JP2013501410A - 改良されたバイアスを備えるスイッチ - Google Patents
改良されたバイアスを備えるスイッチ Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013501410A JP2013501410A JP2012523014A JP2012523014A JP2013501410A JP 2013501410 A JP2013501410 A JP 2013501410A JP 2012523014 A JP2012523014 A JP 2012523014A JP 2012523014 A JP2012523014 A JP 2012523014A JP 2013501410 A JP2013501410 A JP 2013501410A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- signal
- transistors
- resistors
- coupled
- switch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/10—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage
- H03K17/102—Modifications for increasing the maximum permissible switched voltage in field-effect transistor switches
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/72—Gated amplifiers, i.e. amplifiers which are rendered operative or inoperative by means of a control signal
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
- H03K17/693—Switching arrangements with several input- or output-terminals, e.g. multiplexers, distributors
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K2217/00—Indexing scheme related to electronic switching or gating, i.e. not by contact-making or -breaking covered by H03K17/00
- H03K2217/0018—Special modifications or use of the back gate voltage of a FET
Abstract
Description
本願は、“SWITCH BIASING TOPOLOGY,”と題され、2009年7月28日に提出された米国特許仮出願61/229246号に対する優先権を主張する。上記出願は本願の譲受人に譲渡され、参照によって本明細書に明確に組み込まれる。
Claims (22)
- 積層構造で結合された、入力信号を受信し、出力信号を提供する複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのゲートに結合された複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器に結合され、前記複数のトランジスタのための制御信号を受信する追加の抵抗器と
を具備する装置。 - 前記複数のトランジスタは、金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタを具備する請求項1に記載の装置。
- 前記複数のトランジスタは、Nチャネル金属酸化膜半導体(NMOS)トランジスタを具備する請求項1に記載の装置。
- 前記複数の抵抗器は、等しい抵抗値を有する請求項1に記載の装置。
- 前記複数の抵抗器および前記追加の抵抗器は、等しい抵抗値を有する請求項1に記載の装置。
- 前記複数の抵抗器は各々、第1の抵抗値を有し、前記追加の抵抗器は、前記第1の抵抗値とは異なる第2の抵抗値を有する請求項1に記載の装置。
- 前記複数の抵抗器および前記追加の抵抗器は各々、少なくとも1キロオームの値を有する請求項1に記載の装置。
- 前記複数のトランジスタのバルクノードに結合される第2の複数の抵抗器と、
前記第2の複数の抵抗器およびバルク電圧に結合される第2の追加の抵抗器と
を更に具備する請求項1に記載の装置。 - 前記バルク電圧は、交流(AC)接地または前記入力信号の直流(DC)電圧よりも低いバイアス電圧である請求項8に記載の装置。
- 前記入力信号は入力高周波(RF)信号を具備し、前記出力信号は出力RF信号を具備する請求項1に記載の装置。
- 増幅されたRF信号を提供するための電力増幅器を更に具備し、前記入力RF信号は、前記増幅されたRF信号に基づいて導出される請求項10に記載の装置。
- 前記入力信号は、各トランジスタの降伏電圧よりも大きな信号振幅を有する請求項1に記載の装置。
- 積層構造で結合され、入力高周波(RF)信号を受信し、出力RF信号を提供する複数の金属酸化膜半導体(MOS)トランジスタと、
前記複数のMOSトランジスタのゲートに結合された複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器に結合され、前記複数のMOSトランジスタのための制御信号を受信する追加の抵抗器と
を具備する集積回路。 - 前記複数のMOSトランジスタのバルクノードに結合される第2の複数の抵抗器と、
前記第2の複数の抵抗器およびバルク電圧に結合される第2の追加の抵抗器と
を更に具備する請求項13に記載の集積回路。 - 複数の信号経路を実装するための複数のスイッチを具備し、高周波(RF)信号を受信し、前記複数の信号経路のうちの1つによって前記RF信号をルーティングするモジュールを具備し、前記複数のスイッチの各々は、
積層構造で結合された複数のトランジスタと、
前記複数のトランジスタのゲートに結合された複数の抵抗器と、
前記複数の抵抗器に結合され、前記複数のトランジスタのための制御信号を受信する追加の抵抗器と
を具備する装置。 - 前記モジュールは、アンテナに結合されたスイッチプレクサである請求項15に記載の装置。
- 前記モジュールは、前記RF信号を増幅するための少なくとも1つの電力増幅器(PA)を更に具備する電力増幅器である請求項15に記載の装置。
- 前記装置は無線通信デバイスである請求項15に記載の装置。
- 信号スイッチングを実行する方法であって、
第1の抵抗器を経由して、また更に複数の抵抗器を経由して、積層構造で結合された複数のトランジスタのゲートに制御信号を印加することと、
前記制御信号によってオンにされると、前記複数のトランジスタに入力信号を通すことと、
前記制御信号によってオフにされると、前記複数のトランジスタを通る前記入力信号をブロックすることと
を具備する方法。 - 前記複数のトランジスタがオンにされると、前記第1の抵抗器によって前記複数のトランジスタの寄生キャパシタンスによる信号損失を低減すること
を更に具備する請求項19に記載の方法。 - オフにされると、前記入力信号の信号振幅を前記複数のトランジスタにわたって均一に分割すること
を更に具備する請求項19に記載の方法。 - 制御信号によってオンにされると入力信号を通過させるため、および、前記制御信号によってオフにされると前記入力信号をブロックするための手段と、
