JP2013533358A - カルボジイミド発光物質 - Google Patents

Abstract

本発明は、式（Ｉ）ＥＡ_２−ｙＳｉ（ＣＮ_２）_４−ｘＯ_ｘ：Ｅｕ_ｙ、式中、ＥＡは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａまたはＺｎから選択される１種または２種以上の元素を示し、ｘは、０から３．９までの範囲からの値を示し、ｙは、０．０１から０．４までの範囲からの値を示す、で表されるカルボジイミド化合物、かかる発光物質を生産するための方法、およびかかる発光物質の、変換発光物質としてのまたは照明器具における使用に関する。

Description

本発明は、カルボジイミド化合物、これらの化合物を製造するためのプロセス、および変換蛍光体としてのまたは照明器具におけるこれらの使用に関する。

ＬＥＤは、照明として、および、また液晶ディスプレイ（ＬＣディスプレイ）における背面照明としての使用の両方において、その重要性を増している。これらの新規な光源は、従来の冷陰極蛍光管（ＣＣＦＬ）に対して、より長い寿命、潜在的なエネルギー節約、有害な含有物（例えばＣＣＦＬにおける水銀）の非存在などの数々の利点、を有する。
近年では、カルボジイミドベースの蛍光物質に関するますます多くの文献が発表されている。具体的には、これらはカルボジイミドアニオン（ＣＮ_２）^２−をセントラルユニットとして含有する化合物であり、Ｃｅ^３＋、Ｅｕ^３＋またはＴｂ^３＋でドープされてもよい。これらの例としては、Ｇｄ_２（ＣＮ_２）_３：Ｃｅ^３＋およびＧｄ_２（ＣＮ_２）_３：Ｔｂ^３＋(J. Glaser et al., Inorg. Chem. 2008, 47, 10455-10460ならびにY₂O₂(CN₂):Eu³⁺ (J. Sindlinger et al., Z. Anorg. Allg. Chem. 2007, 633, 1686-1690) である。
しかしながら、かかる蛍光物質の欠点は、青色ＬＥＤの発光波長（すなわち、４４０〜４６０ｎｍ）で励起されることができないことにあり、これらが白色光ＬＥＤのための蛍光物質として適切でない理由である。
さらには、いわゆるシリコカルボジイミドが知られており(J. Glaser and H.-J. Meyer, Angew. Chem. 2008, 120, 7658-7661)、これらは今まではドープされない形態においてのみ入手可能であったため、蛍光物質として好適ではなかった。

驚くべきことに、オルトシリケート類に構造的に類似するＥｕドープされた化合物は、可視スペクトルの青色およびＵＶ領域において励起され、緑色から赤色蛍光を生成することができる効率的な蛍光物質であることが今回見出された。

したがって、本発明の第１態様は、式Ｉ
ＥＡ_２−ｙＳｉ（ＣＮ_２）_４−ｘＯ_ｘ：Ｅｕ_ｙ （Ｉ）
式中、
ＥＡは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａまたはＺｎから選択される１種または２種以上の元素を示し、
ｘは、０から３．９までの範囲からの値を示し、
ｙは、０．０１から０．４までの範囲からの値を示す、
で表される化合物である。

オルトシリケート蛍光物質とは対照的に、アルカリ土類金属シリコカルボジイミドと呼ぶことができるこれらの化合物は、湿気に対して不安定ではない。加えて、本発明による蛍光物質は、オルトシリケート類と比べて発光波長の赤色シフトを示し、これは、酸素と比べていくらかより高いカルボジイミド基の共有原子価に起因する。

ｘは、好ましくは、０から３．０までの範囲からの、とくに好ましくは、０から２．５までの範囲からの値を示す。
ｙは、好ましくは、０．０２から０．３５までの範囲からの、とくに好ましくは、０．０４から０．３０までの範囲からの値を示す。

