JP2013501126A - 精製炭化水素流から硫化水素を除去する方法 - Google Patents

Abstract

精製炭化水素流中に存在する硫化水素の量を低下させ、精製炭化水素流と接触する処理装置の腐食の量を低減する方法。この方法は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加して処理装置を保護し、保護された処理装置と接触する精製炭化水素流にグリオキサールを添加することを含む。腐食防止剤は窒素含有環を有する有機可溶性化合物を含む。
【選択図】 なし

Description

本発明は、一般に炭化水素媒体の処理に関し、より詳細には、精製炭化水素流から硫化水素を除去する方法に関する。

精製炭化水素流のような炭化水素媒体は、非常に低い濃度でも高度に腐食性で毒性である硫化水素を含有し得る。炭化水素媒体の取り扱いに関連する硫化水素に対する曝露の危険性は、貯蔵、輸送（船舶輸送、トラック又はパイプライン）及び加工処理中の健康及び安全性の観点から重要である。

硫化水素捕捉剤を用いて炭化水素媒体から硫化水素を除去することができる。１つの硫化水素捕捉剤はグリオキサールである。グリオキサールの製造中、酸性の副生成物が形成されることが多い。これらの副生成物は炭化水素処理中の腐食速度を増大する可能性がある。グリオキサールを精製炭化水素流に加えたとき、精製炭化水素流に溶けないこれら酸性の副生成物は精製炭化水素流から別の水性相中に沈降する可能性がある。例えば、この水性相はパイプライン内の小さい流れとして処理若しくは精製装置の底に沿って流れたり、又は貯蔵タンクの底に沈滞したりし得る。この酸性の水性相は極めて腐食性であり、処理又は精製装置内に溝を生じさせる可能性がある。

必要とされているのは、処理装置に腐食を生じさせることなく、精製炭化水素流から硫化水素を除去するための改良法である。

一実施形態では、精製炭化水素流中に存在する硫化水素の量を低下させ、精製炭化水素流と接触する処理装置内の腐食の量を低減する方法は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加して処理装置を保護し、保護された処理装置に接触する精製炭化水素流にグリオキサールを添加することを含んでおり、腐食防止剤は窒素含有環を有する有機可溶性化合物を含む。

様々な実施形態により、処理装置に対する腐食を最小にしながら硫化水素を低減する、精製炭化水素流のための改良水素捕捉方法が提供される。

単数形態は、前後関係から明らかに他の意味を示さない限り、複数の対象も含む。同じ特性に関するあらゆる範囲の終点は独立して組み合わせ可能であり、その明示された終点を含む。引用する文献は全て、援用により本明細書の内容の一部をなす。

量に関して使用する修飾語「約」は表示された値を含み、状況によって決定される意味を有する（例えば、特定の量の測定に関連する許容範囲を含む）。

「任意の」又は「場合により」とは、続いて記載されている事象又は状況が起こっても起こらなくてもよいこと、或いは、続いて特定されている物質が存在していてもいなくてもよいことを意味し、また、この記載は、その事象若しくは状況が起こり、又はその物質が存在する場合と、その事象若しくは状況が起こらず、又はその物質が存在しない場合とを包含することを意味する。

一実施形態では、精製炭化水素流中に存在する硫化水素の量を低下させ、精製炭化水素流と接触する処理装置内の腐食の量を低減する方法は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加して処理装置を保護し、保護された処理装置と接触する精製炭化水素流にグリオキサールを添加することを含んでおり、腐食防止剤は窒素含有環を有する有機可溶性化合物を含む。

精製炭化水素流は硫化水素を含むあらゆるタイプの精製炭化水素流である。一実施形態では、精製炭化水素流としては、特に限定されないが、軽油、ナフサ、ＦＣＣスラリー、ディーゼル燃料、燃料油、ジェット燃料、ガソリン、ケロシン又は真空残油がある。一実施形態では、精製炭化水素流は高温である。別の実施形態では、精製炭化水素流はほぼ周囲温度〜約１５０℃の温度である。別の実施形態では、精製炭化水素流は約４０℃〜約１００℃の温度である。

精製炭化水素流と接触する処理装置は、パイプライン及び貯蔵タンクのような精製炭化水素流を処理するために使用することができるあらゆるタイプの設備・装置である。腐食を起こし易い処理装置は一般に炭素鋼から作製された処理装置であるが、あらゆるタイプの処理装置を保護し得る。

