JP2013506301A5

JP2013506301A5 -

Info

Publication number: JP2013506301A5
Application number: JP2012531102A
Authority: JP
Filing date: 2010-09-27
Publication date: 2013-11-14
Anticipated expiration: 2030-09-27

Description

また、発明の名称および発明の概要は、便宜上、本明細書で提供されているものであり、特許請求の範囲を解釈するために用いられるべきものではない。さらに、要約書は、非常に簡潔に書かれており、便宜上提供されているものであるため、特許請求の範囲に記載された発明全体を解釈または限定するために用いられるべきではない。「セット（組）」という用語が用いられている場合には、かかる用語は、一般的に理解される数学的な意味を持ち、０、１、または、２以上の要素を網羅するよう意図されている。また、本発明の方法および装置を実施する他の態様が数多く存在することにも注意されたい。したがって、以下に示す特許請求の範囲は、本発明の真の趣旨および範囲内に含まれる代替物、置換物、および、等価物の全てを網羅するものとして解釈される。
適用例１：基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、上側電極と、下側電極と、一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、第１のガス流路および第２のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるために構成されている少なくとも１つのプランジャと、前記第１のガス流路は、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成され、前記第２のガス流路は、前記下側電極と前記単一の一体化リング装置との間に形成されていること、を備える、装置。
適用例２：適用例１に記載の装置であって、前記第２のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の下面と前記下側電極の上面との間に形成され、前記一体化閉じ込めリング装置の前記下面の幅の少なくとも一部が、前記下側電極の前記上面と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第２のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例３：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記第２のガス流路が前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記下側電極の右側壁との間に形成されるように、前記上側電極から前記下側電極の上面よりも下方まで伸びており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第２のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
適用例４：適用例１に記載の装置であって、前記第１のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記上側電極の右側壁との間に形成され、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
適用例５：適用例１に記載の装置であって、前記第１のガス流路は、前記上側電極の第１の突起部と前記一体化閉じ込めリング装置の第２の突起部との間に形成され、前記第２の突起部の少なくとも一部は前記第１の突起部と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例６：適用例１に記載の装置であって、前記第１のガス流路が前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されるように、前記上側電極の右側壁の少なくとも一部が第１の角度で傾斜されると共に、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁の少なくとも一部が第２の角度で傾斜されており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例７：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は単一のリングで構成されている、装置。
適用例８：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、各構成要素が互いに対して移動できないように一体化された複数の構成要素で構成されている、装置。
適用例９：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料から形成されている、装置。
適用例１０：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、導電材料から形成されている、装置。
適用例１１：適用例１に記載の装置であって、前記プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理システムである、装置。
適用例１２：適用例１に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を少なくとも監視および安定化するよう構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
適用例１３：適用例１２に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力に関する処理データを収集するよう構成されている１組のセンサを備える、装置。
適用例１４：適用例１３に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、精密垂直移動装置を備え、前記精密垂直移動装置は、前記１組のセンサのから前記処理データを受信し、前記処理データを分析し、前記単一の一体化リング装置の新たな位置を決定するために少なくとも構成されている、装置。
適用例１５：適用例１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、１組のスロットを有し、前記１組のスロットの内の各スロットは、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための追加の流路を提供するために構成され、前記各スロットの効果は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直に移動させることによって変更される、装置。
適用例１６：基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、上側電極と、下側電極と、一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を制御するために少なくとも構成されたバルブと、を備える、装置。
適用例１７：適用例１６に記載の装置であって、第１のガス流路が、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第１のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための第１の経路を提供する、装置。
適用例１８：適用例１７に記載の装置であって、第２のガス流路が、前記下側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第２のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域から前記ガスを排出するための第２の経路を提供する、装置。
適用例１９：適用例１６に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を監視および安定化するよう少なくとも構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
適用例２０：適用例１６に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料および導電材料の少なくとも一方から形成される、装置。

Claims

基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
第１のガス流路および第２のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるために構成されている少なくとも１つのプランジャと、前記第１のガス流路は、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成され、前記第２のガス流路は、前記下側電極と前記単一の一体化閉じ込めリング装置との間に形成されていること、
を備える、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記第２のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の下面と前記下側電極の上面との間に形成され、前記一体化閉じ込めリング装置の前記下面の幅の少なくとも一部が、前記下側電極の前記上面と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第２のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記第２のガス流路が前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記下側電極の右側壁との間に形成されるように、前記上側電極から前記下側電極の上面よりも下方まで伸びており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第２のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記第１のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記上側電極の右側壁との間に形成され、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記第１のガス流路は、前記上側電極の第１の突起部と前記一体化閉じ込めリング装置の第２の突起部との間に形成され、前記第２の突起部の少なくとも一部は前記第１の突起部と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記第１のガス流路が前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されるように、前記上側電極の右側壁の少なくとも一部が第１の角度で傾斜されると共に、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁の少なくとも一部が第２の角度で傾斜されており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第１のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は単一のリングで構成されている、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、各構成要素が互いに対して移動できないように一体化された複数の構成要素で構成されている、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料から形成されている、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、導電材料から形成されている、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理システムである、装置。
請求項１に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を少なくとも監視および安定化するよう構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
請求項１２に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力に関する処理データを収集するよう構成されている１組のセンサを備える、装置。
請求項１３に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、精密垂直移動装置を備え、前記精密垂直移動装置は、
前記１組のセンサのから前記処理データを受信し、
前記処理データを分析し、
前記単一の一体化閉じ込めリング装置の新たな位置を決定するために少なくとも構成されている、装置。
請求項１に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、１組のスロットを有し、前記１組のスロットの内の各スロットは、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための追加の流路を提供するために構成され、前記各スロットの効果は、前記少なくとも１つのプランジャを垂直に移動させることによって変更される、装置。
基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を制御するために少なくとも構成されたバルブと、
を備える、装置。
請求項１６に記載の装置であって、第１のガス流路が、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第１のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための第１の経路を提供する、装置。
請求項１７に記載の装置であって、第２のガス流路が、前記下側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第２のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域から前記ガスを排出するための第２の経路を提供する、装置。
請求項１６に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を監視および安定化するよう少なくとも構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
請求項１６に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料および導電材料の少なくとも一方から形成される、装置。