JP2014007345A - 集積回路 - Google Patents

Abstract

【課題】集積回路１において、回路基板１０とリードフレーム２０との間のインピーダンスを小さくしつつ、体格の小型化を図る。
【解決手段】集積回路１は、電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３と、回路基板１０と電子部品６０、６１ａ、・・・、６３との間を電気的に接続するとともに、電子部品１１、１２、・・・、６３と外部回路との間を電気的に接続するためのリードフレーム２０と、電子部品１１、１２・・・６３をモールド樹脂によって被覆する被覆部４０とを備える。電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３は、回路基板１０の面方向に対する直交方向に配置されている。リードフレーム２０および回路基板１０の間が導電性接着剤７１によって接合されている。リードフレーム２０および回路基板１０の間のインピーダンスを小さくできる。
【選択図】図２

Description

本発明は、集積回路に関するものである。

近年、高輝度型のディスチャージ（ＨＩＤ）ランプに一定電力を出力するバラストを小型化するために、このバラストを構成する集積回路（モジュール）の小型化が望まれている。

そこで、特許文献１の集積回路では、制御基板と、電力用半導体素子（パワートランジスタチップ）と、リードフレームとを備え、電力用半導体素子とリードフレームとの間をワイヤボンディングで接続し、制御基板とリードフレームとの間をワイヤボンディングで接続して、かつ電力用半導体素子を制御基板に対する直交方向に配置したものがある。

このものによれば、電力用半導体素子を制御基板に対する直交方向に配置することにより、電力用半導体素子を制御基板の面方向に配置する場合に比べて、集積回路の面方向の大きさを小さくすることができる。

特開平１１−３０７７２１号公報

上記特許文献１では、電力用半導体素子を制御基板に対する直交方向に配置することにより、電力用半導体素子を制御基板の面方向に配置する場合に比べて、集積回路の面方向の体格を小さくするができるものの、制御基板とリードフレームとの間をワイヤボンディングで接続するため、制御基板とリードフレームとの間のインピーダンスが高くなる。

本発明は上記点に鑑みて、基板とリードフレームとの間のインピーダンスを小さくしつつ、体格の小型化を図るようにした集積回路を提供することを目的とする。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明では、第１の基板（１０）と、
前記第１の基板に搭載される第１の電子部品（１１、１２、１３）と、
前記第１の基板の面方向に対する直交方向に配置される第２の電子部品（６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３）と、
前記第１の基板と前記第２の電子部品との間を電気的に接続するとともに、前記第１、第２の電子部品と外部回路との間を電気的に接続するためのリードフレーム（２０）と、
少なくとも前記第１、第２の電子部品をモールド樹脂によって被覆する被覆部（４０）と、を備え、
前記第１、第２の電子部品が電気回路を構成する集積回路であって、
前記リードフレームおよび前記基板の間が接合されていることを特徴としている。

ここで、リードフレームおよび基板の間を接合する際には、例えば、導電性接着剤、半田づけ、溶接などを用いることができる。或いは、リードフレームおよび基板の間を嵌合により固定してリードフレームおよび基板の間を接合することもできる。

請求項１に記載の発明によれば、リードフレームおよび基板の間が接合されているので、リードフレームおよび基板の間のインピーダンスを小さくすることができる。これに加えて、第２の電子部品は、第１の基板の面方向に対する直交方向に配置されている。このため、第２の電子部品を第１の基板の面方向に配置した場合に比べて、集積回路において第１の基板の面方向の体格を小さくすることができる。したがって、基板とリードフレームとの間のインピーダンスを小さくしつつ、体格の小型化を図ることができる。

なお、この欄および特許請求の範囲で記載した各手段の括弧内の符号は、後述する実施形態に記載の具体的手段との対応関係を示すものである。

本発明の第１実施形態における集積回路の上面図である。 第１実施形態における集積回路のＡ−Ａ断面図である。 第１実施形態における集積回路のＢ−Ｂ断面図である。 第１実施形態における集積回路の製造工程を示す図である。 本発明の第２実施形態における集積回路の断面図である。 本発明の第３実施形態における集積回路の上面図である。 第３実施形態における集積回路のＣ−Ｃ断面図である。 本発明の第４実施形態における集積回路の上面図である。 第４実施形態における集積回路のＤ−Ｄ断面図である。 本発明の第５実施形態における集積回路の上面図である。 第５実施形態における集積回路のＥ−Ｅ断面図である。 本発明の第６実施形態における集積回路の上面図である。 第６実施形態における集積回路のＦ−Ｆ断面図である。 本発明の第７実施形態における集積回路の上面図である。 第７実施形態における集積回路のＧ−Ｇ断面図である。

