JP2013535389A - 多結晶窒化アルミニウム材料およびその製造方法 - Google Patents

多結晶窒化アルミニウム材料およびその製造方法 Download PDF

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Abstract

高密度、高純度、および良好な表面形態を有する多結晶窒化アルミニウム材料を調整する方法が開示される。本方法は少なくとも一部の最終基板を提供するためのブールにおいて、一般的にスラグ、焼結を形成するためのスラグの焼結、多結晶窒化アルミニウムブール、および任意にブールの形成、および/または研磨を含む。焼結は、有利には多結晶窒化アルミニウム材料はいかなる焼結助剤や結合剤を使用することなく調整され、形成された材料は優れた密度、AIN純度、および表面形態を示す。
【選択図】なし

Description

本発明は、多結晶窒化アルミニウム基板と、このような基板を調製する方法に関する。特に、本発明は、結合剤、例えば、薄膜の適用など様々な材料での使用に適した物理的特性を示す基板を使用しない、相対密度の高い多結晶窒化アルミニウム基板の製造方法を提供する。
多結晶窒化アルミニウム基板は、高温機械内、および様々な電子機器内の構築材料など様々な分野において有用である。それらは概して、高強度、耐酸化性、耐熱衝撃性、高い熱伝導性、低い電気伝導度、液体金属による腐食への耐性を含む貴重な特性を提供するものとして認識される。しかし、多結晶窒化アルミニウム基板の特性は、例えば、酸素、炭素、金属などの不純物の存在によって変化することがある。
多結晶窒化アルミニウム基板は、通常、高圧、高温焼結プロセスによって製造されている。しかし、焼結助剤や結合剤は有用な基材を形成するために必要であると、当該技術分野において認識されてきた。例えば、よく知られている方法は、高酸素含有窒化アルミニウム粉末の使用(すなわち、低純度AIN粉)を必要としたか、またはそのような金属酸化物、金属窒化物、金属水素化物などの焼結助剤や結合剤の添加を必要としていた。それらの例として、酸化アルミニウム(Al)、酸化イットリウム(Y)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、酸化リチウム(LiO)、リチウム酸化イットリウム(LiYO)、窒化ホウ素(BN)、窒化カルシウム(Ca)、窒化ストロンチウム(Sr)、窒化バリウム(Ba)、水素化カルシウム(CaH)、ストロンチウム水素(SrH)、バリウムハイドライド(BaH)などが挙げられる。
焼結助剤は、一般的に焼結活性化エネルギーを下げることで焼結温度で許容密度を達成するために、または別の方法で可能であるよりも高い温度で密度を高めるために多結晶窒化アルミニウム基板に含まれている。結合剤は、概して、それが加圧されるのと一緒に粉末を保持するのを促進することのある添加剤として認められている。ほとんどの場合、結合剤の一部の内容物は、焼結工程へと続く加熱中に燃焼して消失していた。
焼結助剤と結合剤とは多結晶構造の形成を促進することがあるが、形成された構造は、利点が低下することがある。例えば、酸化物の添加は熱伝導率に悪い影響を与える可能性があり、不均一な焼結は、多くの焼結助剤を添加して発生する可能性がある。また、焼結助剤の使用は、特に望ましい表面形態を有する高密度多結晶基板の形成を阻害することもある。同様に、加熱時の不完全な結合剤除去が焼結に干渉し、結果として低い最終密度となることがある。このように、多結晶窒化アルミニウム材料を準備する更なる方法に対する技術、および特に望ましい表面形態を有するような材料の提供に対する技術のニーズが依然として存在する。
本発明は、多結晶窒化アルミニウム基板の製造方法を提供し、特定の特徴を有する多結晶窒化アルミニウム基板を提供する。本発明による提供基質は、特に薄膜蒸着および/または様々な電子機器材料の製造における基板において有用である。
したがって、ある態様において、本発明は、所定の特性を有する多結晶窒化アルミニウム材料を調製する方法を提供する。特定の実施形態において、この方法は、好ましくは、窒化アルミニウム焼結体材料またはブールを形成する結合剤や焼結助剤の非存在下では、加圧窒化アルミニウムスラグとスラグ焼結を形成する窒化アルミニウム粉末の加圧を含むことがある。さらなる実施形態では、焼結ブールの少なくとも一部は、特定の特性を有する多結晶窒化アルミニウム基板を提供するために形成されおよび/または研磨されることがある。いくつかの実施形態では、加圧工程では、冷間静水圧加圧を含むことがある。好ましくは、加圧は約20000PSI(約138MPa)〜約40000PSI(約276MPa)の範囲の圧力で行うことがある。より好ましくは、冷間静水圧加圧が所定の速度で圧力を増加させることによって行うことがある。例えば、圧力が所定の最大圧力を達成するために、約50000PSI/分(57.5KPa/秒)の速度で大気圧から上昇させてもよい。その後、圧力も所定の速度で行うことができ、大気圧に減少することがある。
他の実施形態では、最低純度レベル(すなわち、そのような他の金属、酸素、炭素などの不純物から窒化アルミニウムを分離することによって形成された粉末の合計重量の量)を有する窒化アルミニウム粉末に役立つことがある。特に、窒化アルミニウム粉末は、少なくとも約98重量%、好ましくは少なくとも約99重量%の純度を有することがある。同様に、焼結多結晶窒化アルミニウムブールおよび/または類似の純度を持つ基板に好適であることがある。
加圧されたスラグの焼結は、所定の温度(例えば、少なくとも約1500℃の温度)で行うことがある。焼結温度は、特定の温度が達成され、所定の時間が保持されているランププロセスで提供することがある。さらに、本明細書で説明したようにそのような加熱は、1つ以上の予め規定された加熱アルゴリズムに従って進むことがある。さらに、そのような窒素雰囲気等の非酸素環境下で行われる焼結が好ましい。
窒化アルミニウム焼結体のブールは、販売される実際の最終製品であるバルク製品として調製されることも、またはそのブールがさらに素材を改良するために、他の工程に供給されることもある。具体的には、少なくともブールの一部は、研磨を施すことがあり、またはそのブールは、1つ以上の中間工程を受けることがある。例えば、窒化アルミニウム焼結体のブールは、望ましくはサイズを小さく、および/または形状を変更されることがある。具体的には、窒化アルミニウム焼結体のブールは、所望の形状および/または寸法に研磨することがある。また、窒化アルミニウム焼結ブールは切断することがあるか、そうでなければ研磨工程に進んで特定の、より小さい窒化アルミニウム片(例えば、ウェハー)を形成するために処理される。この方法は、最終的に用意した多結晶窒化アルミニウム基板は非常に有用な特性を示す点で特に有益である。例えば、多結晶窒化アルミニウム基板は、少なくとも約98%の相対密度、少なくとも約98重量%の純度、約80nm未満のrms表面粗さ、および約1000cm未満の欠陥密度を有することがある。基板も(ブールと同様に)厚さと、公知の方法により一般的に得られる寸法を超えてさらに次元の様を呈することがある。多結晶窒化アルミニウムブールの少なくとも一部を含むものとして特徴づけることがある多結晶窒化アルミニウム基板は、このように記載される。
このような特性によって、この発明の多結晶窒化アルミニウム基板は様々な工業上の用途で特に有用となる。例えば、本発明は、全体的にまたは一部に多結晶窒化アルミニウム材料を含むと理解されるであろう製品を包含することがある。特定の実施形態では、このような製品は、ヒートシンク(すなわち、個体材料から流体媒体の中で発生した熱を転送する構成要素または集合)を含めることがある。このように、本発明は、ヒートシンクの構成要素を組み込むことがあるレーザや発光ダイオード(LED)などの電子および光電子デバイスを包含することがある。さらなる実施形態では、本製品は、特に電気絶縁部品、電子、マイクロエレクトロニクスの構成要素と製品で使用される部品を含めることがある。他の実施形態では、本製品は、ハンドルウェハー、キャリアウェハーおよび層転写基板を含めることがある。したがって、本発明の製品は、準備、一時的なマウント、または特定の永続的な実装に対応するために、半導体製造に使用される材料を包含することがある。さらに別の実施形態では、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板は、るつぼのような従来のセラミック用途に関連する製品に含まれることがある。より具体的には、本発明に係る多結晶窒化アルミニウム基板を含む製品は、電子機器、マイクロ電子デバイス、光電子デバイス、および通信機器から成る群から選択され得る。本発明に係る多結晶窒化アルミニウム材料を組み込むことがある製品の特定の非限定的な例としては、レーザ用構成要素(エキシマ、固体、ヘリウム、ネオン、アルゴン、イオン、二酸化炭素、銅蒸気レーザなど)、レーザを含むダイオード、ヒートスプレッダ、検出器(例えば、紫外線および赤外線検出器)、コンデンサ、光記憶媒体、電子基板、チップキャリア、光ファイバスイッチ、光ファイバコネクタ、アンテナ、送信機などが挙げられる。
好ましい実施形態において、本発明の方法は、特定の処理パラメータおよび/または使用および/または調製された材料の特定の性質に照らしてさらに特徴づけることがある。例えば、多結晶焼結基板を調製するために使用される窒化アルミニウム粉末は、所定の全表面積と相関させることがある定義済みの粒径を有することがある。具体的には、粉末は、約1m/g〜約10m/gの範囲の表面積を有しうる。
