JP2013501928A - 電流センサー配列 - Google Patents
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Abstract
電流センサー配列が、中心点の周囲に配置された複数のセンサー素子を備え、各センサー素子が、均一な磁場に対するゼロ感度の面を有する。第一センサー素子(202)が、中心点に対して、第二の、隣接するセンサー素子(204)から第一角度分離(X1)を有し、及び、中心点に対して、第三の、隣接するセンサー素子(206)から第二角度分離(X2)を有する。第一角度分離が、第二角度分離よりも小さい。第一及び第三センサー素子の面の切片(I13)が、中心点並びに第一及び第三センサー素子によって形成された三角形の外側に位置し、及び第一及び第二センサー素子の面の切片(I12)が、中心点並びに第一及び第二センサー素子によって形成された三角形の内側に位置する。
Description
この発明は、中心点の周囲に配置された複数のセンサー素子を備えたセンサー配列に関する。
配電の分野において、導体を通して流れる電流を測定することが出来ることは有用である。しばしば、これらの導体は、接地に対して、高電位で操作され、従って、直接的な電気接続を有することなく測定を行うことは有利である。
変流器を使用し、このような測定を行うことが可能である。測定される導体(主導体)内の電流と第二導体内の電流とを結合させるために、このようなデバイスが、磁気回路を使用する。典型的には、この磁気回路が、その周囲に巻かれた導体コイル(二次導体)を有する強磁性材料のヨークから構成される。
この種の電流センサーには、多数の欠点が存在する。二次回路内のインピーダンス、主導体内の非−時間可変電流の存在、または外部から印加された磁場の存在のいずれかの結果として、磁気回路が飽和しうる。これらの条件のいずれかが、結果として、電流センサーの正確性を失わせる。さらに、磁気回路内のヒステリシスが、低い操作電流での非−線形センサー応答をもたらす。
最新の電流センサーが、主導体が通過する中心のキャビティの周囲に均一な間隔で配置された表面コイルを使用して構成されることが可能である。これらは、ロゴスキー(Rogowski)センサーとして知られている。ロゴスキーセンサーが、磁心よりもむしろ空心を備える。表面コイルが、例えば、エッチングまたはプリント回路基板技術を使用することにより基板上に設けられた導体の一つまたはそれ以上の巻き(turn)を含む。主導体に起因しない磁場の良好な排除を達成するために、表面コイルが、主導体が通過するキャビティの中心軸に対して放射状である軸上に極めて正確に位置合わせされる。このようなセンサーが、特許文献1に記載されている。
図1Aは、当業界において周知であるような変流器10の略図である。変流器10が、以下のセンサー配列10とほとんど同じ意味として見なされる。変流器10が使用される場合に主導体100が通過する中心点の周囲に配置された複数のセンサー素子102−1から102−6を、変流器10が備える。各センサー素子102が、基板106上に設けられた導体材料104の一つまたはそれ以上の巻きを備える。単一のセンサー素子102が、図1Bに示されている。
基板104、及び従って、センサー素子102も、中心点と放射状に位置合わせされる。磁場がそれを通過する場合に、電流(本願明細書において信号とも称される)が、センサー素子102内で誘導されるように、各センサー素子102が、構成される。第一方向に通過する磁場に起因して誘導された信号が、正であり、一方、第二の反対方向に通過する磁場により誘導された信号が、負である。主導体に起因する円形の磁場が、各センサー素子102内に誘導される同じサインの信号を生じるように、センサー配列10を構成する複数のセンサー素子102が、配置される。このように、各センサー素子102からの信号が、他のセンサー素子102の信号と組み合わせられる。図1Aにおいて、紙面方向に(in a direction into the page)電流が主導体を通して流れ、時計回り方向に円形の磁場を生じる(点線及び矢印によって示される)。
図1Aに示されるようなセンサー配列が、センサー素子の正確な放射状の位置合わせ、中心の周囲のセンサー素子の等間隔、及び各センサー配列が、他のものと同じ構成を有するという事実により、良好な遠距離場性能(すなわち、主導体に起因しない場の高レベルな排除)を示す。
特許文献1が、図1Aと同様なセンサー配列を説明する。従来の導体とレトロフィット可能(retro−fittable)であるように、特許文献1のセンサー配列が、適合される。主導体が、それらの間を通過できるように、これが、機械的ヒンジシステムを含み、これにより、センサー素子が、一時的に分離されることが可能である。
本発明は、移動部を必要とせず、従って、この従来技術の配列のよりも、製造が安価であり、機械の故障が少ない傾向があるレトロフィット可能なセンサー配列を提供する。