第1の抵抗器を介して、およびさらに複数の抵抗器を介して、前記入力信号を通過させるためおよびブロックするための手段に前記制御信号を印加するための手段と
を具備する装置。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US22924609P | 2009-07-28 | 2009-07-28 | |
US61/229,246 | 2009-07-28 | ||
US12/623,197 US8058922B2 (en) | 2009-07-28 | 2009-11-20 | Switch with improved biasing |
US12/623,197 | 2009-11-20 | ||
PCT/US2010/043596 WO2011014585A1 (en) | 2009-07-28 | 2010-07-28 | Switch with improved biasing |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013501410A true JP2013501410A (ja) | 2013-01-10 |
JP5559323B2 JP5559323B2 (ja) | 2014-07-23 |
Family
ID=43526418
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012523014A Active JP5559323B2 (ja) | 2009-07-28 | 2010-07-28 | 改良されたバイアスを備えるスイッチ |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8058922B2 (ja) |
EP (1) | EP2460270B1 (ja) |
JP (1) | JP5559323B2 (ja) |
KR (1) | KR101354816B1 (ja) |
CN (1) | CN102474249B (ja) |
WO (1) | WO2011014585A1 (ja) |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8395435B2 (en) * | 2009-07-30 | 2013-03-12 | Qualcomm, Incorporated | Switches with bias resistors for even voltage distribution |
CN102055697B (zh) * | 2009-10-30 | 2013-01-09 | 国基电子(上海)有限公司 | 线缆调制解调器节能电路 |
KR101153524B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-06-12 | 한국과학기술원 | Rf 스위치 회로 |
KR101153565B1 (ko) * | 2010-02-01 | 2012-06-12 | 한국과학기술원 | Rf 스위치 회로 |
US9209784B2 (en) | 2010-04-27 | 2015-12-08 | Rf Micro Devices, Inc. | Switchable capacitive elements for programmable capacitor arrays |
US8970278B2 (en) * | 2010-04-27 | 2015-03-03 | Rf Micro Devices, Inc. | High power FET switch |
JP5571596B2 (ja) * | 2010-07-02 | 2014-08-13 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | スイッチ回路装置 |
JP5661448B2 (ja) | 2010-12-15 | 2015-01-28 | サムソン エレクトロ−メカニックス カンパニーリミテッド. | 高周波スイッチ |
KR101251832B1 (ko) * | 2011-07-13 | 2013-04-09 | 삼성전기주식회사 | 저항 공유 스위칭 회로 |
US9350321B2 (en) * | 2011-08-18 | 2016-05-24 | Analog Devices, Inc. | Low distortion impedance selection and tunable impedance circuits |
US8975950B2 (en) | 2012-07-07 | 2015-03-10 | Skyworks Solutions, Inc. | Switching device having a discharge circuit for improved intermodulation distortion performance |
TWI623142B (zh) * | 2012-07-07 | 2018-05-01 | 西凱渥資訊處理科技公司 | 與基於射頻開關之絕緣體上矽相關之電路、裝置、方法及其組合 |
US9059702B2 (en) | 2012-07-07 | 2015-06-16 | Skyworks Solutions, Inc. | Switch linearization by non-linear compensation of a field-effect transistor |
US10147724B2 (en) * | 2012-07-07 | 2018-12-04 | Skyworks Solutions, Inc. | Feed-forward circuit to improve intermodulation distortion performance of radio-frequency switch |
US9628075B2 (en) | 2012-07-07 | 2017-04-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency switch having dynamic body coupling |
US9148194B2 (en) | 2012-07-07 | 2015-09-29 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency switch system having improved intermodulation distortion performance |
US9160328B2 (en) | 2012-07-07 | 2015-10-13 | Skyworks Solutions, Inc. | Circuits, devices, methods and applications related to silicon-on-insulator based radio-frequency switches |
US9276570B2 (en) | 2012-07-07 | 2016-03-01 | Skyworks Solutions, Inc. | Radio-frequency switch having gate node voltage compensation network |
US9190994B2 (en) * | 2012-08-29 | 2015-11-17 | Newport Fab, Llc | RF switch branch having improved linearity |