以下、本発明の実施形態について図に基づいて説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、説明の簡略化を図るべく、図中、同一符号を付してある。

（第１実施形態）
図１〜図３は、本発明に係る集積回路１の第１実施形態の構造を示す図である。図１は第１実施形態の集積回路１の上面図である。図２は図１中Ａ−Ａ断面図である。図３は図１中Ｂ−Ｂ断面図である。

本実施形形態の集積回路１は、高輝度型のディスチャージランプに一定電力を出力するバラストを構成するものであって、図１、図２、及び図３に示すように、回路基板１０、リードフレーム２０、絶縁シート３０ａ、３０ｂ、および被覆部４０を備える。回路基板１０の一面（図中下面）には、電子部品１１、１２、１３が搭載されている。

なお、図１は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。

リードフレーム２０は、アルミニウム、鉄などの導電性金属材料からなるもので、回路基板１０の面方向に対する直交方向に配置されている。具体的には、リードフレーム２０は、端子５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９を備える。本実施形態の面方向とは、回路基板１０が広がる方向のことである。

端子５０、５１、５２、５３、５４は、面方向に平行であるＹ方向に並べられている。端子５５、５６、５７、５８、５９は、端子５０、５１、５２、５３、５４に対して隙間を開けてＹ方向に直交するＸ方向他方側（図面右側）に配置されている。端子５５、５６、５７、５８、５９は、Ｙ方向に並べられている。

端子５０は、Ｘ方向に伸びる針状に形成されている。端子５０のうちＸ方向一方側は、図３に示すように、回路基板１０に対して平行に形成されている。端子５０のうちＸ方向他方側は、端子５０のうちＸ方向一方側に対して回路基板１０側に配置されて、かつ回路基板１０に対して平行に形成されている。端子５０のうちＸ方向一方側とＸ方向他方側との間の中間部は、Ｘ方向に対して傾斜する方向に伸びるように形成されている。端子５２、５４は、それぞれ、端子５０と同様の構造になっている。

端子５５は、そのＸ方向他方側がＸ方向一方側に対して回路基板１０側に配置されている以外は、端子５０と同様の構造になっている。端子５７、５９は、それぞれ、端子５５と同様の構造になっている。

端子５１のうちＸ方向他方側は、図１に示すように、平面部５１ａが形成されている。平面部５１ａは、回路基板１０に対して平行に形成されている。端子５１のうち平面部５１ａに対してＸ方向一方側は、Ｘ方向一方側に伸びる針状に形成されている。端子５１の平面部５１ａのうち回路基板１０側（図面上側）には、電子部品６０が配置されている。本実施形態の平面部５１ａは、電子部品６０を支持する支持部を構成する。

端子５３は、端子５１と同様、平面部５３ａを有する構造になっている。端子５３の平面部５３ａには、電子部品６１ａ、６１ｂが配置されている。平面部５３ａは、電子部品６１ａ、６１ｂを支持する支持部を構成する。

端子５６は、そのＸ方向他方側がＸ方向一方側に対して回路基板１０側に配置されている以外は、端子５１と同様の構造になっている。端子５８は、端子５６と同様の構造になっている。端子５６の平面部５６ａのうち回路基板１０側（図面上側）には、電子部品６２が配置されている。端子５８の平面部５８ａのうち回路基板１０側（図面上側）には、電子部品６３が配置されている。平面部５６ａ、５８ａは、電子部品６２、６３をそれぞれ支持する支持部を構成する。

なお、本実施形態の電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３としては、ＩＧＢＴ、電界効果トランジスタ等の電力用半導体素子が用いられている。

電子部品６０と端子５０との間には、ワイヤボンディング７０によって接続されている。電子部品６１ａと端子５２との間には、ワイヤボンディング７０によって接続されている。電子部品６１ｂと端子５４との間には、ワイヤボンディング７０によって接続されている。電子部品６２と端子５５との間には、ワイヤボンディング７０によって接続されている。電子部品６３と端子５９との間には、ワイヤボンディング７０によって接続されている。

