JP2013257248A - 回路基板及びその温度検出方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】安価で確実に基板温度を検出可能な回路基板を提供する。
【解決手段】絶縁性基板1の表面に配置された金属パッド2に半導体素子がはんだ3で接合されている。起電圧発生回路10は、金属パッド2とはんだ3とに接続され、これらの間の熱起電圧を発生させる。増幅器20はこの熱起電圧を増幅する。増幅器30は、増幅器20と同型であり、グラウンドで短絡され、自己のオフセット電圧を増幅する。誤差除去手段40は、増幅器20の出力電圧値と増幅器30の出力電圧値との差分を求め、オフセット電圧による誤差を除去する。温度取得手段50は、誤差除去手段40で求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を検出する。
【選択図】図1
【解決手段】絶縁性基板1の表面に配置された金属パッド2に半導体素子がはんだ3で接合されている。起電圧発生回路10は、金属パッド2とはんだ3とに接続され、これらの間の熱起電圧を発生させる。増幅器20はこの熱起電圧を増幅する。増幅器30は、増幅器20と同型であり、グラウンドで短絡され、自己のオフセット電圧を増幅する。誤差除去手段40は、増幅器20の出力電圧値と増幅器30の出力電圧値との差分を求め、オフセット電圧による誤差を除去する。温度取得手段50は、誤差除去手段40で求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を検出する。
【選択図】図1
Description
本発明は、回路基板及びその温度検出方法に関する。
例えばIGBTやFWDなどの半導体素子が搭載されたパワーモジュールと呼ばれる回路基板では、半導体素子の発熱によって基板温度が上昇する。基板温度が上昇すると、半導体素子が過熱され、誤作動や故障が生じるおそれがある。そのため、サーミスタや温度検出IC又は熱電対などを用いて、基板温度を測定している。
なお、特許文献1には、はんだリフロー方式のボンデング装置において、ボンデングチップ先端金属部と銅線(ワイヤ)との接触部における熱起電圧を差動増幅器で増幅することによって接触部の温度を検出する技術が記載されている。
しかしながら、サーミスタや温度検出ICなどを用いた場合、測定精度が優れたものを使用するほど、高価になる。さらに、熱電対を用いた場合、熱電対の温接点を基板に接触させた状態を確実に維持することは困難である。
本発明は、以上の点に鑑み、安価で確実に基板温度を検出可能な回路基板及びその温度検出方法を提供することを目的とする。
本発明の回路基板は、絶縁性基板の表面に配置された金属体に半導体素子がはんだで接合された回路基板であって、前記金属体と前記はんだとに接続され、これらの間の熱起電圧を発生させる起電圧発生回路と、前記熱起電圧を増幅する起電圧増幅器と、前記起電圧増幅器と同型であり、グラウンドで短絡され、自己のオフセット電圧を増幅するオフセット電圧増幅器と、前記起電圧増幅器の出力電圧値と前記オフセット電圧増幅器の出力電圧値との差分を求め、前記オフセット電圧による誤差を除去する誤差除去手段と、前記誤差除去手段で求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を求める温度取得手段とを備えることを特徴とする。
本発明の回路基板の温度検出方法は、絶縁性基板の表面に配置された金属体に半導体素子がはんだで接合された回路基板の温度検出方法であって、前記金属体と前記はんだとの間の熱起電圧を発生させる工程と、前記熱起電圧を起電圧増幅器で増幅する工程と、前記起電圧増幅器と同型であり、グラウンドで短絡されたオフセット電圧増幅器で自己のオフセット電圧を増幅する工程と、前記起電圧増幅器の出力電圧値と前記オフセット電圧増幅器の出力電圧値との差分を求め、前記オフセット電圧による誤差を除去する工程と、求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を求める工程とを備えることを特徴とする。
これら本発明では、金属体とはんだとの間で熱起電圧を発生させている。ただし、この熱起電圧は市販の熱電対を用いた際に生じる熱起電圧と比較して極めて小さいので、増幅器のオフセット電圧の影響を除去する必要がある。
そこで、本発明では、起電圧増幅器と同型であり、グラウンドで短絡され、自己のオフセット電圧を増幅するオフセット電圧増幅器を用意して、起電圧増幅器の出力電圧値とオフセット電圧増幅器の出力電圧値との差分を求め、オフセット電圧による誤差を除去している。これにより、オフセット電圧による誤差が除去された電圧値から基板温度を高精度に求めることが可能となる。
