明したがこれは例示に過ぎない。つまり、二次電池43に代えて、乾電池などの他の電圧源を用いることができることは勿論である。
実施の形態6
次に、実施の形態6にかかる整流回路600について説明する。図12は、実施の形態6にかかる整流回路600の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路600は、実施の形態3にかかる整流回路300に、平滑回路41、DC−DCコンバータ42及び二次電池43を追加した構成を有する。また、整流回路600では、サブ整流回路10a、10b、10c及び10dに供給する電源電圧として、整流回路600の出力電圧VOUTを用いる。
次に、実施の形態6にかかる整流回路600について説明する。図12は、実施の形態6にかかる整流回路600の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路600は、実施の形態3にかかる整流回路300に、平滑回路41、DC−DCコンバータ42及び二次電池43を追加した構成を有する。また、整流回路600では、サブ整流回路10a、10b、10c及び10dに供給する電源電圧として、整流回路600の出力電圧VOUTを用いる。
平滑回路41は、第1の出力端子Tout1と第2の出力端子Tout2との間に接続され、出力電圧VOUTの値を平滑化する。
DC−DCコンバータ42は、第1の出力端子Tout1及び第2の出力端子の前段に挿入される。DC−DCコンバータ42は、サブ整流回路10a及び10bから出力される電圧を、例えば昇圧して、昇圧した電圧を出力電圧VOUTとして出力する。
二次電池43は、第1の出力端子Tout1と第2の出力端子Tout2との間に接続され、両端子間の電圧により充電される。
また、第1の出力端子Tout1は、サブ整流回路10a、10b、10c及び10dの電源端子、DC−DCコンバータ42の電源端子と接続される。これにより、サブ整流回路10a及び10b、DC−DCコンバータ42には、第1の出力端子Tout1からの出力電圧VOUTが、電源電圧として供給される。
本構成によれば、整流回路600自身が生成する出力電圧を、サブ整流回路10a、10b、10c及び10dの電源電圧として使用することができるので、別途の電源を必要としない。これにより、整流回路600を組み込むシステムの構成を簡略化することができる。
なお、本構成では、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合には、整流回路600の出力電圧VOUTの振幅も小さくなる。しかし、整流回路600は二次電池43を有するので、第1の出力端子Tout1の電圧は、二次電池43の出力電圧のレベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルが低い場合でも、タイミング信号生成回路1のインバータINV1及びINV2への電源供給電圧が十分な電圧レベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、タイミング信号生成回路1は、好適にタイミング信号を生成することができる。その結果、整流回路600は、入力信号Vinの電圧レベルにかかわりなく、効率的な整流動作を行うことが可能となる。
なお、上述では、整流回路600が二次電池43を有する例について説明したがこれは例示に過ぎない。つまり、二次電池43に代えて、乾電池などの他の電圧源を用いることができることは勿論である。
実施の形態6にかかる整流回路600では、整流回路500と比較すると、ダイオード21及び22をサブ整流回路に置換しているため、ダイオード21及び22で生じていた電圧降下を補償でき、実効的な入力電圧Vin+の振幅をより大きく確保できる。その結果、整流回路500に比較して回収される電力をさらに増大させることができる。
実施の形態7
次に、実施の形態7にかかる整流回路700について説明する。図13は、実施の形態7にかかる整流回路700の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路700は、実施の形態5にかかる整流回路500の構成転換例である。整流回路700は、整流回路500の二次電池43を削除し、ダイオード51〜54を追加した構成を有する。
次に、実施の形態7にかかる整流回路700について説明する。図13は、実施の形態7にかかる整流回路700の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路700は、実施の形態5にかかる整流回路500の構成転換例である。整流回路700は、整流回路500の二次電池43を削除し、ダイオード51〜54を追加した構成を有する。
ダイオード51は、アノードが第1の入力端子Tin1と接続され、カソードが第1の出力端子Tout1と接続される。ダイオード52は、アノードが第2の入力端子Tin2と接続され、カソードが第1の出力端子Tout1と接続される。ダイオード53は、アノードが第2の出力端子Tout2と接続され、カソードが第1の入力端子Tin1と接続される。ダイオード54は、アノードが第2の出力端子Tout2と接続され、カソードが第2の入力端子Tin2と接続される。
なお、ダイオード51〜54は、例えば、ドレインとゲートとが接続(いわゆるダイオード接続)された、NMOSトランジスタを用いることができる。この場合、ダイオード接続されたNMSOトランジスタのドレインがアノード、ソースがカソードとなる。
つまり、ダイオード51〜54は、サブ整流回路10a及び10b、ダイオード21及び22と同様に、1つの全波整流回路を構成する。整流回路700のその他の構成は、整流回路500と同様であるので、説明を省略する。
本構成によれば、整流回路500と比べて、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、整流回路700の出力電圧VOUTの振幅低下を、二次電池43が無くとも、ダイオード51〜54が構成する全波整流回路により抑制できる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルが低い場合でも、タイミング信号生成回路1のインバータINV1及びINV2への電源供給電圧が十分な電圧レベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、タイミング信号生成回路1は、好適にタイミング信号を生成することができる。その結果、整流回路700は、入力信号Vinの電圧レベルにかかわりなく、効率的な整流動作を行うことが可能となる。
実施の形態8
次に、実施の形態8にかかる整流回路800について説明する。図14は、実施の形態8にかかる整流回路800の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路800は、実施の形態6にかかる整流回路600の構成転換例である。整流回路800は、整流回路600の二次電池43を削除し、ダイオード51〜54を追加した構成を有する。