端子５０のＸ方向一方側部分５０Ａのうち他方側と回路基板１０のＸ方向一方側との間は、導電性接着剤７１を用いて接合されている。同様に、端子５１、５２、５３、５４は、Ｘ方向一方側部分５１Ａ、５２Ａ、５３Ａ、５４Ａのうち他方側と回路基板１０のＸ方向一方側との間が導電性接着剤７１を用いて接合されている。

端子５５のＸ方向他方側部分５５Ａのうち一方側と回路基板１０のＸ方向他方側との間は、導電性接着剤７１を用いて接合されている。同様に、端子５６、５７、５８、５９は、Ｘ方向他方側部分のうち一方側部分５６Ａ、５７Ａ、５８Ａ、５９Ａと回路基板１０のＸ方向他方側との間が導電性接着剤７１を用いて接合されている。

絶縁シート３０ａは、端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向他方側において回路基板１０の反対側に配置されている。絶縁シート３０ｂは、端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向一方側において回路基板１０の反対側に配置されている。

被覆部４０は、回路基板１０、リードフレーム２０、絶縁シート３０ａ、３０ｂ、および電子部品１１、１２、１３、６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３のうち絶縁シート３０ａ、３０ｂの下面、端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向一方側、および端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向他方側を除く部分をモールド樹脂によって被覆するように形成されている。

すなわち、絶縁シート３０ａ、３０ｂの下面が被覆部４０から露出し、かつ端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向一方側、および端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向他方側が被覆部４０から突出するように形成されている。

このように構成される本実施形態では、絶縁シート３０ａ、３０ｂの下面を被支持部材側に向けて集積回路１を被支持部材に対して配置する。このため、絶縁シート３０ａ、３０ｂがリードフレーム２０と被支持部材との間を電気的に絶縁する。

本実施形態では、回路基板１０とリードフレーム２０との間が導電性接着剤７１を用いて接合されている。このため、電子部品１１、１２、１３と電子部品と６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３との間がワイヤボンディング７０、導電性接着剤７１、およびリードフレーム２０を通して電気的に接続される。このことにより、電子部品１１、１２、１３、６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３が電気回路を構成している。

ここで、端子５０、５１、５２、５３、５４のそれぞれのＸ方向一方側端部が外部回路に端子毎に接続されて、かつ端子５５、５６、５７、５８、５９のそれぞれのＸ方向他方側端部が外部回路に端子毎に接続されている。このことにより、
電気回路と外部回路との間が接続されることになる。

次に、本実施形態の集積回路１の製造方法について図４を参照して説明する。

まず、図４（ａ）の工程では、リードフレーム２０を用意する。次の図４（ｂ）の工程では、リードフレーム２０に対して電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３を実装する。次の図４（ｃ）の工程では、電子部品毎に電子部品とこの電子部品毎に対応する端子との間をワイヤボンディング７０によって接続する。

次の図４（ｄ）の工程では、端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向他方側において、回路基板１０の反対側に絶縁シート３０ａを配置する。端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向一方側において、回路基板１０の反対側に絶縁シート３０ｂを配置する。

次の図４（ｅ）の工程では、電子部品１１、１２、１３を搭載する回路基板１０を用意し、回路基板１０と端子５０、５１、５２、５３、５４、５５、５６、５７、５８、５９との間を端子毎に導電性接着剤７１を用いて接合する。

本実施形態の導電性接着剤７１としては、例えば銀ペーストなどが用いられる。

次の図４（ｆ）の工程では、モールド樹脂によって被覆部４０を成形する。具体的には、回路基板１０、リードフレーム２０、絶縁シート３０ａ、３０ｂ、および電子部品１１、１２・・・６３のうち絶縁シート３０ａ、３０ｂの下面、端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向一方側、および端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向他方側を除く部分をモールド樹脂によって被覆する。