腐食防止剤は窒素含有環を有する有機可溶性化合物を含む。一実施形態では、腐食防止剤は精製炭化水素流に混和性である。

一実施形態では、窒素含有環は５員環又は６員環である。一実施形態では、窒素含有環はイミダゾリン誘導体である。別の実施形態では、腐食防止剤は脂肪酸イミダゾリンである。一実施形態では、脂肪酸イミダゾリンは次式の構造を有する。

式中、Ｒ及びＲ’は各々独立にＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。別の実施形態では、Ｒ及びＲ’は各々独立にＣ₈〜Ｃ₂₂アルキル、アルキレン又は芳香族基である。別の実施形態では、Ｒ及びＲ’は各々独立にＣ₁₆〜Ｃ₁₈アルキル、アルキレン又は芳香族基である。さらに別の実施形態では、Ｒ及びＲ’は各々独立に枝分れアルキル基を有するＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。一実施形態では、Ｒはステアリル、ナフチル、パルミル、オリル、リノリル又はリノレニルである。一実施形態では、Ｒ’はステアリル、ナフチル、パルミル、オリル、リノリル又はリノレニルである。

一実施形態では、脂肪酸イミダゾリン化合物には、特に限定されないが、ステアリン酸イミダゾリン、ナフテン酸イミダゾリン、パルミチン酸イミダゾリン、オレイン酸イミダゾリン、リノール酸イミダゾリン又はリノレン酸イミダゾリンがある。

一実施形態では、脂肪酸イミダゾリンは２種以上の脂肪酸イミダゾリン化合物の混合物を含む。

一実施形態では、脂肪酸イミダゾリンは１種以上の脂肪酸とジエチレントリアミンの縮合反応によって調製され得る。一実施形態では、脂肪酸はＣ₆〜Ｃ₃₆の鎖長を有する。別の実施形態では、脂肪酸はＣ₈〜Ｃ₂₂の鎖長を有する。別の実施形態では、脂肪酸はＣ₁₆〜Ｃ₁₈の鎖長を有する。一実施形態では、脂肪酸は、トール油、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、リノール酸、リノレン酸又はナフテン酸に由来する天然の酸を含み得、又は合成脂肪酸を含む。合成脂肪酸は偶数の炭素原子又は奇数の炭素原子を有する酸を含む。一実施形態では、縮合反応は約４００°Ｆまでの反応温度である。別の実施形態では、反応温度は約２００°Ｆ〜約４００°Ｆである。

別の実施形態では、窒素含有環はピリミジン誘導体である。別の実施形態では、腐食防止剤は脂肪酸ピリミジンである。さらに別の実施形態では、脂肪酸ピリミジンは次式の構造を有する。

式中、Ｒ_a及びＲ_bは各々独立にＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。別の実施形態では、Ｒ_a及びＲ_bは各々独立にＣ₈〜Ｃ₂₂アルキル、アルキレン又は芳香族基である。別の実施形態では、Ｒ_a及びＲ_bは各々独立にＣ₁₆〜Ｃ₁₈アルキル、アルキレン又は芳香族基である。一実施形態では、Ｒ_a及びＲ_bは各々独立に枝分れアルキル基を有するＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。一実施形態では、Ｒ_aはステアリル、ナフチル、パルミル、オリル、リノリル又はリノレニルである。一実施形態では、Ｒ_bはステアリル、ナフチル、パルミル、オリル、リノリル又はリノレニルである。

一実施形態では、脂肪酸ピリミジン化合物には、特に限定されないが、ステアリン酸ピリミジン、ナフテン酸ピリミジン、パルミチン酸ピリミジン、オレイン酸ピリミジン、リノール酸ピリミジン又はリノレン酸ピリミジンがある。

一実施形態では、脂肪酸ピリミジンは２種以上の脂肪酸ピリミジン化合物の混合物を含む。

一実施形態では、脂肪酸ピリミジンは１種以上の脂肪酸と脂肪酸に由来する１，３−プロパンジアミン及びパラホルムアルデヒドとの縮合反応によって調製され得る。一実施形態では、脂肪酸はＣ₆〜Ｃ₃₆の鎖長を有する。別の実施形態では、脂肪酸はＣ₈〜Ｃ₂₂の鎖長を有する。別の実施形態では、脂肪酸はＣ₁₆〜Ｃ₁₈の鎖長を有する。一実施形態では、脂肪酸は、トール油、オレイン酸、ステアリン酸、パルミチン酸、リノール酸、リノレン酸又はナフテン酸に由来する天然の酸を含むか、又は合成脂肪酸を含む。合成脂肪酸は偶数の炭素原子又は奇数の炭素原子を有する酸を含む。一実施形態では、縮合反応は約４００°Ｆまでの反応温度である。別の実施形態では、反応温度は約２００°Ｆ〜約４００°Ｆである。

