JP2013541038A - リソグラフィ上重大な汚染フォトマスク欠陥のウェハ面検出 - Google Patents
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Abstract
Description
本出願は、すべての目的のために参照によりその全体が本明細書に組み込まれるWihl他の2007年11月1日に出願された「METHOD FOR DETECTING LITHOGRAPHICALLY SIGNIFICANT DEFECTS ON RETICLES」と題する米国特許出願第11/622,432号の一部継続出願である。
本明細書で説明される新規な方法及びシステムは、リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するためにフォトマスクを検査するのに用いられる。検査は、検査されるフォトマスクの1つ又は複数のテストイメージを取り込むこと、及びこれらのイメージを用いてシミュレーションイメージの少なくとも2つの別個の組を発現させることを含み、このうち1つはリソグラフィ上重大な欠陥を有さず、参照として用いられる。シミュレーションイメージは、リソグラフィシステムの種々の特徴、或る実施形態では、フォトレジスト材料の特徴を考慮に入れている。このモデルベースの手法は、リソグラフィ上重大な欠陥に焦点を当て、フォトリソグラフィプロセス中に印刷されない及びリソグラフィ上重大ではない多くの他の欠陥を無視する。
図1Aは、或る実施形態に係るフォトマスクMからウェハW上にマスクパターンを転写するのに用いることができる典型的なリソグラフィシステム100の簡易略図である。こうしたシステムの例は、スキャナ及びステッパ、より具体的にはオランダのフェルドホーフェン(Veldhoven)のASMLから入手可能なTWINSCANシステム(例えば、TWINSCAN NXT:1950i Step−and−Scanシステム)のうちの1つを含む。一般に、照明源103は、照明レンズ105を通してマスク面102内に位置するフォトマスクM上に光ビームを誘導する。照明レンズ105は、該面102での開口数101を有する。開口数101の値は、フォトマスク上のどの欠陥がリソグラフィ上重大な欠陥であるか及びどれがそうではないかに影響する。フォトマスクMを通過するビームの一部は、パターン転写を開始するためにイメージング光学系153を通してウェハW上に誘導される、パターン形成された光信号を形成する。
図2は、リソグラフィ上重大な欠陥を識別するためにフォトマスクを検査する方法の一例に対応するプロセスフローチャートを例証する。1つ又は複数の印刷できるフィーチャと1つ又は複数の印刷できないフィーチャとを含む種々のタイプのフォトマスクが、この方法を用いて検査されてもよい。例えば、クロム金属吸着薄膜によって画定されるパターンをもつ透明溶融石英ブランクから作製されたフォトマスクを用いることができる。一般に、レチクル、フォトマスク、半導体ウェハ、位相シフトマスク、及び組み込み(埋め込み)位相シフトマスク(Embedded Phase Shift Masks)(EPSM)のような種々の半導体基板を、この方法を用いて検査することができる。前述のように、印刷できないフィーチャは、回折に起因するイメージング誤差を補償するのに用いられる種々の光学近接効果補正(OPC)フィーチャを含んでもよい。1つのタイプのこうしたフィーチャは、サブレゾリューションアシストフィーチャ(SRAF)である。或る実施形態では、少なくとも1つの印刷できないフィーチャは、少なくとも1つの印刷できるフィーチャよりも大きい。
式中、aRは、マスクのフォアグラウンドトーンとバックグラウンドトーンとの間の差異の複素反射振幅であり、IT(x,y)は、検査システムを用いるマスクの透過強度イメージを説明し、cTは、マスクのバックグラウンドトーンの複素透過振幅であり(例えば、石英及びクロムバイナリマスクでは、CTは、クロムパターンの特性を説明することができる)、aTは、マスクのフォアグラウンドトーンとバックグラウンドトーンとの間の差異の複素透過振幅であり(例えば、上記と同じマスクを用いて、aTは、石英とクロムとの間の差異の光学特性を説明することができ、cT及びaTは、もちろん説明される材料層の特性に応じて変化する)、IR(x,y)は、検査システムを用いるマスクの反射強度イメージを説明し、CRは、マスクのバックグラウンドトーンの複素反射振幅であり、aRは、マスクのフォアグラウンドトーンとバックグラウンドトーンとの間の差異の複素反射振幅であり、Re(x)は、xの真の成分を表し、P(x,y)は、検査されるフォトマスクのマスクパターンを定義し、Ei及びλiは、それぞれ、検査ツールに関連した相互透過係数(TCC)イメージングマトリクスの関連する要素の固有ベクトル及び固有値を指し、Diは、Ei及びRe(x)のDC利得である。
で畳み込まれるマスクパターンP(x,y)によって定義される。したがって、帯域制限されたマスクパターンは、マスクパターン関数P(x,y)の修正版である。
上記の発明は、理解しやすくするために幾らか詳しく説明されているが、付属の請求項の範囲内で或る変化及び修正が実施されてもよいことが分かるであろう。本発明のプロセス、システム、及び装置を実装する多くの代替的方法が存在することに注目されたい。したがって、本発明の実施形態は、制限するものではなく例証するものとして考えられるべきであり、本発明は本明細書で与えられる詳細に限定されない。
Claims (21)
- リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するためにフォトマスクを検査する方法であって、
1つ又は複数の印刷できるフィーチャと1つ又は複数の印刷できないフィーチャとを備えるフォトマスクであり、リソグラフィシステムを用いて基板上への1つ又は複数の印刷できるフィーチャのリソグラフィ転写を達成するように構成されるフォトマスクを提供すること、
検査装置を用いて、テスト透過イメージ及びテスト反射イメージを備える、前記フォトマスクのテストイメージをもたらすこと、
リソグラフィ転写で採用されるべきリソグラフィシステムのモデルを提供すること、
前記テストイメージに前記リソグラフィシステムのモデルを適用することによってテストシミュレーションイメージを構築すること、
