JP2013251412A - 半導体パッケージ用の蓋、及び半導体パッケージ - Google Patents

Abstract

【課題】搭載部品への物理的なアクセスを可能にしつつ、基板の反りを矯正可能な半導体パッケージ用の蓋、及び半導体パッケージを提供することを課題とする。
【解決手段】半導体チップ及び他の部品が搭載された基板を覆う半導体パッケージ用の蓋であって、前記基板に接着される板材と、前記板材の前記基板が接着される面に形成され、前記半導体チップを収容する凹部と、前記板材の両面に開口させて前記凹部と異なる位置に形成され、前記他の部品を収容する貫通孔部と、を備える。
【選択図】図６

Description

本願は、半導体パッケージ用の蓋、及び半導体パッケージに関する。

近年、半導体パッケージに搭載する部品点数が増加する傾向にある（例えば、特許文献１を参照）。例えば、ＣＰＵ（Central Processing Unit）やメモリといった各部品を半
導体パッケージに搭載すれば、電子機器の小型化やパフォーマンスの向上を実現できる。

特開２００７−９５８６０号公報

多数の部品を搭載した半導体パッケージが故障した場合、故障原因となっている部品を交換することが望まれる。しかし、部品が半導体パッケージに封入されている場合、部品の交換作業を行うことは難しい。

また、半導体パッケージに搭載する部品点数の増大により、基板の面積が広がると、次のような問題が生じ得る。半導体パッケージは、例えば、下面に形成された多数の半田ボールを介して、半導体パッケージ以外の電子部品を搭載した電子基板と電気的に接続される。この場合、半導体パッケージの下面に形成された半田ボールに接触不良が発生すると、電子機器の動作に不具合が生じる虞がある。半田ボールの接触不良の発生原因の一つに、例えば、各半田ボールの先端の高さの不均一が挙げられる。半田ボールの先端の高さが不均一となる原因には、例えば、半田ボールを形成する際の加工精度の他、半導体パッケージの基板の反りが挙げられる。半導体パッケージの基板の反りに起因する半田ボールの先端の高さのばらつきは、半導体パッケージの基板の面積が大きくなるに従い、顕著になる。

そこで、本願は、フリップチップ実装タイプ半導体パッケージに於ける搭載部品への物理的なアクセスを可能にしつつ、基板の反りを矯正可能な半導体パッケージ用の蓋、及び半導体パッケージを提供することを課題とする。

本願は、次のような半導体パッケージ用の蓋を開示する。
半導体チップ及び他の部品が搭載された基板を覆う半導体パッケージ用の蓋であって、
前記基板に接着される板材と、
前記板材の前記基板が接着される面に形成され、前記半導体チップを収容する凹部と、
前記板材の両面に開口させて前記凹部と異なる位置に形成され、前記他の部品を収容する貫通孔部と、を備える、
半導体パッケージ用の蓋。

また、本願は、次のような半導体パッケージを開示する。
半導体チップ及び他の部品が搭載される基板と、
前記基板に接着される板材と、
前記板材の前記基板が接着される面に形成され、前記半導体チップを収容する凹部と、
前記板材の両面に開口させて前記凹部と異なる位置に形成され、前記他の部品を収容す
る貫通孔部と、を備える、
半導体パッケージ。

上記半導体パッケージ用の蓋、及び半導体パッケージであれば、搭載部品への物理的なアクセスを可能にしつつ、基板の反りを矯正可能となる。

実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋を示した図の一例である。 図１において符号Ｂ−Ｂで示す線で板材を切断した場合の断面図の一例である。 図１において符号Ａ−Ａで示す線で板材を切断した場合の断面図の一例である。 蓋に備わっている凹部や貫通孔部と、蓋に覆われる基板に搭載されている半導体チップ及び他の部品との位置関係の一例を示した図である。 蓋を基板に接着した半導体パッケージの上面図の一例である。 図５において符号Ｃ−Ｃで示す線で半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 図５において符号Ｄ−Ｄで示す線で半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 連通部の変形例を示した図の一例である。 従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋を斜め下側から見た斜視図の一例である。 従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋を基板に接着した半導体パッケージの内部構造図の一例である。 従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋を基板から取り外した状態を示した図の一例である。 基板に搭載されている他の部品を取り外した状態を示した図の一例である。 蓋と熱伝導材料とを取り除いた従来技術に係る半導体パッケージを示した図の一例である。 実施形態に係る半導体パッケージを上側から見た場合の、蓋と基板との接着部分を示した図の一例である。 従来技術に係る半導体パッケージを上側から見た場合の、蓋と基板との接着部分を示した図の一例である。 放熱フィンを取り付けた半導体パッケージの内部構造の一例を示した図の一例である。 変形例に係る放熱フィンを取り付けた半導体パッケージの内部構造図の一例である。 放熱フィンを取り付けた従来技術に係る半導体パッケージの内部構造図の一例である。 変形例に係る放熱フィンを取り付けた半導体パッケージの一例を示した上面図の一例である。 図１８において符号Ｅ−Ｅで示す線で本変形例に係る半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 放熱フィンを取り付けた従来技術に係る半導体パッケージの内部構造を示した図の一例である。 第一変形例に係る半導体パッケージの上面図の一例である。 図２１において符号Ｆ−Ｆで示す線で半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 図２１において符号Ｇ−Ｇで示す線で半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 第二変形例に係る半導体パッケージの上面図の一例である。 図２４において符号Ｈ−Ｈで示す線で本変形例に係る半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。 図２４において符号Ｉ−Ｉで示す線で本変形例に係る半導体パッケージを切断した場合の断面図の一例である。