以上のように、本発明によれば、金属体とはんだとに接続された起電圧発生回路で発生させた熱起電圧を用いて基板温度を検出するので、サーミスタ、温度検出IC、熱電対などの市販の温度測定装置を必要としない。よって、これらの高価な温度測定装置を用いる場合と比較して、安価に基板温度を測定することができる。また、起電圧発生回路は金属体とはんだとを接続すればよく、これらを接続させた状態を確実に維持するように構成することは容易である。
本発明の実施形態に係る回路基板100について図面を参照して説明する。
回路基板100は、例えばIGBT(絶縁ゲートバイポーラトランジスタ: Insulated Gate Bipolar Transistor)やFWD(フリーホイール・ダイオード:Free Wheeling Diode)などの図示しない半導体素子が搭載されたパワーモジュールである。
図1に示すように、回路基板100においては、絶縁性基板1の表面に配置された金属パッド2に半導体素子がはんだ3で接合されている。絶縁性基板1は、例えば熱伝導性の高いセラミックス材料から形成されており、半導体素子が発生して伝導された熱を素早く拡散させることができる。金属パッド2は、銅など、はんだ3と異なる金属から形成されている。
さらに、回路基板100においては、絶縁性基板1の表面に金属箔による図示しない回路パターンが形成されている。金属箔は、例えば銅箔である。この回路パターンには、図示しない各種回路が実装されている。
半導体素子の端子は、はんだ3を用いて金属パッド2に接続されている。接続方法は限定されないが、金属パッド2上にはんだペーストを印刷し、その上に半導体素子の端子を載せてから加熱してはんだを溶かすリフロー方式であることが好ましい。また、フロー方式であってもよい。
回路基板100において、特に発熱が大きい半導体素子の近傍に起電圧発生回路10を設けている。例えば、V相電流を出力する回路基板が搭載する2個のIGBTによりHiアームとLowアームを構成する場合、LowアームのIGBTの近傍に起電圧発生回路10を配置する。
起電圧発生回路10は、金属パッド2とはんだ3とをいわば通常の熱電対のプローブ(脚)に相当するものとして用いており、熱電対に類似した構成で、温接点(金属パッド2とはんだ3との接続点)と冷接点との間の温度差に応じたゼーベック効果による直流電圧を発生する。これにより、温接点側の温度を測定することが可能となる。
起電圧発生回路10は、回路パターンの一部として形成された、2本の導体11,12からなる。導体11の一端は金属パッド2に、導体12の一端ははんだ3に接続されている。なお、起電圧発生回路10は、はんだ3の下側、及び金属パッド2のはんだ3側、すなわち内側から回路パターンが延びるように形成することが好ましい。
そして、回路基板100には、2つの同型の増幅器(オペアンプ)20,30が配置されている。
一方の増幅器20は、起電圧発生回路10で発生した直流電圧を所定の増幅率(ゲイン)Nで増幅する。増幅器20の2つの入力端子には、起電圧発生回路10の2つの出力端子、すなわち導体11,12の他端がそれぞれ接続されている。増幅器20は、本発明の起電圧増幅器に相当する。
図2に一例を示すように、起電圧発生回路10が発生する熱起電圧(図2の実線)は、市販の熱電対を用いた際に生じる熱起電圧(図2の点線)と比較して極めて小さい。そのため、増幅器20のオフセット電圧が測定精度に大きく影響するので、オフセット電圧の影響を除去する必要がある。増幅器20への入力電圧が0Vであっても出力電圧は0Vとならず、この入力に対する出力の誤差がオフセット電圧である。
オフセット電圧には、増幅器20の回路構成に起因する誤差と、増幅器20の製造プロセスに起因する誤差とがある。回路構成に起因する誤差は、同型の増幅器であれば同一になる。製造プロセスに起因する誤差は、特に半導体製造プロセスに起因するので、同じウエハを用いて同時に製造された増幅器であれば、酷似としたものとなる。
そこで、同じウエハを用いて同時に製造された同型の増幅器を2個用意して、一方の増幅器20の入力端子に起電圧発生回路10の両端を接続したときの測定値から、他方の増幅器30の入力端子を短絡したときの測定値を差し引けば、オフセット電圧の影響を除去して高精度に温度測定することが可能となる。
同じウエハを用いて同時に製造された同型の増幅器は、複数個入りのパッケージで市販されており、これら複数個の増幅器のうちの2つの増幅器を増幅器20,30として使用すればよい。
