JP2013516782A - デジタルcmos工程において周波数合成器に用いられるソレノイドインダクタ - Google Patents
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Abstract
Description
図1を参照すると、従来技術による半導体素子のインダクタ(10)は、多層からなる四角模様のシングル−ターンインダクタ(10 : multi layered rectangle single-turn inductor)である。図1に図示されたインダクタ(10)は、一平面でシングル-ターンする多数の単位インダクタ(11a,11b,11c)からなり、各層を連結させたビア(13a,13b)により連結され、最終段は最下層から最上層へ連結されたビア(13c)を通じてパスライン(15)と連結された。このインダクタ(10)は、四角模様のシングル−ターンの単位インダクタを多層として具現するため、インダクタンスを増加させることが可能であるが、ターン数が少ないシングルターンであり対称形状でないため、相互(mutual)インダクタンスによるインダクタンスの抵抗が大きく、また、差動型(differential type)インダクタを具現できない。
また、ソレノイドインダクタを垂直に具現することにより、スパイラルインダクタ具現面積の80%まで減少し、チップを具現するための価格は相対的に低くなる。
図4に示されたように、デジタルCMOS工程において4〜5GHz以上の周波数帯域で動作する周波数合成器を具現するためには、図4のような構造のソレノイドインダクタを製作しなければならない。ソレノイドインダクタは工程で用いられる配線金属を用いて具現される。配線金属は、図4に示すように、第1配線金属〜第7配線金属、および最上位配線金属(51〜58)が積層されて構成される。第1配線金属(51)は配線金属のうち最も薄く、最上位配線金属(58)は配線金属のうち最も厚い。これ以外の配線金属(52〜57)は厚さが一定である。このような配線金属は互いに絶縁層で(図示せず)分離されて、ビア(via)(61〜67)により互いに連結されている。
図5に図示されたように、ソレノイドインダクタのインダククタンス(inductance)値は、電流がPORT1から入力されてPORT2へ出力される場合、磁束(magnetic flux)が構造物の内側へ形成されて決定される。すなわち、全体のインダクタンスは一般的に長さ(I)が断面(A=w*h)に比べて長いとき、L=4πx10−7*n*w*h/pのように成立する。ここで、nはソレノイドインダクタの巻いた数に該当される。半導体工程でソレノイドインダクタの高さは調整できず、um高さで固定されているため、インダクタンス値を調整するためには、ソレノイドインダクタの巻いた数(n)と広さ(w)によって調整しなければならない。インダクタの特性は、尖鋭度(quality factor,Q)および、SRF(Self Resonance Frequency)で表すことができ、尖鋭度は、Q=wL/Rの式で導くことができる。SRFは、インダクタの内部寄生コンデンサにより自己発振周波数が存在し、SRF以前の周波数領域でインダクタとして使用可能である。ソレノイドインダクタの内部寄生コンデンサが小さく、SRFは数十GHz帯域で、数GHz帯域においてソレノイドインダクタとしての使用には問題がない。しかし、尖鋭度値は、ソレノイドインダクタの抵抗値(R)に依存するようになり、数GHzでは表皮効果(Skin Effect)によりインダクタの電流が表皮へ流れ出し、抵抗値が大きくなる。表皮効果による表皮の厚さは5GHzのとき数umで、数um以下のときCMOS工程でメタルにすべてが流れるようになる。メタルの厚さが薄くなるほど抵抗が大きくなり、尖鋭度が低くなるため、これを改善するために図6、および図7のように、メタルを2つ以上重ねて抵抗を低くする。
図示されたように、図6で配線金属は、第1配線金属ないし第7配線金属、および最上位配線金属(71〜78)で構成され、配線金属(71〜78)は互いに絶縁層で(図示せず)分離されて、ビア(via)により互いに連結される。このうち、第1配線金属(71)と第2配線金属(72)、および第1配線金属(71)と第2配線金属(72)を連結するビア(81)がそれぞれ連結されて重なる構造を有する。図7では、配線金属は、第1配線金属〜第7配線金属、および最上位配線金属(91〜98)で構成され、配線金属(91〜98)は互いに絶縁層で(図示せず)分離されており、ビア(via)(101〜107)によって互いに連結される。このうち、第1配線金属〜第3配線金属(91〜93)、および第1配線金属〜第3配線金属(91〜93)間を連結させるビア(101,102)がそれぞれ連結されて重なる構造を有する。図6および図7のような構造を有することで、ソレノイドインダクタの抵抗値を減少させ、尖鋭度(Q)値を高める。このとき、ソレノイドインダクタの高さ(h)が低くなるにつれ、インダクタンス値が小さくなる。これにより、広さ(w)を調整しインダクタンス値を調整する。
図8に図示されたように、本発明の周波数合成器は、LC−tankと発振回路部で構成される。LC−tankのインダクタは、本発明で提案するソレノイドインダクタを用いて、コンデンサは、デジタル工程で提供されるMOS capacitorまたは、MOS varactorを用いる。なお、MiM(Metal-insulator-Metal)を追加して用いてもよい。特に、ソレノイドインダクタは、既存のスパイラルインダクタに比べ、磁束(Magnetic flux)の方向が基板(substrate)に水平なため、磁束により渦流(eddy current)発生の影響が小さいため、図9に示したようにソレノイドインダクタ下に回路を配置してもよい。
61〜67:ビア(via)
Claims (6)
- デジタルCMOS工程で周波数合成器に用いられるソレノイドインダクタであって、
所定の幅を有し、両側が基板に対して垂直方向に積層され、ソレノイド構造を有する多数の配線金属と、
上記両側に積層された多数の配線金属の相互間を連結する配線金属連結部とを備え、
上記両側に積層された多数の配線金属のうち、所定数の下位層配線金属と、上記下位層配線金属の相互間を連結する配線金属連結部とがそれぞれ連結されて重なっている、ソレノイドインダクタ。 - 請求項1において、
上記配線金属は、両側が垂直方向に積層される第1配線金属ないし最上位配線金属、およびその下位配線金属を含むことを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項2において、
上記第1配線金属の下部には、基板への磁束の漏れを防止するポリシリコンパターンが形成されたことを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1において、
上記第1配線金属、上記第1配線金属上に積層された第2配線金属、および上記第1配線金属と上記第2配線金属との相互間を連結する配線金属連結部がそれぞれ連結されて重なることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - 請求項1において、
上記第1配線金属、上記第1配線金属上に積層された第2配線金属、上記第2配線金属上に積層される第3配線金属、および第1配線金属ないし第3配線金属の相互間を連結する配線金属連結部がそれぞれ連結されて重なることを特徴とするソレノイドインダクタ。 - デジタルCMOS工程で周波数合成器に用いられるソレノイドインダクタであって、
所定の幅を有し、両側が基板に対して垂直方向に積層され、ソレノイド構造を有する多数の配線金属と、
上記両側に積層された多数の配線金属の相互間を連結する配線金属連結部とを備え、
上記配線金属は、両側が基板に対して垂直方向に巻かれたソレノイド構造の第4配線金属から最上位配線金属、および下位配線金属を含み、
上記ソレノイド構造を有するソレノイドインダクタの磁束方向は、基板に対して水平となり、
上記第4配線金属の下部には、第1配線金属ないし第3配線金属が積層された構造の周波数合成器回路が配置される、ソレノイドインダクタ。
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