次に、実施の形態8にかかる整流回路800について説明する。図14は、実施の形態8にかかる整流回路800の構成を模式的に示すブロック図である。整流回路800は、実施の形態6にかかる整流回路600の構成転換例である。整流回路800は、整流回路600の二次電池43を削除し、ダイオード51〜54を追加した構成を有する。
ダイオード51は、アノードが第1の入力端子Tin1と接続され、カソードが第1の出力端子Tout1と接続される。ダイオード52は、アノードが第2の入力端子Tin2と接続され、カソードが第1の出力端子Tout1と接続される。ダイオード53は、アノードが第2の出力端子Tout2と接続され、カソードが第1の入力端子Tin1と接続される。ダイオード54は、アノードが第2の出力端子Tout2と接続され、カソードが第2の入力端子Tin2と接続される。
なお、ダイオード51〜54は、例えば、ドレインとゲートとが接続(いわゆるダイオード接続)された、NMOSトランジスタを用いることができる。この場合、ダイオード接続されたNMOSトランジスタのドレインがアノード、ソースがカソードとなる。
つまり、ダイオード51〜54は、サブ整流回路10a、10b、10c及び10d、ダイオード21及び22と同様に、1つの全波整流回路を構成する。整流回路800のその他の構成は、整流回路700と同様であるので、説明を省略する。
本構成によれば、整流回路700と比べて、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、整流回路800の出力電圧VOUTの振幅低下を、二次電池43が無くとも、ダイオード51〜54が構成する全波整流回路により抑制できる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルが低い場合でも、タイミング信号生成回路1のインバータINV1及びINV2への電源供給電圧が十分な電圧レベルに保たれる。これにより、入力信号Vinの電圧レベルの絶対値が小さい場合でも、タイミング信号生成回路1は、好適にタイミング信号を生成することができる。その結果、整流回路800は、入力信号Vinの電圧レベルにかかわりなく、効率的な整流動作を行うことが可能となる。
実施の形態8にかかる整流回路800では、整流回路700と比較すると、ダイオード21及び22をサブ整流回路に置換しているため、ダイオード21及び22で生じていた電圧降下を補償でき、実効的な入力電圧Vinの振幅をより大きく確保できる。その結果、整流回路700に比較して回収される電力をさらに増大させることができる。
実施の形態9
次に、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bについて説明する。図15は、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bの構成を模式的に示すブロック図である。タイミング信号生成回路1bは、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aに、レベルシフタ61を追加した構成を有する。
次に、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bについて説明する。図15は、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bの構成を模式的に示すブロック図である。タイミング信号生成回路1bは、実施の形態4にかかるタイミング信号生成回路1aに、レベルシフタ61を追加した構成を有する。
レベルシフタ61は、バッファ部31の前段に挿入される。レベルシフタ61は、容量C6及びインバータINV6を有する。インバータINV6は、PMOSトランジスタMP6及びNMOSトランジスタMN6を有する。PMOSトランジスタMP6のソースには、電源電圧VDが供給される。PMOSトランジスタMP6及びNMOSトランジスタMN6のドレインは相互に接続され、インバータINV6の出力に対応する。NMOSトランジスタMN6のソースには、グランド電圧が供給される。PMOSトランジスタMP6及びNMOSトランジスタMN6のゲートはインバータINV6の入力に対応し、容量C6を介して入力信号Vin+が印加される。
レベルシフタ61は、入力信号Vin+がNMOSトランジスタMN6の閾値、すなわちインバータINV6の論理閾値VTH_INV6を超える場合に、入力信号Vin+をインバータINV6の論理閾値VTH_INV6だけレベルシフトした電圧(VTH_INV6+Vin+)を、バッファ部31に出力する。
なお、タイミング信号は、入力信号の立ち上がりから所定の遅延の後に遷移することが必要である。そのため、インバータINV6の論理閾値VTH_INV6は、バッファ部31のインバータINV1の論理閾値VTH_INVよりも小さいことが望ましい。もし、VTH_INV6>VTH_INVである場合には、バッファ部31がレベルシフタ61から電圧を受けた場合に、タイミング信号φ1は「0」、タイミング信号φ1Bは「1」になってしまう。これにより、遅延TDが無くなってしまい、電位差保持回路3における充電動作を適切に行うことができなくなるからである。
この事情を鑑みれば、論理閾値VTH_INV6は、VTH_INVの1/2以下でることが望ましい。なお、論理閾値VTH_INV6の設定値は例示に過ぎず、この例に限られるものではない。
実施の形態10
次に、実施の形態10にかかるタイミング信号生成回路1cについて説明する。図16は、実施の形態10にかかるタイミング信号生成回路1cの構成を模式的に示すブロック図である。タイミング信号生成回路1cは、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bに、タイミング信号昇圧回路71及び72を追加した構成を有する。タイミング信号昇圧回路71及び72は、同一の構成を有する。
次に、実施の形態10にかかるタイミング信号生成回路1cについて説明する。図16は、実施の形態10にかかるタイミング信号生成回路1cの構成を模式的に示すブロック図である。タイミング信号生成回路1cは、実施の形態9にかかるタイミング信号生成回路1bに、タイミング信号昇圧回路71及び72を追加した構成を有する。タイミング信号昇圧回路71及び72は、同一の構成を有する。
図17は、タイミング信号昇圧回路71の構成例を示すブロック図である。タイミング信号昇圧回路71は、PMOSトランジスタMP71及びMP72、NMOSトランジスタMN71〜73、容量C7を有する。PMOSトランジスタMP71のソースには、電源電圧VDが供給される。PMOSトランジスタMP71及びNMOSトランジスタMN72のドレインは相互に接続される。NMOSトランジスタMN71のソースには、グランド電圧が供給される。PMOSトランジスタMP71及びNMOSトランジスタMN71のゲートは、入力端子T7aと接続される。