US9013225B2 (en) | 2013-02-04 | 2015-04-21 | Skyworks Solutions, Inc. | RF switches having increased voltage swing uniformity |
CN103178801A (zh) * | 2013-03-14 | 2013-06-26 | 江苏奕扬电子科技股份有限公司 | 一种高三阶交调点可变衰减器 |
US20150171860A1 (en) * | 2013-11-13 | 2015-06-18 | Skyworks Solutions, Inc. | Circuits and methods for improved quality factor in a stack of transistors |
KR101952857B1 (ko) * | 2013-12-20 | 2019-02-27 | 삼성전기주식회사 | 스위칭 회로 및 이를 포함하는 고주파 스위치 |
CN103973291B (zh) | 2014-04-22 | 2017-02-01 | 华为技术有限公司 | 射频天线开关 |
US9584097B2 (en) * | 2014-04-29 | 2017-02-28 | Infineon Technologies Ag | System and method for a switchable capacitance |
CN103986450B (zh) | 2014-05-12 | 2017-04-12 | 华为技术有限公司 | 一种开关、天线的调谐器和射频装置 |
US10032731B2 (en) | 2014-09-08 | 2018-07-24 | Skyworks Solutions, Inc. | Voltage compensated switch stack |
US10382036B2 (en) | 2015-01-29 | 2019-08-13 | Qualcomm Incorporated | High voltage switch |
US9503074B2 (en) | 2015-03-06 | 2016-11-22 | Qualcomm Incorporated | RF circuit with switch transistor with body connection |
KR101776054B1 (ko) * | 2016-04-06 | 2017-09-07 | 베렉스주식회사 | 디지털 스텝 감쇠기 회로 |
CN106972845A (zh) * | 2017-04-07 | 2017-07-21 | 广东工业大学 | 一种射频开关电路 |
US10211830B2 (en) | 2017-04-28 | 2019-02-19 | Qualcomm Incorporated | Shunt termination path |
US10910714B2 (en) | 2017-09-11 | 2021-02-02 | Qualcomm Incorporated | Configurable power combiner and splitter |
US10560074B1 (en) * | 2018-11-20 | 2020-02-11 | Realtek Semiconductor Corp. | Switched capacitor circuit and method thereof |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526374A (ja) * | 2003-05-16 | 2006-11-16 | トライクウィント セミコンダクター,インコーポレーテッド | ブースト回路 |
JP2008011120A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 半導体スイッチ回路 |
WO2008056747A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Renesas Technology Corp. | Circuit intégré semi-conducteur, module rf utilisant celui-ci et dispositif de terminal de communication radio utilisant celui-ci |
JP2008270964A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2008294726A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2964975B2 (ja) * | 1997-02-26 | 1999-10-18 | 日本電気株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
JP2002164441A (ja) * | 2000-11-27 | 2002-06-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路装置 |
JP4009553B2 (ja) * | 2002-05-17 | 2007-11-14 | 日本電気株式会社 | 高周波スイッチ回路 |
JP4262933B2 (ja) * | 2002-05-30 | 2009-05-13 | Necエレクトロニクス株式会社 | 高周波回路素子 |
US6803680B2 (en) * | 2002-09-13 | 2004-10-12 | Mia-Com, Inc. | Apparatus, methods, and articles of manufacture for a switch having sharpened control voltage |
JP2005006143A (ja) * | 2003-06-13 | 2005-01-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波スイッチ回路および半導体装置 |
US7098755B2 (en) * | 2003-07-16 | 2006-08-29 | Analog Devices, Inc. | High power, high linearity and low insertion loss single pole double throw transmitter/receiver switch |
US7205817B1 (en) * | 2004-03-30 | 2007-04-17 | Maxim Integrated Products, Inc. | Analog control integrated FET based variable attenuators |
US7459988B1 (en) * | 2006-09-18 | 2008-12-02 | Rf Micro Devices, Inc. | High linearity wide dynamic range radio frequency antenna switch |
EP2080273B1 (en) * | 2006-11-10 | 2018-09-05 | Skyworks Solutions, Inc. | Compact low loss high frequency switch with improved linearity performance |
