CN107068527A - 离子注入装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。本发明的离子注入装置(10)对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前，执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。

Description

离子注入装置
技术领域
本申请主张基于2015年9月30日于日本申请的日本专利申请第2015-193965号的优先权。该日本申请的全部内容通过参考援用于本说明书中。
本发明涉及一种离子注入装置，且涉及一种用于对同一晶片连续执行多个离子注入工序的离子注入装置。
背景技术
在半导体制造工序中，为了改变半导体导电性的目的、及改变半导体的结晶结构的目的等，规范地实施向半导体晶片注入离子的工序(以下，也称为“离子注入工序”)。在离子注入工序中所使用的装置被称为离子注入装置，该装置具有通过离子源生成离子并将所生成的离子加速而形成离子束的功能、及将该离子束传输至注入处理室并对处理室内的晶片照射离子束的功能。
为了向成为处理对象的晶片的整个面注入离子，离子束通过射束扫描器进行往复扫描，晶片在与射束扫描方向正交的方向上进行往复运动。此时，通过与离子束向晶片进行照射的位置对应地改变射束扫描的速度和往复运动的速度，从而照射到晶片的各地点的离子照射量得到控制(例如，参考专利文献1)。并且，通过多次实施改变了晶片的旋转角度的注入工序，也能够在晶片面内形成不均匀的剂量分布(例如，参考专利文献2)。
专利文献1：日本特开2012-204327号公报
专利文献2：日本特开2013-4610号公报
以往，改变晶片的旋转角度而实施多次注入工序时，一般在注入工序期间不改变照射于晶片的离子束的射束条件而进行实施，并执行离子注入处理以得到所期望的旋转对称形状的剂量分布。假设在欲得到旋转非对称形状的剂量分布的情况下，在晶片的旋转角度不同的各注入工序中必须改变射束条件，且需要在注入工序期间用于切换射束条件的射束设置工序。通常，射束设置工序需要数十秒到数分钟左右的时间，因此若每次改变晶片的旋转角度时都必须实施射束设置工序，则会导致大幅降低离子注入处理的生产率。
发明内容
本发明是鉴于这种状况而完成的，其目的在于，提供一种兼顾离子注入处理的生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入装置。
为了解决上述课题，本发明的一方式的离子注入装置为用于对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序的离子注入装置，其具备：能量调整机构，可调整离子束的注入能量；射束扫描器，在规定扫描方向上往复扫描离子束；测量仪，测定往复扫描的离子束的扫描方向的射束电流密度分布；压板动作装置，保持晶片以使往复扫描的离子束照射到晶片处理面；及控制装置，根据测量仪的测定结果，以射束电流密度分布成为在注入条件中设定的目标值的方式确定射束扫描器的扫描参数来执行各离子注入工序。压板动作装置包括：往复运动机构，在与扫描方向正交的往复运动方向上使晶片往复运动；扭转角调整机构，以晶片处理面的法线为轴旋转晶片，从而调整设置于晶片的外周部的对准标记与基准位置之间的扭转角；及倾角调整机构，调整朝向晶片处理面的离子束的行进方向与晶片处理面的法线之间的倾角。多个离子注入工序中，(a)以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且(c)对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件，控制装置在对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为多个离子注入工序的各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
另外，在方法、装置、系统等之间相互置换以上构成要件的任意组合或本发明的构成要件和表现的方式也作为本发明的方式有效。
发明效果
根据本发明，能够提供一种兼顾生产率与晶片面内的不均匀注入精度的离子注入处理。
附图说明
图1是表示实施方式所涉及的离子注入装置的概略结构的俯视图。
图2是表示图1的离子注入装置的概略结构的侧视图。
图3是表示往复运动的晶片与往复扫描的射束之间的关系的主视图。
图4是表示离子束的扫描范围的俯视图。
图5是表示控制装置的功能结构的框图。
图6(a)是示意地表示在晶片处理面上设定的多个区域的图，图6(b)～图6(d)是示意地表示按区域设定的剂量分布的目标值的曲线图。
图7(a)是表示设为目标的不均匀形状的剂量分布的曲线图，图7(b)是表示用于实现图7(a)的剂量分布的扫描速度分布的曲线图，图7(c)是表示用于实现图7(a)的剂量分布的控制波形的曲线图。
图8是示意地表示高倾角注入工序的图。
图9(a)～图9(d)是示意地表示扭转角的变化的图。
图10(a)～图10(d)是示意地表示扭转角互不相同的高倾角注入工序的图。
图11(a)～图11(d)是示意地表示将晶片处理面内的剂量分布设为不均匀形状的扭转角互不相同的高倾角注入工序的图。
图12(a)是示意地表示在第2注入工序中的晶片处理面上设定的多个区域的图，图12(b)～图12(d)是示意地表示按区域设定的剂量分布的目标值的图。
图13(a)是示意地表示在第3注入工序中的晶片处理面上设定的多个区域的图，图13(b)～图13(d)是示意地表示按区域设定的剂量分布的目标值的图。
图14(a)是示意地表示在第4注入工序中的晶片处理面上设定的多个区域的图，图14(b)～图14(d)是示意地表示按区域设定的剂量分布的目标值的图。
图15(a)～图15(c)是示意地表示第1注入工序中的各区域的扫描参数的曲线图。
图16(a)～图16(c)是示意地表示第2注入工序中的各区域的扫描参数的曲线图。
图17(a)～图17(c)是示意地表示第3注入工序中的各区域的扫描参数的曲线图。
图18(a)～图18(c)是示意地表示第4注入工序中的各区域的扫描参数的曲线图。
图19是表示实施方式所涉及的离子注入装置的动作过程的流程图。
图中：B-离子束，W-晶片，10-离子注入装置，26-射束扫描器，50-压板动作装置，54-往复运动机构，56-扭转角调整机构，58-倾角调整机构，60-控制装置，62-设定部，64-确定部，66-存储部，68-执行部，88-对准标记。