以上説明した本実施形態によれば、集積回路１は、回路基板１０と、回路基板１０に搭載される電子部品１１、１２、１３と、回路基板１０の面方向に対する直交方向に配置される電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３と、回路基板１０と電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３との間を電気的に接続するとともに、電子部品１１、１２、１３、６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３と外部回路との間を電気的に接続するためのリードフレーム２０と、少なくとも電子部品１１、１２、１３、６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３をモールド樹脂によって被覆する被覆部４０と、を備える。電子部品１１、１２、１３、６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３が電気回路を構成する。リードフレーム２０および回路基板１０の間が導電性接着剤７１によって接合されていることを特徴とする。したがって、リードフレーム２０および回路基板１０の間のインピーダンスを小さくすることができる。これに加えて、電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３は、回路基板１０の面方向に対する直交方向に配置されている。このため、電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３を回路基板１０の面方向に配置した場合に比べて、集積回路１において回路基板１０の面方向の体格を小さくすることができる。したがって、回路基板１０とリードフレーム２０との間のインピーダンスを小さくしつつ、集積回路１の体格の小型化を図ることができる。

（第２実施形態）
上記第１実施形態では、回路基板１０に対してリードフレーム２０側（図２中下側）に電子部品１１、１２、１３を配置した例について説明したが、これに代えて、図５に示すように、回路基板１０に対してリードフレーム２０と反対側（図２中上側）に電子部品１１、１２、１３を配置してもよい。図５は、本実施形態の集積回路１の断面図であって、図２に対応する図である。

（第３実施形態）
上記第１実施形態では、絶縁シート３０ａ、３０ｂの下面が被覆部４０から露出するように構成した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、絶縁シート３０ａ、３０ｂを削除した例について図６、図７を参照して説明する。

図６は本実施形態の集積回路１の上面図である。図７は図６中Ｃ−Ｃ断面図である。図６は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。

本実施形態の集積回路１は、図６および図７に示すように、回路基板１０、リードフレーム２０、絶縁シート３０ａ、３０ｂ、および電子部品１１・・・６２、６３のうち端子５０、５１、５２、５３、５４のＸ方向一方側、および端子５５、５６、５７、５８、５９のＸ方向他方側を除く部分を被覆部４０によって被覆するように形成されている。

（第４実施形態）
上記第１実施形態では、リードフレーム２０に搭載される電子部品として電力用半導体素子を用いた例について説明したが、これに代えて、リードフレーム２０に搭載される電子部品としてコンデンサを用いる例について図８、図９を参照して説明する。

図８は本実施形態の集積回路１の上面図である。図９は図６中Ｄ−Ｄ断面図である。図８は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。図８において図１中と同一符号は同一のものを示している。図９において図２中と同一符号は同一のものを示している。

本実施形態では、電子部品６２として、電力用半導体素子に代わるコンデンサが用いられている。電子部品６２と端子５５との間は、半田によって接続されている。電子部品６２と端子５６との間は、半田によって接続されている。

（第５実施形態）
上記第３実施形態では、リードフレーム２０に電子部品を搭載した例について説明したが、これに代えて、リードフレーム２０に回路基板を搭載した例について図１０、図１１を参照して説明する。

図１０は本実施形態の集積回路１の上面図である。図１１は図６中Ｅ−Ｅ断面図である。図１０は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。図１０において図１中と同一符号は同一のものを示している。図１１において図２中と同一符号は同一のものを示している。

本実施形態では、リードフレーム２０に回路基板８０が搭載されている。リードフレーム２０は、回路基板８０を支持するために、端子１００、１０１、１０２、１０３、１０４が用いられている。端子１００は、端子５０、５５の間が中継部１００Ａによって接続されたものである。端子１０１は、端子５１、５６の間が中継部１０１Ａによって接続されたものである。端子１０２は、端子５２、５７の間が中継部１０２Ａによって接続されたものである。端子１０３は、端子５３、５８の間が中継部１０３Ａによって接続されたものである。端子１０４は、端子５４、５９の間が中継部１０４Ａによって接続されたものである。

ここで、回路基板８０は、中継部１００Ａ、１０１Ａ、１０２Ａ、１０３Ａ、１０４Ａに対して回路基板１０側に配置されている。回路基板８０に対して回路基板１０側には、電子部品９０、９１、９２が配置されている。電子部品９０、９１、９２は、上記第１実施形態の電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３に代えて用いられるもので、電子部品１１、１２、１３とともに、電気回路を構成する。

回路基板８０と端子１００との間は、２本のワイヤボンディング７０によって接続されている。回路基板８０と端子１０１との間は、２本のワイヤボンディング７０によって接続されている。回路基板８０と端子１０２との間は、２本のワイヤボンディング７０によって接続されている。回路基板８０と端子１０３との間は、２本のワイヤボンディング７０によって接続されている。回路基板８０と端子１０４との間は、２本のワイヤボンディング７０によって接続されている。

