JP2013509043A - 増幅器バイアス技術 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (22)
- 第1の電流Ib1をサポートするダイオード結合された第1のトランジスタであって、前記第1の電流Ib1が第2の電流Ib2及び第1の補助電流にさらに分割される第1のトランジスタと、
前記第1の補助電流をサポートする第2のトランジスタであって、ゲートがコモンモード電圧によってバイアスされ、ソース電流が第3の電流Ib3及び第2の補助電流にさらに分割される第2のトランジスタと、
前記第2の補助電流をサポートする第3のトランジスタであって、ゲートが前記第1のトランジスタのソースに結合され、ドレイン電圧が前記コモンモード電圧に設定される第3のトランジスタと、
を備えた装置。 - 第1及び第2のアクティブトランジスタを備えたクラスAB増幅器をさらに備え、前記クラスAB増幅器をバイアスするために前記第1のトランジスタのゲートが前記第1のアクティブトランジスタのゲートに結合されている
請求項1の装置。 - 前記クラスAB増幅器の前記第1及び第2のアクティブトランジスタ並びに前記第1及び第3のトランジスタはNMOSトランジスタを備え、前記第2のトランジスタはPMOSトランジスタを備える
請求項2の装置。 - 前記クラスAB増幅器の前記第1及び第2のアクティブトランジスタ並びに前記第1及び第3のトランジスタはPMOSトランジスタを備え、前記第2のトランジスタはNMOSトランジスタを備える
請求項2の装置。 - 前記第1のアクティブトランジスタ及び前記第1のトランジスタは同一の長さを有するように構成され、前記第1のアクティブトランジスタは前記第1のトランジスタよりも広くなるように構成され、前記クラスAB増幅器の第2のアクティブトランジスタ及び前記第3のトランジスタは同一の長さを有するように構成され、前記第2のアクティブトランジスタは前記第3のトランジスタよりも広くなるように構成されている
請求項2の装置。 - 前記第3のトランジスタのドレイン電圧を設定するために前記第2のトランジスタのソースを前記第3のトランジスタのドレインに結合させるダイオード結合された第4のトランジスタをさらに備え、前記第4のトランジスタは前記第2のトランジスタと同じ電流密度を有している
請求項1の装置。 - 前記第2のトランジスタのソースを前記第3のトランジスタのドレインに結合させるネイティブ閾値トランジスタをさらに備え、前記ネイティブ閾値トランジスタのゲートは前記第3のトランジスタのドレイン電圧を設定するために前記コモンモード電圧にバイアスされている
請求項1の装置。 - 前記第3のトランジスタのゲートに結合された補償キャパシタをさらに備えた
請求項7の装置。 - 第4のトランジスタ及び第5のトランジスタをさらに備え、前記第4のトランジスタは前記第2のトランジスタのソースを前記第3のトランジスタのドレインに結合させ、前記第5のトランジスタは電流Ib4をサポートし、前記第4のトランジスタのゲートは前記第5のトランジスタのソースに結合され、前記第5のトランジスタのゲートは前記第4のトランジスタのソース電圧を前記コモンモード電圧に設定するために前記コモンモード電圧にバイアスされる
請求項1の装置。 - 前記装置は、オーディオ増幅器を備える
請求項1の装置。 - 前記装置は、演算増幅器を備える
請求項1の装置。 - 第1の電流Ib1をサポートするためにダイオード結合された第1のトランジスタをバイアスすることと、
前記第1の電流Ib1を第2の電流Ib2及び第1の補助電流に分割することと、
前記第1の補助電流をサポートする第2のトランジスタのゲートをコモンモード電圧を用いてバイアスすることと、
前記第2のトランジスタのソース電流を第3の電流Ib3及び第2の補助電流に分割することと、
前記第2の補助電流をサポートする第3のトランジスタのゲート電圧を前記第1のトランジスタのソース電圧に結合させることと、
前記第3のトランジスタのドレイン電圧を前記コモンモード電圧に設定することと、