他の態様において、本発明は、特に特定の特性を有する多結晶窒化アルミニウム材料との関係で特徴づけることがある。実施形態は、本発明は、少なくとも約98%、の相対密度を有しているかまたは少なくとも約98重量%の純度を有している多結晶窒化アルミニウムブールおよび/または基質(例えば、ウェハー)を提供する。さらに、ブールおよび/または基質は約80nm未満のrms表面粗さと約1,000cm未満の欠陥密度を示すことがある。さらなる実施形態では、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板が特定の物理的および化学的性質の一層の組み合わせによって特徴づけることがある。具体的に、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板は、通常、多結晶窒化アルミニウム材料には見られない驚くほど望ましい表面形態によって区別することがある。さらに、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板は、その高純度との関係で特徴づけることがあり、任意の焼結助剤や結合剤の完全な欠如に部分的に起因することがある。このような材料は、本明細書に記載の製造法で必要とされていないので、本発明の基板は、特に材料の残留量さえその自由であると説明することがある純度、の結合剤や焼結助剤として使用することもできる。さらに、本発明の材料は、増加サイズと基板が提供されることがある三次元形状の様々な方法によって特徴づけることがある。もちろん、本発明の方法および材料の性質は、以下でより詳細に説明されており、上述した実施形態に限定されるものではない。
本発明は、様々な実施形態を参照することでより完全に説明する。これらの実施形態は、この開示が完全なものとなり、十分に当業者に本発明の範囲を十分に伝達するように提供される。実際に、本発明は、多くの異なる形態で実施することが可能であり、本明細書に記載の実施形態に限定されると解釈されるべきではなく、むしろ、これらの実施形態は、この開示が適用される法的要件を満たすように提供されている。明細書および添付の特許請求の範囲において使用されているように、単数形"a"、"an"、"the"は、文脈により明確に示されない限り複数の対象物を含む。
様々な材料や方法で窒化アルミニウム基板の有用性の観点から、このような基板のソースを提供するために、従来多くの試みが実施されてきた。しかし使用される様々な方法に関連付けられている厳格な物理的および化学的な要件のために、高品質の素材を提供する能力は、これまでやや限定されていた。例えば、機密性の高い材料を使用するために、単結晶窒化アルミニウム基板は、材料の構造(すなわち、実質的に100%密度の窒化アルミニウム材料が提供されている)の均一性のために好ましいことがある。
多結晶窒化アルミニウム基板は、窒化アルミニウム粉末から調製することがあるが、多結晶材料は、そのような低い相対密度、低A1Nの純度、および/または容認できない表面形態などの問題のために、これまで限定的な使用を見てきた。様々な実施形態において、本発明は、当該技術分野でこのような問題を克服し、100%に近い密度である多結晶窒化アルミニウム材料を提供し、非常に高い純度を示すことができ、比較的大きなサイズと三次元構成で製造することができ、非常に滑らかな表面基材が必要とされる、薄膜の適用などのさまざまな用途に有用な多結晶窒化アルミニウム材料を作る、望ましい表面形態を提供することができる。
初めに、単語の"基板"の本明細書中での使用は、本発明の範囲を限定するものとしてみ実施されるべきではないことに留意すべきである。本明細書中に記載された発明の方法は、"ブール"として特徴づけることがある加圧し、焼結した多結晶窒化アルミニウムバルク材の初期形成を提供することがある。材料を形作りおよび/または少なくとも一部の材料を研磨するために必要に応じてこのブールはさらに処理を進めることがある。本明細書で使用される、"基板"は、処理(任意のシェーピングおよび/または所望され得る研磨を含む)を完了した多結晶窒化アルミニウム材料を指すことを意図し、本質的にはそれ自体または製品による使用形態である。持って多結晶窒化アルミニウム材料を指すことを意図している。より具体的には、基板は、さまざまな電子用途での支持層として有用である可能性がある、しかし、基板は、必ずしもそのような使用に限定されない。さらに、いくつかの実施形態では、基板は消費者による実際の使用(例えば、磨かれ、使用する準備ができて、必要に応じて、さらに研磨を受ける可能性がある小さいウェハーに切断することのある比較的大きなウェハー)の前に変更される場合がある。本発明に係る多結晶窒化アルミニウム基板は、基本的に形が扁平(特に、直径、長さや幅などの他の寸法、との関係で、比較的薄いなど)で、そういうものとして、特にウェハーやそれと類似のものを指す。しかし、同様に本発明に係る多結晶窒化アルミニウム基板は、さらに、基板が基本的に(例えば、比較的厚い)一次元で平坦化されていない特徴がある、三次元形状を有することがある。多結晶窒化アルミニウム材料への言及は、加圧されたスラグ、焼結ブール、および/または薄ウェハーである場合があるか、様々な三次元形状やサイズを持つ最終的に用意された基質を包含することがあり、製造に係る当該技術または製品を準備する方法において使用することが望ましい。
相対密度は、多結晶材料の密度(単位体積あたりの質量)が材料の100%の密度である理論と比較される比較用語であると理解される。例えば、単結晶窒化アルミニウム材料は相対密度の多結晶の窒化アルミニウムの材料を評価するために100%密度の基礎として用いることがある。焼結材は、内部的な空隙率と表面気孔率が100%未満の密度である。しかし、窒化アルミニウム基板はできるだけ密度100%に近いようになることが望ましい。本発明においては、記載の方法により製造された窒化アルミニウム基板は、少なくとも約95%、少なくとも約98%、少なくとも約99%、少なくとも99.5%、または少なくとも約99.8%の相対密度を示すことがある。
本発明は、好ましくは、所望の純度(すなわち、他の金属、炭素、酸素、およびその他の非アルミニウム窒化物材料などの不純物を実質的に含まない)を有する窒化アルミニウム粉末を利用している。好ましくは、本発明に用いられる窒化アルミニウム粉末は、少なくとも約98%純度、少なくとも約98.5%純度、少なくとも約99%純度であるか、または少なくとも約99.5%の純度である。
一般的に結合剤および/または焼結助剤は、技術的な等級の材料を製造するために必要とされることが、当該技術分野において認識されるため、高密度、多結晶窒化アルミニウム基板を達成する能力は、これまで限られていた。例えば、典型的な先行技術の結晶窒化アルミニウム基板は、テープキャスト、およびイットリアなどの材料であり、通常(焼結中に不完全に除去されうる様々なスラリー材料と同様に)追加した。結合剤や焼結助剤の一部の内容物は、焼結プロセス中に除去されうる一方で、汚染物質のかなりの部分は、一般的に不完全な除去のために形成された基板に物理的および/または化学的に含まれている。これは、高純度をも示す高密度窒化アルミニウム基板の形成に有害である。それどころか、本発明の方法は、結合剤や焼結助剤の使用を必要としないので、形成された多結晶窒化アルミニウムブールは、本質的に高純度の単相の製品である。具体的に、本発明の多結晶窒化アルミニウム材料は、少なくとも98重量%、少なくとも98.5重量%、少なくとも99重量%、または少なくとも99.5重量%のALN純度を発揮することがある。いくつかの実施形態では、本発明の多結晶窒化アルミニウム材料は、アルミニウムと窒素から本質的に構成されまたは、アルミ、窒素および酸素から本質的に構成されるものとして特徴づけることがある。さらなる実施形態では、本発明の多結晶窒化アルミニウム材料が存在していない材料との関係で特徴づけることがある。例えば、本発明は、多結晶、ALNの材料は、具体的には、一般的に技術的に認識された焼結助剤、一般的に技術的に認識された結合剤、一般的な酸化金属、酸化アルミニウム以外の酸化金属、窒化アルミニウム以外の金属窒化物、一般的な金属水素化物、アルミニウム以外の金属、イットリウム、カルシウム、バリウム、ストロンチウム、リチウム、ホウ素、鉄、銅、ニッケル、亜鉛、クロム、ナトリウム、カリウム、マグネシウム、チタン、バナジウム、ジルコニウム、シリコン、インジウム以外の金属炭素、酸化アルミニウム(Al)、酸化イットリウム(Y)、酸化カルシウム(CaO)、酸化バリウム(BaO)、酸化ストロンチウム(SrO)、リチウム酸化物(Li0)、リチウム酸化イットリウム(LiY0)、ボロンナイトライド(BN)、カルシウム(Ca)、ストロンチウム(Sr)、窒化バリウム(Ba)、カルシウムハイドライド(CaH)、ストロンチウム水素(SrH)、バリウム水素(BaH)、有機材料、スラリーエイド、有機溶剤、水性溶剤、のいずれか、または任意の組み合わせのいずれかを除外することがある:。さらにまた、本発明の多結晶窒化アルミニウム材料は、その物理的形状との関係で特徴づけることがある。例えば、材料は、加圧された粉末、焼結粉末、または加圧されて、焼結粉体として特徴づけることがある。そのような特徴付けは、粉末の集合体であるとして特徴づけられる材料の性質からその材料が準備されることによる方法を単に指しているとして実施されるべきではなく、本用語の「加圧」、「焼結」が単一の個体の製品を形成する場合における粉末を維持する最終材料として粉末の物理的特徴を示すものである。