前記テストイメージから欠陥を除去することによって前記テストイメージから合成参照イメージを構築すること、
前記合成参照イメージに前記リソグラフィシステムのモデルを適用することによって、前記合成参照イメージから、リソグラフィ上重大な汚染欠陥を含まずに構築される、参照シミュレーションイメージを構築すること、
リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するために前記テストシミュレーションイメージを前記参照シミュレーションイメージと比較すること、
を含む方法。 - 前記テスト透過イメージを前記テスト反射イメージに対して位置合わせすることをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- リソグラフィ転写で採用されるべきフォトレジストシステムのモデルを提供すること、
前記リソグラフィシステムのモデルを適用することに加えて前記フォトレジストシステムのモデルを適用することによって前記テストシミュレーションイメージ及び前記参照シミュレーションイメージを構築すること、
をさらに含む、請求項1に記載の方法。 - 前記フォトレジストシステムのモデルがレジスト形成プロセス特徴を備える、請求項3に記載の方法。
- 参照ダイ又は参照データベースを用いずにリソグラフィ上重大な汚染欠陥が識別される、請求項1に記載の方法。
- 前記参照シミュレーションイメージが参照シミュレーション透過イメージ及び参照シミュレーション反射イメージを備え、前記テストシミュレーションイメージがテストシミュレーション透過イメージ及びテストシミュレーション反射イメージを備える、請求項1に記載の方法。
- 前記テストシミュレーションイメージを前記参照シミュレーションイメージと比較することが、
前記参照シミュレーション透過イメージを前記テストシミュレーション透過イメージと比較すること、
前記参照シミュレーション反射イメージを前記テストシミュレーション反射イメージと比較すること、
を含む、請求項6に記載の方法。 - リソグラフィ上重大な汚染欠陥を分類することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の印刷できないフィーチャがサブレゾリューションアシストフィーチャ(SRAF)を含む、請求項1に記載の方法。
- 前記1つ又は複数の印刷できないフィーチャのリソグラフィ効果が、前記テストシミュレーションイメージ及び前記参照シミュレーションイメージに取り込まれる、請求項1に記載の方法。
- 前記印刷できないフィーチャのうちの少なくとも1つが、前記印刷できるフィーチャのうちの少なくとも1つよりも大きい、請求項1に記載の方法。
- 前記テストシミュレーションイメージを構築することが、線形項だけを含む帯域制限されたマスクパターンを構築することを含む、請求項1に記載の方法。
- 前記テストシミュレーションイメージを構築することが、前記帯域制限されたマスクパターンの光学強度分布に基づいて前記1つ又は複数の印刷できるフィーチャから前記1つ又は複数の印刷できないフィーチャを分離することを含む、請求項12に記載の方法。
- 幾何学的フィーチャをエッジ、角、及びライン端からなる群から選択された1つ又は複数の幾何学的フィーチャタイプに分類するために前記帯域制限されたマスクパターンに基づいて幾何学的マップを構築することをさらに含む、請求項12に記載の方法。
- 前記リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別しながら前記幾何学的フィーチャを分類するために前記幾何学的マップを用いることをさらに含む、請求項14に記載の方法。
- 前記リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別することが、前記幾何学的マップの少なくとも2つの異なる幾何学的フィーチャタイプに異なる検出閾値を適用することを含む、請求項14に記載の方法。
- 前記テストシミュレーションイメージに基づいてフィーチャマップを構築することをさらに含み、前記フィーチャマップが、対応するマスクエラーエンハンスメントファクタ(MEEF)をそれぞれが有する複数のイメージ部分を備える、請求項1に記載の方法。
- 前記リソグラフィ上重大な汚染欠陥の識別中に、対応する前記MEEFに基づいて前記複数のイメージ部分の各イメージ部分に関する検出閾値を自動調節することをさらに含む、請求項17に記載の方法。
- 前記リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するためのユーザ定義検出閾値を提供することをさらに含む、請求項1に記載の方法。
- 前記リソグラフィシステムのモデルが、以下のパラメータ、すなわち、リソグラフィシステム及び検査装置の開口数、リソグラフィシステム及び検査装置の波長、及びリソグラフィシステム及び検査装置の照明条件のうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載の方法。
- 以下の動作、すなわち、
フォトマスクのテストイメージであり、テスト透過イメージ及びテスト反射イメージを備えるテストイメージをもたらすこと、
前記テストイメージにリソグラフィシステムのモデルを適用することによってテストシミュレーションイメージを構築すること、
前記テストイメージから欠陥を除去することによって前記テストイメージから合成参照イメージを構築すること、
前記合成参照イメージに前記リソグラフィシステムのモデルを適用することによって、前記合成参照イメージから、前記リソグラフィ上重大な汚染欠陥のない参照シミュレーションイメージを構築すること、
リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するために前記テストシミュレーションイメージを前記参照シミュレーションイメージと比較すること、
を行うように構成される少なくとも1つのメモリ及び少なくとも1つのプロセッサを備える、リソグラフィ上重大な汚染欠陥を識別するために1つ又は複数の印刷できるフィーチャと1つ又は複数の印刷できないフィーチャとを有するフォトマスクを検査するためのシステム。
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