具体实施方式
以下，参考附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。另外，在附图的说明中对相同的要件标注相同的符号，并适当地省略重复的说明。并且，以下所述的结构为例示，并不对本发明的范围作任何限定。
对实施方式进行说明之前，对本发明的概要进行叙述。本实施方式为用于对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序的离子注入装置。该离子注入装置具备：射束扫描器，在规定的扫描方向上往复扫描离子束；测量仪，测定往复扫描的离子束的扫描方向的射束电流密度分布；压板动作装置，保持晶片以使往复扫描的离子束照射到晶片处理面；控制装置，根据测量仪的测定结果，以射束电流密度分布成为在注入条件中设定的目标值的方式确定射束扫描器的扫描参数来执行各离子注入工序。压板动作装置包括：往复运动机构，在与射束扫描方向正交的往复运动方向上使晶片往复运动；扭转角调整机构，以晶片处理面的法线为轴旋转晶片，并调整设置于晶片的外周部的对准标记与基准位置之间的扭转角；倾角调整机构，调整朝向晶片处理面的离子束的行进方向与晶片处理面的法线之间的倾角。
多个离子注入工序中，以晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，构成为对在往复运动方向上运动的晶片处理面照射往复扫描的离子束，并且对应于晶片的往复运动方向的位置，以可改变照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件。例如，多个离子注入工序中，以成为晶片面内的剂量分布的目标值互不相同的不均匀形状的方式设定各注入条件，为了分别实现不均匀的剂量分布形状，以射束电流密度分布的目标值互不相同的方式设定各注入条件。执行各离子注入工序之前，需要执行调整离子束的“设置工序”，以实现各注入条件中设定的射束电流密度分布。
对同一晶片连续执行多个离子注入工序的情况下，若每次变更注入条件时都必须执行设置工序，则会对离子注入处理的生产率带来较大的影响。例如，对多片晶片执行注入条件不同的多次离子注入工序时，需要在多片晶片的各注入工序期间执行设置工序，导致生产率下降与占整个处理中的设置工序的时间增加量相应的量。
因此，本实施方式中，对同一晶片连续执行多个离子注入工序之前执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为各注入条件而设定的与射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。各离子注入工序中，根据在设置工序中统一确定的扫描参数来照射离子束，因此无需在注入工序期间用于切换注入条件的设置工序。其结果，无需在中途执行设置工序，就能够对多片晶片的每一片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序，因此能够提高离子注入处理的生产率。并且，在晶片的扭转角不同的各离子注入工序中，根据统一确定的扫描参数能够照射射束电流密度分布不同的离子束，因此能够提高晶片面内的不均匀注入精度。
[离子注入装置的结构]
图1是概略表示实施方式所涉及的离子注入装置10的俯视图，图2是表示离子注入装置10的概略结构的侧视图。
离子注入装置10构成为对被处理物W的表面进行离子注入处理。被处理物W例如为基板，例如为半导体晶片。由此，以下为了便于说明，有时将被处理物W称为晶片W，但这并不表示将注入处理的对象限定为特定的物体。
离子注入装置10构成为通过使射束在单向上进行往复扫描，并使晶片W在与该单向正交的方向上进行往复运动，从而对整个晶片W照射离子束B。在本说明书中，为了便于说明，将设计上的射束轨道行进的离子束B的行进方向设为z方向，将与z方向垂直的面定义为xy面。在对被处理物W扫描离子束B的情况下，将射束的扫描方向设为x方向，将与z方向及x方向垂直的方向设为y方向。由此，沿x方向进行射束的往复扫描，沿y方向进行晶片W的往复运动。
离子注入装置10具备离子源12、射束线装置14、注入处理室16及控制装置60。离子源12构成为向射束线装置14赋予离子束B。射束线装置14构成为从离子源12向注入处理室16传输离子。并且，离子注入装置10具备用于向离子源12、射束线装置14及注入处理室16提供所期望的真空环境的真空排气系统(未图示)。
射束线装置14例如从上游依次具备质量分析部18、可变孔径20、射束会聚部22、第1射束测量仪24、射束扫描器26、平行化透镜30或射束平行化装置及角能量过滤器(AEF；Angular Energy Filter)34。另外，射束线装置14的上游是指靠近离子源12的一侧，下游是指靠近注入处理室16(或射束阻挡器(beam stopper)38)的一侧。
质量分析部18设置于离子源12的下游，构成为通过质量分析从离子束B选择所需的离子种类，该离子束B是从离子源12引出的离子束。
可变孔径20是可调整开口宽度的孔径，通过改变开口宽度来调整通过孔径的离子束B的射束电流量。可变孔径20例如具有隔着射束线而上下配置的孔径板，也可以通过改变孔径板的间隔来调整射束电流量。
射束会聚部22具备四极会聚装置(Q透镜)等会聚透镜，构成为将通过可变孔径20的离子束B整形为所期望的剖面形状。
第1射束测量仪24为在射束线上能够以取出和放入的方式进行配置并测定离子束的电流的注入器旗标法拉第杯(Injector flag Faraday cup)。第1射束测量仪24具有测量射束电流的法拉第杯24b、及使法拉第杯24b上下移动的驱动部24a。如图2的虚线所示，在射束线上配置法拉第杯24b时，离子束B被法拉第杯24b切断。另一方面，如图2的实线所示，从射束线上取下法拉第杯24b时，解除离子束B的切断。
射束扫描器26构成为提供射束的往复扫描，是沿x方向扫描经整形的离子束B的偏转机构。射束扫描器26具有在x方向上对置设置的扫描电极对28。扫描电极对28与可变电压电源(未图示)连接，通过周期性地改变施加于扫描电极对28的电压，从而改变在电极之间产生的电场以使离子束B向各个角度偏转。如此，离子束B遍及x方向的扫描范围而进行扫描。另外，在图1中，利用箭头X例示出射束的扫描方向及扫描范围，用单点划线示出在扫描范围的离子束B的多个轨迹。