発明の多結晶窒化アルミニウム材料はさらにその寸法との関係で特徴づけることがある。例えば、最初に調製ブールおよび/または成形および/または研磨の後、最後に用意された基板が、少なくとも約0.25cm、少なくとも約0.5cm、少なくとも約1.0cm、少なくとも約2.0cm、少なくとも約5.0cm、少なくとも約8.0cm、少なくとも約10.0cm、または少なくとも約15cmの厚さを持つことがある。他の実施形態では、厚さが約0.1cm〜約25cm、約0.2cm〜約20cm、または約0.5cm〜約15cmであることがある。上記の値は、同様に、最初に調製ブールおよび/または最後に用意された基板の直径や長さや幅に適用することがある。したがって、本発明によればブールまたは基板は、3つのすべての方向に実質的に大きい寸法の様々な三次元形状を取ることがある。これとは対照的に、既知の多結晶窒化アルミニウム基板は、比較的小さな基板に限定されており、例えば、わずか数ミリメートルのオーダーの厚さである。本発明によれば、発明の多結晶窒化アルミニウムのブールおよび/または基質は三次元形状を取ることができ、この場合において、三次元全てにおいて、厚さが上記の指定された任意の値であることがある。
結合剤の使用はまた、特に望ましい表面形態を有する基質を形成する能力に悪影響を及ぼすことがある。例えば、低相対密度と結合剤材料の使用は、表面がどれ程研磨されたかにかかわらず、基板表面の平滑性を制限することがあるので、表面粗さは、一般的に焼結された多結晶窒化アルミニウム基板の有用性を制限する要因となることがある。例えば、不完全焼結は、研磨中のような、後続の処理中に微量のA1Nの粒子の脱出の原因となることがあり、低い相対密度は、特にナノメートルスケールで、容認できない表面粗さの原因となる気孔率の原因となることがある。
rmsの尺度で評価される粗さは、光学や、表面の仕様が正確な範囲で要求される(電子機器などの)他の技術分野の、その分野において一般的に認識され、パラメータによく使用されている。与えられた表面のrms粗さを決定する際には、表面トポグラフィーは、表面形状は、z(x)のように表すことがある。表面形状は、一般的に平均線から一定距離だけずれた山と谷の連続である。平均線、粗い表面から山と谷の距離は長くなる。表面プロファイルでは、zは測定されている表面上のラインに沿った特定の時点での平均線からの距離を表し、xは線に沿ってrms粗さを決定するために評価測定の回数を表しる。したがって、rms粗さ(rq)はzは(x)の平均線から、表面形状の偏差の二乗を平均平方根として定義されている。これは、以下の式に従って計算される。
Figure 2013535389
Lはx方向に沿った表面形状の長さである。rms粗さは、一般的にドキュメンタリー規格でrqによって指定され、しばしば記号σで、光学系などの特定の分野で表される。表面プロファイルz(x)が密接にデジタル化された点の集合Zでほぼすべての現在の機器で近似されているので、上記の式は、そのデジタル表現で実際に置き換えることがある。
Figure 2013535389
ここで、Νは測定された表面プロファイル内のデータポイントの数である。
様々なプロファイリング技術は、ナノメートルスケールの表面粗さを測定することが可能である。このような技術の例は、スタイラスベースのプロファイリング、位相シフト干渉顕微鏡観察、ノマルスキープロファイリング、および原子間力顕微鏡(AFM)が含まれている。これらの方法のうち、原子間力顕微鏡は、多くの場合、一般的には1nm以下の、最高の横方向の解像度を作り出すとして認識されている。表面粗さの評価はさらに、"ラフ"Vorburger、T.フー、J、およびOrji、N.SpieのOE誌、2(3)、2002年3月、31〜34頁によって記述されている。これらは参照により本明細書に組み込まれている。rms粗さを計算するのに有用な装置の一例は、DEKTAK 150表面プロファイラ(ニューヨーク州プレーンビュー所在のビーコインスツルメンツ社から入手可能)である。
特定の実施形態では、rms粗さが所定のサンプリング領域全域で測定することがある。ある実施形態では、サンプリング領域は、約1、000μm×200μmの寸法を有することがある。サンプリングのダウンロードサイズは変わる場合がある。しかしそれは、サンプリングサイズが粗さの標準的な特性を確保するために、異なるサンプル間で一貫していることが好ましい。いくつかの実施形態では、サンプリングサイズは、約50mm〜約500mm、約100mm〜約300mm、または約150mm〜約250mmの領域を包含することがある。
本発明は、特に100%の密度に近いだけでなく、薄膜で使用するために必要なパラメータの範囲内にある表面形態(例えば、rms粗さ)も有する結合剤を含まない焼結多結晶窒化アルミニウム基板を提供する能力と非常に滑らかな表面とが要求される他の領域に有用である。特定の実施形態では、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板は、約100nm未満、約90nm未満、約80nm未満、約70nm未満、約60nm未満、約50nm未満、約40nm未満、約30nm未満、約20nm未満、約15nm未満、または約10nm未満のrms粗さを示すことがある。特定の実施形態では、rms表面粗さは約5nm〜約75nm程度、約5nm〜約50nm程度、約5nm〜約25nm程度、または約10nm〜約25nm程度の範囲とすることがある。
他の実施形態において、本発明の多結晶窒化アルミニウム基板は、欠陥密度の点で特徴づけることがある。欠陥は多結晶窒化アルミニウム基板の実質的に滑らかな表面に沿って存在する任意の落ち込みとして特徴づけることがある。例えば、表面欠陥が基板表面(すなわち、より垂直に低い底面を有する望ましくない落ち込みに関連するものと理解することができ、基板の表面にある"ピット"として特徴づけることがある)周囲の、平均的な面よりも低くなるように落ち込んでいる。"ピット"は、さらに連続したものとして、横方向に定義された(すなわち、壁底面から上がり基板表面の周辺領域を持つ接点で終端を有するものとして)定義することがある。定量的には、本発明によれば、ピットは、その深さ(すなわち、基板の周囲の、平均表面にピットの底面からの距離)とその幅(すなわち、ピット両端の最小距離)の観点で定義することがある。基板面内の他の欠陥は、同様に、基板表面の下に延びる基板表面の中断との関係で定義することがある。特定の実施形態では、表面欠陥は、少なくとも約0.2μm、少なくとも約0.5μm、少なくとも約1.0μm、少なくとも約2μm、少なくとも約3μm、少なくとも約4μm、または少なくとも約5μmの深さを有する基板面内の任意の落ち込みのように定義することがある。欠陥も、少なくとも約0.2μm、少なくとも約0.5μm、少なくとも約0.8μm、少なくとも約1μm、少なくとも約1.5μm、または少なくとも約2μmの幅を有する基板表面に任意の落ち込みのように定義することがある。特定の実施形態では、欠陥が上記提供の深さと幅の特定の組み合わせによって定義することある。
例えば、欠陥は本発明の様々な実施形態で、以下の深さと幅の組み合わせ(少なくとも約0.2μmの深さおよび少なくとも約0.2μmの幅、少なくとも約0.2μmの深さおよび少なくとも約0.5μmの幅、少なくとも約0.2μmの深さおよび少なくとも約1.0μmの幅、少なくとも約0.5μmの深さおよび少なくとも約0.2μmの幅、少なくとも約0.5μmの深さおよび少なくとも約0.5μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約1.0μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約0.2μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約0.5μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約2.0μmの幅、少なくとも約2.0μmの深さおよび少なくとも約1.0μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約3.0μmの幅、少なくとも約3.0μmの深さおよび少なくとも約1.0μmの幅、少なくとも約5.0μmの深さおよび少なくとも約1.0μmの幅、少なくとも約1.0μmの深さおよび少なくとも約5.0μmの幅、少なくとも約2.0μmの深さおよび少なくとも約3.0μmの幅、少なくとも約2.0μmの深さおよび少なくとも約5.0μmの幅、少なくとも約3.0μmの深さおよび少なくとも約2.0μmの幅、少なくとも約3.0μmの深さおよび少なくとも約3.0μmの幅、少なくとも約3.0μmの深さおよび少なくとも約5.0μmの幅、または少なくとも約5.0μmの深さおよび少なくとも約5.0μmの幅)を有する表面の窪みとして定義することがある。さらに上記の幅と深さの組合せを包含することがある。さらに、後述の欠陥密度の値のいずれかが明示的に幅と深さの組み合わせは、上記の説明のいずれかに関連付けることがある。
上記の観点では、基板表面の欠陥密度を計算することがある。欠陥密度は、このように所定の領域(例えば、平方センチメートル当たりの欠陥数)以上の基板表面のピットまたは他の欠陥の数の尺度として定義することがある。特定の実施形態では、本発明による多結晶窒化アルミニウム基板は少なくとも約10000cm−2、少なくとも5000cm−2、少なくとも2500cm−2、少なくとも1000cm−2、少なくとも800cm−2、少なくとも600cm−2、少なくとも500cm−2、少なくとも400cm−2、少なくとも300cm−2、または少なくとも200cm−2の欠陥密度を有することがある。