さらなる態様において、式Ｉの化合物は、Ｎａ、ＫまたはＬｉなどのアルカリ金属類を追加的に含有してもよい。

本発明による蛍光物質は、少量で用いられたときでさえ、優良なＬＥＤ品質に寄与する。ＬＥＤ品質は、本明細書において、例えば、ＣＩＥｘおよびＣＩＥｙ座標における演色評価数またはカラーポイントなどの、従来のパラメータを介して記載される。

演色評価数またはＣＲＩは、当業者にとって公知である無次元の照明量であり、これは、人工的な光源の色再現忠実性と、太陽光および／またはフィラメント光源のもの（後者の２つは、１００のＣＲＩを有する）とを比較する。

ＣＩＥｘおよびＣＩＥｙは、当業者にとって公知であるＣＩＥ標準表色系（ここでは、標準観察者１９３１である）における座標を示し、これにより、光源の色が記載される。
上述した全ての量は、当業者にとって公知である方法により、光源の発光スペクトルにより計算される。

本出願の文脈において、緑色発光または緑色光は、強度極大が５０８ｎｍおよび５５０ｎｍの間の波長にある光を表し；これに応じて、黄色は、極大が５５１ｎｍおよび５８５ｎｍの間の波長にある光を表し、赤色は、極大が６１０ｎｍおよび６７０ｎｍの間の波長にある光を表す。

さらには、本発明は、式Ｉの化合物を製造するためのプロセスに関する。
そのため、ステップａ）においては、カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛、シリコンおよび／またはユウロピウム含有材料から選択される少なくとも３種の出発材料を混合し、ステップｂ）においては、無機または有機物質を任意に混合物に添加し、次いで、ステップｃ）においては、混合物が、好ましくは還元条件下で、熱後処理の対象となる。

上述の熱処理は、好ましくは、少なくとも部分的に還元条件下で行われる。ステップｂ）において、反応は、８００℃を超えた温度で、好ましくは１０００℃を超えた温度で、とくに好ましくは１１００℃〜１３００℃の範囲において通常行われる。ここで、例えば、一酸化炭素、フォーミングガスもしくは水素を用いて、または、少なくとも真空もしくは酸素欠乏雰囲気、好ましくは窒素流、好ましくはＮ_２／Ｈ_２流および、とくに好ましくは、Ｎ_２／Ｈ_２（９５−８０：５−２０）流中において、還元条件が達成される。

用いられる無機または有機物質（ステップｂにおいて）は、アンモニウムハライド類、好ましくはアンモニウムクロリド、またはカルシウムフルオリド、ストロンチウムフルオリドもしくはバリウムフルオリドなどのアルカリ土類金属フルオリド類、またはボレート類、ホウ酸もしくはアルコラート類などのフラックス剤、オキサラート類および／またはテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）などのシリケート類の群からの物質である。

さらなる態様において、蛍光物質は、以下からの少なくとも１つのさらなる蛍光物質材料を追加的に含んでもよい：
オキシド類、モリブデート類、タングステート類、バナデート類、ガーネット類、シリケート類、アルミネート類、ニトリド類およびオキシニトリド類、各場合において、個別にまたは、Ｃｅ、Ｅｕ、Ｍｎ、Ｃｒおよび／またはＢｉなどの１つまたは２つ以上の活性体イオンとのそれらの混合物。これは、ある色空間が達成された場合にとくに利点がある。

式Ｉの発光材料の吸収および発光スペクトル、熱消光挙動および減衰時間τ_１／ｅは、二価のカチオンの正確な組成に高度に依存する。上述の分光特性のための重要因子は、Ｅｕ^２＋の５ｄバンドを分裂させる結晶場およびＥｕ−ＯまたはＥｕ−Ｎ−Ｃ結合の共有結合性である。

本発明による蛍光物質の粒子径は、通常、５０ｎｍおよび３０μｍの間、好ましくは１μｍおよび２０μｍの間である。

さらなる好ましい態様において、粒子形態における蛍光物質は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２および／またはＹ_２Ｏ_３またはこれらの混合酸化物からなる連続的な表面コーティングを有する。この表面コーティングは、コーティング材料の屈折率の適当な傾斜づけを通じて、屈折率が環境に整合することができるという利点を有する。この場合、蛍光物質の表面における光の散乱が低減され、より高い比率の光が蛍光物質へ貫通し、吸収され、そこで変換されることができる。加えて、屈折率と整合した表面コーティングは、内部の全反射が低減されるため、より多くの光が蛍光物質から分離することを可能にする。