平行化透镜30构成为使经扫描的离子束B的行进方向与设计上的射束轨道平行。平行化透镜30具有在中央部设有离子束的通过狭缝的圆弧形状的多个P透镜电极32。P透镜电极32与高压电源(未图示)连接，将通过施加电压而产生的电场作用于离子束B，从而使离子束B的行进方向平行一致。另外，平行化透镜30可以被其他射束平行化装置替换，射束平行化装置也可以构成为利用磁场的磁铁装置。在平行化透镜30的下游可以设置用于使离子束B加速或减速的AD(Accel/Decel)柱(未图示)。
角能量过滤器(AEF)34构成为分析离子束B的能量并使所需的能量的离子向下方偏转而导入注入处理室16。角能量过滤器34具有电场偏转用AEF电极对36。AEF电极对36与高压电源(未图示)连接。在图2中，通过对上侧的AEF电极施加正电压，对下侧的AEF电极施加负电压，从而使离子束B从射束轨道向下方偏转。另外，角能量过滤器34可以由磁场偏转用磁铁装置构成，也可以由电场偏转用AEF电极对与磁铁装置的组合构成。
如此，射束线装置14将应照射到晶片W的离子束B供给到注入处理室16。
如图2所示，注入处理室16具备保持1片或多片晶片W的压板动作装置50。压板动作装置50包含晶片保持部52、往复运动机构54、扭转角调整机构56及倾角调整机构58。晶片保持部52具备用于保持晶片W的静电卡盘等。往复运动机构54通过使晶片保持部52沿与射束扫描方向(x方向)正交的往复运动方向(y方向)进行往复运动，从而使保持于晶片保持部52的晶片沿y方向进行往复运动。在图2中，利用箭头Y例示出晶片W的往复运动。
扭转角调整机构56为调整晶片W的旋转角的机构，通过以晶片处理面的法线为轴旋转晶片W，从而调整设置于晶片的外周部的对准标记与基准位置之间的扭转角。在此，晶片的对准标记是指设置于晶片的外周部的切口或定向平面，并且是指成为晶片的结晶轴向或晶片的周向的角度位置的基准的标记。如图所示，扭转角调整机构56设置在晶片保持部52与往复运动机构54之间，与晶片保持部52一同进行往复运动。
倾角调整机构58为调整晶片W的倾斜的机构，调整朝向晶片处理面的离子束B的行进方向与晶片处理面的法线之间的倾角。本实施方式中，晶片W的倾斜角中，将以x方向的轴为旋转中心轴的角度作为倾角进行调整。倾角调整机构58设置在往复运动机构54与注入处理室16的壁面之间，构成为通过使包含往复运动机构54的整个压板动作装置50沿R方向旋转，从而调整晶片W的倾角。
注入处理室16具备射束阻挡器38。当射束轨道上不存在晶片W时，离子束B入射到射束阻挡器38。并且，在注入处理室16设置有用于测量离子束的射束电流量和射束电流密度分布的第2射束测量仪44。第2射束测量仪44具有侧杯(side cup)40R、40L及中心杯(Center cup)42。
侧杯40R、40L相对于晶片W在x方向上错开而配置，并配置在离子注入时不切断朝向晶片W的离子束的位置。离子束B由于超过晶片W所在的范围而进行过扫描，因此在离子注入时，经扫描的射束的一部分也会入射于侧杯40R、40L。由此，测量离子注入处理中的离子照射量。侧杯40R、40L的测量值被送入第2射束测量仪44。
中心杯42用于测量晶片W的表面(晶片处理面)中的射束电流密度分布。中心杯42为可动式，当离子注入时，从晶片位置避开，当晶片W不在照射位置时被插入到晶片位置。中心杯42一边沿x方向移动一边测量射束电流量，从而测量射束扫描方向的射束电流密度分布。中心杯42的测量值被送入第2射束测量仪44。另外，中心杯42可形成为多个法拉第杯沿x方向排列的阵列形，以便能够同时测量射束扫描方向的多个位置上的离子照射量。
图3是表示往复运动的晶片W与往复扫描的离子束B之间的关系的主视图。在图3中，离子束B沿横向(x方向)进行往复扫描，晶片W保持在往复运动机构54而沿纵向(y方向)进行往复运动。图3中，通过图示出最上位置的晶片W1与最下位置的晶片W2来表示往复运动机构54的动作范围。
并且，关于通过射束扫描器扫描的离子束B，通过用单点划线包围的横长区域图示出离子束的扫描范围。离子束B构成为可超过配置于往复运动机构54左右的侧杯40R、40L、或超过可沿x方向移动的中心杯42所配置的位置而进行过扫描。另外，图3中，示出横长的离子束B进行扫描的状态，但离子束B的形状可以为纵长，也可以为接近圆形的形状。
图4是表示离子束B的扫描范围的图，对应于图3的俯视图。图4中，将离子束B可扫描的整个范围作为扫描范围C而示出。扫描范围C能够被大致划分为照射区域C1和非照射区域C2两个区域。照射区域C1为晶片W所在的范围，也可以说是比设置有侧杯40R、40L的位置更靠内侧的范围。因此，朝向照射区域C1的离子束B1入射到通过往复运动机构54往复运动的晶片W，有助于离子注入。另一方面，非照射区域C2为位于照射区域C1的外侧的区域，是与晶片W所在的范围的外侧对应的区域。因此，朝向非照射区域C2的离子束B2并不入射到通过往复运动机构54往复运动的晶片W，对离子注入不起作用。
如图4所示，可动式中心杯42在照射区域C1及非照射区域C2中，可测定与晶片处理面对应的位置A的射束电流密度分布。位置A相当于在离子束B的行进方向即z方向上与晶片处理面相同的z方向的位置。将照射区域C1分割为例如1000个左右的微小区间，并通过一边使中心杯42沿x方向移动一边按各微小区间测量射束电流量，能够得到晶片处理面上的射束扫描方向(x方向)的射束电流密度分布。
图5是表示控制装置60的功能结构的框图。控制装置60控制构成离子注入装置10的各设备的动作。控制装置60具备设定部62、确定部64、存储部66及执行部68。
关于本说明书的框图中所示的各个框，在硬件方面，可通过以计算机的CPU为代表的元件或机械装置来实现，在软件方面，可通过计算机程序等来实现，而在此描述的是通过它们的协作来实现的功能框。因此，这些功能框可通过硬件、软件的组合而以各种形式实现，这对于本领域技术人员来说是可以理解的部分。
设定部62接收欲实施的多个离子注入工序的各注入条件的设定。设定部62接收1)离子种类、2)注入能量、3)射束电流量、4)射束电流密度(射束形状)、5)晶片面内的平均剂量、6)晶片面内的剂量分布、7)倾角、8)扭转角等的设定而作为各离子注入工序的注入条件。并且，在以晶片面内的剂量分布成为不均匀形状的方式设定注入条件的情况下，还接收9)各区域的剂量分布的设定。