本発明の第一態様は、中心点の周囲に配置された複数のセンサー素子を備えたセンサー配列を提供し、各々のセンサー素子が、均一な磁場に対するゼロ感度の面を有し、センサー素子の第一センサー素子が、中心点に対して、第二の、隣接するセンサー素子から第一角度分離を有し、及び、中心点に対して、第三の、隣接するセンサー素子から第二角度分離を有し、第一角度分離が、第二角度分離よりも小さく、
第一及び第三センサー素子の面の切片が、中心点並びに第一及び第三センサー素子によって形成された三角形の外側に位置し、第一及び第二センサー素子の面の切片が、中心点並びに第一及び第二センサー素子によって形成された三角形の内側に位置する。
第一及び第三センサー素子の面の切片が、中心点並びに第一及び第三センサー素子によって形成された三角形の外側に位置し、第一及び第二センサー素子の面の切片が、中心点並びに第一及び第二センサー素子によって形成された三角形の内側に位置する。
第一から第三センサー素子が、各々、:
第一角度分離と第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、ここで、Nが、センサー素子の数であり;及び
通常は中心点に向かって伸びるセンサー素子の面内のベクトルと、各々のセンサー素子の中心から直接的に中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(第二角度分離から第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を正確に満たすように設けられてよい。
第一角度分離と第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、ここで、Nが、センサー素子の数であり;及び
通常は中心点に向かって伸びるセンサー素子の面内のベクトルと、各々のセンサー素子の中心から直接的に中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(第二角度分離から第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を正確に満たすように設けられてよい。
第一から第三センサー素子が、各々、:
第一角度分離と第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、ここで、Nが、センサー素子の数であり;及び
通常は中心点に向かって伸びるセンサー素子の面内のベクトルと、各々のセンサー素子の中心から直接的に中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(第二角度分離から第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を実質的に満たすように設けられてよい。
第一角度分離と第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、ここで、Nが、センサー素子の数であり;及び
通常は中心点に向かって伸びるセンサー素子の面内のベクトルと、各々のセンサー素子の中心から直接的に中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(第二角度分離から第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を実質的に満たすように設けられてよい。
第一センサー素子が、第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子とを備えてよく、該第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子と、の各々が、第一センサー素子のゼロ感度の面を含むゼロ感度の同じ面を有し、使用される場合に、第一センサー素子の位置が、第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子と、によって形成された対応する双極子の位置によって構成される。
センサー配列が、対になって配置された複数のセンサー素子を備えてよく、各対のセンサー素子間の角度分離が、該対のセンサー素子の一方と、隣接する対のセンサー素子の最も近いセンサー素子との間の角度分離よりも小さい。
本発明の実施形態が、例として、添付の図面を参照しつつ、これから説明される。
上記図面及び以下に記載する実施形態において、全体にわたって、同様な参照符号は、同様な要素を参照する。
図2Aは、本発明の第一実施形態によるセンサー配列20を示す。
本発明の第一実施形態によるセンサー配列20が、図1Bに図示されたものと同様であってよい複数のセンサー素子202、204、206等を含む。センサー素子202、204、206等が、中心点の周囲に配置される。センサー配列20が、紙面に実質的に垂直な方向に中心点付近を通過する主導体を流れる電流を検出するように操作可能である。各センサー素子202、204、206等は、センサー素子202、204、206等を通過する面に平行である均一な磁場に対する感度がゼロである。以下において、これらの面は、均一な磁場に対するゼロ感度の面、または単純にゼロ感度の面と呼ばれる。