腐食防止剤を、処理装置と接触する精製炭化水素流に添加してその処理装置を保護することができる。一実施形態では、腐食防止剤は、後に処理装置と接触する精製炭化水素流に加える。別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流が処理装置と接触しているうちにその炭化水素流に加える。

腐食防止剤は、任意の慣用法で、精製炭化水素流に加える。一実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流中に注入し得る。一実施形態では、腐食防止剤は、慣用のインライン注入システムにより精製炭化水素流中に注入することができ、腐食防止剤が精製炭化水素流と混合され得るようにいかなる適切なインラインの点で注入してもよい。腐食防止剤は、精製炭化水素流に連続的に加えてもよいし、又は一回以上のバッチ式に加えることができ、添加を繰り返してもよい。

別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流がパイプラインを通って流れているときにその精製炭化水素流中に注入される。一実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流がパイプラインに入るときに注入される。別の実施形態では、腐食防止剤は、貯蔵タンク内の精製炭化水素流中に注入される。別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流が貯蔵タンク内に入るときに注入する。

腐食防止剤は精製炭化水素流中に分散し、その後処理装置と接触し処理装置に付着し、保護性のコーティング又は膜を形成する。腐食防止剤は処理装置に保護コーティング又は膜を形成するのに適切ないかなる量で添加してもよい。一実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流の体積を基準として約２体積ｐｐｍ〜約２００体積ｐｐｍの量で精製炭化水素流に添加し得る。別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流の体積を基準として約５体積ｐｐｍ〜約１００体積ｐｐｍの量で精製炭化水素流に添加し得る。別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流の体積を基準として約１０体積ｐｐｍ〜約１００体積ｐｐｍの量で精製炭化水素流に加える。さらに別の実施形態では、腐食防止剤は、精製炭化水素流の体積を基準として約２０体積ｐｐｍ〜約１００体積ｐｐｍの量で精製炭化水素流に加える。腐食防止剤は単一のバッチとして加えてもよいし、又は継続的に精製炭化水素流に加えてもよい。

腐食防止剤は処理装置と接触するとその装置に均一に付着し始める。腐食防止剤を含む精製炭化水素流が処理装置と接触し続けるうちに保護コーティングが処理装置上に形成される。保護コーティングを形成するのに適切な時間の量は、精製炭化水素流中の腐食防止剤の量、精製炭化水素流の温度、精製炭化水素流が処理装置と接触する時間の量、及び精製炭化水素流が処理装置と接触しながら進み得るスピードのような多くの要因に依存する。一実施形態では、腐食防止剤は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加してから少なくとも約５分後に処理装置上に保護コーティング又は膜を提供する。別の実施形態では、腐食防止剤は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加した後約５分〜約１００時間で処理装置上に保護コーティングを提供する。別の実施形態では、保護性の膜又はコーティングは、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加した約１５分〜約７５時間後の間処理装置上に形成される。さらに別の実施形態では、保護性の膜又はコーティングは、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加した後約３０分〜約６０時間で処理装置上に形成される。さらに別の実施形態では、保護性の膜又はコーティングは、処理装置と接触する重油に腐食防止剤を添加した約１時間〜約５０時間後処理装置上に形成される。別の実施形態では、保護性の膜又はコーティングは、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加した後約１０時間〜約４０時間で処理装置上に形成される。別の実施形態では、腐食防止剤は、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加してから約１２時間〜約３６時間で処理装置に保護コーティングを提供する。

保護された処理装置と接触する精製炭化水素流にグリオキサールを加えて硫化水素を低減する。グリオキサールは水溶性のアルデヒドであり、グリオキサールのオリゴマーを包含し得る。グリオキサールは４０重量％の水溶液として市販されている。

グリオキサールは、任意の慣用法で、精製炭化水素流に添加し得る。一実施形態では、グリオキサールは、慣用のインライン注入システムによって、精製炭化水素流中に注入し得、グリオキサールが精製炭化水素流と混合され得るようにあらゆる適切なインラインの点で注入し得る。グリオキサールは精製炭化水素流に連続的に加えてもよいし、又は一回以上のバッチ式で加えることができ、繰り返して添加してもよい。