NMOSトランジスタMN73のドレインには、電源電圧VDが供給される。NMOSトランジスタMN73のゲートは、ドレインと接続される。NMOSトランジスタMN73のソースは、容量C7を介して、PMOSトランジスタMP71及びNMOSトランジスタMN72のドレインと接続される。
PMOSトランジスタMP72のソースは、NMOSトランジスタMN73のソースと接続される。PMOSトランジスタMP72及びNMOSトランジスタMN72のドレインは相互に接続され、かつ、出力端子T7bと接続される。NMOSトランジスタMN72のソースには、グランド電圧が供給される。PMOSトランジスタMP72及びNMOSトランジスタMN72のゲートは、入力端子T7aと接続される。
本構成によれば、出力端子T7bからは、例えば、入力端子T7aに入力される信号の2倍の電圧振幅を有する信号が出力される。これにより、入力信号Vinが小さい場合でも、タイミング信号を生成が可能となり、整流動作を開始することができる。
実施の形態11
次に、実施の形態11にかかるサブ整流回路10eについて説明する。図18は、実施の形態11にかかるサブ整流回路10eの構成を模式的に示すブロック図である。サブ整流回路10eは、実施の形態11にかかるサブ整流回路10のNMOSトランジスタMN1を、PMOSトランジスタMP1に置換した構成を有する。
次に、実施の形態11にかかるサブ整流回路10eについて説明する。図18は、実施の形態11にかかるサブ整流回路10eの構成を模式的に示すブロック図である。サブ整流回路10eは、実施の形態11にかかるサブ整流回路10のNMOSトランジスタMN1を、PMOSトランジスタMP1に置換した構成を有する。
PMOSトランジスタMP1は、ソースが入力端子INと接続され、ドレインが出力端子OUTと接続される。また、PMOSトランジスタMP1のソース、ドレイン及びゲートは、切替回路2aと接続される。
切替回路2aは、タイミング信号φ1及びφ1Bに応じて、PMOSトランジスタMP1と電位差保持回路3と間の接続を切り替える。切替回路2aには、外部の電源から、電源電圧VDが供給される。
タイミング信号生成回路1及び電位差保持回路3については、実施の形態1と同様であるので、説明を省略する。
切替回路2a及び電位差保持回路3の構成について詳細に説明する。図19は、実施の形態11にかかるサブ整流回路10eの切替回路2a及び電位差保持回路3の構成を示す回路図である。切替回路2aは、スイッチSW81〜SW85を有する。電位差保持回路3は、実施の形態1と同様、容量C1により構成される。スイッチSW81は、PMOSトランジスタMP1のゲートと容量C1の端子Tc2との間に挿入される。スイッチSW82は、容量C1の端子Tc1と出力端子OUT及びPMOSトランジスタMP1のドレインとの間に挿入される。スイッチSW83は、容量C1の端子Tc2と出力端子OUT及びPMOSトランジスタMP1のドレインとの間に挿入される。スイッチSW84は、容量C1の端子Tc1と入力端子IN及びPMOSトランジスタMP1のソースとの間に挿入される。スイッチSW85は、PMOSトランジスタMP1のゲートと出力端子OUT及びPMOSトランジスタMP1のドレインとの間に挿入される。
スイッチSW81及びSW82は、タイミング信号φ1に応じてオン/オフする。具体的には、スイッチSW81及びSW82は、タイミング信号φ1がHighである場合にオンとなり、タイミング信号φ1がLowである場合にオフなる。スイッチSW83〜SW85は、タイミング信号φ1Bに応じてオン/オフする。具体的には、スイッチSW83〜SW85は、タイミング信号φ1BがHighである場合にオンとなり、タイミング信号φ1がLowである場合にオフなる。タイミング信号φ1Bはタイミング信号φ1の反転信号であるので、スイッチSW81及びSW82は、スイッチSW83〜SW85に対して相補的にオン/オフする。
すなわち、サブ整流回路10eは、実施の形態1にかかるサブ整流回路10のNMOSトランジスタMN1及び切替回路2を、入力端子IN、出力端子OUT及び容量C1に対して左右ミラー反転し、さらに、NMOSトランジスタMN1をPMOSトランジスタMP1に置換した構成を有する。
サブ整流回路10eは、実施の形態1にかかるサブ整流回路10と同様の動作を行うことができる。よって、PMOSトランジスタを用いたサブ整流回路10eを適用することにより、上述の実施の形態にかかる整流回路を、同様に構成することが可能である。
その他の実施の形態
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態にかかる整流回路及びサブ整流回路は、振動や圧力等の低周波のエネルギー源に対するインタフェースに適用することにより、効率的に電力を解消することができる。ただし、これは適用例に過ぎず、より周波数の高い領域においても適用可能である。
なお、本発明は上記実施の形態に限られたものではなく、趣旨を逸脱しない範囲で適宜変更することが可能である。例えば、上述の実施の形態にかかる整流回路及びサブ整流回路は、振動や圧力等の低周波のエネルギー源に対するインタフェースに適用することにより、効率的に電力を解消することができる。ただし、これは適用例に過ぎず、より周波数の高い領域においても適用可能である。
実施の形態1にかかる整流回路100についても、実施の形態5にかかる整流回路500と同様に、平滑回路、DC−DCコンバータ及び二次電池を導入することができることは勿論である。実施の形態1にかかる整流回路100に、入力端子Tin2と第2の出力端子Tout2との間に、図6のダイオード21又は図8のサブ整流回路10dを追加することも可能である。また、実施の形態1にかかる整流回路100に、実施の形態7にかかる整流回路700と同様に、ダイオードを適宜追加することが可能である。さらに、実施の形態1にかかる整流回路100では、整流回路500、600及び700と同様に、タイミング信号生成回路に第1の出力端子Tout1から出力される出力電圧VOUTを、電源電圧として供給することができる。
実施の形態9にかかるレベルシフタ61、実施の形態10にかかるタイミング信号昇圧器71及び72は、タイミング信号生成回路10b、10c及び10dにも同様に追加することができる。
また、上述の実施の形態にかかる整流回路において、サブ整流回路10a、10b、10c、10d及び10は、適宜実施の形態11にかかるサブ整流回路10eに置き換えることが可能である。
上記の実施の形態の一部又は全部は、以下の付記のようにも記載され得るが、以下には限られない。