欠陥密度は十分な横方向および垂直方向の分解能で表面形状を明らかにするための当該分野における任意の適切な技術を用いて測定することがある。非限定的な例としては、原子間力顕微鏡(AFM)、視射角レーザ反射、プロフィロメトリ、光干渉法(例えば、微分干渉コントラスト(DIC)顕微鏡)などが挙げられる。欠陥密度は、特に、米国国立衛生研究所によって開発されたImage−Jソフトウェアなどの基板表面の画像を評価するために光学認識ソフトウェアを用いて計算することがある。このような方法の組み合わせも使用することがある。
本発明は、特に基板ための準備の方法のために、上記密度、純度、表面形態を示す焼結多結晶窒化アルミニウム基板の形成を達成する能力を実現した。このような方法は、好ましくは、高純度窒化アルミニウム粉末から始まり、望ましい密度、あらかじめ規定された、望ましい純度、望ましい形態の面を有する窒化アルミニウム基板で終わる複数の手順を含む。粉の純度に加えて、特定の粒径を有する窒化アルミニウム粉末を使用することは有益である。いくつかの実施形態では、本発明の方法は約10μm未満、約9μm未満、約8μm未満、約7μm未満、約6μm未満、約5μm未満、約4μm未満、約3μm未満、または約2μm未満の平均粒子径のある窒化アルミニウム粉を利用する場合がある。他の実施例では、平均粒子径は約0.1μm〜約10μm、約0.2μm〜約8μm、約0.5μm〜約5μm、または約0.5μm〜約2μmの範囲で存在することがある。特定の実施形態では、粒子は、所定の粒径分布を有することがある。例えば、少なくとも約50重量%、少なくとも約60重量%、少なくとも約70重量%、少なくとも約80重量%、少なくとも約90重量%、少なくとも約95重量%、少なくとも約99重量%は上記の予め規定した範囲のサイズを有するようにAIN粉末が特徴付けられることがある。他の実施形態では、ALN粉末は、少なくとも約50重量%、少なくとも約60重量%、少なくとも約70重量%、少なくとも約80重量%、少なくとも約90重量%、少なくとも約95重量%、または少なくとも約99重量%は、約5μm未満、約4μm未満、約3μm未満、約2μm未満、約1μm未満による変更サイズを有するように、AIN粉は、特徴づけられることがある。実例として、ALN粉末は、粒子の少なくとも50重量%は約10μm未満のサイズを有し、および/または粒子の少なくとも約50重量%が5μm未満の大きさのばらつきを有するものであってもよい(任意の上記範囲内での百分率とサイズと同様に任意の記述された百分率やサイズによって交換可能な百分率とサイズが例示される)。本発明はまた、明示的に、本発明の特定の実施形態では、上記の範囲から特定のサイズの粒子を除外することがある。
粒径に加えて、または粒径の代替として、本発明の方法で使用される窒化アルミニウム粒子は、粒子表面積との関係で特徴づけることがある。粒子表面積は、粒子形態、表面粗さ、および粒子表面の気孔率に基づいて変化することがある。特定の実施形態では、所定の粒子表面積を示すのは、本発明に用いられる窒化アルミニウム粒子のために望ましいことがある。例えば、粒子表面積は、少なくとも約0.5m/g、少なくとも約1.0m/g、少なくとも約1.5m/g、少なくとも約2.0m/g、少なくとも約2.5m/g、または少なくとも約3.0m/gであることがある。他の実施形態では、粒子表面積は、約0.1m/g〜約10.0m/g、約0.5m/g〜約9.0m/g、約1.0m/g〜約8.0m/g、約1.5m/g〜約7.0m/g、約2.0m/g〜約6.0m/g、または約2.5m/g〜約5.0m/gであることがある。
粒径の選択は、達成された製品密度、製品の粒径、および完成品の典型的な欠陥のサイズに特に関連することがある。一方、粒子表面積の選択は、表面積の増加は酸化電位を増加させることがあるので、最終製品中の酸素含有量を増やすことがあり、製品の純度に影響を与えることがある(すなわち、製品の純度を下げる)。従って、小さい表面積が増大純度のために望まれていて、小さい粒子は、密度の増加のために望まれていて、かつ粒径と表面積は一般に反比例するので、それに応じて、原料のこれらの2つの特性のバランスをとることは相反することがある。
特定の実施形態では、製造プロセスの最初のステップは、加圧窒化アルミニウムスラグを形成するために、粉末を加圧することを含む。さまざまな加圧方法が、本発明に従って使用することがある。特定の実施形態では、本加圧法は、外部熱が(つまり、この方法は、ホット加圧焼結法ではない)が適用されていない請求方法とすることがある。もちろん、いくつかの熱が粉末の加圧から内部で生成することがあり、そのような内部で発生する熱を外部に外部圧力の印加にもかかわらず、適用されたと見実施されないことが理解される。好ましくは、加圧工程は、任意の適用される熱が約50℃未満、約40℃未満、約30℃未満、約25℃未満、約15℃未満、または約10℃未満の温度となるように実施される。特定の実施形態では、加圧工程で加圧するアクションに固有の実際の熱が外気温度を超過する場合があるとはいえ(すなわち、外部から印加されていない熱とはいえ)加圧工程は外気温で実施されるとして記述することがある。
また、所定の圧力率に応じて達成することが、ある特定の最大圧力を達成するために、加圧する方法に有用である。例えば、特定の実施形態は、加圧法は、少なくとも約20000PSI(138MPa)、少なくとも約25000PSI(172MPa)、少なくとも約3000PSI(207MPa)、少なくとも約35000PSI(241MPa)、少なくとも約40000PSI(276MPa)の最大圧力を適用することを含むことがある。特定の実施形態では、印加される最大圧力は約20000PSI(138MPa)〜約40000PSI(276MPa)、約25000PSI(172MPa)〜約35000PSI(241MPa)、約30000PSI(207MPa)〜約35000PSI(241MPa)の範囲で適用されうる。
特定の圧力制御を適用してもよい。例えば、いくつかの実施形態では、最大圧力は比較的速やかに達成することがあり、他の実施形態では、最大圧力がよりゆっくりと達成することがある。特定の実施形態では、最大圧力は最大圧は約30分未満、約25分未満、約20分未満、または約10分未満の間に達成することがある。他の実施形態では、最大圧力を達成するまでの時間は約2分〜約20分、約5分〜約15分、または約5分〜約10分の範囲でもよい。
同様に、最大圧が特定の比率で達せられるように加圧は適用されることがある。例えば、加圧は約1000PSI/分(11.5KPa/s)、約2000PSI/分(23KPa/s)、約3000PSI/分(34.5KPa/s)、約4000PSI/分(46KPa/s)、約5000PSI/分(57.5KPa/s)、約6000PSI/分(69KPa/s)、約7000PSI/分(80.5KPa/s)、約8000PSI/分(92KPa/s)の比率で適用されることがある。特定の実施形態では、一旦最大圧力が達成されればそれが比較的短い期間、維持することがある。例えば、例えば、最大圧は約1時間未満、約45分未満、約30分未満、約15分未満、約10分未満、約5分未満、約2分未満、または約1分未満の時間に維持されることがある。いくつかの実施形態では、加圧は最大圧に達した直後に開放される(例えば、最大圧に達した後約30秒未満、約20秒未満、約10秒未満、または約5秒未満の時間で開放される)。
また、上記のような最大圧力を達成し、維持した後、圧力放出の速度は、本発明の方法の特徴であることがある。例えば、圧力は、比較的短い時間(例えば、約2時間未満、約1.5時間未満、約1時間未満、約30分未満、約15分未満、約10分未満、約9分未満、約8分未満、約7分未満、約6分未満、約5分未満、約4分未満、約3分未満、約2分未満、または約1分未満の時間)で最大値〜環境(例えば、ほぼ大気圧)放出される可能性がある。さらに最大に達した圧力〜大気圧に戻る時間は、約1分〜約2時間、約10分〜約1.5時間、または約30分〜約1.5時間であることがある。
特定の実施形態では、冷間静水圧加圧を用いて加圧を行うことがある。一般的に冷間静水圧加圧で一軸加圧成形と比較して、加圧と増加形状能力の高い均一性を実現するため複数の方向からの圧力を適用する。湿式加圧バッグの静水圧として知られる静水圧加圧を行う一つの方法では、粉末は、粉末に均一に圧力を伝達液体に浸漬されているゴム製の鞘に包まれている。加圧するのではなく、流体中のツールをドライバッグ均衡加圧として知られている別の方法では、ツール自体は高圧流体がポンプされる内部チャネルで構築されている。
いくつかの実施形態では、加圧工程における窒化アルミニウム粉末と追加の材料を含むことが望ましいことがある。例えば、ドープされた基板が望まれている場合、添加剤は、プロセスのこの点で追加することがある。特定の実施形態では、窒化アルミニウム基板は、できるだけ100%に近い純粋な(すなわち、不純物のない100%ALN)のようにするのが望ましい。このような実施形態において、本発明は、明示的にプロセスに導入され、それ以上の材料を除外する。したがって、この方法は、加圧工程は窒化アルミニウム粉末から構成され、出発原料で行われるように記述することがある。このような文言は少なくとも、本明細書に記載した窒化アルミニウム粉末の使用を包含し、窒化アルミニウム粉末以外のどのような材料で粉の中にどのような不純物を含んでいようとも除外する(例えば、2%未満の不純物、1.5%未満の不純物または1%未満の不純物を有する窒化アルミニウム粉から成る材料)。他の実施形態では、加圧は、窒化アルミニウムを含む粉末から成る材料を用いて行うことがある。好ましくは、粉体は、少なくとも本明細書に記載の純度(すなわち、少なくとも98%の純度の窒化アルミニウムを含む粉末)を有するのが望ましい。本発明の実施形態は、材料の重量に基づいて、100%に近いA1N純度を提供することがあるが、このような実施形態は、必ずしも、100%密度であることが要求されるものではない。ALNの純度と製品の高密度化の双方は、できるだけ100%に近いようになるのが好ましいが、本発明は、ALN純度が製品の密度より大きい実施形態や、製品の密度がAIN純度よりも優れている実施形態を包含する。