グリオキサールは、精製炭化水素流中の硫化水素のレベルを低減するのに充分な任意の量で精製炭化水素流に加える。一実施形態では、グリオキサールは、精製炭化水素流の体積を基準として約１ｐｐｍ〜約３０００体積ｐｐｍの量で添加し得る。別の実施形態では、グリオキサールは、精製炭化水素流の体積を基準として約１０体積ｐｐｍ〜約２０００体積ｐｐｍの量で添加し得る。別の実施形態では、グリオキサールは、精製炭化水素流の重量を基準として約５０体積ｐｐｍ〜約１５００体積ｐｐｍの量で添加し得る。さらに別の実施形態では、グリオキサールは、精製炭化水素流の体積を基準として約１００体積ｐｐｍ〜約１２００体積ｐｐｍの量で添加し得る。

精製炭化水素流中の硫化水素の量が低減され得、残留する硫化水素の実際の量は最初の量に応じて変化する。一実施形態では、硫化水素レベルは、蒸気相内で測定したとき、精製炭化水素流の体積を基準として１５０体積ｐｐｍ以下に低下する。別の実施形態では、硫化水素レベルは蒸気相内で測定したとき、精製炭化水素流の体積を基準として１００体積ｐｐｍ以下に低下する。別の実施形態では、硫化水素レベルは蒸気相内で測定したとき、精製炭化水素流の体積を基準として５０体積ｐｐｍ以下に低下する。さらに別の実施形態では、硫化水素レベルは蒸気相内で測定したとき、精製炭化水素流の体積を基準として２０体積ｐｐｍ以下に低下する。

グリオキサールの製造中、酸性の副生成物が形成され、そのグリオキサールは約２〜約３の範囲のｐＨを有する可能性がある。これらの副生成物は極めて腐食性である可能性がある。グリオキサールは水性系であり、最初精製炭化水素流全体に分散した後、最終的に重油から水性相中に沈降する。この水性相は非常に酸性であり、処理装置を腐食する可能性がある。腐食防止剤によって処理装置上に形成されたコーティング又は膜は処理装置を保護し、酸性の水性相による腐食を低減又は排除する。

保護された処理装置と接触する精製炭化水素流にグリオキサールを添加しつつ、腐食防止剤を加え続けてもよい。腐食防止剤は処理装置に付着し続け、処理装置の保護を維持する。この追加の腐食防止剤は、精製炭化水素流の体積を基準として約１体積ｐｐｍ〜約２０体積ｐｐｍの量で添加し得る。別の実施形態では、腐食防止剤は精製炭化水素流の体積を基準として約５体積ｐｐｍ〜約１０体積ｐｐｍの量で添加し得る。

一実施形態では、触媒を添加して硫化水素の除去を増強し得る。一実施形態では、触媒は第四アンモニウム塩である。触媒は任意の適切な第四アンモニウム塩である。一実施形態では、触媒は次式Ｉを有する。
Ｒ₁Ｒ₂Ｒ₃Ｒ₄Ｎ⁺Ｘ^- Ｉ
式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は、各々独立に、炭素原子数１〜３０のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、又は炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基であり、Ｘはハロゲン化物、硫酸基、硝酸基又はカルボン酸基である。アルキル基及びアリール基は置換されていても非置換でもよい。

一実施形態では、Ｒ₁は炭素原子数１〜２４のアルキル基である。一実施形態では、Ｒ₂は炭素原子数１〜２４のアルキル、炭素原子数６〜２４のアリール基、又は炭素原子数７〜２４のアリールアルキル基である。

一実施形態では、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に炭素原子数１〜２４のアルキル基である。別の実施形態では、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に炭素原子数１〜４のアルキル基である。

アルキル基としては、特に限定されないが、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、ヘキシル、デシル又はドデシルがある。アリール基はフェニルである。アリールアルキル基にはベンジルが包含され得る。ハロゲン化物は塩化物、臭化物又はヨウ化物である。硫酸基はメチル硫酸基である。硝酸基は重硫酸硝酸基である。カルボン酸基は酢酸基である。