(付記1)入力端子に入力される信号を整流した信号を出力端子から出力する第1の回路を備え、前記第1の回路は、入力信号が入力される前記入力端子と、前記出力端子と、の間に接続された第1のトランジスタと、両端に印可される電位差を保持する電位差保持回路と、複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、前記入力信号の電圧が所定値以下の場合には、前記第1のトランジスタの降下電圧を前記電位差保持回路に保持させ、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記電位差保持回路に保持した前記降下電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印可する切替回路と、を備える、整流回路。
(付記2)前記切替回路の前記複数のスイッチの開閉を制御するタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路を更に備える、付記1に記載の整流回路。
(付記3)前記タイミング信号は、第1のタイミング信号と、前記第1のタイミング信号の反転信号である第2のタイミング信号と、を含み、前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合に、前記第1のタイミング信号を第1の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を第2の電圧レベルとし、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合に、前記第1のタイミング信号を前記第2の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を前記第1の電圧レベルとする、付記2に記載の整流回路。
(付記4)前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号が入力し、前記入力信号の反転信号を前記第2のタイミング信号として出力する第1のインバータと、前記第2のタイミング信号が入力し、前記第2のタイミング信号の反転信号を前記第1のタイミング信号として出力する第2のインバータと、を備え、前記第1のインバータの論理閾値により、前記所定値が決定される、付記3に記載の整流回路。
(付記5)前記切替回路は、前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記電位差保持回路を前記第1のトランジスタと並列に接続し、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記電位差保持回路の正電荷が蓄積された端子を前記第1のトランジスタの前記制御端子であるゲートと接続し、前記電位差保持回路の負電荷が蓄積された端子を前記第1のトランジスタのドレインと接続する、付記4に記載の整流回路。
(付記6)前記切替回路は、前記第1のトランジスタの前記ゲートと前記電位差保持回路の第1の端子との間に挿入された第1のスイッチと、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記電位差保持回路の第2の端子との間に挿入され、前記第1のスイッチに同期して開閉する第2のスイッチと、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記第1の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第3のスイッチと、前記第1のトランジスタのソースと前記第2の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第4のスイッチと、を備え、前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記第1及び第2のスイッチが短絡され、前記第3及び第4のスイッチが開放され、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記第1及び第2のスイッチが開放され、前記第3及び第4のスイッチが短絡される、付記5に記載の整流回路。
(付記7)前記第1及び第2のスイッチは、前記第1のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放され、前記第3及び第4のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、付記6に記載の整流回路。
(付記8)前記切替回路は、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記ゲートのとの間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第5のスイッチを更に備え、前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記第5のスイッチが開放され、前記前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記第5のスイッチが短絡される、付記7に記載の整流回路。
(付記9)前記第5のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、付記8に記載の整流回路。
(付記10)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される平滑回路と、を更に備える、付記1乃至9のいずれかに記載の整流回路。
(付記11)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と前記第1の出力端子との間、及び、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間に挿入され、前記第1及び前記第2出力端子からの出力電圧を変圧するDC−DCコンバータと、を更に備える、付記1乃至9のいずれかに記載の整流回路。
(付記12)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される二次電池と、を更に備え、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記4に記載の整流回路。
(付記13)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、第2の出力端子と、前記第1の回路と同じ構成を有する第2の回路と、第1及び第2のダイオードと、を更に備え、前記第2の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第2の回路の出力端子は前記第1の出力端子と接続され、前記第1のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第2のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続される、付記4に記載の整流回路。