本発明者は、図1Aの従来技術のセンサー配列によって示されるものに相当する遠距離場性能を達成しつつ、センサー素子202、204、206等が、不等間隔位置の中心点の周囲に配置されることが可能であることを発見した。しかしながら、これを達成するために、センサー素子202、204、206等の位置及び位置合わせが、コイルである場合、特定の関係に従って通常は調節されなければならない。
図2Aにおいて、点線が、図1Aの従来技術のセンサー配列10のセンサー素子102がそれ上に位置していた等しい角度分離を有する放射軸を表す。第一実施形態による配列20の各センサー素子202、204、206等が、従来技術のセンサー10のセンサー素子102の等間隔の位置からずらされていることが図2Aから分かる。センサー素子202、204、206等の位置が、従来技術のセンサー配列10のその各位置からシフトされる角度が、以下において、シフト角Xsと呼ばれる。
図1Aの従来技術の配列10において、センサー素子102のゼロ感度の面が、中心点から伸びる放射軸と整列されるように、各センサー素子102が、配置される。換言すると、それ上にセンサー素子が設けられる基板の面が、従来技術の配列10の中心点に対して放射状である。
図2Aのセンサー配列において、しかしながら、センサー素子202、204、206等が、それらが位置する放射軸に位置合わせされない。換言すると、センサー素子のゼロ感度の面が、その中心がある放射軸に対して傾斜する。この実施例において、それ上にセンサー素子が設けられる基板の面が、ゼロ感度の面と同じである。言い換えれば、センサー素子が、ゼロ感度の面と同じである面を有する。結果として、この実施例において、それ上にセンサー素子が設けられる基板の面が、その中心がある放射軸に対して傾斜する。通常(または、ほとんどが)、中心点の方を指すセンサー素子202、204、206等のゼロ感度の面内のベクトルと、放射軸と位置合わせされ、中心点の方を指すベクトルと、の間の角度が、以下において、傾斜角XTと呼ばれる。
従来技術の配列10と同じ遠距離場性能レベルを維持する、N−センサー配列における、センサー素子202、204、206等の位置と方向との間の一般的関係が、以下において、第一センサー素子202、第二センサー素子204及び第三センサー素子206と称される3つの隣接するセンサー素子を参照して記載されることが可能である。
図2Aにおいて示されるように、中心点に対する第一角度分離X1だけ、第一センサー素子202が、第二センサー素子204から分離される。中心点に対する第二角度分離X2だけ、第一センサー素子202が、第三センサー素子206から分離される。
センサー配列20において、以下の3つの基準が当てはまる。これらの基準を満たすことで、センサー配列20が、従来技術のセンサー配列10と同じ遠距離場性能レベルを示すことが可能になる。
1)第二角度分離X2が、第一角度分離X1よりも大きい;
2)第一及び第三センサー素子のゼロ感度の面の切片I13が、中心点並びに第一及び第三センサー素子202、206(の中心点)によって形成された三角形の外側に位置する;及び
3)第一及び第二センサー素子202、204のゼロ感度の面の切片I12が、中心点並びに第一及び第二センサー素子202、204(の中心点)によって形成された三角形の内側に位置する。
1)第二角度分離X2が、第一角度分離X1よりも大きい;
2)第一及び第三センサー素子のゼロ感度の面の切片I13が、中心点並びに第一及び第三センサー素子202、206(の中心点)によって形成された三角形の外側に位置する;及び
3)第一及び第二センサー素子202、204のゼロ感度の面の切片I12が、中心点並びに第一及び第二センサー素子202、204(の中心点)によって形成された三角形の内側に位置する。
言い換えると、3つの上記基準は以下のとおりである:
1)第二角度分離X2が、第一角度分離X1よりも大きい;
2)通常、中心点に向かって伸びる第一センサー素子202の面内のベクトルと、通常、中心点に向かって伸びる第二センサー素子204の面内のベクトルと、の間の角XT12が、第一角度分離X1よりも大きい;及び
3)通常、中心点に向かって伸びる第一センサー素子202の面内のベクトルと、通常、中心点に向かって伸びる第三センサー素子206の面内のベクトルと、の間の角XT13が、第二角度分離X2よりも小さい。
1)第二角度分離X2が、第一角度分離X1よりも大きい;
2)通常、中心点に向かって伸びる第一センサー素子202の面内のベクトルと、通常、中心点に向かって伸びる第二センサー素子204の面内のベクトルと、の間の角XT12が、第一角度分離X1よりも大きい;及び