圧力が適用される前に、粉末が、チャンバ内の粉末の充填密度を増加させるように処理されることがある。例えば、粉末を加圧する前に、可能な範囲で粉末を加圧して、該当する方法を使用して振動させることがある。
加圧工程の完了時に、窒化アルミニウムはスラグの形態であることを指すことがある。この窒化アルミニウムスラグは、一般的に窒化アルミニウム粉末の凝集が加圧され、粉末を加えられた圧力(すなわち、任意の結合剤材料の必要なしに)の加圧によって一緒に保持されている。一般的に、スラグは、粉末が加圧された金型の一般的な形状を維持している。
加圧金型から取り出した後、窒化アルミニウムスラグは焼結される。特に、焼結は全く結合剤援助や焼結助剤が含まれていないことを意味したものである。上述したように、加圧工程は追加の材料を添加せずに窒化アルミニウム粉末を用いて行うことがある(粉末自体に内在する最小限の不純物は別として)。好ましくは、追加の材料は、加圧から除去した後でかつ焼結のステップが実施される前に加圧窒化アルミニウムスラグに添加しない。このように、本方法が加圧と焼結の1方か両方の間で特定の材料の添加を除外するものとして明示的に特徴づけることがある。このような除外材料は発明の多結晶窒化アルミニウム材料自体と関連して本明細書に説明されているもののいずれかを含むことがある。
使用機器が本明細書に記載の処理パラメータを満たすように適している限り、窒化アルミニウムスラグを焼結するための様々な手段を、本発明に従って使用することがある。いくつかの実施形態では、焼結は真空炉を用いて行うことがある。具体的には、抵抗加熱真空炉や誘導加熱真空炉を使用することがある。焼結時の熱負荷を管理するために、特定の構成のチャンバを含むことは炉に役立つことがある。例えば、炉は、必要に応じて絶縁環境や壁の間を含むことがある水冷式、二重壁のスチールチャンバを有することがある。他の実施形態では、炉はサセプタとその周囲との絶縁水冷石英ジャケットを有していてもよい。特に炉、産業用途に適した炉の他のタイプは、本発明に従って使用することがある。例えば、シュレッサーらの米国特許第7678195号明細書は、本発明に有用でありうる炉(またはリアクター)を記述、説明しており、同文献は、その全体が参照により本明細書に組み込まれる。
特定の実施形態では、不活性環境、より具体的には、非酸素環境下で行われる焼結処理することが有用である。具体的には、焼結環境は、酸化性ガス(例えば、0)を実質的または完全に含まないどのような環境でもよい。いくつかの実施形態では、1つ以上の非酸化性ガスを含み、焼成室で人工的な環境を提供することが有用である。もちろん、そのような実施形態は、チャンバから大気(すなわち酸素を含む)を排気することを含んでいてもよい。使用される非酸化性ガスは希ガスまたは窒化アルミニウム材料との焼結反応を不利にすることのない任意の他のガスを含んでいてもよい。特定の実施形態では、窒素ガスまたは他の不活性ガスが用いられる。
いくつかの実施形態では、非酸化性ガスを所定の圧力に焼室に充填することがある。特定の実施形態では、非酸化性ガスが、約5気圧(0.5MPa)まで、約4気圧(0.4MPa)まで、約3気圧(0.3MPa)まで、約2気圧(0.2MPa)まで、約1.5気圧(0.15MPa)まで、約1.25気圧(0.125MPa)まで、または約1.1気圧(0.11MPA)までの圧力で提供されている。特定の実施形態では、非酸化性ガスは、約1気圧(0.1MPa)の圧力で提供されている。さらなる実施形態では、非酸化性ガスを約1気圧(0.1MPA)〜約2気圧(0.2MPa)まで、約1気圧(0.1MPa)〜約1.5気圧(0.15MPa)まで、または約1気圧(0.1MPa)〜約1.25気圧(0.125MPa)までの圧力で提供する。さらなる実施形態では、低い圧力(すなわち、真空下)での処理を行うことが可能である。非酸化性ガスは、焼結プロセス全体または焼結プロセス中に所定の期間においてのみ特定の流量で供給することがある。具体的には、非酸化性ガスが毎分約10立方センチメートル(SCCM)〜約3000SCCM、約25SCCM〜約2800SCCM、約50SCCM〜約2500SCCM、約75SCCM〜約2250SCCM、または約100SCCM〜約2000SCCMの速度で提供することがある。一部の実施形態では、プロセスが実質的に流れのない中(すなわち、停滞ガス環境下)で行うことがある。
窒化アルミニウムスラグの焼結は、1つの一貫した材料に窒化アルミニウム粉末の変換を完了するのに十分な上昇温度で有意に行われる。特定の実施形態では、焼結は窒化アルミニウムスラグを最高温度に加熱することによって行われる。例えば、窒化アルミニウムスラグは少なくとも約1500℃、少なくとも約1600℃、少なくとも約1700℃、少なくとも約1800℃、少なくとも約1900℃、少なくとも約2000℃、少なくとも約2100℃、または少なくとも約2200℃の最高温度で加熱することがある。いくつかの実施形態では、最高焼結温度は、約1500℃〜約2500℃の範囲で、約1600℃〜約2500℃の範囲で、約1700℃〜約2500℃の範囲で、約1800℃〜約2500℃の範囲で、約1900℃〜約2500℃の範囲で、約2000℃〜約2500℃の範囲で、約2100℃〜約2500℃の範囲で、または約2100℃〜約2400℃の範囲で実施される。
特定の実施形態では、最高温度を達成するために加熱を段階的に適用することがある。言い換えれば、窒化アルミニウムスラグは特定の温度に加熱され、その後、高い温度まで上昇させ、所定の温度に上昇しかつ所定の終了時間にわたって保持される前まで、所定の時間にわたりその温度(すなわち「浸漬」)を保持した。段階的加熱の複数の繰り返しは2回の繰り返し、3回の繰り返し、4回の繰り返し、5回の反復、または本発明の開示に照らして有用であると決定することができた多くの反復を含めて、適用することがある。特定の実施形態では、窒化アルミニウムスラグは、第一の温度に加熱され、第二の温度に加熱する前に所定の期間保持し、所定の終了期間まで保持された。いくつかの実施形態では、第二の温度は、上記の最高温度に対応することがある。例えば、第一の温度は約1500℃〜約1900℃の範囲、約1600℃〜約1800℃の範囲、または約1650℃〜約1750℃の範囲であることがある。
代替の実施形態では、窒化アルミニウムスラグが、所定の温度で浸漬する時間の長さは変わる場合がある。例えば、スラグは少なくとも約1分間、少なくとも約2分間、少なくとも約5分間、少なくとも約10分間、少なくとも約15分間、少なくとも約30分間、または少なくとも約1時間の所定の温度で浸漬されることがある。また、スラグは、約5分〜約5時間、約10分〜約4時間、約15分〜約3時間、約30分〜約2時間、または約30分〜約1.5時間の時間所定の温度で浸漬されることがある。また、窒化アルミニウムスラグが最高温度に維持される時間の長さは、スラグは最高温度よりも小さい任意の単一の温度に保持される時間よりも大幅に大きくなる可能性がある。例えば、スラグは約1時間〜約24時間、約2時間〜約22時間、約3時間〜約20時間、約4時間〜約18時間、約5時間〜約16時間、約6時間〜約14時間、約7時間〜約13時間、約8時間〜約12時間、または約9時間〜約11時間の時間の最大温度で維持される可能性がある。さらなる実施形態では、窒化アルミニウムスラグは、少なくとも2時間、少なくとも3時間、少なくとも4時間、少なくとも5時間、少なくとも6時間、少なくとも7時間、少なくとも8時間、または少なくとも9時間の時間、最大温度で維持される。
窒化アルミニウムスラグの加熱は、特定の速度に応じて進めることができ、そのような速度は、所望の最大温度が周囲温度から一定に保つことがある。いくつかの実施形態では、加熱は最大温度を含む2以上の温度で特定の進行に従うことがある。より具体的には、特定の加熱速度が第一の温度を達成するために使用することができ、第二の加熱速度は第二の温度を達成するために使用することができ、最高温度に達するまでさらに加熱速度はさらに温度を達成するために用いることがある。具体的には、加熱アルゴリズムは、2つ以上の異なる加熱速度が順次超える温度を達成するために使用されもよいように適用することがある。特定の実施形態では、加熱速度は、連続した遅い加熱を提供することがある。他の実施形態では、加熱速度は、連続的な高速加熱を与える場合がある。さらなる実施形態では、加熱速度は遅く、速い加熱の間で交互にある。