(付記14)第3乃至6のダイオードを更に備え、前記第3のダイオードのアノードは前記第1の入力端子と接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の入力端子と接続され、前記第4のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第5のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第5のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第6のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第6のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続され、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記13に記載の整流回路。
(付記15)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、第2の出力端子と、前記第1の回路と同じ構成を有する第2乃至4の回路と、を更に備え、前記第2の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第2の回路の出力端子は前記第1の出力端子と接続され、前記第3の回路の入力端子は前記第1の入力端子と接続され、前記第3の回路の出力端子は前記第2の出力端子と接続され、前記第4の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第4の回路の出力端子は前記第2の出力端子と接続される、付記4に記載の整流回路。
(付記16)第1乃至4のダイオードを更に備え、前記第1のダイオードのアノードは前記第1の入力端子と接続され、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第2の入力端子と接続され、前記第2のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第3のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第4のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続され、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記15に記載の整流回路。
(付記17)前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号の電圧レベルを所定の値だけ上昇させた信号を前記第1のインバータに出力するレベルシフタを更に備える、付記4に記載の整流回路。
(付記18)前記タイミング信号生成回路は、前記第1のインバータから出力される信号を昇圧し、昇圧した信号を前記2のタイミング信号として出力する第1の昇圧回路と、前記第2のインバータから出力される信号を昇圧し、昇圧した信号を前記1のタイミング信号として出力する第2の昇圧回路と、を更に備える、付記17に記載の整流回路。
(付記19)入力端子に入力される信号を整流した信号を出力端子から出力する第1の回路を備え、前記第1の回路は、入力信号が入力される前記入力端子と、前記出力端子と、の間に接続された第1のトランジスタと、両端に印可される電位差を保持する電位差保持回路と、複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、第1のモードでは、前記電位差保持回路の第1の端子を前記入力端子と接続し、前記電位差保持回路の第2の端子を前記出力端子と接続し、第2のモードでは、前記電位差保持回路の前記第1の端子を前記第1のトランジスタの制御端子と接続し、前記電位差保持回路の前記第2の端子を前記第1のトランジスタのドレインと接続する切替回路と、を備える、整流回路。
(付記20)前記切替回路の前記複数のスイッチの開閉を制御するタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路を更に備える、付記19に記載の整流回路。
(付記21)前記タイミング信号は、第1のタイミング信号と、前記第1のタイミング信号の反転信号である第2のタイミング信号と、を含み、前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号の電圧が所定値以下の場合である前記第1のモードにおいて、前記第1のタイミング信号を第1の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を第2の電圧レベルとし、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合である前記第2のモードにおいて、前記第1のタイミング信号を前記第2の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を前記第1の電圧レベルとする、付記20に記載の整流回路。
(付記22)前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号が入力し、前記入力信号の反転信号を前記第2のタイミング信号として出力する第1のインバータと、前記第2のタイミング信号が入力し、前記第2のタイミング信号の反転信号を前記第1のタイミング信号として出力する第2のインバータと、を備え、前記第1のインバータの論理閾値により、前記所定値が決定される、付記21に記載の整流回路。
(付記23)前記切替回路は、前記第1のトランジスタの前記ゲートと前記電位差保持回路の第1の端子との間に挿入された第1のスイッチと、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記電位差保持回路の第2の端子との間に挿入され、前記第1のスイッチに同期して開閉する第2のスイッチと、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記第1の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第3のスイッチと、前記第1のトランジスタのソースと前記第2の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第4のスイッチと、を備え、前記第1のモードでは、前記第1及び第2のスイッチが短絡され、前記第3及び第4のスイッチが開放され、前記第2のモードでは、前記第1及び第2のスイッチが開放され、前記第3及び第4のスイッチが短絡される、付記22に記載の整流回路。