图6(a)是示意地表示在晶片处理面上设定的多个区域Y11～Y14的图，图6(b)～图6(d)是示意地表示按区域设定的剂量分布的目标值的曲线图。图6(a)表示以“晶片面内的剂量分布”成为不均匀形状的方式设定注入条件的情况，用斜线表示相对增大剂量(离子注入量)的高剂量区域92。高剂量区域92以外的区域为与高剂量区域92相比相对降低离子注入量的低剂量区域91。高剂量区域92可设定成旋转非对称形状，例如，可设定为如图示的L字岛状。另外，晶片处理面内的剂量分布可以为L字以外的形状，也可以为剂量按照晶片处理面内的位置连续发生变化的形状。
设定如图6(a)所示的不均匀形状的剂量分布的情况下，晶片处理面上设定有多个区域Y11、Y12、Y13、Y14。该多个区域Y11～Y14被设定为将在晶片的往复运动方向即y方向上剂量值发生变化的部位作为边界，而在射束扫描方向即x方向上成为细长的区域。换言之，以晶片处理面上的区域被分割成在晶片的往复运动方向即y方向上连续的长条状的区域的方式设定多个区域Y11～Y14。另外，就晶片处理面上的多个区域而言，即使在晶片的扭转角不同的情况下，也可将晶片的往复运动方向即y方向设定为基准。
并且，如图6(b)～图6(d)所示，各区域Y11～Y14的x方向的剂量分布作为注入条件之一而被设定。图6(b)表示与第1区域Y11及第4区域Y14对应的剂量分布，整个区域成为低剂量区域91中的第1剂量D1。图6(c)表示与第2区域Y12对应的剂量分布，与低剂量区域91对应的范围为第1剂量D1，与高剂量区域92对应的范围成为第2剂量D2。同样地，图6(d)表示与第3区域Y13对应的剂量分布，以成为与第2区域Y12不同的分布的方式确定第1剂量D1及第2剂量D2的范围。
确定部64实施确定构成离子注入装置10的各设备的参数的设置工序，以实现设定部62中所设定的注入条件。确定部64确定离子源12的气体种类、或离子源12的引出电压、质量分析部18的磁场或电流的值而作为用于调整1)离子种类的参数。确定部64确定离子源12的引出电压、P透镜电极32的施加电压、AD柱的施加电压的值而作为用于调整2)注入能量的参数。因此，离子源12、P透镜电极32及AD柱也可以称为能量调整机构。
确定部64确定离子源12的气体量、弧电流、弧电压、源磁电流等各种参数、或用于调整可变孔径20的开口宽度的参数而作为用于调整3)射束电流量的参数。确定部64确定施加于在射束会聚部22中包含的Q透镜的电压值而作为用于调整4)射束电流密度的参数。确定部64主要根据第1射束测量仪24的测定结果，以3)射束电流量成为所期望的值的方式确定各参数，并根据第2射束测量仪44的测定结果，以4)射束电流密度成为所期望的值的方式确定各参数。
确定部64确定射束扫描器26的扫描参数而作为用于调整5)晶片面内的平均剂量、6)晶片面内的剂量分布、及9)各区域的剂量分布的参数。确定部64以晶片处理面上的扫描方向的射束电流密度分布成为与作为目标的剂量分布对应的形状的方式确定射束扫描器26的扫描参数。更具体而言，根据来自第2射束测量仪44的射束电流密度分布的测定结果，以在目标剂量相对较高的部位减慢射束的扫描速度，并在目标剂量相对较低的部位加快射束的扫描速度的方式确定扫描参数。
图7(a)是表示作为目标的不均匀形状的剂量分布的曲线图，与图6(c)的剂量分布相同。图7(b)是表示用于实现图7(a)的剂量分布的扫描速度分布的曲线图，示出通过射束扫描器26进行往复扫描的离子束的扫描速度与被射束照射的晶片处理面上的x方向的位置之间的关系。如图所示，扫描速度分布被设定为，在成为目标剂量相对较低的第1剂量D1的范围，成为扫描速度相对较快的第1扫描速度S1，另一方面，在成为目标剂量相对较高的第2剂量D2的范围，成为扫描速度相对较慢的第2扫描速度S2。
图7(c)是表示用于实现图7(a)的剂量分布的控制波形的曲线图，且示出施加于射束扫描器26的扫描电极对28的控制电压V相对于时间t的变化。如图所示，控制波形被设定为，在成为相对较快的第1扫描速度S1的范围，控制电压V的倾斜变大，另一方面，在成为相对较慢的第2扫描速度S2的范围，控制电压V的倾斜变小。在本说明书中，将与该控制波形的时间变化有关的射束扫描器26的参数也称为“扫描参数”。该“扫描参数”可以是控制波形的电压的时间变化值本身，也可以是为了生成控制波形而所需的一个或多个设定值。
另外，实际上，即使输出如图7(c)所示的控制波形，也有得不到图7(a)所示的剂量分布的情况，且也有在作为目标的剂量分布的形状与照射于晶片处理面的离子束的射束电流密度分布的形状之间产生差的情况。因射束扫描器26或平行化透镜30的光学配置等而产生光学像差，由此产生该差异。因此，射束扫描器26根据第2射束测量仪44的测定结果来校正扫描参数，以得到与作为目标的剂量分布对应的形状的射束电流密度分布。即，根据第2射束测量仪44的测定结果确认扫描参数是否适当，根据需要校正扫描参数。此时，确定部64可以利用将图7(c)所示的控制波形输出到射束扫描器26时的测定结果，也可以利用将如扫描速度为恒定的基准控制波形输出到射束扫描器26时的测定结果。
确定部64进一步确定往复运动机构54的晶片移动速度参数而作为用于调整5)晶片面内的平均剂量、6)晶片面内的剂量分布、及9)各区域的剂量分布的参数。按区域改变扫描参数时，确定部64在多个区域的每个区域中确定晶片移动速度参数，以使照射到各区域的剂量分布成为目标值。另外，通过确定部64确定的晶片移动速度参数被设定为注入工序中的射束电流量在规定范围内时的基准值。在注入工序中射束电流量发生变动时，以作为基准值的移动速度参数乘以对应于射束电流量的变动的系数的速度使晶片W往复运动，由此降低因射束变动导致剂量变化的影响。
存储部66保持设定部62中接收的多个离子注入工序的各注入条件。存储部66为了实现各注入条件而在上述设置工序中保持确定部64所确定的各种参数。
执行部68根据保持在存储部66的各注入条件及各种参数而使构成离子注入装置10的各设备动作，从而执行多个离子注入工序。执行部68按照保持在存储部66的各种参数来使各设备动作，以使进行往复扫描之前的离子束具有所期望的离子种类、注入能量、射束电流量、射束电流密度。并且，执行部68根据保持在存储部66的扭转角及倾角的设定而控制扭转角调整机构56及倾角调整机构58的动作，从而调整晶片W的扭转角及倾角。
并且，执行部68根据保持在存储部66的扫描参数而生成用于往复扫描离子束的控制波形并输出至射束扫描器26，以使离子束以规定扫描速度分布进行扫描。执行部68根据保持在存储部66的晶片移动速度参数与第2射束测量仪44的测定结果而使往复运动机构54动作，以使晶片W以所期望的移动速度进行往复运动。如此，执行部68根据在设置工序中确定的参数来使各设备动作，从而执行按照所设定的注入条件的离子注入工序。
