JP6204940B2 - 一体化閉じ込めリング装置およびその方法 - Google Patents
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Description
制御可能なギャップのコンダクタンス〜(C*Dn)/L (式1)
C=定数(ガスの分子量、温度などの関数)
D=排ガスを排出するためのチャネルの幅
L=排ガスを排出するためのチャネルの長さ
n=排ガスを排出するためのチャネル(スロットなど)の数
適用例1:基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
第1のガス流路および第2のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるために構成されている少なくとも1つのプランジャと、前記第1のガス流路は、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成され、前記第2のガス流路は、前記下側電極と前記単一の一体化リング装置との間に形成されていること、
を備える、装置。
適用例2:適用例1に記載の装置であって、前記第2のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の下面と前記下側電極の上面との間に形成され、前記一体化閉じ込めリング装置の前記下面の幅の少なくとも一部が、前記下側電極の前記上面と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第2のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例3:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記第2のガス流路が前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記下側電極の右側壁との間に形成されるように、前記上側電極から前記下側電極の上面よりも下方まで伸びており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第2のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
適用例4:適用例1に記載の装置であって、前記第1のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁と前記上側電極の右側壁との間に形成され、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の長さを調節することによって実行される、装置。
適用例5:適用例1に記載の装置であって、前記第1のガス流路は、前記上側電極の第1の突起部と前記一体化閉じ込めリング装置の第2の突起部との間に形成され、前記第2の突起部の少なくとも一部は前記第1の突起部と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例6:適用例1に記載の装置であって、前記第1のガス流路が前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されるように、前記上側電極の右側壁の少なくとも一部が第1の角度で傾斜されると共に、前記一体化閉じ込めリング装置の左側壁の少なくとも一部が第2の角度で傾斜されており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
適用例7:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は単一のリングで構成されている、装置。
適用例8:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、各構成要素が互いに対して移動できないように一体化された複数の構成要素で構成されている、装置。
適用例9:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料から形成されている、装置。
適用例10:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、導電材料から形成されている、装置。
適用例11:適用例1に記載の装置であって、前記プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理システムである、装置。
適用例12:適用例1に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を少なくとも監視および安定化するよう構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
適用例13:適用例12に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力に関する処理データを収集するよう構成されている1組のセンサを備える、装置。
適用例14:適用例13に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、精密垂直移動装置を備え、前記精密垂直移動装置は、
前記1組のセンサのから前記処理データを受信し、
前記処理データを分析し、
前記単一の一体化リング装置の新たな位置を決定するために少なくとも構成されている、装置。
適用例15:適用例1に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、1組のスロットを有し、前記1組のスロットの内の各スロットは、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための追加の流路を提供するために構成され、前記各スロットの効果は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直に移動させることによって変更される、装置。
適用例16:基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
一体化閉じ込めリング装置と、前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を制御するために少なくとも構成されたバルブと、
を備える、装置。
適用例17:適用例16に記載の装置であって、第1のガス流路が、前記上側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第1のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための第1の経路を提供する、装置。
適用例18:適用例17に記載の装置であって、第2のガス流路が、前記下側電極と前記一体化閉じ込めリングとの間に形成され、前記第2のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域から前記ガスを排出するための第2の経路を提供する、装置。
適用例19:適用例16に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を監視および安定化するよう少なくとも構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
適用例20:適用例16に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料および導電材料の少なくとも一方から形成される、装置。
Claims (14)
- 基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
単一のリングで構成されている一体化閉じ込めリング装置と、を備え、
前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
前記装置はさらに、