加熱速度は約0.1℃/分〜約20℃/分で変化することがある。より具体的には、望ましい加熱速度は約0.1℃/分〜約10℃/分、約0.1℃/分〜約9℃/分、約0.1℃/分〜約8℃/分、約0.1℃/分〜約7℃/分、約0.1℃/分〜約6℃/分、約0.1℃/分〜約5℃/分、約0.1℃/分〜約4℃/分、約0.1℃/分〜約3℃/分、約0.1℃/分〜約2℃/分、または約0.1℃/分〜約1℃/分であることがある。特定の実施形態では、本発明方法(0.1℃/分、0.2℃/分、0.3℃/分、0.4℃/分、0.5℃/分、0.6℃/分、0.7℃/分、0.8℃/分、0.9℃/分、1.0℃/分、1.2℃/分、1.4℃/分、1.6℃/分、1.8℃/分、2.0℃/分、2.5℃/分、3.0℃/分、4.0℃/分、5.0℃/分、6.0℃/分、7.0℃/分、8.0℃/分、または10.0℃/分)において、以下の昇温速度のいずれかが一定の加熱、または所定の昇温アルゴリズムを適用することがある。遅い加熱速度は、特に焼結助剤と結合剤助剤が使用されていない発明によって、適切な焼結を達成することが好ましいことがある。
本発明によれば適用することがある加熱アルゴリズムの非限定的な例は次のとおりである。
a)加熱速度が約5℃/分、約4℃/分、約3℃/分、約2℃/分、約1℃/分、約0.8℃/分、または約0.6℃/分、浸漬温度が約1500℃、約1550℃、約1600℃、約1650℃、約1700℃、約1750℃、約1800℃、約1850℃、または約1900℃、第一の浸漬時間が少なくとも約1分、少なくとも約2分、少なくとも約5分、少なくとも約10分、少なくとも約30分、または少なくとも約1時間、最大温度までの加熱速度が約2℃/分、約1℃/分、約0.8℃/分、約0.6℃/分、約0.4℃/分、約0.2℃/分、または約0.1℃/分、第一の浸漬温度よりも大きく、最大温度での浸漬時間が少なくとも約2時間、少なくとも約3時間、少なくとも約4時間、少なくとも約5時間、少なくとも約6時間、少なくとも約7時間、少なくとも約8時間、または少なくとも約9時間。
b)上記からアルゴリズムa)を適用し、第一の温度で浸漬を完成した後、最大温度で加熱する前に、アルゴリズムが含む加熱速度が約4℃、約3℃、約2℃、約1℃、約0.8℃、約0.6℃、または約0.4℃、第二の浸漬温度が約1700℃、約1750℃、約1800℃、約1850℃、約1900℃、約1950℃、約2000℃、約2050℃、または約2100℃、第二の温度で浸漬する時間が、少なくとも約1分、少なくとも約2分、少なくとも約5分、少なくとも約10分、少なくとも約30分、または少なくとも約1時間であり、最大温度は第二の浸漬温度よりも高い、
c)上記からアルゴリズムb)を適用し、第二の温度で浸漬を完了した後、最大温度に加熱する前に、アルゴリズムが含む加熱速度が、約3℃/分、約2℃/分、約1℃/分、約0.8℃/分、約0.6℃/分、約0.5℃/分、または約0.2℃/分、第三の浸漬温度が、約1900℃、約1950℃、約2000℃、約2050℃、約2100℃、約2150℃、約2200℃、約2250℃、または約2300℃、第二の温度での浸漬時間が、少なくとも約1分、少なくとも約2分、少なくとも約5分、少なくとも約10分、少なくとも約30分、または少なくとも約1時間であり、最大温度は第三の浸漬温度よりも高い。
加熱速度も準備されている窒化アルミニウムブールの大きさに関連することがある。様々な実施形態では、ブールのサイズが大きくなるにつれて加熱速度を減少させることが望ましい場合がある。従って、加熱アルゴリズムは用意されているブールの大きさに反比例する加熱速度を適用するのに提供することがある。
温度が所定の温度または温度(すなわち、唯一の最高温度または後述の最高温度を上回るさらなる温度で)で浸漬した後、窒化アルミニウム焼結体のスラグは周囲温度まで冷却される。焼結された窒化アルミニウムスラグの冷却は特に制御された速度で行うことがある。単一の冷却速度は、外気温に冷却したか、あるいは上述の加熱アルゴリズムと同様の冷却アルゴリズムで組み合わせて2つ以上の異なる冷却速度で使用することがある。例えば、0.1℃/分、0.2℃/分、0.3℃/分、0.1℃/分、0.4℃/分、0.5℃/分、0.6℃/分、0.7℃/分、0.8℃/分、0.9℃/分、1.0℃/分、1.2℃/分、1.4℃/分、1.6℃/分、1.8℃/分、2.0℃/分、2.5℃/分、3.0℃/分、4.0℃/分、5.0℃/分、6.0℃/分、7.0℃/分、8.0℃/分、または10.0℃/分。その他の実施形態では、冷却速度は約0.1℃/分〜20℃/分、約0.2℃/分〜10℃/分、または約0.5℃/分〜5℃/分の範囲の冷却速度のいずれかを単独で、または組み合わせて使用してもよい。
周囲温度が達成された後、一つ以上のさらなる処理工程を行うことがある。例えば、いくつかの実施形態において、焼結された多結晶窒化アルミニウム材料は、1つ以上の成形工程に供することがある。
特定の実施形態において、そこから1つ以上の実質的に均一な部分が形成される形状に、窒化アルミニウム焼結ブールを形成することが望ましい。具体的には、窒化アルミニウム焼結材料は、外径が均一の円筒状に粉砕することがある。もちろん、他の形状は材料の所望の最終用途に応じて形成することがある。このような研削ダイヤモンドホイールグラインダー(例えば、ニューヨーク州エルミラ所在のハーディング社、、から入手可能なブリッジポートフライス盤)を用いて行うことがある。他の実施形態では、ダイヤモンドホイールを搭載したコンピュータ数値制御(CNC)研削工具(例えば、ヨークペンシルベニア所在のウェルドンソリューションズからソラリスグラインダーとして入手可能)を所定の外径(OD)で所望の形状を達成するために有用であり得る。
さらなる実施形態では、窒化アルミニウム焼結材料は、1つ以上の実質的に均一な部分に切断することがある。例えば、窒化アルミニウム焼結材は円筒状に形成されたときに、所定の厚さの1つ以上の実質的に円形のウェハーを、窒化アルミニウム焼結体の円筒体からスライスすることがある。例えば、ウェハー形成は、スラリーベースのマルチワイヤ刃(例えば、SIL−カットスラリーのシリコンカーバイド研磨剤を使用しているTakatori 812 SD)または冷却水の上にダイヤモンドウェハー形成鋸刃を使用して行うことがある。窒化アルミニウム焼結体は、約0.1mm〜約25mm、約0.2mm〜約20mm、約0.3mm〜約15mm、約0.4mm〜約10mm、約0.5mm〜約7mm、約0.6mm〜約5mm、約0.7mm〜約4mm、または約0.8mm〜約2mmの厚さを有するウェハーにスライスされうる。
窒化アルミニウム焼結材は、(焼結工程から除去されたバルクの形態または上記のような工程の状態のいずれか、例えば、実質的に平坦で対向面を有するウェハーの形で)研磨工程に供することがある。好ましい実施形態では、窒化アルミニウム焼結材は機械的に研磨する。特定の実施形態では、窒化アルミニウム焼結材はラップ仕上げや研削により機械的な整形を施してもよいし、材料上の好ましい表面仕上げは、機械研磨を通して開発されうる。単独で研磨を使用することがある一方で、ラップ仕上げや研削は最も滑らかな可能性のある基板表面の準備を容易にするために有益でありうる。
以下に続く研磨によるウェハーの形成は(例えば、ラップ仕上げや研削シェーピング)、所望の寸法、表面仕上げ、および/または形成の生成のために材料を正確に窒化アルミニウム焼結材料から除去される工程である。ラップ仕上げや研削は、滑らかな、平らな、磨かれていない面を生成するために材料の除去を指すものと理解されている操作である。ラップ仕上げや研削プロセスは、高い許容性のある寸法的に正確な試料を生成するために使用することがある。ラップ板は、概して、比較的低速(例えば、約100rpm未満、約90rpm未満、約80rpm未満、約70rpm未満、または約60rpm未満)および中速で回転砥粒(例えば、約10μm〜約100μm、約15μm〜約100μm、約20μm〜約90μm、約25μm〜約80μm)で一般的に使用される。ラップ仕上げと研磨とは計測や研磨によって引き起こされる基質の危険性を除去することがあり、かつ要求される厚さや平坦性を作り出すことがある。研磨は、細かい使用傷のない、鏡面を生成するための材料の除去を指すものと理解されている(例えば、約10μm未満、約8μm未満、約6μm未満、約5μm未満、または約4μm未満)。研磨は、通常、研磨布、研磨フィルム、または特別に設計されたラップ板のいずれかを使用して非常に低い速度で行われる。布やラップ板を用いる研磨は遊離砥粒を使用する必要があり、適切に実施したときに非常に低損傷の工程である。
特定の実施形態では、ラップ仕上げや研削、および/または研磨は研磨粒子サイズが系統的に減少していくことのある複数のステップを含むことがある。例えば、ラップ仕上げは、2、3、4、5、またはそれ以降のステップで実施されることがあるが、各ステップは異なるグリット(または粒径)の研磨剤を使用することがある。好ましくは、各連続した研磨工程は前工程よりも小さい粒径を使用している。
ウェハーの成形は特にStasbaugh7AFグラインダーのような基板研削工具を使用してウェハーを研削することを含むこともある。このような研削は、少なくとも約0.01mm、少なくとも約0.025mm、少なくとも約0.05mm、少なくとも約0.075mm、少なくとも約0.1mm、少なくとも約0.125mm、少なくとも約0.15mm、少なくとも約0.175mm、または少なくとも約0.2mmにウェハーの厚さを減少させるのに使用することがあり、したがって上述したように実質的に平坦な表面を生成することがある。