以上説明した本実施形態によれば、リードフレーム２０に対して電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３ａ、６３ｂに代えて回路基板８０が搭載されている。
回路基板８０には、電子部品９０、９１、９２が配置されている。このため、回路基板１０の面方向に対する直交方向に配置されている。このため、電子部品９０、９１、９２を回路基板１０の面方向に配置した場合に比べて、集積回路１において回路基板１０の面方向の体格を小さくすることができる。

（第６実施形態）
上記第１実施形態では、被覆部４０によって回路基板１０を全て被覆するように構成した例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、図１２、図１３に示すように、回路基板１０のうちリードフレーム２０と反対側を被覆部４０から露出するように構成する。

図１２は本実施形態の集積回路１の上面図である。図１３は図１２中Ｆ−Ｆ断面図である。図１２は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。図１２において図１中と同一符号は同一のものを示している。図１３において図２中と同一符号は同一のものを示している。

（第７実施形態）
上記第１実施形態では、リードフレーム２０および回路基板１０の間が導電性接着剤７１によって接合される例について説明したが、これに代えて、本実施形態では、嵌合によってリードフレーム２０および回路基板１０の間が接合される例について図１４、図１５を参照して説明する。

図１４は本実施形態の集積回路１の上面図である。図１５は図６中Ｇ−Ｇ断面図である。図１４は、回路基板１０および被覆部４０のそれぞれの外形だけを示し、回路基板１０および被覆部４０の内部をそれぞれ透過した状態を示している。図１４において図１中と同一符号は同一のものを示している。図１５において図２中と同一符号は同一のものを示している。

本実施形態の端子５１のＸ方向一方側が被覆部４０から突出するのではなく、図１５（図中嵌合部５２ｂ、５８ｂを示す）に示すように、断面コ字状の嵌合部５１ｂを形成する。端子５２、５４のそれぞれのＸ方向一方側は、端子５１と同様に、断面コ字状の嵌合部５２ｂ、５４ｂを形成する。嵌合部５１ｂ、５２ｂ、５４ｂには、回路基板１０のＸ方向一方側が嵌め込まれている。

回路基板１０のうちＸ方向一方側には、突起部１１１、１１２、１１３が設けられている。突起部１１１、１１２、１１３は、回路基板１０に対して電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３と反対側に配置されている。

突起部１１１は、嵌合部５１ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で嵌合部５１ａに接触する。突起部１１２は、嵌合部５２ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で嵌合部５２ｂに接触する。突起部１１３は、嵌合部５４ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で嵌合部５４ｂに接触する。

また、端子５５のＸ方向他方側が被覆部４０から突出するのではなく、断面コ字状の嵌合部５５ｂを形成する。端子５８のＸ方向他方側は、端子５５と同様に、断面コ字状の嵌合部５８ｂを形成する。嵌合部５５ｂ、５８ｂには回路基板１０のＸ方向他方側が嵌め込まれている。

回路基板１０のうちＸ方向他方側には、突起部１１４、１１５が設けられている。突起部１１４、１１５は、回路基板１０に対して電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３と反対側に配置されている。

突起部１１４は、嵌合部５５ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で嵌合部５５ａに接触する。突起部１１５は、嵌合部５８ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で嵌合部５８ｂに接触する。

本実施形態では、突起部１１１、１１２、１１３、１１４、１１５は導電性材料からなるものである。突起部１１１、１１２、１１３、１１４、１１５は、回路基板１０内の電極をそれぞれ構成している。

このように構成される本実施形態では、嵌合部５１ｂ、５２ｂ、５４ｂ、５５ｂ、５８ｂに回路基板１０が嵌め込まれてリードフレーム２０および回路基板１０の間が固定されることにより、リードフレーム２０および回路基板１０の間が接合される。

このことにより、電子部品１１、１２、１３と電子部品と６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３との間がワイヤボンディング７０、突起部１１１、１１２、１１３、１１４、１１５、およびリードフレーム２０を通して接続されることにより、電子部品１１、１２・・・・６３が電気回路を構成している。

以上説明した本実施形態によれば、リードフレーム２０および回路基板１０の間が嵌合部５５ｂ、５２ｂ、５４ｂ、５５ｂ、５８ｂによって接合されていることを特徴とする。したがって、上記第１実施形態と同様に、リードフレーム２０および回路基板１０の間のインピーダンスを小さくすることができる。