(付記24)前記第1及び第2のスイッチは、前記第1のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放され、前記第3及び第4のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、付記23に記載の整流回路。
(付記25)前記切替回路は、前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記ゲートとの間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第5のスイッチを更に備え、前記第1のモードでは、前記第5のスイッチが開放され、前記第2のモードでは、前記第5のスイッチが短絡される、付記24に記載の整流回路。
(付記26)前記第5のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、付記25に記載の整流回路。
(付記27)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される平滑回路と、を更に備える、付記19乃至26のいずれか一項に記載の整流回路。
(付記28)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と前記第1の出力端子との間、及び、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間に挿入され、前記第1及び前記第2出力端子からの出力電圧を変圧するDC−DCコンバータと、を更に備える、付記19乃至26のいずれか一項に記載の整流回路。
(付記29)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される二次電池と、を更に備え、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記22に記載の整流回路。
(付記30)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、第2の出力端子と、前記第1の回路と同じ構成を有する第2の回路と、第1及び第2のダイオードと、を更に備え、前記第2の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第2の回路の出力端子は前記第1の出力端子と接続され、前記第1のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第2のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続される、付記22に記載の整流回路。
(付記31)第3乃至6のダイオードを更に備え、前記第3のダイオードのアノードは前記第1の入力端子と接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の入力端子と接続され、前記第4のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第5のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第5のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第6のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第6のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続され、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記30に記載の整流回路。
(付記32)交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、第2の出力端子と、前記第1の回路と同じ構成を有する第2乃至4の回路と、を更に備え、前記第2の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第2の回路の出力端子は前記第1の出力端子と接続され、前記第3の回路の入力端子は前記第1の入力端子と接続され、前記第3の回路の出力端子は前記第2の出力端子と接続され、前記第4の回路の入力端子は前記第2の入力端子と接続され、前記第4の回路の出力端子は前記第2の出力端子と接続される、付記22に記載の整流回路。
(付記33)第1乃至4のダイオードを更に備え、前記第1のダイオードのアノードは前記第1の入力端子と接続され、前記第1のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第2のダイオードのアノードは前記第2の入力端子と接続され、前記第2のダイオードのカソードは前記第1の出力端子と接続され、前記第3のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第3のダイオードのカソードは前記第1の入力端子と接続され、前記第4のダイオードのアノードは前記第2の出力端子と接続され、前記第4のダイオードのカソードは前記第2の入力端子と接続され、前記タイミング信号生成回路の前記第1及び第2のインバータは、前記第1の出力端子と接続されることにより電源供給を受ける、付記32に記載の整流回路。
(付記34)前記タイミング信号生成回路は、前記入力信号の電圧レベルを所定の値だけ上昇させた信号を前記第1のインバータに出力するレベルシフタを更に備える、付記22に記載の整流回路。
(付記35)前記タイミング信号生成回路は、前記第1のインバータから出力される信号を昇圧し、昇圧した信号を前記2のタイミング信号として出力する第1の昇圧回路と、前記第2のインバータから出力される信号を昇圧し、昇圧した信号を前記1のタイミング信号として出力する第2の昇圧回路と、を更に備える、付記34に記載の整流回路。
1、1a、1b、1c タイミング信号生成回路
2、2a 切替回路
3 電位差保持回路
10、10a、10b、10c、10d、10e サブ整流回路
21、22 ダイオード
31 バッファ部
41 平滑回路
42 DC−DCコンバータ
43 二次電池
51〜54 ダイオード
61 レベルシフタ
71 タイミング信号昇圧回路
100、200、300、500、600、700、800 整流回路
101 交流電圧源
102 負荷
C1、C6、C7 容量
IN、IN1、IN2 入力端子
INV1、INV2、INV6 インバータ
MN1、MN6、MN71、MN72 NMOSトランジスタ
MP1、MP6、MP71〜MP73 PMOSトランジスタ
OUT、OUT1、OUT2 出力端子
SW1〜SW5、SW81〜SW85 スイッチ
Tc1、Tc2 端子
Tin1 第1の入力端子
Tin2 第2の入力端子
Tout1 第1の出力端子
Tout2 第2の出力端子