研削研磨工程は、好ましくは、本明細書で前述の特性に沿った表面形態を有する窒化アルミニウム基板をもたらす。これは、特定の研磨技術が良い滑らかな結果を提供することがあるが、この発明は、加圧および焼結の工程による明細書中で記載した研磨技術との組み合わせが明細書中で記載した優れた結果を有する研磨を可能にした材料を提供するという発見に起因する。本明細書中で記載された加圧や焼結の方法以外の方法によって準備された他の多結晶窒化アルミニウム材料は本発明と同じラップ仕上げ、研削、および研磨の工程を使用してさえも本明細書に記載された同じ表面形態に磨き上げることができるとは信じられていない。特に結合剤や焼結助剤を使用して準備された多結晶材料は本明細書中で記載されたような同じ表面形態を達成することができると期待されていない、なぜなら、研磨の間に公開されない窒化アルミニウム片がないこと、および窒化アルミニウム基板の滑らかさが減少することがあるからである。
本発明によれば、上記の手順を行うことによって、非常に望ましい特性を示す多結晶窒化アルミニウム基板を調整することがこのように可能である。例えば、好ましい実施形態では、優れた特性の製品は、以下の処理条件の適用によって達成することがある。好ましく用いられる窒化アルミニウム粉末は、少なくとも98%の純度を持つことになる。また、窒化アルミニウム粉末は、好ましくは約1〜約10m/g、または約2〜約5m/gの表面積を有する。これらの範囲内では、約3.5m/gの平均粒子表面積が約1〜2μmの平均サイズを有する粉末に対応していることがあり、例えば、粒子の約50重量%はサイズ中の約1μm未満であり、かつ粒子の約90重量%はサイズ中の約2μm未満であるような粒子サイズの分布がある。窒化アルミニウム粒子は(結合剤や焼結助剤の明示がないとき)、好ましくは自身を支持する加圧ブールを形成するために、約20000PSI〜約60000PSIの圧力で加圧される。焼結工程はその後好ましくは加熱速度が各勾配の増加において加熱温度とともに減少する逆性の温度勾配を使用して行われる。例えば、約200mm(約8インチ)の直径を有するブールを準備するために、毎秒約2℃未満の加熱速度であることが好ましい。しかし、より小さなサイズのブールのためには、加熱速度は大幅に大きくなることがある。
本発明は以下の実施例によってより完全に説明される。これら実施例は、本発明を説明するために記載され、完全な開示を提供するものであり、本発明を限定するものとして解釈されるべきではない。
実施例1
35mm径の厚さ2mmの多結晶窒化アルミニウムウェハーの形成
優れた表面形態を有する高密度の多結晶窒化アルミニウム基板を、以下の方法に従って調製した。約99.1%の純度と、約3.5m/Gの表面積を有する市販の窒化アルミニウム粉末を、円筒状のゴム金型に注ぎ入れた。粉末は振動台上でアセンブリを振動しかつ粉末が加圧された状態に落ち着くようにすることによって加圧した。蓋は金型上に置き、アセンブリは冷間静水圧加圧(CIP)のチャンバ内の水溶液の中に沈めた。CIPのチャンバは、約5000PSI/分(0.57メガパスカル/秒)の速度で約30000PSI(207MPa)に加圧した。約30000のPSI(207MPa)のチャンバ圧力に到達すると、加圧は約1〜2分間の圧力が保持され、チャンバ圧力は、その後、約1分未満の時間で大気圧まで低下した。金型は、CIPチャンバから除去され、窒化アルミニウムの加圧スラグが型から除去された。
窒化アルミニウムスラグは、炉の熱負荷を管理するためサセプタおよび絶縁性を有する石英ジャケットに冷却水の入った誘導加熱真空炉の中に入れた。窒化アルミニウムスラグ内部の閉じた炉室は、外気を排気し、約1気圧(0.1MPa)の圧力に窒素を充填した。炉を約1700℃に加熱し、約1時間の温度で浸漬した。その後、温度を約2220℃に上昇させ、窒化アルミニウムスラグは約100SCMの窒素の流速で約10時間の温度で浸漬した。温度浸漬した後、チャンバを周囲温度まで冷却し、窒化アルミニウム焼結材料を炉から除去した。
窒化アルミニウム焼結材は、ブリッジポートミル上でダイヤモンドホイールを用いて均一径に粉砕した。円筒形の材料を適切に丸めた後、窒化アルミニウム円筒体を6インチ(152mm)直径のダイヤモンドウェハーブレードを使用して水で冷却された刃で0.25インチ/分(0.1mm/sec)の供給速度で4000rpmの回転速度でスライスして個々のウェハーにした。刃は低濃度、金属結合したダイヤモンドウェハー形成ブレード(アライドハイテクから入手可能)を使用した。形成された個々のウェハーは直径35mm、厚さ2mmであった。
スライスした多結晶窒化アルミニウム材料は、今では個々のウェハーの形で、研削、研磨用ステンレス研磨治具に取り付け、ホットワックスに装着した。粉砕は、窒化アルミニウム焼結体ウェハー上で全体的に平坦な表面を得るためにグリットサイズを小さくする炭化ケイ素研磨紙ディスクを用いて行った。連続粉砕工程は、以下の研磨紙グリットサイズとラップ仕上げ時間の組合せを用いて50rpmで7PSIの圧力で実施した:180グリット(4分)、240グリット(2分)、および600グリット(2分)。
粉砕した後、研磨は、均一で滑らかな表面を得るために、サイズを小さくする研磨剤を含む水酸化アルミニウム懸濁液の入ったケモテキスト研磨布を使用して50rpmで7PSI(48KPa)で実施した。5μmの酸化アルミニウムを用いた研磨は40分間行い、1μmの酸化アルミニウムを用いた研磨は60分間行った。最後に研磨し焼結した多結晶の、窒化アルミニウム基板は、研磨治具から取り外され、残りの固定ワックスはアセトンを使用して洗浄された。完成した窒化アルミニウム基板は1000μm×200μmのサンプル領域をスキャンするDEKTAK150表面プロファイラを使用してrms粗さについて評価を行なった。それはプロフィルのソフトウェアコントロールパッケージに不可欠なrmsアルゴリズムソフトウェアを使用して80nm未満の表面粗さRMSを持っていると評価した。ピット密度は、可視サンプリング領域内のピットの数(本明細書であらかじめ規定される)をカウントすることによって推定された。結果は、校正された顕微鏡の視野内に見えるピットの数をカウントし、ピット/cmの密度の数を関連付けることにより、DIC顕微鏡を用いて裏付けられた。ピット密度は1×10cm−2未満になるように計算された。
実施例2
200ミリメートル径の750μmの厚さを有する多結晶窒化アルミニウムウェハーの形成
優れた表面形態を有する高密度の多結晶窒化アルミニウム基板を、以下の方法に従って調製した。約99.1%の純度と、約3.5m/gの表面積を有する市販の窒化アルミニウム粉末を、円筒状のゴム金型に注ぎ入れた。粉末は振動台上でアセンブリを振動しかつ粉末が加圧された状態に落ち着くようにすることによって加圧した。蓋は金型上に置き、アセンブリは冷間静水圧加圧(CIP)のチャンバ内の水溶液の中に沈めた。CIPのチャンバは、約5000PSI/分(0.57MPa/秒)の速度で約30000PSI(207MPa)に加圧した。約30000のPSI(207MPa)のチャンバ圧力に到達すると、加圧は約5分間の圧力が保持され、チャンバ圧力は、その後、約1時間未満の時間で大気圧まで低下した。金型は、CIPチャンバから除去され、窒化アルミニウムの加圧スラグが型から除去された。
窒化アルミニウムスラグは、炉の熱負荷を管理するために、ヒーターの周りに水冷却された二重壁のスチールチャンバと断熱材の取付けられた抵抗加熱真空炉の中に入れた。窒化アルミニウムスラグ内部の閉じた炉室は、外気を排気し、約1.1気圧(0.11MPa)の圧力に窒素を充填した。炉を0.8℃/分の速度で約1700℃に加熱し、その後0.4℃/分の速度で2000℃に加熱し、その後0.2℃/分の速度で2100℃に約加熱した。温度が約2100℃に上昇した後、窒化アルミニウムスラグは約2SLMの窒素の流速で約5時間の温度で浸漬した。温度浸漬した後、チャンバを周囲温度まで0.7/分の速度で冷却し、窒化アルミニウム焼結材料を炉から除去した。
窒化アルミニウム焼結材は、表面研削工具を用いて各端を平坦に粉砕し、かつその後にODはウェルドンソリューションズのソラリスグラインダーなどのCNC外径研削工具にダイヤモンドホイールを使用して均一な径に粉砕した。円筒形の材料を適切に丸めた後、窒化アルミニウム円筒体はスライスしたウェハーで切り目となるように務めた形状を形成するために、ダイヤモンド砥石で溝をつくった。
溝が材料中に形成された後、材料スラリー1リットル中に約1Kgの研磨剤を含むSIL−Cutスラリー中の800グリットグリーンシリコンカーバイト研磨剤を使用しTakatori 812SDのような、スラリーベースのマルチワイヤソーを使用して、材料を個々のウェハーにスライスした。直径180μmのワイヤと1.5°〜3.0°の固定角度のスピンドルヘッドのものを用いて約300ft/分(1.5m/秒)のワイヤ供給速度で1〜6mm/時の範囲の可変の切断速度でかつ平均して3mm/時で使用した。ウェハーブランクは約1100μmの厚さで切断した。
スライスした窒化アルミニウム材料は、今や個々のウェハーブランクの形で、基板研削工具(Strasbaugh 7 AFなど)を用いてダイヤモンドコーティングされたホイールを使用して両端から167.5μmを除去することにより約765μmの厚さに平坦に研磨した。ウェハーは、その後両端のストック除去工程を最初に実施することによりSpeedfam Auriga CMPツールのような単一のウェハー研磨工具で研磨し、その後最終研磨はウェハーの両端を実施した。ウェハーは、その後周囲にベベルを形成するエッジを粉砕し、レーザは、個々のシリアル番号をマークするために刻んだ。鏡面ウェハーの形状判定はその後TTV、湾曲、歪み、最大厚さ、最小厚さ、平均厚さを測定するためにSigmatech Ultramap S−200FPを使用して行われた。
光学特性は、欠陥密度をカウントするためにウェハー表面上で行った。ウェハー表面の画像が記録され、そのようなImage−Jなどの光学認識ソフトウェアは、米国立衛生研究所が開発し、欠陥をカウントするために使用された。欠陥密度が200cm2未満に低くなるように記録された。最後に、ウェハーは、アセトンで両端を洗浄され、標準的な半導体パッケージで箱に入れた。