本実施形態では、嵌合部５１ｂ、５２ｂ、５４ｂ、５５ｂ、５８ｂに回路基板１０が嵌め込まれている状態で、嵌合部５１ｂ、５２ｂ、５４ｂ、５５ｂ、５８ｂが突起部１１１、１１２、１１３、１１４、１１５に接触する。このため、リードフレーム２０および回路基板１０の間の接合を確実にすることができる。

（他の実施形態）
上記第１〜６の実施形態では、リードフレーム２０および回路基板１０の間を導電性接着剤７１によって接合する例について説明したが、これに代えて、半田づけ、或いは溶接によってリードフレーム２０および回路基板１０の間を接合するようにしてもよい。

上記第１〜６の実施形態では、電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３として、電力用半導体素子、コンデンサを用いた例について説明したが、これに代えて、電力用半導体素子、コンデンサ以外の各種の電子部品を電子部品６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３として用いてもよい。電子部品１１、１２、１３についても同様である。

上記第１〜７の実施形態では、高輝度型のディスチャージランプに一定電力を出力するバラストを集積回路１が構成する例について説明したが、これに代えて、バラスト以外の他の回路を集積回路１が構成するようにしてもよい。

１ 集積回路
１０ 回路基板
１１ 電子部品
１２ 電子部品
１３ 電子部品
２０ リードフレーム
３０ａ 絶縁シート
３０ｂ 絶縁シート
４０ 被覆部
５０ 端子
５１ 端子
５２ 端子
６０ 電子部品
６１ａ 電子部品
６１ｂ 電子部品
６２ 電子部品
６３ 電子部品
７０ ワイヤボンディング
７０ａ ワイヤボンディング
７０ｂ ワイヤボンディング
７１ 導電性接着剤
１００ 端子
１０１ 端子
１０２ 端子
１０３ 端子
１０４ 端子

Claims (7)

1. 第１の基板（１０）と、
   前記第１の基板に搭載される第１の電子部品（１１、１２、１３）と、
   前記第１の基板の面方向に対する直交方向に配置される第２の電子部品（６０、６１ａ、６１ｂ、６２、６３）と、
   前記第１の基板と前記第２の電子部品との間を電気的に接続するとともに、前記第１、第２の電子部品と外部回路との間を電気的に接続するためのリードフレーム（２０）と、
   少なくとも前記第１、第２の電子部品をモールド樹脂によって被覆する被覆部（４０）と、を備え、
   前記第１、第２の電子部品が電気回路を構成する集積回路であって、
   前記リードフレームおよび前記基板の間が接合されていることを特徴とする集積回路。
2. 前記リードフレームは、前記被覆部の内側から外側に延出するように形成されている第１の端子（５０、５１・・・・５９）とを備え、
   前記第１の基板と前記第２の電子部品との間を電気的に接続するために、前記第１の端子および前記基板の間が接合されていることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
3. 前記リードフレームは、前記被覆部によって被覆されて前記第２の電子部品を支えるように構成されている支持部（５１ａ、５３ａ、５６ａ、５８ａ）を備え、前記支持部から前記被覆部の外側に延出するように形成されている第２の端子（５１、５３、５６、５８）とを備え、
   前記第２の電子部品と前記第２の端子との間がワイヤボンディング（７０、７０ａ、７０ｂ）によって接続されていることを特徴とする請求項１または２に記載の集積回路。
4. 前記第２の電子部品は、電力用半導体素子であることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
5. 前記第２の電子部品は、前記支持部に対して前記第１の基板側に配置されており、
   前記支持部に対して前記第１の基板と反対側には、電気絶縁材料からなる絶縁シート（３０ａ、３０ｂ）が設けられており、
   前記絶縁シートは、前記被覆部から露出していることを特徴とする３または４に記載の集積回路。
6. 前記第１基板の面方向に対する直交方向に配置されて前記リードフレームに対して電気的に接続される第２基板（８０）を備え、
   前記第２の電子部品は、前記第２基板に搭載されていることを特徴とする請求項１に記載の集積回路。
7. 前記第１の基板のうち前記第２の電子部品に対する反対側が前記被覆部から露出するように構成されていることを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１つに記載の集積回路。

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