JP2013508953A5 - - Google Patents
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Description
図5のA〜Dに示すシーケンシャルスキャン方法を用いて、注入された複数の水平ストライプを有し、注入されていない水平ストライプが散在している基板100を生成する。図5のこの実施形態では、2つの隣接するアパーチュア105間の間隔に等しい距離だけ、マスク104を横に(即ち、水平に)動かすことができる。マスク104を基板100に対し動かす距離は、インデックス距離として知られる。アパーチュアの幅がアパーチュア間の間隔の幅に等しいマスクでは、これは所望のストライプのパターンを2回の照射で生成する。第1の照射はドープした格子状のパターンを生成する。第2の照射はドープした正方形の間のスペースを満たし、それによりそれらをストライプに変換する。
図7−2のD〜Fは、各工程の間に達成した注入の異なる表示を示す。図7−2のDは、第1の照射後(図7−1のA)の水平ストライプ118の注入パターンを示す。この時点で、イオンはハッチング領域112に注入されている。図7−2のEは、第2の照射後(図7−1のB)のイオン注入を示す。前に注入された領域112を白色領域113として示す。なお、いくつかの領域は、より高いブロックにより示す2つの注入を受けている。他の領域は、最初のイオン注入を受けており、それ故、ハッチング領域112が2つの異なるレベルで示される。図7−2のFは、第3の照射後(図7−1のC)のイオン注入を示す。なお、基板100内の水平ストライプ118の全ての部分は、ちょうど2回、イオン注入のドーズを受けている。
図8は、複数回ドーズのセグメント化されたマスク124の正面図である。直角にスキャンされるマスクのセグメントの間隔は、様々なストライプに加えられるドーズを変えるように、変えることができる。従って、複数回ドーズの基板は、基板の全面にわたる「ブランケット」注入(この「ブランケット」注入はマスクを使用できない)を行う必要はなく、単一のマスクの下で注入を受けることができる。図8に例示する実施形態では、マスクのアパーチュア125は、一連の交互に起きる行に分割される。大きい方のアパーチュア126は、4:1のセグメントの影に対する比を有し、小さい方のアパーチュア127は、1:4のセグメントの影に対する比を有する。このマスク124の実施形態は、アパーチュア125間の領域に対するもっと構造的な支持を与える。マスク124は、均一なストライプを生成するように、5つの異なる位置を介してスキャンする。これは図9−1のA〜Eに例示される。
図9−2のF〜Jは、これらの注入パターンの第2の表示を示す。各図の上部の行は水平ストライプ128の注入を示し、各図の下部の行は狭いストライプ129の注入を示す。第1の注入後(図9−1のA及び図9−2のF)、ハッチング領域122により示されるように、水平ストライプ128のほとんどは注入されている。しかしながら、狭いストライプ129の1/5だけ注入されている。図9Gで、前に注入された領域122を白色領域123として示し、一方、新たに注入された領域をハッチング領域122として示す。このプロセスは5回の注入に対して継続する。なお、5回の注入後、上部の行は、ストライプ128の全ての部分がちょうど4回注入されたことを示す。対照的に、下部の行は、狭いストライプ129が、このプロセスの間に1回だけ注入されたことを示す。
図11−1のA〜Cは、マスクの比較及びその結果として生じる注入領域である。図11−1のAのマスク144は1:1のマスク対スパン比を有するマスク144である。図11−1のBのマスク154は、図11−1のAのマスク144のアパーチュア145の3つの行の幅のスパンであるアパーチュア155を有する。アパーチュアのサイズ、形状及び幅に対する他の変化は可能である。特定の実施形態で、太陽電池の注入を完了するのに、図11−1のBのマスク154に、3つの異なる位置で、工程を付け、インデックスを付けることができる。図11−1のCは、3つの異なる注入位置の内の1つのみの後に、図11−1のBのマスク154を用いた結果として生じる基板100の注入である。図11−2のDは注入パターンの異なる表示を示す。この図は基板100の垂直横断面図を表わす。基板100の全ての領域は、隣接するアパーチュア155間のマスク154の直接下の領域を除いて、注入される。注入領域152をハッチング領域として示す。図11−2のDは、注入位置の1つ(即ち、図11−1のC)の後に、結果として生じた注入を示す。図11−2のEは、2つの注入工程の後に、図11−1のBのマスク154を用いた結果として生じた基板100の注入を示す。第1の工程の間に行った注入工程を白色領域153として示し、一方、新たな注入領域をハッチング領域152として示す。