本発明が前述の説明および関連する図面に示された技術の利益を有する当業者であれば、本発明の多くの修正および他の実施形態を想到するであろう。したがって、本発明は実施形態に限定されるものではなく、開示および修正および他の実施形態は、添付の特許請求の範囲内に含まれることが意図されていることが理解されるべきである。特定の用語が本明細書中で使用されているが、それらは、限定のためではなく、一般的かつ説明的な意味で使用されている。

Claims (51)

  1. 所定の特性を有する多結晶窒化アルミニウム材料を調製する方法であって、
    加圧窒化アルミニウムスラグを形成するために、窒化アルミニウム粉を加圧する工程と、
    窒化アルミニウム焼結ブールを形成するために、非酸素環境下で少なくとも約1500℃の最高温度まで加熱することにより、加圧窒化アルミニウムスラグを焼結する工程と、を有し、
    焼結窒化アルミニウムブールは少なくとも約98%の相対密度および少なくとも約98重量%の純度の窒化アルミニウムを含む方法。
  2. 多結晶窒化アルミニウム基板を形成するために、焼結された窒化アルミニウムブールの少なくとも一部を機械的に研磨する工程をさらに含む、請求項1に記載の方法。
  3. 多結晶窒化アルミニウム基板は、約80nm未満のrms表面粗さおよび1000cm−2未満の欠陥密度を有する請求項2の方法。
  4. 前記研磨の工程の前に、多結晶窒化アルミニウムを形成するために、焼結窒化アルミニウムブールを前記研磨工程へ移行する、窒化アルミニウムブールを、所定の厚さの1つ以上のウェハーにスライスすることを含むウェハー形成工程をさらに含む、請求項3に記載の方法。
  5. 前記機械的研磨工程は、前記切断工程の直後の薄さ未満の厚みで、1つ以上のウェハーを研削することを含む、請求項4に記載の方法。
  6. 前記多結晶窒化アルミニウム基板が約50nm未満のrms表面粗さを有する、請求項3に記載の方法。
  7. 前記多結晶窒化アルミニウム基板が約20nm未満のrms表面粗さを有する、請求項3に記載の方法。
  8. 前記多結晶窒化アルミニウム基板が約500cm−2未満の欠陥密度を有する、請求項3に記載の方法。
  9. 前記多結晶窒化アルミニウム基板が約200cm−2未満の欠陥密度を有する、請求項3に記載の方法。
  10. 前記欠陥は、少なくとも約1.0μmの深さを有し少なくとも約1.0μmの幅を有する表面窪みである、請求項3に記載の方法。
  11. 前記窒化アルミニウム粉末が、粉末粒子の少なくとも約50%が、約10μm未満のサイズを有するような粒径範囲を有する、請求項1に記載の方法。
  12. 前記窒化アルミニウム粉末が、少なくとも約1.0m/gの粒子表面積を有する、請求項1に記載の方法。
  13. 前記窒化アルミニウム粉末が、約1.0m/g〜約10.0m/gの粒子表面積を有する、請求項1に記載の方法。
  14. 前記加圧が少なくとも約20000PSI(約138MPa)の圧力を適用することにより実施される、請求項1に記載の方法。
  15. 前記加圧が約20000PSI(約138MPa)〜約40000PSI(MPa)の圧力を適用することにより実施される、請求項1に記載の方法。
  16. 前記加圧が、所定の最大圧力を達成するために、約5000PSI/分(約57.5KPa/s)の速度で圧力を増加させることにより実施される、請求項1に記載の方法。
  17. 前記加圧が、約1分〜約2時間の時間で、さらに最大圧から大気圧に減圧することを含む、請求項16に記載の方法。
  18. 前記加圧が、外部から加えられる熱の非存在下で行われる、請求項1に記載の方法。
  19. 前記焼結工程が、外気を排気したチャンバ内で実施される、請求項1に記載の方法。
  20. 前記焼結工程が窒素雰囲気下で実施される請求項19に記載の方法。
  21. 前記窒素雰囲気が最大約5気圧の圧力で提供される、請求項20に記載の方法。
  22. 窒素が約10SCCM〜約3000SCCMの速度で提供される、請求項20に記載の方法。
  23. 前記焼結工程が、最大到達温度が約1500℃〜約2500℃となるように実施される、請求項1に記載の方法。
  24. 前記加圧窒化アルミニウムスラグが最高焼結温度に一定速度で加熱される、請求項1に記載の方法。
  25. 前記加圧窒化アルミニウムスラグは2つ以上の異なる加熱速度が連続的な温度上昇を達成するために使用される予め規定された加熱アルゴリズムによって加熱される、請求項1に記載の方法。
  26. 前記加熱アルゴリズムが、前記窒化アルミニウムスラグの連続的な低速加熱を与える、請求項25に記載の方法。
  27. 前記加熱アルゴリズムが、前記加圧窒化アルミニウムスラグの連続的な高速加熱を与える、請求項25に記載の方法。
  28. 前記加熱アルゴリズムが低速加熱と加圧窒化アルミニウムスラグの高速加熱とを交互に提供する、請求項25に記載の方法。
  29. 前記加熱アルゴリズムが用意された前記ブールのサイズに反比例する加熱速度を適用する、請求項25に記載の方法。
  30. 前記2つ以上の異なる加熱速度が約0.1℃/分〜約20℃/分の範囲に全て含まれる、請求項25に記載の方法。
  31. 前記加圧窒化アルミニウムスラグは、最大焼結温度よりも低い少なくとも第一の温度が達成され、かつ前記スラグは最大焼結温度に加熱される前少なくとも約1分間、第一の温度で浸漬される、請求項1に記載の方法。
  32. 前記加圧窒化アルミニウムスラグは、最大焼結温度よりも低い第一の温度に加熱され、第一の温度で少なくとも約1分間浸漬され、第二の温度で少なくとも約1分間浸漬され、かつ最大焼結温度で加熱される、請求項31に記載の方法。
  33. 前記加圧窒化アルミニウムスラグは少なくとも約2時間の時間最大温度で浸漬される、請求項1に記載の方法。
  34. 前記窒化アルミニウム焼結ブールは約0.1℃/分〜約20℃/分の速度で周囲温度に冷却される、請求項1に記載の方法。
  35. 前記多結晶窒化アルミニウムブールは、少なくとも約99%の相対密度および少なくとも約99重量%の純度の窒化アルミニウムを含む、請求項1に記載の方法。
  36. 前記加圧と前記焼結がその焼結助剤も結合剤も含まないで実施される、請求項1に記載の方法。
  37. 加圧窒化アルミニウムスラグを形成するための窒化アルミニウム粉末を加圧する工程と、
    焼結窒化アルミニウムブールを形成するために非酸素環境下で少なくとも約1500℃の最大温度で加熱することにより前記加圧窒化アルミニウムスラグ材料を焼結する工程と、
    多結晶窒化アルミニウム基板を形成するために焼結された窒化アルミニウムブールの少なくとも一部を機械的に研磨する工程と、を有し、
    焼結された多結晶窒化アルミニウム基板は少なくとも約98%の相対密度、少なくとも約98重量%の窒化アルミニウム純度、約80nm未満のrms表面粗さ、および約1000cm−2未満の欠陥密度を有することを含む、請求項1に記載の方法。
  38. 請求項37の方法に従って調整され、すなわち、少なくとも約98%、少なくとも約98重量%の窒化アルミニウムの純度、約80nm未満のrms表面粗さ、および約1000cm−2未満の欠陥密度を有する多結晶立花アルミニウム基板。
  39. 請求項38に記載の多結晶窒化アルミニウム基板を含む製品。
  40. ヒートシンク、電気絶縁部品、ハンドルウェハー、キャリアウェハーおよび層転写基板から成る群から選択される、請求項39に記載の製品。
  41. 前記製品が、電子デバイス、マイクロ電子デバイス、光電子デバイス、および通信機器から成る群から選択される、請求項39に記載の製品。
  42. 少なくとも約98%の相対密度および少なくとも約98重量%の窒化アルミニウム純度を有する多結晶窒化アルミニウムブール。
  43. 前記ブールは少なくとも約1.0cmの厚さと、少なくともあるより規定された次元を有する、請求項42に記載の多結晶窒化アルミニウムブール。
  44. 前記ブールは少なくとも約5.0cmの厚さを有する、請求項43に記載の多結晶窒化アルミニウムブール。
  45. 所定の直径が少なくとも約2cmの直径である、請求項43に記載の多結晶窒化アルミニウムブール。
  46. 前記ブールは少なくとも5.0cmの厚さと少なくとも5.0cmの直径とを有する、請求項45に記載の多結晶窒化アルミニウムブール。
  47. 前記ブールは実質的に焼結助剤も結合剤も含まない、請求項43に記載の多結晶窒化アルミニウムブール。
  48. 請求項43に記載の多結晶窒化アルミニウムブールを少なくとも一部含む多結晶窒化アルミニウム基板であって、前記多結晶窒化アルミニウム基板は、少なくとも約98%の相対密度、少なくとも約98重量%の窒化アルミニウム純度、約80nm未満のrms表面粗さ、および約1000cm−2未満の欠陥密度を有する多結晶窒化アルミニウム基板。
  49. 請求項48に記載の多結晶窒化アルミニウム基板を含む製品。
  50. 前記製品はヒートシンク、電気絶縁部品、ハンドルウェハー、キャリアウェハーおよび層転写基板から成る群から選択される、請求項49に記載の製品。
  51. 前記製品は、電子デバイス、マイクロ電子デバイス、光電子デバイス、および通信機器から成る群から選択される、請求項49に記載の製品。
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