加えて、連続的な層は、蛍光物質がカプセル封入されなければならない場合に利点がある。これは、蛍光物質またはこれの部分の、直接の環境における拡散する水または他の材料に対する感度に対抗するために必要であり得る。閉じられた殻でのカプセル封入のためのさらなる理由は、チップにおいて発生した熱からの実際の蛍光物質の熱的分断である。この熱は、蛍光物質の蛍光の光収率における低減をもたらし、蛍光の光の色にも影響を与え得る。最後に、このタイプのコーティングは、蛍光物質において生じる格子振動が環境への伝播することを防ぐことにより、蛍光物質の効率化を増大させることを可能とする。

加えて、蛍光物質は、ＳｉＯ_２、ＴｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｎＯ、ＺｒＯ_２および／またはＹ_２Ｏ_３あるいはそれらの混合酸化物あるいは蛍光物質組成からなる多孔質表面コーティングを有することが好ましい。これらの多孔質コーティングは、単層の屈折率をさらに低減する可能性を提供する。WO03/027015（その全範囲は、本願の内容に参照により組み込まれる）に記載されるように、このタイプの多孔質コーティングを、３つの従来の方法により生産することができる：ガラス（例えばソーダ石灰ガラス(US4019884を参照のこと））のエッチング、多孔質層の適用、および多孔質層およびエッチング操作の組合わせ。

さらなる好ましい態様において、蛍光物質粒子は、好ましくはエポキシまたはシリコーン樹脂からなる、環境への化学結合を容易とする官能基を担持する表面を有する。これらの官能基は、例えば、オキソ基を介して結合するエステル類または他の誘導体であることができ、エポキシド類および／またはシリコーン類に基づいた結合剤の構成成分への結合を形成することができる。このタイプの表面は、蛍光物質の結合剤への均一な取り込みが促進されるという利点を有する。さらには、蛍光物質／結合剤系のレオロジー的性質およびポットライフもまた、これによりある程度まで調整することができる。よって、混合物のプロセシングが単純化される。

ＬＥＤチップに適用される本発明による蛍光物質層は、好ましくはバルクキャスティングにより適用される、シリコーンおよび均一の蛍光物質粒子の混合物からなり、シリコーンは表面張力を有するため、この蛍光物質層は、顕微鏡レベルで均一ではないか、または層の厚さは一様に一定ではない。これは、蛍光物質がバルクキャスティングプロセスにより適用されないが、代わりに高度に濃縮された、薄い蛍光物質層が、静電法を用いてチップの表面へ直接適用された、いわゆるチップレベル変換プロセスにおける場合にも一般的にあてはまる。

上述のプロセスを用いて、球状粒子などの蛍光物質粒子、薄片および構造化材料およびセラミックの任意の所望される外形を形成することが可能である。

さらなる好ましい態様としての薄片形態の蛍光物質の製造は、対応する金属塩および／または希土類塩から従来のプロセスをにより行われる。製造プロセスは、EP763573およびDE102006054331において詳細に記載されており、これらの全範囲は参照により本願に組み込まれる。これらの薄片形態の蛍光物質は、極めて大きなアスペクト比と、原子的に滑らかな表面および蛍光物質層と、水性の分散液または懸濁液における沈降反応により調整可能な厚さとを有する、例えば、雲母、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ＺｒＯ_２、ガラスまたはＴｉＯ_２薄片を含む、天然のまたは合成的に製造された高度に安定した支持体または基質をコーティングすることにより製造することができる。雲母、ＺｒＯ_２、ＳｉＯ_２、Ａｌ_２Ｏ_３、ガラスまたはＴｉＯ_２またはこれらの混合物以外では、薄片はまた、蛍光物質材料自体からなるか、１つの材料から作られてもよい。薄片自体が蛍光物質コーティングのための支持体として役割を果たすのみであれば、後者は、ＬＥＤの一次放射線に透明な、または一次放射線を吸収して蛍光物質層へこのエネルギーを移動させる材料からならなければならない。薄片形態の蛍光物質は、樹脂（例えばシリコーンまたはエポキシ樹脂）中で分散され、この分散体はＬＥＤチップに適用される。