对同一晶片连续实施注入条件不同的多个离子注入工序时，控制装置60在执行多个离子注入工序之前统一执行用于确定实现各注入条件的参数的“设置工序”。换言之，在多个离子注入工序期间切换注入条件时，不执行上述“设置工序”，而是通过读入事先统一确定的参数来切换注入条件。并且，在多个注入工序期间具有共同的注入条件或相关的注入条件时，直接沿用已确定的参数，或对已确定的参数实施规定的运算处理来计算用于其他注入工序的参数，由此缩短进行设置工序所需要的时间。
以下，举出具体例对这种设置工序进行说明。首先，对欲实施的多个离子注入工序的注入条件进行叙述，接着，对用于实现该注入条件的统一设置工序进行叙述。
[多个离子注入工序]
本实施方式中，通过对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序，实现对一片晶片进行所期望的离子注入处理。本实施方式中，对同一晶片执行4次注入条件不同的离子注入工序。各离子注入工序中，被设定为晶片的倾角成为非0度的相同角度，并且设定为晶片的扭转角成为互不相同的角度(例如，0度、90度、180度、270度)。并且，各离子注入工序中，设定为晶片面内的剂量分布成为所期望的不均匀形状，并以照射到晶片面内的每一区域的离子束的电流密度分布发生变化的方式设定各注入条件。
图8是示意地表示高倾角注入工序的图，表示晶片的倾角θ设定为非0度的角度时的注入工序。图8示出通过对在晶片处理面A形成有栅极80、漏极区域83及源极区域84的晶片W倾斜照射离子束B而向栅极80的下部注入离子来形成光晕注入区域85的状态。晶片的倾角θ以能够向栅极80的下部注入离子的方式被设定为数度以上，优选设定为十度以上。考虑晶片W的结晶性，该倾角θ被设定为与稍微倾斜晶片处理面A的注入处理相比角度θ更大。在本说明书中，将这种注入工序称为“高倾角注入工序”。这种“高倾角注入工序”如本实施方式那样可以为了形成光晕注入区域而进行，也可以以除此以外的目的进行。
图9(a)～图9(d)是示意地表示扭转角φ的变化的图。扭转角φ通过以形成有对准标记88的位置(切口位置)为基准旋转晶片W来进行调整。图9(a)表示以切口位置为基准扭转角φ成为规定角度φ0的状态，图9(b)～图9(d)表示以图9(a)的扭转角φ0为基准分别对扭转角φ仅改变90度、180度、270度的状态。并且，图9(a)～图9(d)中，将在晶片处理面形成有沿第1方向延伸的栅极81及沿与第1方向正交的第2方向延伸的栅极82的晶片W作为注入处理的对象。
图10(a)～图10(d)是示意地表示扭转角φ不同的高倾角注入工序的图，分别对应于图9(a)～图9(d)所示的晶片W。对晶片W设定倾角θ＝θ0，并且一边改变扭转角φ一边执行多次注入工序，由此能够在栅极的延伸方向互不相同的栅极81与栅极82两者的正下方形成光晕注入区域85a～85d。如图10(a)所示，以沿第1方向延伸的栅极81成为x方向的方式设定扭转角φ，由此与栅极81相邻并在栅极81的一侧形成第1光晕注入区域85a。并且，如图10(c)所示，通过使扭转角φ旋转180度，在栅极81的相反侧形成第3光晕注入区域85c。同样地，如图10(b)所示，以沿第2方向延伸的栅极82成为x方向的方式使扭转角φ旋转90度，由此与栅极82相邻并在栅极82的一侧形成第2光晕注入区域85b。并且，如图10(d)所示，通过使扭转角φ旋转270度，在栅极82的相反侧形成第4光晕注入区域85d。如此，通过一边改变扭转角φ一边实施高倾角注入工序，能够在沿不同方向延伸的栅极的两侧，即对应于漏极区域与源极区域这两者的位置形成光晕注入区域。
图11(a)～图11(d)是示意地表示将晶片处理面内的剂量分布设为不均匀形状的扭转角互不相同的高倾角注入工序的图，与上述图6(a)相同地示出将剂量分布作为目标值的情况。晶片处理面内的剂量分布形状以晶片W的对准标记88为基准进行设定，即使在各注入工序中变更扭转角的情况下，也以相对于对准标记88成为相同剂量分布形状的方式设定各注入条件。因此，如图11(a)～图11(d)所示，若晶片W旋转而扭转角发生变化，则从离子束观察的高剂量区域92的位置同样地改变为所旋转的位置。
在以下说明中，将与图11(a)～图11(d)对应的注入工序称为第1注入工序、第2注入工序、第3注入工序、第4注入工序。并且，将图11(a)的第1注入工序所涉及的注入条件称为第1注入条件，将图11(b)的第2注入工序所涉及的注入条件称为第2注入条件，将图11(c)的第3注入工序所涉及的注入条件称为第3注入条件，将图11(d)的第4注入工序所涉及的注入条件称为第4注入条件。
为了实现图11(a)～图11(d)所示的不均匀形状的剂量分布，在晶片处理面上设定多个区域，以可改变照射到各区域的离子束的射束电流密度分布的方式设定注入条件。更具体而言，如图6(a)所示，晶片处理面上的区域被分割成在晶片的往复运动方向上连续设定的多个长条状区域，如图6(b)～图6(d)所示，对多个区域的每一区域设定剂量分布的目标值。另外，上述图6(a)～图6(d)对应于第1注入工序的第1注入条件。在以下说明中，为了将图6(a)所示的区域Y11～Y14的每一区域与其他注入工序的区域进行区别，也称为第1注入工序的第1区域Y11、第1注入工序的第2区域Y12、第1注入工序的第3区域Y13、第1注入工序的第4区域Y14。
同样地，作为图11(b)所示的第2注入工序的第2注入条件，在晶片处理面上设定多个区域，并且设定各区域的剂量分布的目标值。图12(a)是示意地表示在第2注入工序中的晶片处理面上设定的多个区域Y21～Y24的图。图12(b)表示与第2注入工序的第1区域Y21及第4区域Y24对应的剂量分布，图12(c)表示与第2注入工序的第2区域Y22对应的剂量分布，图12(d)表示与第2注入工序的第3区域Y23对应的剂量分布。
并且，对图11(c)所示的第3注入工序同样地设定注入条件。图13(a)是示意地表示在第3注入工序中的晶片处理面上设定的多个区域Y31～Y34的图。图13(b)表示与第3注入工序的第1区域Y31及第4区域Y34对应的剂量分布，图13(c)表示与第3注入工序的第2区域Y32对应的剂量分布，图13(d)表示与第3注入工序的第3区域Y33对应的剂量分布。这些多个区域及各区域的剂量分布的目标值作为第3注入条件被预先设定。
而且，对图11(d)所示的第4注入工序同样地设定注入条件。图14(a)是示意地表示在晶片处理面上设定的多个区域Y41～Y44的图。图14(b)表示与第4注入工序的第1区域Y41及第4区域Y44对应的剂量分布，图14(c)表示与第4注入工序的第2区域Y42对应的剂量分布，图14(d)表示与第4注入工序的第3区域Y43对应的剂量分布。这些多个区域及各区域的剂量分布的目标值作为第4注入条件被预先设定。