前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第1のガス流路と、
前記下側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第2のガス流路と、
前記第1のガス流路および前記第2のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるように構成されている少なくとも1つのプランジャであって、前記第1のガス流路を調節する際には前記第1のガス流路の幅を調節し、前記第2のガス流路を調節する際には前記第2のガス流路の幅を調節する、少なくとも1つのプランジャと、
を備える、装置。 - 請求項1に記載の装置であって、前記第2のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の下面と前記下側電極の上面との間に形成され、前記一体化閉じ込めリング装置の前記下面の幅の少なくとも一部が、前記下側電極の前記上面と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第2のガス流路の幅を調節することを含む、装置。
- 請求項1または請求項2に記載の装置であって、前記第1のガス流路は、前記一体化閉じ込めリング装置の内側壁と前記上側電極の外側壁との間に形成されている、装置。
- 請求項1または請求項2に記載の装置であって、前記上側電極は、前記一体化閉じ込めリング装置に向かって伸びる第1の突起部を有し、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記上側電極に向かって伸びる第2の突起部を有し、前記第2の突起部の少なくとも一部は前記第1の突起部との間に前記第1のガス流路としてのギャップを形成するために前記第1の突起部と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。
- 基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
単一のリングで構成されている一体化閉じ込めリング装置と、を備え、
前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
前記装置はさらに、
前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第1のガス流路と、
前記下側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第2のガス流路と、
前記第1のガス流路および前記第2のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるように構成されている少なくとも1つのプランジャであって、前記第1のガス流路を調節する際には前記第1のガス流路の長さおよび幅の少なくとも一方を調節し、前記第2のガス流路を調節する際には前記第2のガス流路の長さおよび幅の少なくとも一方を調節する、少なくとも1つのプランジャと、を備え、
前記上側電極は、前記一体化閉じ込めリング装置に向かって伸びる第1の突起部を有し、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記上側電極に向かって伸びる第2の突起部を有し、前記第2の突起部の少なくとも一部は前記第1の突起部との間に前記第1のガス流路としてのギャップを形成するために前記第1の突起部と重なっており、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。 - 基板の処理中にプラズマ処理システムの処理チャンバ内で圧力制御を実行するための装置であって、
上側電極と、
下側電極と、
単一のリングで構成されている一体化閉じ込めリング装置と、を備え、
前記上側電極、前記下側電極、および、前記一体化閉じ込めリング装置は、閉じ込めチャンバ領域を囲むために少なくとも構成され、前記閉じ込めチャンバ領域は、基板処理中に前記基板をエッチングするためにプラズマを支持することが可能であり、前記一体化閉じ込めリング装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内に前記プラズマを閉じ込めるために構成されており、
前記装置はさらに、
前記上側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第1のガス流路と、
前記下側電極と前記一体化閉じ込めリング装置との間に形成されている第2のガス流路と、
前記第1のガス流路および前記第2のガス流路の少なくとも一方を調節して前記圧力制御を実行するために前記一体化閉じ込めリング装置を垂直方向に移動させるように構成されている少なくとも1つのプランジャであって、前記第1のガス流路を調節する際には前記第1のガス流路の長さおよび幅の少なくとも一方を調節し、前記第2のガス流路を調節する際には前記第2のガス流路の長さおよび幅の少なくとも一方を調節する、少なくとも1つのプランジャと、
を備え、
前記上側電極の外側壁の少なくとも一部は第1の角度の第1の傾斜を有し、前記一体化閉じ込めリング装置の内側壁の少なくとも一部は第2の角度の第2の傾斜を有し、前記第1のガス流路は前記第1の傾斜と前記第2の傾斜との間に形成され、前記閉じ込めチャンバ領域内の前記圧力制御は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直方向に移動させて前記第1のガス流路の幅を調節することによって実行される、装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか一項に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、1組のスロットを有し、前記1組のスロットの内の各スロットは、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための追加の流路を提供するために構成され、前記各スロットの効果は、前記少なくとも1つのプランジャを垂直に移動させることによって変更される、装置。
- 請求項1から請求項7のいずれか一項に記載の装置であって、前記第1のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための第1の経路を提供し、前記第2のガス流路は、前記閉じ込めチャンバ領域からガスを排出するための第2の経路を提供する、装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、誘電材料から形成されている、装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の装置であって、前記一体化閉じ込めリング装置は、導電材料から形成されている、装置。
- 請求項1から8のいずれか一項に記載の装置であって、前記プラズマ処理システムは、容量結合プラズマ処理システムである、装置。
- 請求項1から11のいずれか一項に記載の装置であって、さらに、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力を少なくとも監視および安定化するよう構成されている自動フィードバック装置を備える、装置。
- 請求項12に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、前記閉じ込めチャンバ領域内の圧力に関する処理データを収集するよう構成されている1組のセンサを備える、装置。
- 請求項13に記載の装置であって、前記自動フィードバック装置は、精密垂直移動装置を備え、前記精密垂直移動装置は、
前記1組のセンサから前記処理データを受信し、
前記処理データを分析し、
前記一体化閉じ込めリング装置の新たな位置を決定するために少なくとも構成されている、装置。
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