薄片形態の蛍光物質は、大きな工業スケールで、５０ｎｍから約２０μｍ、好ましくは１５０ｎｍおよび５μｍの間の厚さで製造することができる。ここで直径は、５０ｎｍから２０μｍである。
それは、一般に、１：１から４００：１、およびとくに３：１から１００：１のアスペクト比（直径の粒子厚さに対する比）を有する。
薄片の寸法（長さ×幅）は、配置に依存する。薄片はまた、とくに小さな寸法を有する場合にはとくに、変換層内での散乱の中心としても好適である。
ＬＥＤチップに面する本発明にかかる薄片形態蛍光物質の表面には、ＬＥＤチップにより放射された一次放射線に対する反射防止作用を有するコーティングを提供することができる。これは、一次放射線の背面散乱における低減をもたらし、それが本発明にかかる蛍光体とよりよく結合することを可能とする。

この目的のために好適なのは、例えば、以下の厚さｄ：ｄ＝［ＬＥＤチップの一次放射線の波長／（４＊蛍光物質セラミックの屈折率）］を有しなければならない整合させた屈折率のコーティングである：例えば,Gerthsen, Physik [Physics], Springer Verlag, 18th Edition, 1995を参照のこと。このコーティングは、薄片形態の蛍光物質の表面を、ある機能性を達成するために構造化することもまた含む、フォトニック結晶からなるものであってもよい。

セラミックボディ形態における本発明による蛍光物質の生産は、DE102006037730(Merck)、その全範囲は本願の内容へ参照により組み込まれる、に記載されたプロセスに類似するように行われる。このプロセスにおいて、蛍光物質は、対応する出発材料およびドーパントを混合することによる湿式化学的方法により製造され、その後、アイソスタティックプレスに供され、均一な薄いおよび非多孔質の薄片形態でチップの表面へ直接適用される。したがって、蛍光物質の励起および発光の位置依存的な変化はなく、これは、これとともに供されたＬＥＤが一定の色の均一の光円錐を放出し、高い光出力を有することを意味する。セラミック蛍光体は、例えば、数１００ｎｍから約５００μｍの厚さでの薄片として、大規模工業スケールで生産することができる。薄片寸法（長さ×幅）は、配置に依存する。チップへの直接適用の場合には、薄片の大きさは、好適なチップ配置（例えば、フリップチップ配置）を有するチップ表面の約１０％から３０％の特定の余分な寸法を有するチップの寸法（約１００μｍ＊１００μｍから数ｍｍ^２まで）に従って、またはそれに応じて選択されるべきである。蛍光物質薄片が完成したＬＥＤへ設置される場合、出ていく光円錐の全ては薄片を通過する。

セラミック蛍光体の側面は、軽金属または貴金属、好ましくはアルミニウムまたは銀によってコーティングされることができる。金属コーティングは、光が、蛍光体から横方向から出ていかないという効果を有する。横方向から出ていく光は、ＬＥＤから分離する光束を低減し得る。セラミック蛍光体の金属コーティングは、棒または薄片を与えるアイソスタティックプレスの後のプロセスステップにおいて行われ、ここでは、棒または薄片を、金属コーティングの前に必要な大きさに任意に切断することができる。この目的を達成するために、側面を、例えば、硝酸銀およびグルコースを含む溶液で湿潤させ、その後、上昇させた温度にてアンモニア雰囲気に暴露する。銀コーティングを例えば、このプロセスにおいて側面上に形成する。
代替的に、無電解金属化プロセスもまた好適であり、例えば、Hollemann-Wiberg, Lehrbuch der Anorganischen Chemie [Textbook of inorganic Chemistry], Walter de Gruyter Verlag or Ullmanns Enzyklopadie der chemischen Technologie [Ullmann's Encyclopaedia of Chemical Technology]を参照されたい。
セラミック蛍光体は、必要であれば、水−ガラス溶液を用いてＬＥＤチップの基板に固定することができる。