另外，本实施方式所涉及的第1注入条件、第2注入条件、第3注入条件及第4注入条件中，关于1)离子种类、2)注入能量、3)射束电流量、4)射束电流密度设定相同条件。在变形例中，可以以这些条件中的至少一部分在注入工序期间不同的方式进行设定。
[射束设置工序]
接着，对用于实现从上述第1注入条件到第4注入条件的各条件的统一设置工序进行叙述。统一设置工序包括：第1设置工序，用于确定第1注入工序的各种参数；第2设置工序，用于确定第2注入条件的各种参数；第3设置工序，用于确定第3注入条件的各种参数；及第4设置工序，用于确定第4注入条件的各种参数。
第1设置工序包括：共同参数设定工序，确定作为第1注入条件而设定的各种条件中与对整个晶片而言共同的条件有关的参数；及多个区域的各区域参数设定工序，确定与按晶片处理面的区域设定的条件有关的参数。共同参数设定工序中，确定用于调整注入条件中1)离子种类、2)注入能量、3)射束电流、4)射束电流密度、7)倾角、8)扭转角的各种参数。各区域参数设定工序中，按区域确定扫描参数与晶片移动速度参数。
第1设置工序的各区域参数设定工序中，对图6(a)所示的多个区域Y11～Y14的每一区域确定扫描参数与晶片移动速度参数。图15(a)表示第1区域Y11的扫描参数，以照射到晶片处理面的离子束的射束电流密度分布成为与图6(b)所示的均匀的剂量分布对应的形状的方式进行确定。图15(b)表示第2区域Y12的扫描参数，以射束电流密度分布成为与图6(c)所示的不均匀的剂量分布对应的形状的方式进行确定。图15(c)表示第3区域Y13的扫描参数，以射束电流密度分布成为与图6(d)所示的不均匀的剂量分布对应的形状的方式进行确定。这些第1区域Y11、第2区域Y12及第3区域Y13的扫描参数根据沿射束扫描方向移动中心杯42而获得的射束电流密度分布的测定结果分别进行调整而确定。所确定的扫描参数保持在存储部66。
另一方面，第4区域Y14的扫描参数并不是根据射束电流密度分布的测定结果进行调整而确定的，而是直接沿用已确定的第1区域Y11的扫描参数作为第4区域Y14的扫描参数。这是因为作为目标的剂量分布在第1区域Y11与第4区域Y14中相同。因此，第4区域Y14的扫描参数成为图15(a)所示的扫描参数。由此，实质上能够省略第4区域Y14的各区域参数设定工序，能够缩短进行第1设置工序所需要的时间。
第1设置工序之后执行第2设置工序。第2设置工序的共同参数设定工序中，仅对与第1注入条件不同的条件进行参数调整。本实施方式中，上述注入条件中，由于只有8)扭转角不同，因此仅调整与8)扭转角有关的参数，对于与其他注入条件有关的参数直接沿用在第1设置工序中确定的参数。由此，缩短进行第2设置工序所需要的时间。
第2设置工序的各区域参数设定工序中，对图12(a)所示的多个区域Y21～Y24的每一区域确定扫描参数与晶片移动速度参数。图16(a)～图16(c)是示意地表示第2注入工序中的各区域的扫描参数的曲线图。图16(a)表示第2注入工序的第1区域Y21及第4区域Y24的扫描参数。该扫描参数与第1注入工序中的第1区域Y11的扫描参数相同，可直接沿用已确定的第1注入工序的第1区域Y11的扫描参数作为第2注入工序的第1区域Y21及第4区域Y24的扫描参数。由此，缩短进行第2设置工序所需要的时间。
另一方面，第2注入工序的第2区域Y22及第3区域Y23的剂量分布由于与第1注入工序的各区域Y11～Y14的剂量分布不一致，因此根据射束电流密度分布的测定结果分别进行调整而确定。图16(b)表示第2区域Y22的扫描参数，以射束电流密度分布成为与图12(c)所示的不均匀的剂量分布对应的形状的方式进行确定。图16(c)表示第3区域Y23的扫描参数，以射束电流密度分布成为与图12(d)所示的不均匀的剂量分布对应的形状的方式进行确定。所确定的扫描参数保持在存储部66。
第2设置工序之后执行第3设置工序。与第2设置工序同样地执行第3设置工序的共同参数设定工序。第3设置工序的各区域参数设定工序中，根据在第1设置工序中所确定的扫描参数，确定图13(a)所示的多个区域Y31～Y34的扫描参数。图13(c)所示的第3注入工序的第2区域Y32的剂量分布为与图6(d)所示的第1注入工序的第3区域Y13的剂量分布呈左右对称的形状，图13(d)所示的第3注入工序的第3区域Y33的剂量分布为与图6(c)所示的第1注入工序的第2区域Y12的剂量分布呈左右对称的形状。因此，能够通过利用对称性的运算处理，并根据第1注入工序的扫描参数来确定第3注入工序的扫描参数。在此，左右对称是指相对于沿晶片的往复运动方向延伸的直线呈线对称的形状。
图17(a)表示第3注入工序的第1区域Y31及第4区域Y34的扫描参数。该扫描参数与第1注入工序中的第1区域Y11的扫描参数相同，可直接沿用已确定的第1注入工序的第1区域Y11的扫描参数作为第3注入工序的第1区域Y31及第4区域Y34的扫描参数。
图17(b)表示第3注入工序的第2区域Y32的扫描参数。该扫描参数通过将图15(c)所示的第1注入工序的第3区域Y13的控制波形在时间轴上进行反转(左右反转)并且在电压轴上进行反转(上下反转)而得到。图17(c)表示第3注入工序的第3区域Y33的扫描参数。该扫描参数通过将图15(b)所示的第1注入工序的第2区域Y12的控制波形在时间轴上进行反转(左右反转)并且在电压轴上进行反转(上下反转)而得到。
因此，通过对第1注入工序的第3区域Y13及第2区域Y12的扫描参数实施规定运算处理，从而确定第3注入工序的第2区域Y32及第3区域Y33的扫描参数。如此，第3设置工序的各区域参数设定工序中，仅通过根据第1注入工序的扫描参数的规定运算处理，就能够确定第3注入工序的扫描参数。由此，能够缩短进行第3设置工序所需要的时间。
第3设置工序之后执行第4设置工序。与第3设置工序同样地执行第4设置工序，根据在第1设置工序或第2设置工序中所确定的扫描参数来确定第4注入工序的各区域的扫描参数。图18(a)表示第4注入工序的第1区域Y41及第4区域Y44的扫描参数。该扫描参数直接沿用第1注入工序中的第1区域Y11的扫描参数。