マスク154は上方へ平行移動されるため、注入される領域152は、前の注入領域153と合致せず、その結果、2回注入される領域と、1回だけ注入される他の領域とを生成する。図11−2のFは、3つの注入工程が完了した後に、図11−1のBのマスク154を用いた結果として生じた基板100の注入を示す。再び、最初の2つの工程の間に行った注入工程を白色領域153として示し、一方、新たな注入領域をハッチング領域152として示す。領域159は、全ての3つの注入工程の間に注入され、一方、他の領域は、3つの注入工程の内のちょうど2つの注入工程の間に、注入されるだけである。従って、このマスクパターン及びインデックス距離は、いくつかの領域が他の領域159により受ける最大のドーズの2/3に等しいドーズを受ける基板を生成する。
この例において、より高濃度に注入した領域159の幅、インデックス距離及び分離距離(アパーチュア間の間隔)は、ほとんど等しい。しかしながら、これは要件ではない。実際、分離距離は一定である必要はない。さらに、各アパーチュアのサイズは所望のように変えることができる。図16−1のAは1:1のセグメントの影に対する比を有するマスク144を示す。図16−1のBは、分離距離がアパーチュア165の開口幅のほぼ3倍に等しいマスク164を示す。しかしながら、その結果として生じる高濃度注入領域167(図16−2のEを参照)は、分離距離よりずっと狭い。本実施形態では、高濃度注入領域167が他の領域のドーズの3倍のドーズを受けるパターンを生成するように、3回の注入工程を行う。図16−1のAのマスクは1:1のマスク対スパン比を有するマスク144である。図16−1のBのマスク164は、図16−1のAのマスク144の1つのアパーチュアの幅のスパンであるアパーチュア165を有する。図16−1のBのマスク164は、また、図16−1のAのマスク144の3つの行のアパーチュアの幅のスパンであるアパーチュア166を有する。隣接するアパーチュア165、166間の分離距離も、アパーチュア145の1行のスパンである。アパーチュアのサイズ、形状及び幅に対する他の変化は可能である。図16−2のCは、3つの異なる注入位置の内の1つのみの後に、図16−1のBのマスク164を用いた結果として生じる基板100の注入の垂直横断面図である。この工程の間に注入された領域をハッチング領域162として示す。図16−2のDは、2つの注入工程の後に、図16−1のBのマスク164を用いた結果として生じた基板100の注入を示す。第1の工程の間に行った注入工程を白色領域163として示し、一方、新たな注入をハッチング領域162として示す。図16−2のEは、3つの注入工程が完了した後に、図16−1のBのマスク164を用いた結果として生じた基板100の注入を示す。領域167は、3つの注入工程の間に注入され、一方、他の領域は、3つの注入工程の内のちょうど1つの注入工程の間に、注入されるだけである。
図13のA〜Cは、段階的マスクの実施形態及びその結果として生じた注入パターンである。理解しやすいように、マスク184を基板100から分離して示す。マスク184は、図3に示すように、注入の間、実際に、基板100の上方に配置される。この実施形態では、マスク184は3つのアパーチュア185を有する。図13のAでは、マスク184は第1の位置にあり、注入が行われる。これは、太陽電池になり得る基板100に第1の注入領域186をもたらす。図13のBでは、マスク184は、基板100に対し第2の位置に動かされ又はインデックスを付けられる。図13のCでは、第2の注入が行われる。これは、基板100に第2の注入領域187をもたらす。今や基板100は、第1の注入領域186及び第2の注入領域187を有する。いくつかの部分では、第1の注入領域186及び第2の注入領域187は重複し、高濃度ドープ領域188を形成する。高濃度注入領域188は、この基板100の特定領域が2回注入を受けるため、第1の注入領域186及び第2の注入領域187のドーズの約2倍のドーズを有する。勿論、他のドーズは可能である。第1の注入領域186は、線により離されて示されているが、様々な注入領域は、第1の注入領域186が、その間の隙間がなく互いに隣接することを引き起こすか、又は、高濃度注入領域188のようにわずかな重複を有することを引き起こす。しかしながら、注入とマスク184のインデックス付けの機構により、小さい隙間が第1の注入領域186間に存在し得る。高濃度注入領域188は、例えば、図1の接点202の下の領域201に相当し、第1の注入領域186及び第2の注入領域187は、例えば、図1のエミッタ200に相当する。
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