さらなる態様において、セラミック蛍光体は、ＬＥＤチップとは反対側に構造化された（例えば錐体の）表面を有する。これは、蛍光体から可能な限り多くの光が分離することを可能とする。構造化された圧力板を有する圧縮型を用いたアイソスタティックプレスを行ない、よって表面へ構造をエンボス加工することによって、蛍光体上の構造化された表面を形成する。構造化された表面は、目的が可能な限り最も薄い蛍光体または薄片を生産することであれば、望まれる。プレス条件は、当業者に知られている（J. Kriegsmann, Technische keramische Werkstoffe [Industrial ceramics], Chapter 4, Deutscher Wirtschaftsdienst, 1998を参照のこと)。用いられるプレス温度は、プレスされる物質の融点の２／３から５／６までであることが重要である。

加えて、本発明にかかる蛍光物質は、約４１０ｎｍから５３０ｎｍまで、好ましくは４３０ｎｍから約５００ｎｍに及ぶ広い範囲にわたって励起されることができる。よって、これらの蛍光物質は、ＬＥＤまたは従来の放電ランプ（例えばＨｇに基づいた）などのＵＶまたは青色発光光源による励起のためだけではなく、４５１ｎｍでの青色Ｉｎ^３＋線を採用するもののような光源のためにもまた好適である。

さらには、本発明は、光源であって、それが半導体および式Ｉの蛍光物質の少なくとも１種を含むことを特徴とする光源に関する。この照明ユニットは、好ましくは白色発光であるか、または特定のカラーポイントを有する光を発する（カラーオンデマンド原則）。

カラーオンデマンドコンセプトは、１つまたは２つ以上の蛍光物質を用いたｐｃＬＥＤ（＝蛍光物質変換ＬＥＤ）を用いた特定のカラーポイントを有する光の生成を意味すると捉えられる。このコンセプトは、例えば、企業デザイン、例えば照明された会社のロゴ、商標などを生み出すために使用される。

本発明にかかる光源の好ましい態様において、半導体は、発光性窒化インジウムアルミニウムガリウム、とくに式
Ｉｎ_ｉＧａ_ｊＡｌ_ｋＮ、
式中０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、およびｉ＋ｊ＋ｋ＝１である、
で表されるもの、である。

本発明にかかる光源のさらなる好ましい態様において、光源は、ＺｎＯ、ＴＣＯ（透明導性オキシド）、ＺｎＳｅまたはＳｉＣをベースとするルミネッセンス配置あるいは有機発光層（ＯＬＥＤ）をベースとする配置である。

本発明にかかる光源のさらなる好ましい態様において、光源は、エレクトロルミネッセンスおよび／またはフォトルミネッセンスを示す源である。さらには、光源は、プラズマまたは放電源であってもよい。

このタイプの光源の可能な形態は当業者に知られている。これらは、発光する、種々の構造のＬＥＤチップであることができる。

本発明にかかる蛍光物質は、樹脂（例えば、エポキシまたはシリコーン樹脂）において分散されるか、または、好適なサイズ比の場合には、適用に依存して、光源上に直接配置されるまたは、代替的にそこから隔離して配置される（後者の配置は、「隔離蛍光物質技術」をも含む）ことができる。隔離蛍光物質技術の利点は当業者に知られており、例えば、以下の出版物に開示されている：Japanese Journ. of Appl. Phys. Vol. 44, No. 21 (2005). L649-L651。

さらには、本発明は、少なくとも上述の１つの光源を含むことを特徴とするとくにディスプレイデバイスの背面照明のための、照明ユニット、ならびに、このタイプの照明ユニットを少なくとも１つ含むことを特徴とする、対応するディスプレイデバイス、とくに背面照明を有する液晶ディスプレイデバイス（ＬＣディスプレイ）に関する。