以下、本願発明の実施形態について説明する。以下に示す実施形態は、本願発明の一態様を例示したものであり、本願発明の技術的範囲を以下の態様に限定するものではない。

＜実施形態＞
図１は、本実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋を示した図の一例である。本実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋１は、半導体チップ及び他の部品が搭載された基板を覆う半導体パッケージ用の蓋であり、板材２を備える。板材２は、半導体チップ及び他の部品が搭載された基板を覆うように、基板に接着される部材である。よって、板材２は、半導体チップや他の部品の放熱を妨げない材質で形成されていることが好ましい。また、後述するように、半導体パッケージ用の蓋１は、基板の反りを矯正する機能を担うため、温度上昇により容易に軟化しない材質で形成されていることが好ましい。さらに、放熱体としての機能を有し、熱伝達性に優れ、且つ、温度上昇により容易に軟化しない材質としては、例えば、熱伝導率の高い銅やその他の各種金属類を挙げることができる。

図２は、図１において符号Ａ−Ａで示す線で板材２を切断した場合の断面図の一例である。また、図３は、図１において符号Ｂ−Ｂで示す線で板材２を切断した場合の断面図の一例である。図１〜図３に示すように、板材２には、基板が接着される面（以下、接着面という）３に形成される凹部４、板材２の接着面３とその裏側の面との間を貫通する貫通孔部５、及び、凹部４と貫通孔部５とを連通する連通部６が形成されている。

図４は、蓋１に備わっている凹部４や貫通孔部５と、蓋１に覆われる基板１１に搭載されている半導体チップ１２及び他の部品１３との位置関係の一例を示した図である。図４に示すように、凹部４は、基板１１に搭載されている半導体チップ１２に対応する部位に形成されている。また、貫通孔部５は、基板１１に搭載されている他の部品１３に対応する部位に形成されている。

図５は、蓋１を基板１１に接着した半導体パッケージ１０の上面図の一例である。蓋１には貫通孔部５が備わっているため、図５に示すように、基板１１が蓋１の板材２に覆われた状態であっても、貫通孔部５を通じて蓋１の上側から他の部品１３へ物理的にアクセス可能である。よって、例えば、貫通孔部５に収容されている他の部品１３のうち何れかの部品が故障もしくは部品と基板間の接合に接触不良が発生した場合、蓋１を外すことなく当該部品を交換可能である。

なお、図２から図４では、貫通孔部５の内壁が基板１１から垂直に立ち上がるように図示されている。しかし、貫通孔部５は、このような形状に限定されるものではない。貫通孔部５は、例えば、接着面３側の開口部の大きさが、接着面３と反対側の開口部の大きさより狭くなっていてもよい。貫通孔部５の接着面３側の開口部の大きさが、接着面３と反対側の開口部の大きさよりも狭ければ、基板１１に接触する接着面３の面積が大きくなるので、接着力を高めることが可能である。

図６は、図５において符号Ｃ−Ｃで示す線で半導体パッケージ１０を切断した場合の断
面図の一例である。蓋１を基板１１に接着した状態において、半導体チップ１２は、図６に示すように、熱伝導材料（ＴＩＭ：Thermal Interface Material）１４を介して蓋１に接着されている。よって、半導体チップ１２で発生した熱は、熱伝導材料１４を経由して蓋１へ伝達される。

図７Ａは、図５において符号Ｄ−Ｄで示す線で半導体パッケージ１０を切断した場合の断面図の一例である。熱を伝達する材料には、様々なものが考案されているが、例えば、揮発性の溶剤に熱伝導率の高い粉末材料等を配合したものを熱伝導材料１４として用いる場合、熱伝導材料１４が硬化する過程で蒸発する成分が凹部４内で閉じ込められる虞がある。密閉された空間で溶剤成分等が蒸発すると、空間内の圧力が上がる。仮に、凹部４内の圧力が外部より高い場合、残圧が半導体パッケージ１０の信頼性に悪影響を及ぼす虞がある。しかし、本実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋１には、連通部６が設けられているため、凹部４内で揮発した成分は、連通部６および貫通孔部５を介して外部へ放出される。よって、凹部４内の圧力が外部より高い状態で保たれることが無い。

なお、連通部６は、板材２の接着面３に形成した凹状の溝に限定されるものではない。すなわち、連通部６は、板材２が基板１１に接着された状態において、凹部４と貫通孔部５とを連通可能なものであれば如何なるものであってもよい。