US7843280B2 (en) * | 2006-12-01 | 2010-11-30 | Samsung Electro-Mechanics Company | Systems, methods, and apparatuses for high power complementary metal oxide semiconductor (CMOS) antenna switches using body switching and substrate junction diode controlling in multistacking structure |
US7848712B2 (en) * | 2007-05-03 | 2010-12-07 | Intel Corporation | CMOS RF switch for high-performance radio systems |
-
2009
- 2009-11-20 US US12/623,197 patent/US8058922B2/en active Active
-
2010
- 2010-07-28 WO PCT/US2010/043596 patent/WO2011014585A1/en active Application Filing
- 2010-07-28 EP EP10740097.0A patent/EP2460270B1/en active Active
- 2010-07-28 JP JP2012523014A patent/JP5559323B2/ja active Active
- 2010-07-28 CN CN201080032876.4A patent/CN102474249B/zh active Active
- 2010-07-28 KR KR1020127004955A patent/KR101354816B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006526374A (ja) * | 2003-05-16 | 2006-11-16 | トライクウィント セミコンダクター,インコーポレーテッド | ブースト回路 |
JP2008011120A (ja) * | 2006-06-28 | 2008-01-17 | Toshiba Corp | 半導体スイッチ回路 |
WO2008056747A1 (fr) * | 2006-11-09 | 2008-05-15 | Renesas Technology Corp. | Circuit intégré semi-conducteur, module rf utilisant celui-ci et dispositif de terminal de communication radio utilisant celui-ci |
JP2008270964A (ja) * | 2007-04-17 | 2008-11-06 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
JP2008294726A (ja) * | 2007-05-24 | 2008-12-04 | Toshiba Corp | 高周波スイッチ回路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP2460270A1 (en) | 2012-06-06 |
US8058922B2 (en) | 2011-11-15 |
KR101354816B1 (ko) | 2014-01-22 |
WO2011014585A1 (en) | 2011-02-03 |
KR20120046294A (ko) | 2012-05-09 |
EP2460270B1 (en) | 2014-07-23 |
US20110025403A1 (en) | 2011-02-03 |
JP5559323B2 (ja) | 2014-07-23 |
CN102474249B (zh) | 2015-06-03 |
CN102474249A (zh) | 2012-05-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5559323B2 (ja) | 改良されたバイアスを備えるスイッチ | |
EP2460271B1 (en) | Switches with bias resistors for even voltage distribution | |
US8514015B2 (en) | Amplifier with programmable off voltage | |
KR101615516B1 (ko) | 개선된 효율 및 출력 전력을 갖는 rf 전력 증폭기들 | |
US8288895B2 (en) | High-power tunable capacitor | |
US20130190036A1 (en) | Multi-mode bypass driver amplifier with tunable load matching | |
US8536947B2 (en) | Class AB amplifier with resistive level-shifting circuitry | |
CN107005202B (zh) | 互补共栅和共源放大器中的增益控制 | |
US7868657B1 (en) | High voltage logic circuits | |
CN107112957B (zh) | 用于带内载波聚合的接收器前端架构 | |
US10469124B2 (en) | Communications device with receiver chain of reduced size | |
JP5743983B2 (ja) | 送受切替回路、無線装置および送受切替方法 | |
US8829977B2 (en) | High frequency switch including diode-connected transistor connected to gate of transistor forming or blocking high frequency signal flow path | |
US8792540B2 (en) | Amplifiers and transceiver devices using the same | |
KR101539909B1 (ko) | 고주파 스위치 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130520 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130528 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130828 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20130904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20130930 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131007 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20131028 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20140507 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20140605 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5559323 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |