JP4155327B2 - イオン注入方法およびその装置 - Google Patents
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d1 =(2DB −DA )/n
d2 =DA /n
4 イオンビーム
20 走査器
22 走査電源
28 ホルダ
30 回転装置
32 駆動装置
36 制御装置
Claims (4)
- イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、前記基板にイオン注入を行うイオン注入方法において、
前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、前記基板の駆動速度を前記イオンビームのビーム電流密度に正比例するように制御しつつ、前記イオンビームの走査速度をステップ状に変化させて前記基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であって前記イオンビームが前記基板に当たっていない間に、前記基板をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施し、
かつ前記注入工程として、前記イオンビームの走査速度を、前記基板の一端から他端にかけて、第1の走査速度、当該第1の走査速度とは異なる第2の走査速度および前記第1の走査速度にステップ状に変化させる注入工程をn回(nは4以上の整数)実施すると共に、前記回転工程として、前記基板を360/n度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、前記基板の面内において、円形状の中央領域とそれを囲む円環状の外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成することを特徴とするイオン注入方法。 - イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査する走査装置と、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動する駆動装置とを備えていて、前記基板にイオン注入を行う構成のイオン注入装置において、
前記基板をその中心部を中心にして回転させる回転装置と、
前記走査装置、前記駆動装置および前記回転装置を制御して、前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、前記基板の駆動速度を前記イオンビームのビーム電流密度に正比例するように制御しつつ、前記イオンビームの走査速度をステップ状に変化させて前記基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であって前記イオンビームが前記基板に当たっていない間に、前記基板をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施する制御を行う制御装置とを備えており、
かつ前記制御装置は、前記注入工程として、前記イオンビームの走査速度を、前記基板の一端から他端にかけて、第1の走査速度、当該第1の走査速度とは異なる第2の走査速度および前記第1の走査速度にステップ状に変化させる注入工程をn回(nは4以上の整数)実施すると共に、前記回転工程として、前記基板を360/n度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、前記基板の面内において、円形状の中央領域とそれを囲む円環状の外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成する制御を行うことを特徴とするイオン注入装置。 - イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査することと、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動することとを併用して、前記基板にイオン注入を行うイオン注入方法において、
前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、前記基板の駆動速度を前記イオンビームのビーム電流密度に正比例するように制御しつつ、前記基板の駆動速度をステップ状に変化させて前記基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であって前記イオンビームが前記基板に当たっていない間に、前記基板をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施し、
かつ前記注入工程として、前記基板の駆動速度を、前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、第1の駆動速度、当該第1の駆動速度とは異なる第2の駆動速度および前記第1の駆動速度にステップ状に変化させる注入工程をn回(nは4以上の整数)実施すると共に、前記回転工程として、前記基板を360/n度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、前記基板の面内において、円形状の中央領域とそれを囲む円環状の外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成することを特徴とするイオン注入方法。 - イオンビームを電界または磁界によってX方向に往復走査する走査装置と、基板を前記X方向と実質的に直交するY方向に機械的に往復駆動する駆動装置とを備えていて、前記基板にイオン注入を行う構成のイオン注入装置において、
前記基板をその中心部を中心にして回転させる回転装置と、
前記走査装置、前記駆動装置および前記回転装置を制御して、前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、前記基板の駆動速度を前記イオンビームのビーム電流密度に正比例するように制御しつつ、前記基板の駆動速度をステップ状に変化させて前記基板にイオン注入を行う注入工程を複数回実施すると共に、この各注入工程の合間であって前記イオンビームが前記基板に当たっていない間に、前記基板をその中心部を中心にして所定の回転角度だけ回転させる回転工程をそれぞれ実施する制御を行う制御装置とを備えており、
かつ前記制御装置は、前記注入工程として、前記基板の駆動速度を、前記イオンビームが前記基板に入射する領域内で、第1の駆動速度、当該第1の駆動速度とは異なる第2の駆動速度および前記第1の駆動速度にステップ状に変化させる注入工程をn回(nは4以上の整数)実施すると共に、前記回転工程として、前記基板を360/n度ずつ回転させる回転工程を実施することによって、前記基板の面内において、円形状の中央領域とそれを囲む円環状の外周領域とでドーズ量の互いに異なるドーズ量分布を形成する制御を行うことを特徴とするイオン注入装置。
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