一実施形態では、第四アンモニウム塩はアルキルベンジルアンモニウムクロリド又はベンジルココアルキル（Ｃ₁₂−Ｃ₁₈）ジメチルアンモニウムクロリドである。別の実施形態では、第四アンモニウム塩には、特に限定されないが、ジココアルキル（Ｃ₁₂−Ｃ₁₈）ジメチルアンモニウムクロリド、ジタロウジメチルアンモニウムクロリド、ジ（水素化タロウアルキル）ジメチル第四アンモニウムメチルクロリド、メチルビス（２−ヒドロキシエチルココアルキル（Ｃ₁₂−Ｃ₁₈）第四アンモニウムクロリド、ジメチル（２−エチル）タロウアンモニウムメチルスルフェート、ｎ−ドデシルベンジルジメチルアンモニウムクロリド、ｎ−オクタデシルベンジルジメチルアンモニウムクロリド、ｎ−ドデシルトリメチルアンモニウムスルフェート、大豆アルキルトリメチルアンモニウムクロリド又は水素化タロウアルキル（２−エチルヘキシル）ジメチル第四アンモニウムメチルスルフェートがある。

一実施形態では、触媒は、グリオキサールの重量を基準として約０．０１〜約１５重量％で存在する。別の実施形態では、触媒はグリオキサールの重量を基準として約１〜約１０重量％で存在する。

触媒は、グリオキサールと同時に精製炭化水素流に加えてもよいし、又はグリオキサールとは別々に添加し得る。一実施形態では、触媒は、精製炭化水素流に加える前にグリオキサールと予めブレンドする。

当業者が本開示をより良好に実施することができるように、限定ではなく例示の目的で以下に実施例を記載する。

実施例１
グリオキサールは約２〜約３のｐＨを有する水性系の化合物である。これは、精製炭化水素流中に分散されると、最終的に精製炭化水素流から酸性の水性相中に沈降し、処理装置の底に沈殿して腐食を起こす。腐食防止剤が腐食を低減する効力を試験するために、水中で腐食試験をシミュレートした。

Ｃａｒｂｏｎ Ｃ１０１０鋼の２つの金属片を秤量し、８００ｍｌのＡｕｔｏ−Ｃｌａｖｅ内の撹拌シャフトに取り付けた２つのスピンドルに加えた。これらの金属片は互いに１８０°であった。撹拌シャフトを水中に入れ、表１に示す毎分回転数で撹拌した。この毎分回転数を用いてパイプラインを通る概略の流れを計算し、表１に示す。腐食防止剤を、室温において、表１に示す量で水に加えた。１５分後、グリオキサールを表１に示す量で水中に注入した。Ａｕｔｏ−Ｃｌａｖｅを密閉し、水を約１８０°Ｆに加熱して、処理中の典型的な精製炭化水素流の温度をシミュレートした。４時間後、金属片の重量損失を測定し、金属片に関して平均することによって金属片の腐食を試験した。

有機可溶性の腐食防止剤はブランク（試料ＣＥ−１）と比べて際立った腐食の減少を示す。水溶性の腐食防止剤を試験した（試料ＣＥ−２）が、腐食が現に増大した。

実施例２
有機可溶性の腐食防止剤に対して追加の腐食試験を実施し、実施例１に従って水中で行った。結果を表２に示す。

試料１−５の有機可溶性腐食防止剤はブランク（試料ＣＥ−３）と比較して、また有機可溶性のダイマー／トリマー酸（試料ＣＥ−４）と比較して改良腐食抵抗性を示す。

実施例３
腐食実験及び硫化水素捕捉を、８００ｍｌのＡｕｔｏ−Ｃｌａｖｅ内でオイルガスと水の混合物に対して試験した。軽油には最初にケロシン中Ｈ₂Ｓのおよそ０．５ｗｔ．％の溶液を入れた後、水と混合した。Ｃａｒｂｏｎ Ｃ１０１０鋼の２つの金属試験片を秤量し、撹拌シャフトに取り付けた２つのスピンドルに加えた。これらの金属試験片は互いに１８０°であった。撹拌シャフトを軽油と水の混合物中に入れ、３００ｒｐｍで撹拌した。オイルガスと水の混合物は、軽油が２００ｍｌ、水が４００ｍｌであった。この２：１の体積比の水と軽油により、試験片が３００ｒｐｍで常に水に浸されて、水性相内の腐食を確実に試験した。腐食防止剤を、室温において表３に示す量で軽油混合物に加えた。１５分後、グリオキサールを表３に示す量で軽油混合物中に注入した。Ａｕｔｏ−Ｃｌａｖｅを密閉し、軽油と水の混合物を約１８０°Ｆに加熱して典型的な処理温度をシミュレートした。４時間後、金属試験片の重量損失を測定し、金属試験片で平均し、一年当たりのミル（ＭＰＹ）を計算することによって、金属試験片の腐食を試験した。