さらには、好適なものは、それが＞６０の、好ましくは＞７０の、より好ましくは＞８０のＣＲＩを有することを特徴とする、とくに一般的な照明のための、照明ユニットに及ぶ。しかしながら、＞８０のＣＲＩは、本発明ににかかる少なくとも２種のカルボジイミド蛍光物質、例えば、例１、２および／または３からのものが、互いに組み合わされた場合に、ＬＥＤにおいてのみ達成することができる。

さらなる態様において、蛍光物質および半導体の間の照明ユニットの光学結合が、導光性配置により達成されることが好ましい。
これは、半導体が中央の位置に配置され、例えば、光学ファイバーなどの導光性デバイスを用いて蛍光物質に光学的に結合されることを可能とする。そうすると、光スクリーンおよび、半導体に結合される光学導波路を形成するために配置することができる１種または種々の蛍光物質のみからなる照明の要望に適応した照明器具を達成することが可能となる。このようにして、強力な一次光源を、電気的設置に好ましい位置に位置させ、光伝導体に結合した蛍光体を含むランプを、さらなる電気的配線を伴わずにしかし代わりに単に光学導波路を取り付けることによって、任意の所望の位置に設置することが、可能である。

さらには、本発明は、発光ダイオードからの青色または近ＵＶ放射の部分的なまたは完全な変換のための、本発明にかかる蛍光物質の使用に関する。
さらに、好適なものは、青色または近ＵＶ放射の可視白色放射線への変換のための、本発明にかかる蛍光物質の使用に及ぶ。さらに、好適なものは、「カラーオンデマンド」コンセプトに従った、一次放射線の特定のカラーポイントへの変換のための、本発明にかかる蛍光物質の使用に及ぶ。

さらには、本発明は、例えばエレクトロルミネッセンスフィルム（照明フィルムまたは光フィルムとしてもまた知られている）などのエレクトロルミネッセンス材料における本発明による蛍光物質の使用に関し、ここで、例えば、Ｍｎ^２＋、Ｃｕ^＋またはＡｇ^＋でドープした硫化亜鉛または硫化亜鉛が黄色−緑色領域において発光する発光体として採用される。エレクトロルミネッセンスフィルムの適用範囲は、例えば、広告、液晶ディスプレイスクリーン（ＬＣディスプレイ）および薄フィルムトランジスタ（ＴＦＴ）ディスプレイにおけるディスプレイの背面照明、車の自発光ナンバープレート、フロアグラフィック（衝撃耐性および滑り止めラミネートとの組み合わせで）、例えば自動車、電車、船舶および航空機、または、また家庭用電化製品、園芸用品、測定機器またはスポーツおよびレジャー用品におけるディスプレイおよび／または制御要素中である。

以下の例は、本発明を図示するものである。しかしながら、これらはいずれの意味においても限定的とみなされるべきではない。組成物において使用される全ての化合物または成分は、知られていて商業的に入手可能であるか、または知られている方法により合成することができる。例において表示された温度は常に℃である。さらには、言及する必要がないが、詳細な説明および例の両方において、組成物における成分の添加された量は、常に足して合計１００％となる。与えられたパーセンテージのデータは、常に与えられた文脈中にあるとみなされる。しかしながら、これらは通常、常に、表示された部分的な量または総量の重量に関する。

さらなる記載がなくても、当業者は上記記載をその最も広い範囲で採用することができることが想定される。したがって、好ましい態様は、記述的な開示としてみなされるべきにすぎず、これは如何なる意味においても限定的では決してない。上記および下記の全ての出願および出版物の完全な開示内容は、本明細書に参照により組み込まれる。以下の例は、本発明を図示するためのものである。しかしながら、これらはいずれの意味においても限定的ではない。組成物において使用される全ての化合物または成分は、知られていて商業的に入手可能であるか、または知られている方法により合成することができる。