VD 電源電圧
Vin、Vin+、Vin− 入力信号
VOUT 出力電圧
VT 閾値電圧
φ1、φ1B、φ2、φ2B タイミング信号
2、2a 切替回路
3 電位差保持回路
10、10a、10b、10c、10d、10e サブ整流回路
21、22 ダイオード
31 バッファ部
41 平滑回路
42 DC−DCコンバータ
43 二次電池
51〜54 ダイオード
61 レベルシフタ
71 タイミング信号昇圧回路
100、200、300、500、600、700、800 整流回路
101 交流電圧源
102 負荷
C1、C6、C7 容量
IN、IN1、IN2 入力端子
INV1、INV2、INV6 インバータ
MN1、MN6、MN71、MN72 NMOSトランジスタ
MP1、MP6、MP71〜MP73 PMOSトランジスタ
OUT、OUT1、OUT2 出力端子
SW1〜SW5、SW81〜SW85 スイッチ
Tc1、Tc2 端子
Tin1 第1の入力端子
Tin2 第2の入力端子
Tout1 第1の出力端子
Tout2 第2の出力端子
VD 電源電圧
Vin、Vin+、Vin− 入力信号
VOUT 出力電圧
VT 閾値電圧
φ1、φ1B、φ2、φ2B タイミング信号
Claims (20)
- 入力端子に入力される信号を整流した信号を出力端子から出力する第1の回路を備え、
前記第1の回路は、
入力信号が入力される前記入力端子と、前記出力端子と、の間に接続された第1のトランジスタと、
両端に印可される電位差を保持する電位差保持回路と、
複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、 前記入力信号の電圧が所定値以下の場合には、前記第1のトランジスタの降下電圧を前記電位差保持回路に保持させ、前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記電位差保持回路に保持した前記降下電圧を前記第1のトランジスタの制御端子に印可する切替回路と、を備える、
整流回路。 - 前記切替回路の前記複数のスイッチの開閉を制御するタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路を更に備える、
請求項1に記載の整流回路。 - 前記タイミング信号は、第1のタイミング信号と、前記第1のタイミング信号の反転信号である第2のタイミング信号と、を含み、
前記タイミング信号生成回路は、
前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合に、前記第1のタイミング信号を第1の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を第2の電圧レベルとし、
前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合に、
前記第1のタイミング信号を前記第2の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を前記第1の電圧レベルとする、
請求項2に記載の整流回路。 - 前記タイミング信号生成回路は、
前記入力信号が入力し、前記入力信号の反転信号を前記第2のタイミング信号として出力する第1のインバータと、
前記第2のタイミング信号が入力し、前記第2のタイミング信号の反転信号を前記第1のタイミング信号として出力する第2のインバータと、を備え、
前記第1のインバータの論理閾値により、前記所定値が決定される、
請求項3に記載の整流回路。 - 前記切替回路は、
前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記電位差保持回路を前記第1のトランジスタと並列に接続し、
前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記電位差保持回路の正電荷が蓄積された端子を前記第1のトランジスタの前記制御端子であるゲートと接続し、前記電位差保持回路の負電荷が蓄積された端子を前記第1のトランジスタのドレインと接続する、
請求項4に記載の整流回路。 - 前記切替回路は、
前記第1のトランジスタの前記ゲートと前記電位差保持回路の第1の端子との間に挿入された第1のスイッチと、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記電位差保持回路の第2の端子との間に挿入され、前記第1のスイッチに同期して開閉する第2のスイッチと、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記第1の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第3のスイッチと、
前記第1のトランジスタのソースと前記第2の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第4のスイッチと、を備え、
前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記第1及び第2のスイッチが短絡され、前記第3及び第4のスイッチが開放され、
前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記第1及び第2のスイッチが開放され、前記第3及び第4のスイッチが短絡される、
請求項5に記載の整流回路。 - 前記第1及び第2のスイッチは、前記第1のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放され、
前記第3及び第4のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、
請求項6に記載の整流回路。 - 前記切替回路は、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記ゲートのとの間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第5のスイッチを更に備え、
前記入力信号の電圧が前記所定値以下の場合には、前記第5のスイッチが開放され、
前記前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合には、前記第5のスイッチが短絡される、
請求項7に記載の整流回路。 - 前記第5のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、
請求項8に記載の整流回路。 - 交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、
前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、
前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、