を備えた方法。 - 前記第1のトランジスタのゲート電圧をクラスAB増幅器の第1のアクティブトランジスタのゲート電圧に結合させることをさらに備えた
請求項12の方法。 - 前記クラスAB増幅器は第1及び第2のアクティブトランジスタを備え、前記第1及び第2のアクティブトランジスタ並びに前記第1及び第3のトランジスタはNMOSトランジスタを備え、前記第2のトランジスタはPMOSトランジスタを備える
請求項13の方法。 - 前記クラスAB増幅器は第1及び第2のアクティブトランジスタを備え、前記第1及び第2のアクティブトランジスタ並びに前記第1及び第3のトランジスタはPMOSトランジスタを備え、前記第2のトランジスタはNMOSトランジスタを備える
請求項13の方法。 - 前記第1のアクティブトランジスタ及び前記第1のトランジスタは同一の長さを有するように構成され、前記第1のアクティブトランジスタは前記第1のトランジスタよりも広くなるように構成され、前記クラスAB増幅器の第2のアクティブトランジスタ及び前記第3のトランジスタは同一の長さを有するように構成され、前記第2のアクティブトランジスタは前記第3のトランジスタよりも広くなるように構成されている
請求項13の方法。 - 前記第3のトランジスタのドレイン電圧を設定することは、
ダイオード結合された第4のトランジスタのソース電圧を前記第2のトランジスタのソースに結合させ、前記第4のトランジスタが前記第2のトランジスタにマッチしていることと、
前記第3のトランジスタのドレイン電圧を前記第4のトランジスタのドレイン電圧に結合させることと、
を備える請求項12の方法。 - 前記第3のトランジスタのドレイン電圧を設定することは、
ネイティブ閾値の第4のトランジスタのドレイン電圧を前記第2のトランジスタのソースに結合させることと、
前記第4のトランジスタのゲートを前記コモンモード電圧にバイアスすることと、
前記第4のトランジスタのソース電圧を前記第3のトランジスタのドレイン電圧に結合させることと、
を備える請求項12の方法。 - 補償キャパシタンスを前記第3のトランジスタのゲート電圧に結合させることをさらに備えた
請求項18の方法。 - 前記第2のトランジスタのソース電圧を第4のトランジスタのドレインに結合させることと、
前記第4のトランジスタのソース電圧を第3のトランジスタのドレインに結合させることと、
前記第4のトランジスタのゲート電圧を第5のトランジスタのソース電圧に結合させ、前記第5のトランジスタは電流Ib4をサポートすることと、
前記第5のトランジスタのゲート電圧を、前記第4のトランジスタのソース電圧を前記コモンモード電圧に設定するために、前記コモンモード電圧にバイアスすることと、
をさらに備えた請求項12の方法。 - クラスAB増幅器の第1のアクティブトランジスタに対する所望のバイアス電流のフラクション(fraction)をサポートする第1のトランジスタに対する第1のバイアス電圧を発生する手段であって、前記第1のバイアス電圧が前記第1のアクティブトランジスタをバイアスするために与えられている手段と、
前記クラスAB増幅器の第2のアクティブトランジスタに対する所望のバイアス電流のフラクションをサポートする第3のトランジスタに対する第2のバイアス電圧を発生する手段と、
前記第2のアクティブトランジスタに対する静止動作(quiescent operation)ドレイン電圧をレプリケートする(replicate)前記第3のトランジスタに対するドレイン電圧を設定する手段と、
を備えた装置。 - 前記第3のトランジスタに対するドレイン電圧を設定する手段は、等しい電流密度を有する第4及び第2のトランジスタを備えたソース結合されたペアを備え、前記第4のトランジスタはダイオード結合され、前記第4のトランジスタのドレインは前記第3のトランジスタのドレインに結合され、前記第2のトランジスタはコモンモード電圧によってバイアスされている
請求項21の装置。
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