処理（１４０°Ｆ）の２時間後Ｄｒａｇｅｒ管で蒸気相Ｈ₂Ｓを測定する改変型のＡＳＴＭ ５７０５−９５試験を用いて硫化水素試験を行った。最終Ｈ₂Ｓ濃度の測定値を表３に示す。

いずれの試料（ＣＥ−５及び１）も硫化水素の除去を示したが、試料１はまたブランク（試料ＣＥ−５）と比較して際立った腐食の減少を示す。

例示の目的から典型的な実施形態について説明して来たが、以上の記載は本発明の範囲に限定を課すものと考えてはならない。従って、当業者には、本発明の思想と範囲から逸脱することなく、様々な修正、変更及び選択が可能である。

Claims (24)

1. 精製炭化水素流中に存在する硫化水素の量を低下させ、精製炭化水素流と接触する処理装置の腐食の量を低減する方法であって、処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加して処理装置を保護し、保護された処理装置と接触する精製炭化水素流にグリオキサールを添加することを含み、腐食防止剤が窒素含有環を有する有機可溶性化合物を含む、方法。
2. 精製炭化水素流が、軽油、ナフサ、ＦＣＣスラリー、ディーゼル燃料、燃料油、ジェット燃料、ガソリン、ケロシン及び真空残油からなる群から選択される、請求項１記載の方法。
3. 精製炭化水素流が高温である、請求項１記載の方法。
4. 精製炭化水素流がほぼ周囲温度〜約１５０℃の温度である、請求項３記載の方法。
5. 処理装置がパイプライン又は貯蔵タンクである、請求項１記載の方法。
6. 処理装置が炭素鋼製である、請求項５記載の方法。
7. 腐食防止剤が５員又は６員窒素含有環を含む、請求項１記載の方法。
8. 腐食防止剤がイミダゾリン誘導体である、請求項７記載の方法。
9. 腐食防止剤が脂肪酸イミダゾリンである、請求項８記載の方法。
10. 脂肪酸イミダゾリンが次式の構造を有する、請求項８記載の方法。
    式中、Ｒ及びＲ’は各々独立にＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。
11. 窒素含有環がピリミジン誘導体である、請求項７記載の方法。
12. ピリミジン誘導体が脂肪酸ピリミジンである、請求項１１記載の方法。
13. 脂肪酸ピリミジンが次式の構造を有する、請求項１２記載の方法。
    式中、Ｒ_a及びＲ_bは各々独立にＣ₆〜Ｃ₃₆アルキル、アルキレン又は芳香族基である。
14. 腐食防止剤を精製炭化水素流中に注入する、請求項１記載の方法。
15. 腐食防止剤が精製炭化水素流の体積を基準として約２体積ｐｐｍ〜約１００体積ｐｐｍで存在する、請求項１記載の方法。
16. 処理装置と接触する精製炭化水素流に腐食防止剤を添加した少なくとも約５分後に腐食防止剤が処理装置上に保護コーティングを提供する、請求項１記載の方法。
17. グリオキサールを、精製炭化水素流の体積を基準として約１ｐｐｍ〜約３０００体積ｐｐｍの量で精製炭化水素流に添加する、請求項１記載の方法。
18. グリオキサールを添加した後、精製炭化水素流に腐食防止剤を添加し続ける、請求項１記載の方法。
19. 腐食防止剤を、精製炭化水素流の体積を基準として約１体積ｐｐｍ〜約２０体積ｐｐｍの量で添加し続ける、請求項１８記載の方法。
20. グリオキサールがさらに触媒を含む、請求項１記載の方法。
21. 触媒が第四アンモニウム塩である、請求項２０記載の方法。
22. 触媒が次式Ｉを有する、請求項２１記載の方法。
    Ｒ₁Ｒ₂Ｒ₃Ｒ₄Ｎ⁺Ｘ^- Ｉ
    式中、Ｒ₁、Ｒ₂、Ｒ₃及びＲ₄は各々独立に炭素原子数１〜３０のアルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基又は炭素原子数７〜３０のアリールアルキル基であり、Ｘはハロゲン化物、硫酸基、硝酸基又はカルボン酸基である。
23. 第四アンモニウム塩がアルキルベンジルアンモニウムクロリド又はベンジルココアルキル（Ｃ₁₂−Ｃ₁₈）ジメチルアンモニウムクロリドである、請求項２２記載の方法。
24. 触媒がグリオキサールの重量を基準として約０．０１〜約１５重量％で存在する、請求項２１記載の方法。