前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、
前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される平滑回路と、を更に備える、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の整流回路。 - 交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、
前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、
前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、
前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、
前記第1の回路の前記出力端子と前記第1の出力端子との間、及び、前記第2の入力端子と前記第2の出力端子との間に挿入され、前記第1及び前記第2出力端子からの出力電圧を変圧するDC−DCコンバータと、を更に備える、
請求項1乃至9のいずれか一項に記載の整流回路。 - 入力端子に入力される信号を整流した信号を出力端子から出力する第1の回路を備え、
前記第1の回路は、
入力信号が入力される前記入力端子と、前記出力端子と、の間に接続された第1のトランジスタと、
両端に印可される電位差を保持する電位差保持回路と、
複数のスイッチを有し、前記複数のスイッチのそれぞれを開又は閉にすることにより、第1のモードでは、前記電位差保持回路の第1の端子を前記入力端子と接続し、前記電位差保持回路の第2の端子を前記出力端子と接続し、第2のモードでは、前記電位差保持回路の前記第1の端子を前記第1のトランジスタの制御端子と接続し、前記電位差保持回路の前記第2の端子を前記第1のトランジスタのドレインと接続する切替回路と、を備える、
整流回路。 - 前記切替回路の前記複数のスイッチの開閉を制御するタイミング信号を生成するタイミング信号生成回路を更に備える、
請求項12に記載の整流回路。 - 前記タイミング信号は、第1のタイミング信号と、前記第1のタイミング信号の反転信号である第2のタイミング信号と、を含み、
前記タイミング信号生成回路は、
前記入力信号の電圧が所定値以下の場合である前記第1のモードにおいて、前記第1のタイミング信号を第1の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を第2の電圧レベルとし、
前記入力信号の電圧が前記所定値よりも大きい場合である前記第2のモードにおいて、前記第1のタイミング信号を前記第2の電圧レベルとし、前記第2のタイミング信号を前記第1の電圧レベルとする、
請求項13に記載の整流回路。 - 前記タイミング信号生成回路は、
前記入力信号が入力し、前記入力信号の反転信号を前記第2のタイミング信号として出力する第1のインバータと、
前記第2のタイミング信号が入力し、前記第2のタイミング信号の反転信号を前記第1のタイミング信号として出力する第2のインバータと、を備え、
前記第1のインバータの論理閾値により、前記所定値が決定される、
請求項14に記載の整流回路。 - 前記切替回路は、
前記第1のトランジスタの前記ゲートと前記電位差保持回路の第1の端子との間に挿入された第1のスイッチと、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記電位差保持回路の第2の端子との間に挿入され、前記第1のスイッチに同期して開閉する第2のスイッチと、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記第1の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第3のスイッチと、
前記第1のトランジスタのソースと前記第2の端子との間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第4のスイッチと、を備え、
前記第1のモードでは、前記第1及び第2のスイッチが短絡され、前記第3及び第4のスイッチが開放され、
前記第2のモードでは、前記第1及び第2のスイッチが開放され、前記第3及び第4のスイッチが短絡される、
請求項15に記載の整流回路。 - 前記第1及び第2のスイッチは、前記第1のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放され、
前記第3及び第4のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、
請求項16に記載の整流回路。 - 前記切替回路は、
前記第1のトランジスタの前記ドレインと前記ゲートとの間に挿入され、前記第1及び第2のスイッチに対して相補的に開閉する第5のスイッチを更に備え、
前記第1のモードでは、前記第5のスイッチが開放され、
前記第2のモードでは、前記第5のスイッチが短絡される、
請求項17に記載の整流回路。 - 前記第5のスイッチは、前記第2のタイミング信号が前記第1の電圧レベルの場合に短絡され、前記第1のタイミング信号が前記第2の電圧レベルの場合に開放される、
請求項18に記載の整流回路。 - 交流電源の正極側端子と前記第1の回路の前記入力端子との間に接続され、前記交流電源から前記入力信号である第1の入力信号が入力される第1の入力端子と、
前記第1の回路の前記出力端子と接続される第1の出力端子と、
前記交流電源の負極側端子と接続され、前記交流電源から第2の入力信号が入力される第2の入力端子と、
前記第2の入力端子と接続される第2の出力端子と、
前記第1の出力端子と前記第2の出力端子との間に接続される平滑回路と、を更に備える、
請求項12乃至19のいずれか一項に記載の整流回路。
Priority Applications (1)
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JP2012148667A JP2014011916A (ja) | 2012-07-02 | 2012-07-02 | 整流回路 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN110474546A (zh) * | 2019-08-23 | 2019-11-19 | 深圳市泛海数据科技有限公司 | 一种基于场效应管的整流电路 |
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2012
- 2012-07-02 JP JP2012148667A patent/JP2014011916A/ja active Pending
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