例１からの蛍光物質の発光スペクトル（５３０ｎｍでのピーク）。（発光測定は、無限の光学厚さを有する蛍光物質の層上で、Edinburgh Instruments OC290分光計を用いて室温で４５０ｎｍでの励起を伴って行われた。）

例２からの蛍光物質の発光スペクトル（５６０ｎｍでのピーク）。（発光測定は、無限の光学厚さを有する蛍光物質の層上で、Edinburgh Instruments OC290分光計を用いて室温で４５０ｎｍでの励起を伴って行われた。）

例３からの蛍光物質の発光スペクトル（６３０ｎｍでのピーク）。（発光測定は、無限の光学厚さを有する蛍光物質の層上で、Edinburgh Instruments OC290分光計を用いて室温で４５０ｎｍでの励起を伴って行われた。）

例１：緑色発光蛍光物質Ｂａ_１．７４Ｓｒ_０．１８Ｓｉ（ＣＮ_２）_１．９２Ｏ_２．０８：Ｅｕ_０．０８ ^２＋の製造
０．８ｇのＮＨ_４Ｃｌを、６．１６ｇのＢａ（ＣＮ_２）、０．４６ｇのＳｒ（ＣＮ_２）、１．２ｇのＳｉＯ_２および０．２８ｇのＥｕ_２Ｏ_３に添加し、乳鉢中でよく混合する。結果物である混合物を、オーブンへ移動し、そこでこれを窒素／水素雰囲気（９０：１０）下で６時間１２００℃でか焼する。冷却後、結果物である蛍光物質を乳鉢粉砕機で粉砕し、２０μ篩で分類する。
測定されたＣＩＥ色度：ｘ＝０．２９４；ｙ＝０．６３１

例２：黄色発光蛍光物質Ｂａ_０．８５Ｓｒ_１．０５Ｓｉ（ＣＮ_２）_１．９Ｏ_２．１：Ｅｕ_０．１ ^２＋の製造
０．７５ｇのＮＨ_４Ｃｌを、３．０ｇのＢａ（ＣＮ_２）、２．６８ｇのＳｒ（ＣＮ_２）、１．２ｇのＳｉＯ_２および０．３５ｇのＥｕ_２Ｏ_３に添加し、乳鉢中でよく混合する。結果物である混合物を、オーブンへ移動し、そこでこれを窒素／水素雰囲気（９０：１０）下で６時間１２００℃でか焼する。冷却後、結果物である蛍光物質を乳鉢粉砕機で粉砕し、２０μ篩で分類する。
測定されたＣＩＥ色度：ｘ＝０．４９９；ｙ＝０．５３７

例３：赤色発光蛍光物質Ｓｒ_１．０Ｃａ_０．８Ｓｉ（ＣＮ_２）_１．８Ｏ_２．２：Ｅｕ_０．２ ^２＋の製造
０．６ｇのＮＨ_４Ｃｌを、２．５４ｇのＳｒ（ＣＮ_２）、１．２８ｇのＣａ（ＣＮ_２）１．２ｇのＳｉＯ_２および０．７０ｇのＥｕ_２Ｏ_３に添加し、乳鉢中でよく混合する。結果物である混合物を、オーブンへ移動し、そこでこれを窒素／水素雰囲気（９０：１０）下で６時間１２００℃でか焼する。冷却後、結果物である蛍光物質を乳鉢粉砕機で粉砕し、２０μ篩で分類する。
測定されたＣＩＥ色度：ｘ＝０．６２１；ｙ＝０．３７８

例４：発光ダイオードの製造
例１からの蛍光物質を、等量の蛍光物質がシリコーンの２つの成分において分散されるように、回転混合機で２成分のシリコーン（Dow Corning社製ＯＥ６５５０）とともに混合する；シリコーンにおける蛍光物質の総濃度は、８重量％である。

２つの蛍光物質含有シリコーン成分の各々の５ｍｌを、互いに均一に混合し、分配器へと移動する。１００μｍ^２ＧａＮチップを有する、ベルリンのOSA optoelectronics社製の空のＬＥＤパッケージは、分配機を用いて充填される。次いで、ＬＥＤを、シリコーンを凝固させるために、１時間１５０℃で熱チャンバーに置く。
例１によるＬＥＤの発光スペクトルは、図１に表示されている。