増幅器30は、自己のオフセット電圧を増幅器20と同じ増幅率Nで増幅する。増幅器30は、その2つの入力端子が短絡され、グランドに接続されている。これにより、増幅器30への入力電圧は0Vとなる。なお、オフセット電圧を正確に求めるために、短絡線やグランドまでの距離はできる限り短くすることが好ましい。増幅器30は、本発明のオフセット電圧増幅器に相当する。
誤差除去手段40は、増幅器20の出力電圧と増幅器30の出力電圧との差分値を求め、増幅器20による誤差を除去する。
誤差除去手段40は、例えば、増幅器20,30の出力電圧をそれぞれデジタル変換して出力電圧値を記憶し、これらの差分から電圧差値を算出してもよい。また、誤差除去手段40は、例えば、増幅器20,30のそれぞれの出力電圧の差分をデジタル変換して電圧差値を算出してもよい。このようにして求めた電圧差値は、増幅器20の出力電圧からオフセット電圧分をキャンセルしてオフセット電圧の電圧誤差を解消した、熱起電圧を増幅した電圧値である。
温度取得手段50は、誤差除去手段40が求めた電圧差値を、予め取得した熱起電圧に対応した基板温度との相関関係と照合して、検出時の基板温度を求める。なお、基板温度、詳細には起電圧発生回路10が設けられた付近の基板温度は、金属パッド2とはんだ3との接続部(温接点)の温度と相関関係を有しており、誤差除去手段40で求めた電圧値から基板温度を求めることができる。温度取得手段50が求めた基板温度は、図示しないがMCU(マイクロコントローラユニット)やI/F回路に入力される。
温度取得手段50は、図示しないCPU、CPUが実行するプログラム及び各種設定値のデータ等を記憶したROM、CPUが処理するプログラムやデータを一時的に記憶するRAM等を備え、CPUがプログラムを実行することによって基板温度を求める。
例えば、図2に実線で示すような熱起電圧の温度特性を熱起電圧値に応じた基板温度値が格納されたテーブルをROMに記憶させておく。そして、温度取得手段50は、誤差除去手段40が求めた電圧差値に対応する温度をテーブルから読み出し、この読み出した温度を基板温度とする。
あるいは、図2に実線で示すような熱起電圧の温度特性を多項式等で近似した曲線式をプログラムに入れておく。そして、温度取得手段50は、誤差除去手段40が求めた電圧差値を曲線式に当てはめて、基板温度を求めてもよい。なお、図2に示すように、熱起電圧の温度特性は大略直線であるので、この直線の式を用いて基板温度を求めてもよい。
ところで、増幅器20,30には、周囲温度や自己発熱等の環境温度の変化で温度変化分の電圧誤差が生じる。温度変化分の電圧誤差を解消するために、このような電圧誤差が小さい高価な増幅器を使用することも考えられる。しかし、このような増幅器は、高価であり、回路基板100全体の製品コストが増大する。
そこで、温度変化分を考慮して、基板温度を求めることが好ましい。
以下、温度検出方法の一例について説明する。
起電圧発生回路10での熱起電圧Vthは、増幅器20で、増幅器20自体のオフセット電圧Voffsetと共に増幅率Nで増幅される。よって、増幅器20の出力電圧Vout1は、式(1)のように表される。
Vout1=N(Vth+Voffset) ・・・ (1)
Vout1=N(Vth+Voffset) ・・・ (1)
一方、増幅器30では、増幅器30自体のオフセット電圧Voffsetが増幅率Nで増幅される。よって、増幅器30の出力電圧Vout2は、式(2)のように表される。
Vout2=N(Voffset) ・・・ (2)
Vout2=N(Voffset) ・・・ (2)
よって、誤差除去手段40から出力される差電圧値Voutは、式(3)のように表される。
Vout=Vout1−Vout2=N・Vth ・・・ (3)
Vout=Vout1−Vout2=N・Vth ・・・ (3)
ここで、定電流回路を用いて抵抗Rに発生する電圧を検出するように誤差除去手段40を構成した場合、誤差除去手段40による誤差成分には許容誤差や温度特性が存在する。
抵抗Rを300Ω、25℃での抵抗Rの許容誤差を5%、抵抗Rの温度特性200ppm/℃、定電流値を1mAとすると、定電流回路での理想出力電圧値は、
300(Ω)×1(mA)=0.3(V)
となり、25℃での許容誤差は、
300(Ω)×(1±0.05)×1(mA)=0.285〜0.315(V)
となる。
300(Ω)×1(mA)=0.3(V)
となり、25℃での許容誤差は、
300(Ω)×(1±0.05)×1(mA)=0.285〜0.315(V)