图18(b)表示第4注入工序的第2区域Y42的扫描参数。该扫描参数通过将图16(c)所示的第2注入工序的第3区域Y23的控制波形在时间轴上进行反转(左右反转)并且在电压轴上进行反转(上下反转)而得到。图18(c)表示第4注入工序的第3区域Y43的扫描参数。该扫描参数通过将图16(b)所示的第2注入工序的第2区域Y22的控制波形在时间轴上进行反转(左右反转)并且在电压轴上进行反转(上下反转)而得到。
如此，关于第4注入工序，也能够通过对第1注入工序或第2注入工序中的任一区域的扫描参数实施规定运算处理来确定第4注入工序的各区域的扫描参数。由此，能够缩短进行第4设置工序所需要的时间。
另外，关于根据已确定的扫描参数确定其他扫描参数的设定方法，作为预注条件的一部分由设定部62进行存储(登记)。例如，存储(登记)有沿用在第1设置工序中所确定的第1注入工序的第1区域Y11的扫描参数作为第2注入工序的第1区域Y21的扫描参数的设定方法。并且，存储有使用对在第1设置工序中所确定的第1注入工序的第3区域Y13的扫描参数实施规定的反转处理的扫描参数作为第3注入工序的第2区域Y32的扫描参数的设定方法。
对具有以上结构的离子注入装置10的动作进行说明。图19是表示离子注入装置10的动作过程的流程图。首先执行统一设置工序来确定从第1注入工序执行到第4注入工序时所需的各种参数(S10)。接着将成为注入处理对象的晶片搬入注入处理室16(S12)，对所搬入的晶片处理面执行第1注入工序(S14)。接着，通过读入第2注入工序的各种参数来切换注入条件而执行第2注入工序(S16)，切换为第3注入工序的注入条件而执行第3注入工序(S18)，切换为第4注入工序的注入条件而执行第4注入工序(S20)。若需要对下一晶片进行注入处理(S22的是)，则交换已处理完的晶片与处理前的晶片(S24)，重复S14～S22的工序。若无需对下一晶片进行注入处理(S22的否)，则从注入处理室16搬出已处理完的晶片(S26)，结束本流程。
根据本实施方式，对同一晶片连续实施注入条件不同的多个离子注入工序的情况下，也能够在开始对晶片进行注入处理之前预先统一确定与所有离子注入工序有关的各种参数。因此，即使在注入工序期间变更注入条件的情况下，变更时也无需实施设置工序，通过读入统一确定的参数，就能够实现注入条件的变更。其结果，与每次变更注入条件时都执行设置工序的情况相比，能够缩短对一片晶片进行注入处理时所需要的时间。并且，在连续执行对多片晶片的注入处理时，也能够依次读入已确定的参数而执行第二片以后的注入处理，因此也能够缩短对多片晶片进行注入处理时所需要的时间。从而，根据本实施方式，在一边改变扭转角一边利用剂量分布成为不均匀形状的多个注入工序而在晶片处理面内实施不均匀注入的情况下，也能够在维持高注入精度的状态下，抑制伴随注入条件的切换的生产率的下降。
根据本实施方式，在多个离子注入工序的晶片处理面内的目标剂量分布形状不同的情况下，各区域的剂量分布形状相同时，也可以将对任一区域确定的各种参数沿用于其他区域。因此，与对多个注入工序的各区域分别实施根据射束电流密度分布的测定结果的参数调整的情况相比，能够缩短进行设置工序所需要的时间。并且，在各区域的剂量分布形状不同的情况下，由于通过利用剂量分布的对称性的运算处理来求出各区域的扫描参数，因此也能够进一步缩短进行设置工序所需要的时间。由此，在利用多个注入工序而在晶片处理面内实施不均匀注入的情况下，也能够在维持高注入精度的状态下，进一步抑制伴随注入条件的切换的生产率的下降。
以上，参考上述各实施方式对本发明进行了说明，但本发明并不限定于上述各实施方式，对各实施方式的结构进行适当组合或置换的方式也包含于本发明中。并且，也可以根据本领域技术人员的知识，适当地重新排列各实施方式中的组合或处理顺序，或对实施方式加以各种设计变更等变形，施加这种变形的实施方式也可以包含在本发明的范围内。
上述实施方式中，示出以多个离子注入工序的倾角成为非0度的相互相同的角度的方式设定各注入条件的情况。在变形例中，多个离子注入工序的倾角为非0度，但也可以以成为相互不同的角度的方式设定各注入条件。并且，也可以针对一部分注入工序将倾角设为0度，将除此以外的注入工序的倾角设为非0度的角度。并且，也可以将多个离子注入工序的所有倾角设为0度。
若入射于晶片处理面的离子束的发散角较小，即朝向晶片处理面的离子束的平行度较高，则也许将倾角设为0度而变更扭转角也不会在注入区域的形成方式中产生那么大的差。具体而言，如图10(a)～图10(d)所示，也许难以产生如下影响，即通过变更扭转角而形成有光晕注入区域的部位发生变化。然而，照射到晶片处理面的离子束多少具有发散角，且在构成离子束的离子的行进方向上存在偏差。并且，也许构成离子束的离子的行进方向的偏差相对于射束行进方向不对称，因此有可能伴随扭转角的变更而在注入区域的形成方式中产生差。因此，即使将倾角设为0度的情况下，也需要在各扭转角的注入工序中精度良好地调整剂量分布形状。根据本实施方式，在这种条件下实施多个离子注入工序时，也能够在短时间内精度良好地确定用于实现各注入条件的各种参数，因此能够兼顾注入处理的质量与生产率。
上述实施方式中，示出在多种注入条件中按区域设定剂量分布的情况。在变形例中，关于其他种类的注入条件也可以按区域进行条件设定。例如，也可以按区域设定2)注入能量，并且按照照射有离子束的区域切换离子束的注入条件，从而执行注入工序。此时，在上述设置工序中包含的各区域参数设定工序中，确定用于按区域切换注入能量的能量调整机构的设定参数。
上述实施方式中，示出利用剂量分布的对称性并通过运算处理求出各区域的扫描参数的情况。在变形例中，能够通过对多个剂量分布的设定进行加减乗除来实现特定区域的剂量分布时，也可以进行将确定的多个扫描参数适当组合的运算处理而计算各区域的扫描参数。由此，在设定有不具有对称性的剂量分布时，也能够通过运算处理来确定各区域的扫描参数。
上述实施方式中，示出使用对离子束施加电场而进行扫描的电场式射束扫描器的情况。在变形例中，可以使用对离子束施加磁场而进行扫描的磁场式射束扫描器。此时，以通过磁场式射束扫描器扫描的离子束的扫描速度分布成为所期望的分布的方式在各区域参数设定工序中确定上述各区域的扫描参数。

Claims (18)

1.一种离子注入装置，其用于对同一晶片连续执行注入条件不同的多个离子注入工序，其特征在于，具备：
能量调整机构，能够调整离子束的注入能量；
射束扫描器，在规定扫描方向上往复扫描所述离子束；
测量仪，测定往复扫描的所述离子束的所述扫描方向的射束电流密度分布；
压板动作装置，保持晶片以使所述往复扫描的离子束照射到晶片处理面；及
控制装置，根据所述测量仪的测定结果，以所述射束电流密度分布成为在注入条件中设定的目标值的方式确定所述射束扫描器的扫描参数来执行各离子注入工序，