3)通常、中心点に向かって伸びる第一センサー素子202の面内のベクトルと、通常、中心点に向かって伸びる第三センサー素子206の面内のベクトルと、の間の角XT13が、第二角度分離X2よりも小さい。
さらに具体的及び最適には、傾斜角XTとシフト角XSとの間の関係が、
XT=N×XS/2 [等式1]
によって与えられる。ここで、Nが、センサー素子の数であり、この実施例において6である。
XT=N×XS/2 [等式1]
によって与えられる。ここで、Nが、センサー素子の数であり、この実施例において6である。
傾斜角XTが、第一及び第二角度分離X1、X2(上記基準が満たされると仮定する)に関連して定義されることも可能であり、以下のように示されることが可能である:
XT=N×(X2−X1)/8 [等式2]
XT=N×(X2−X1)/8 [等式2]
シフト角XSと傾斜角XTとの適用により、2つの隣接するセンサー素子202、206の間の距離を、従来技術における図1Aの等間隔のセンサー配列の2つの隣接するセンサー素子102の間の距離に対して、大きくすることが可能である。これは、図2Bにおいて最も明確に理解されることが可能であり、ここで、第一実施形態の配列20の第一及び第三センサー素子202、206に対応する従来技術の配列10のセンサー素子102が、第一実施形態の配列20とともに示される(破線)。従来技術のセンサー素子102間の距離A1が、第一実施形態の配列20の第一及び第三センサー素子202、206間の距離A2よりも明らかに小さい。結果として、本発明により、センサーデバイスが、移動部を有さず、主導体内を流れる電流を遮る必要なく、導体(通常は絶縁される)に適用されることが可能であるように構成されることを可能にする。
図3A及び3Bが、各々、本発明の第一実施形態によるセンサーデバイス300の平面−及び側面−図を図示する。
デバイスが、図2A及び図2Bに示されたセンサー配列を備える。センサー素子202、204、206等の配列が、リジットフレーム(rigid frame)302内に設けられる。リジットフレームが、上部及び底部302−1、302−2を含み、例えば、フレームの上部302−1から底部302−1を通過するプラスチックボルトまたはボルト(複数)(図示しない)を使用して、共に結合されてよい。センサー素子202、204、206等の基板の端部を支持するために、フレーム302が、上部及び底部302−1、302−2の内面に形成されたスロットを有してよい。あるいは、基板ボードの端部が、フレームの上部及び底部302−1、302−2の内面に対して保持される。代替の実施形態によると、基板が、インサート成形(insert moulded)される。図3A及び3Bのセンサーデバイスが、基板上に設けられた信号調整部品(図示しない)を備えてもよい。
使用される場合、導体がAで示される開口部を通過するまで、図3のデバイスが対象の導体に向かって移動され、その導体を流れる電流が測定される。導体に起因する磁場が、センサー素子202、204、206等内に誘導される信号を生じ、導体を流れる電流が測定されることを可能にする。導体がセンサー素子によって囲まれる体積内であるようにデバイス300を支持することにより、導体内を流れる電流を正確に測定するために、デバイス300が、使用されることが可能である。
あるいは、それらの傾斜角が上記の基準からわずかにそれるように、センサー素子が位置することが可能である。上記の基準からのずれが、遠距離場性能を低減させる。しかしながら、多くの場合において、製造が単純かつ安価である設計を有することから生じる利点が、わずかな性能の低下よりも重要である。有利には、上記の基準が、設計を満たす。あるいは、角度の基準が、相対的にわずかにずらされてもよい。この場合、ずれから生じる性能の変化を補うように、付加的な設計特性が含まれてよい。
図4が、本発明の第二実施形態によるセンサー配列を図示する。この実施形態において、上記の全ての基準が満たされるわけではない。
図4のセンサー配列40が、8つのセンサー素子を備える(図上のハッシュ化領域によって示される)。図2Aを参照して記載された関係に正確にまたはこれに近い関係に従い、これらが、互いに関連して配置され、中心点に対して位置合わせされる。
2つの延在する基板部材402−1、402−1の各々の上に、2つのセンサー素子が設けられる。1つのセンサー素子が、4つの小さな基板部材404−1、404−2、404−3、404−4の各々の上に設けられる。円形の磁場に起因して誘導された信号が、互いに合わさるように、センサー素子が配置される。
2つの延在する基板部材402−1、402−2が、実質的に、互いに平行に配置される。2つの小さな基板部材404−1、404−4が、第一面にあり、他の2つの小さな基板部材404−2、404−3が、第二面にある。第一面及び第二面が、実質的に、互いに平行であり、実質的に、延在する基板部材402−1、402−2の面に垂直である。単一基板上に2つのセンサー素子を設けることにより、センサー配列40の容易かつさらに正確な位置合わせ及び製造が可能になる。