ＣＩＥｘおよびＣＩＥｙは、当業者にとって公知であるＣＩＥ標準表色系（ここでは、標準観察者１９３１である）における座標を示し、これにより、光源の色が記載される。
上述した全ての量は、当業者にとって公知である方法により、光源の発光スペクトルにより計算される。

「ＣＲＩ」は、いわゆる「演色評価数」を示し、これは、人工的な光源の色再現忠実性と、太陽光および／またはフィラメント光源のもの（後者の２つは、１００のＣＲＩを有する）を比較する、当業者にとって公知である無次元の照明量である。

Claims (12)

1. 式Ｉ
   ＥＡ_２−ｙＳｉ（ＣＮ_２）_４−ｘＯ_ｘ：Ｅｕ_ｙ （Ｉ）
   式中、
   ＥＡは、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａまたはＺｎから選択される１種または２種以上の元素を示し、
   ｘは、０から３．９までの範囲からの値を示し、
   ｙは、０．０１から０．４までの範囲からの値を示す、
   で表される化合物。
2. ｘが、０から３．０までの範囲からの、好ましくは、０から２．５までの範囲からの値を示すことを特徴とする、請求項１に記載の化合物。
3. ｙが、０．０２から０．３５までの範囲からの、好ましくは、０．０４から０．３０までの範囲からの値を示すことを特徴とする、請求項１または２に記載の化合物。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の化合物を製造するためのプロセスであって、以下のプロセスステップ：
   ａ）カルシウム、ストロンチウム、バリウム、マグネシウム、亜鉛、シリコンおよび／またはユウロピウム含有材料から選択される少なくとも３種の出発材料を混合すること、
   ｂ）少なくとも１種のさらなる無機または有機物質の任意の添加、
   ｃ）化合物の熱後処理、
   を含む、前記プロセス。
5. 無機または有機物質（プロセスステップｂ）が、アンモニウムハライド類、好ましくはアンモニウムクロリド、アルカリ土類金属フルオリド類、例えばカルシウムフルオリド、ストロンチウムフルオリドまたはバリウムフルオリドなど、ボレート類、ホウ酸、カーボネート類、例えば、炭酸水素アンモニウムなど、アルコラート類、オキサラート類および／またはシリケート類、例えばテトラエチルオルトシリケート（ＴＥＯＳ）などの群から選択されることを特徴とする、請求項４に記載のプロセス。
6. 少なくとも１つの半導体および請求項１〜３のいずれか一項に記載の式Ｉで表される少なくとも１つの蛍光物質を含むことを特徴とする光源。
7. 半導体が、発光性窒化インジウムアルミニウムガリウム、とくに式Ｉｎ_ｉＧａ_ｊＡｌ_ｋＮ、式中０≦ｉ、０≦ｊ、０≦ｋ、およびｉ＋ｊ＋ｋ＝１である、で表されるものであることを特徴とする、請求項６に記載の光源。
8. 請求項６または７に記載の少なくとも１つの光源を含むことを特徴とする、とくにディスプレイデバイスの背面照明のための、照明ユニット。
9. 蛍光物質および半導体の間の光学結合が導光性配置により達成されることを特徴とする、請求項８に記載の照明ユニット。
10. 請求項８または９に記載の少なくとも１つの照明ユニットを含むことを特徴とする、背面照明を有するディスプレイデバイス、とくに液晶ディスプレイデバイス（ＬＣディスプレイ）。
11. 発光ダイオードからの青色または近ＵＶ放射の部分的なまたは完全な変換のための、変換蛍光物質としての、請求項１〜３のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物の使用。
12. カラーオンデマンドコンセプトに従った一次放射線の特定のカラーポイントへの変換のための、変換蛍光物質としての、請求項１〜３のいずれか一項に記載の少なくとも１つの化合物の使用。