所述压板动作装置包括：往复运动机构，在与所述扫描方向正交的往复运动方向上使所述晶片进行往复运动；扭转角调整机构，以所述晶片处理面的法线为轴旋转所述晶片，从而调整设置于所述晶片的外周部的对准标记与基准位置之间的扭转角；及倾角调整机构，调整朝向所述晶片处理面的所述离子束的行进方向与所述晶片处理面的法线之间的倾角，
所述多个离子注入工序中，(a)以所述晶片的扭转角互不相同的方式设定各注入条件，(b)构成为对在所述往复运动方向上运动的所述晶片处理面照射所述往复扫描的离子束，并且(c)对应于所述晶片的所述往复运动方向的位置，以能够改变照射到所述晶片处理面的所述离子束的所述射束电流密度分布的目标值的方式设定各注入条件，
所述控制装置在对同一晶片连续执行所述多个离子注入工序之前执行设置工序，该设置工序中，统一确定作为所述多个离子注入工序的各注入条件而设定的与所述射束电流密度分布的多个目标值对应的多个扫描参数。
2.根据权利要求1所述的离子注入装置，其特征在于，
所述多个离子注入工序中，以所述晶片处理面内的剂量分布的目标值互不相同的方式确定各注入条件，
所述控制装置在所述设置工序中，统一确定用于实现作为所述多个离子注入工序的各注入条件而设定的所述晶片处理面内的剂量分布的所述往复运动机构的多个晶片移动速度参数。
3.根据权利要求1或2所述的离子注入装置，其特征在于，所述控制装置在所述设置工序中，统一确定用于实现作为所述多个离子注入工序的各注入条件而设定的注入能量的所述能量调整机构的设定参数。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个离子注入工序中，以所述晶片的倾角成为非0度的相互相同的角度的方式设定各注入条件。
5.根据权利要求1至3中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个离子注入工序中，以所述晶片的倾角成为0度的方式设定各注入条件。
6.根据权利要求1至5中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，
所述控制装置包括：设定部，接收所述多个离子注入工序的各注入条件的设定；确定部，根据所述设定部中设定的各注入条件来确定所述多个扫描参数；存储部，保持所述确定部所确定的所述多个扫描参数；及执行部，按照保持在所述存储部的所述多个扫描参数控制所述射束扫描器来执行所述多个离子注入工序，
所述确定部在所述设置工序中，根据所述测量仪的测定结果来统一确定所述多个扫描参数，并使所确定的多个扫描参数保持在所述存储部，
所述执行部在统一确定所述多个扫描参数之后，按照保持在所述存储部的所述多个扫描参数，对同一晶片连续执行所述多个离子注入工序。
7.根据权利要求6所述的离子注入装置，其特征在于，所述确定部根据所述测量仪的测定结果来确认所述多个扫描参数的每一参数是否适当，需要校正时校正所述扫描参数并保持在所述存储部。
8.根据权利要求6或7所述的离子注入装置，其特征在于，
所述设定部接收在所述晶片处理面上设定的多个区域中每一区域的剂量分布的设定来作为所述多个离子注入工序的各注入条件，
所述确定部在所述设置工序中，统一确定用于实现所述多个区域中每一区域的剂量分布的多个扫描参数。
9.根据权利要求8所述的离子注入装置，其特征在于，所述多个区域为在以所述多个离子注入工序的各注入条件中所设定的扭转角保持的晶片处理面上沿所述往复运动方向连续设定的多个长条状的区域。
10.根据权利要求8或9所述的离子注入装置，其特征在于，所述扫描参数确定照射到所述多个区域的每一区域的离子束的扫描速度分布。
11.根据权利要求8至10中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述确定部中，关于执行所述多个离子注入工序时所需的多个扫描参数的一部分，根据所述测量仪的测定结果来确认扫描参数是否适当，需要校正时校正所述扫描参数并保持在所述存储部，另一方面，关于所述多个扫描参数的剩余部分，根据保持在所述存储部的已确认的扫描参数来确定扫描参数并保持在所述存储部。
12.根据权利要求11所述的离子注入装置，其特征在于，所述确定部中，关于所述多个扫描参数的剩余部分，通过对保持在所述存储部的已确认的扫描参数实施规定运算处理，从而确定所述扫描参数。
13.根据权利要求11所述的离子注入装置，其特征在于，
所述多个离子注入工序包括第1注入工序及第2注入工序，
所述存储部保持第1扫描参数及第2扫描参数，所述第1扫描参数确定所述第1注入工序的照射到在晶片处理面上设定的所述多个区域之一的第1区域的离子束的扫描速度分布，所述第2扫描参数确定所述第2注入工序的照射到在晶片处理面上设定的所述多个区域之一的第2区域的离子束的扫描速度分布，
所述确定部根据所述测量仪的测定结果来确认所述第1扫描参数是否适当，需要校正时校正所述第1扫描参数并保持在所述存储部，另一方面，根据保持在所述存储部的所述第1扫描参数来确定所述第2扫描参数并保持在所述存储部。
14.根据权利要求13所述的离子注入装置，其特征在于，
在所述第2区域中设定的所述扫描方向的剂量分布与在所述第1区域中设定的所述扫描方向的剂量分布相同，
所述确定部沿用保持在所述存储部的所述第1扫描参数作为所述第2扫描参数。
15.根据权利要求13所述的离子注入装置，其特征在于，
在所述第2区域中设定的所述扫描方向的剂量分布为相对于沿所述往复运动方向延伸的直线与在所述第1区域中设定的所述扫描方向的剂量分布呈线对称的形状，
所述确定部通过对保持在所述存储部的所述第1扫描参数实施规定运算处理，从而确定所述第2扫描参数。
16.根据权利要求13至15中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，在所述第1区域中设定的所述扫描方向的剂量分布及在所述第2区域中设定的所述扫描方向的剂量分布为不均匀形状。
17.根据权利要求8至16中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述确定部在所述设置工序中，按所述多个区域统一确定所述往复运动机构的晶片移动速度参数。
18.根据权利要求8至17中任一项所述的离子注入装置，其特征在于，所述确定部在所述设置工序中，按所述多个区域统一确定所述能量调整机构的设定参数。
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