図5Aが、延在する基板部材402及び小さな基板部材404の実施例を示す。
延在する基板ボードが、各端部に、導体の一つまたはそれ以上の巻きを備え、センサー素子402−A、402−Bを形成する。延在するセンサー部材上のセンサー素子402−A、402−Bが、反対に−構成される(すなわち、反対にコイル状にされ、または巻かれる)。そのため、2つのセンサー素子間の正味の信号がゼロであるように、延在するセンサー部材を通過する均一(または遠距離)場に起因してセンサー素子402−A、402−B内に誘導された信号が、キャンセルする。
小さな基板ボードが、実質的に、図1Bを参照して記載されたようなものであってよい。
遠距離場性能を維持する従来技術の等間隔の放射状の配列に関連する(図2A及び2Bを参照して記載され、図4の配列によって示されるような)センサー素子の傾斜及び移動が、検出体積にわたって提供される導体100を通して流れる電流に対する感度の均一性を低下させる。しかしながら、これは、付加的なセンサー素子をセンサー配列内に導入することにより補正されることが可能である。
図5Bは、付加的なセンサー素子500を備える図4の実施形態の延在する基板ボードの1つを示す。主なセンサー素子402−A及び402−Bに付加される付加的なセンサー素子500が、感度の均一性を補正する効果を有する。この態様が、同一出願人について、本出願とともに同日付で出願された同時係属出願において説明され及び特許請求の範囲に記載されており、その内容が、参照により組み込まれる。
付加的なセンサー素子500が、主なセンサー素子402−A、402−Bによって提供される双極子の位置を移動させる効果も有する。付加的なセンサー素子を考慮するように、主なセンサー素子が修正される。具体的には、非−補償型設計と同様な巻き領域を維持するために、主なセンサー素子の導体材料の巻きの数が、修正されてよい。また、非補償型設計の有効な双極子位置を維持するために、主なセンサー素子の位置が、修正される。特定の設計要求を達成するために、当業者は、主な及び付加的なセンサー素子パラメータ及び位置をどのように計算するかについて理解するだろう。
図6A及び6Bは、導体の周囲のインサイチュでの、本発明の第二実施形態によるセンサーデバイス60を示す。
デバイス60が、図4に示されるセンサー配列40を備える。センサー素子404、402の配列が、リジッドフレーム600内に設けられる。リジッドフレーム600が、上部及び底部600−1、600−2を備え、例えば、フレームの上部600−1から底部600−1を通過するプラスチックボルトまたはボルト(複数)(図示しない)を使用して、共に結合されてよい。センサー素子404、402の基板の端部を支持するために、フレーム600が、上部及び底部600−1、600−2の内面に形成されたスロットを有してよい。あるいは、基板部材の端部が、フレームの上部及び底部600−1、600−2の内面に対して保持されてよい。代替の実施形態によると、基板部材が、インサート成形される。図6A及び6Bのセンサーデバイスが、基板上に設けられた信号調整電子機器(図示しない)を備えてもよい。
図4及び6の実施形態におけるセンサー素子の位置は、これらが、図2及び3の実施形態に関して上述された基準を満たすが、上記において提供された等式の条件を厳密には満たさなくても良いものである。延在する基板部材402−1及び402−2上のセンサー素子の位置が、各ボード上のセンサー素子の中心間の距離、及び延在する基板部材の間隔によって定義される。小さな基板部材404−1、404−4の位置が選択され、それらの部材によって支持されるセンサー素子が、延在する基板部材402−1及び402−2上に支持されるセンサー素子に対して対称である。
図5Bのボードとともに、主なセンサー素子402と付加的なセンサー素子500との組み合わせによって提供される実際の双極子の位置を移動させるようなパラメータ(例えば、巻きの数)及び位置で、付加的なセンサー素子500が、402−1及び402−2上に設けられ、等式の条件が満たされるか、または少なくとも実質的に満たされる。また、双極子を移動させることにより、付加的なセンサー素子500が、傾斜角XT及びシフト角XFを調節する。
一実施例のパラメータは以下の通りである:
センサー素子404において、625mmの領域での導体材料の巻きが、タンジェント位置から32mmに位置する。
素子402において、855平方mmの領域での導体材料の巻きが、タンジェント位置から29mmである。付加的なセンサー素子500が、タンジェント位置から18mmに、負の340平方mm(導体材料が、反対に巻かれるため)の領域で導体材料の巻きを備え、タンジェント位置から12mmに、110平方mmの領域で導体材料の巻きを備える。
素子402と付加的なセンサー素子500との巻き領域の合計が、625平方mmであり、センサー素子404の巻き領域と同じである。