となる。
さらに温度特性を考慮すると、例えば85℃での許容誤差を含めた電圧値は、
0.285〜0.315(V)×
(1+(200(ppm/℃)×(85−25)(℃)))
=0.28842〜0.31878(V)
となり誤差が拡大する。
0.285〜0.315(V)×
(1+(200(ppm/℃)×(85−25)(℃)))
=0.28842〜0.31878(V)
となり誤差が拡大する。
そこで、先に検出した熱起電圧Vthを用いて温度特性による影響を除去する。具体的には、熱起電圧Vthより図2の温度特性曲線に照らして求めた基板温度をThとすると、温度特性影響分の抵抗誤差△Rthは、
△Rth=300(Ω)×(200(ppm/℃)×(Th−25)(℃))
で求めることができる。
よって、温度特性を考慮した85℃での許容誤差は、
(300−△Rth)(Ω)×(1±0.05)×(200(ppm/℃)×(85−25)(℃))×1(mA)
と小さくなる。
△Rth=300(Ω)×(200(ppm/℃)×(Th−25)(℃))
で求めることができる。
よって、温度特性を考慮した85℃での許容誤差は、
(300−△Rth)(Ω)×(1±0.05)×(200(ppm/℃)×(85−25)(℃))×1(mA)
と小さくなる。
以上、本発明の実施形態について説明したが、本発明はこれに限定されない。
1…絶縁性基板、 2…金属パッド(金属体)、 3…はんだ、 10…起電圧発生回路、 20…増幅器(起電圧増幅器)、 30…増幅器(オフセット電圧増幅器)、 40…誤差除去手段、 50…温度取得手段、 100…回路基板。
Claims (2)
- 絶縁性基板の表面に配置された金属体に半導体素子がはんだで接合された回路基板であって、
前記金属体と前記はんだとに接続され、これらの間の熱起電圧を発生させる起電圧発生回路と、
前記熱起電圧を増幅する起電圧増幅器と、
前記起電圧増幅器と同型であり、グラウンドで短絡され、自己のオフセット電圧を増幅するオフセット電圧増幅器と、
前記起電圧増幅器の出力電圧値と前記オフセット電圧増幅器の出力電圧値との差分を求め、前記オフセット電圧による誤差を除去する誤差除去手段と、
前記誤差除去手段で求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を検出する温度取得手段とを備えることを特徴とする回路基板。 - 絶縁性基板の表面に配置された金属体に半導体素子がはんだで接合された回路基板の温度検出方法であって、
前記金属体と前記はんだとの間の熱起電圧を発生させる工程と、
前記熱起電圧を起電圧増幅器で増幅する工程と、
前記起電圧増幅器と同型であり、グラウンドで短絡されたオフセット電圧増幅器で自己のオフセット電圧を増幅する工程と、
前記起電圧増幅器の出力電圧値と前記オフセット電圧増幅器の出力電圧値との差分を求め、前記オフセット電圧による誤差を除去する工程と、
求めた電圧差分値を、予め取得した熱起電圧と基板温度との相関関係を示すデータと照合して、基板温度を検出する工程とを備えることを特徴とする回路基板の温度検出方法。
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JP2012134259A JP2013257248A (ja) | 2012-06-13 | 2012-06-13 | 回路基板及びその温度検出方法 |
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2018129969A (ja) * | 2017-02-10 | 2018-08-16 | サンケン電気株式会社 | 電子回路及び過熱検出方法 |
CN110715728A (zh) * | 2015-09-30 | 2020-01-21 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 具有光敏探测器的感测装置 |
-
2012
- 2012-06-13 JP JP2012134259A patent/JP2013257248A/ja active Pending
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CN110715728B (zh) * | 2015-09-30 | 2022-04-19 | 意法半导体(R&D)有限公司 | 具有光敏探测器的感测装置 |
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