巻き領域品によって重み付けされた位置を平均することにより、対応する双極子位置が、与えられる。従って、対応する位置が、(855*29−340*18+110*12)/(855ー340+110)=32mmである。
これが、以下のような値を与える:X1が30.4度であり、X2が59.6度であり、XT13がゼロ度であり(センサー素子が平行であるため)、及びXT12が90度である。XTが29.8度であり、及びXSが7.3度である。
そのため、等式の条件が、実質的に満たされる。
本発明のいくつかの実施形態によると、各々が中心点から35mm離れた8つのセンサー素子を備えたセンサーデバイスが、遠距離場応答において16のノード及び均一な感度の双極子の16の面を示すことが可能であり、一方、同時に、主導体が通過されることが可能な35mmの開けた開口部を提供する。
有利には、センサー素子の数が、偶数であり、各2つのセンサーの少なくとも2つの組で形成される。しかしながら、あるいは、センサー素子の数が、奇数であってもよい。
上記実施形態が、制限的なものとして構成されるべきではないことが理解されるべきである。本出願を読むことで、他のバリエーション及び修正が、当業者には明らかとなるであろう。さらに、本出願の開示が、本願明細書において明示的または黙示的に開示された任意の新規な特徴もしくは特徴の任意の新規な組み合わせ、または、その任意の一般化を含むことが理解されるべきであり、本出願またはそれから派生した任意の出願の審査手続の間、任意のそのような特徴及び/またはそのような特徴の組み合わせをカバーするために、新たな請求項が規定されてよい。
20 センサー配列
202、204、206 センサー素子
XT 傾斜角
XS シフト角
X1 第一角度分離
X2 第二角度分離
I12、I13 切片
202、204、206 センサー素子
XT 傾斜角
XS シフト角
X1 第一角度分離
X2 第二角度分離
I12、I13 切片
Claims (5)
- 中心点の周囲に配置された複数のセンサー素子を備えたセンサー配列であって、各々の前記センサー素子が、均一な磁場に対するゼロ感度の面を有し、前記センサー素子の第一センサー素子が、前記中心点に対して、第二の、隣接するセンサー素子から第一角度分離を有し、及び、前記中心点に対して、第三の、隣接するセンサー素子から第二角度分離を有し、前記第一角度分離が、前記第二角度分離よりも小さく、
前記第一及び第三センサー素子の前記面の切片が、前記中心点並びに前記第一及び第三センサー素子によって形成された三角形の外側に位置し、
前記第一及び第二センサー素子の前記面の切片が、前記中心点並びに前記第一及び第二センサー素子によって形成された三角形の内側に位置する、センサー配列。 - 前記第一から第三センサー素子が、各々、
前記第一角度分離と前記第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、Nが、センサー素子の数であり、及び
通常は前記中心点に向かって伸びる前記センサー素子の面内のベクトルと、各々の前記センサー素子の中心から直接的に前記中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(前記第二角度分離から前記第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を正確に満たすように設けられた、請求項1に記載のセンサー配列。 - 前記第一から第三センサー素子が、各々、
前記第一角度分離と前記第二角度分離との和が、2*360度/Nと等しく、Nが、センサー素子の数であり、及び
通常は前記中心点に向かって伸びる前記センサー素子の面内のベクトルと、各々の前記センサー素子の中心から直接的に前記中心点に向かって伸びるベクトルと、の間の角度が、N/8*(前記第二角度分離から前記第一角度分離を引いた差)と等しい、
という条件を実質的に満たすように設けられた、請求項1に記載のセンサー配列。 - 前記第一センサー素子が、第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子とを備え、前記第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子と、の各々が、前記第一センサー素子のゼロ感度の面を含むゼロ感度の同じ面を有し、使用される場合に、前記第一センサー素子の位置が、前記第一の主なセンサー素子と、第一の付加的なセンサー素子と、によって形成された対応する双極子の位置によって構成された、請求項1から3のいずれか一項に記載のセンサー配列。
- 対になって配置された複数のセンサー素子を備え、各対のセンサー素子間の角度分離が、前記対のセンサー素子の一方と、隣接する対のセンサー素子の最も近いセンサー素子との間の角度分離よりも小さい、請求項1から4のいずれか一項に記載のセンサー配列。
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