また、連通部６は、蓋１から省略することも可能である。例えば、熱伝導材料１４が各種の成分を蒸発させないものである場合、凹部４が密閉された空間となっていても残圧の問題が生じないため、連通部６を省略可能である。

図７Ｂは、連通部６の変形例を示した図の一例である。凹部４に残留する残圧の防止という目的に鑑みれば、連通部６は、例えば、図７Ｂに示すように、凹部４内の圧力を外部と同じにするために必要な大きさに制限してもよい。連通部６の大きさが、凹部４内の圧力を外部と同じにするために必要な大きさに制限されていれば、凹部４内に異物等が侵入する可能性を低下させることが可能である。

図８は、従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１を斜め下側から見た斜視図の一例である。従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１は、図８に示すように、基板を覆うように基板に接着される板状の板材１０２を備える。板材１０２には、接着面１０３に凹部１０４が形成されている。従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１に備わっている凹部１０４は、本実施形態に係る凹部４と異なり、基板に搭載されている全ての部品を包括的に収容する。このような蓋１０１を用いると、例えば、次のような問題がある。

図９は、従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１を基板１１１に接着した半導体パッケージ１１０の内部構造図の一例である。蓋１０１に備わっている凹部１０４は、基板１１１に搭載されている半導体チップ１１２や他の部品１１３を包括的に収容する。また、蓋１０１には、蓋１に備わっていた貫通孔部５に相当する開口部類が存在しない。よって、基板１１１が蓋１０１に覆われた状態においては、蓋１０１の上側から他の部品１１３への物理的なアクセスが不可能である。従って、例えば、凹部１０４に収容されている何れかの部品が故障もしくは部品と基板間の接合に接触不良が発生した場合、当該部品を交換するには、蓋１０１を取り外す必要がある。

図１０は、従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１を基板１１１から取り外した状態を示した図の一例である。また、図１１は、基板１１１に搭載されている他の部品１１３を取り外した状態を示した図の一例である。蓋１０１を、例えば、図１０に示すように、基板１１１から取り外すことにより、蓋１０１に覆われていた半導体チップ１１２や
他の部品１１３が外部に露出し、物理的なアクセスが可能な状態となる。これにより、例えば、図１１に示すように、基板１１１に搭載されていた他の部品１１３を取り外し、正常な部品への交換等を行うことが可能となる。

図１２は、蓋１０１と熱伝導材料１１４とを取り除いた従来技術に係る半導体パッケージ１１０を示した図の一例である。例えば、基板１１１に搭載されている部品の交換を行った後、蓋１０１を再び基板１１１に取り付ける場合、半導体チップ１１２を熱伝導性材料で蓋１０１に接着する必要がある。よって、半導体チップ１１２上に残っていた熱伝導材料１１４の除去作業が必要となる。

このように、従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１を用いると、例えば、基板１１１に搭載されている部品の交換を行う場合に、蓋１０１の取り外しや熱伝導材料１１４の除去等を行う必要がある。すなわち、従来技術に係る蓋１０１を用いた半導体パッケージ１１０については、部品交換に多大な手間を要するため、基板１１１に搭載されている部品が故障もしくは部品と基板間の接合に接触不良が発生した場合、当該半導体パッケージ１１０については廃棄せざるを得ないのが実情である。一方、本実施形態に係る半導体パッケージ１０であれば、基板１１に搭載されている部品のうちの他の部品１３については外部から物理的にアクセス可能な貫通孔部５に配置されているため、蓋１を取り外すことなく部品交換を行うことが可能である。

また、本実施形態に係る半導体パッケージ１０であれば、他の部品１３については蓋１と基板１１とを接着した後に基板１１に取り付けることも可能である。よって、半導体パッケージ１０の製造工程の終盤で他の部品１３を基板１１に取り付けることにより、他の部品１３に加わる熱的な影響を低減することも可能である。

図１３は、本実施形態に係る半導体パッケージ１０を上側から見た場合の、蓋１と基板１１との接着部分を示した図の一例である。本実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋１は、板状の板材２の接着面３の中央部に凹部４を形成し、凹部４の周囲に貫通孔部５を形成したものである。よって、板材２の接着面３のうち、凹部４や貫通孔部５、連通部６が形成されていない部分は、基板１１に当接し、接着されることになる。例えば、本実施形態に係る半導体パッケージ用の蓋１の場合、接着部分１５は、図１３に示すように、格子状に形成される。

図１４は、従来技術に係る半導体パッケージ１１０を上側から見た場合の、蓋１０１と基板１１１との接着部分を示した図の一例である。従来技術に係る半導体パッケージ用の蓋１０１は、板状の板材１０２の接着面１０３に、基板１１１に搭載されている全ての部品を収容する凹部１０４を形成したものである。よって、板材１０２の接着面１０３のうち、凹部１０４が形成されない領域は、蓋１の縁の部分となる。このため、接着部分１１５は、図１４に示すように、蓋１０１の縁の部分に形成されることになる。

図１３及び図１４を見比べると明らかなように、本実施形態に係る半導体パッケージ１０は、従来技術に係る半導体パッケージ１１０に比べると、基板１１と蓋１との接着部分が多い。特に、本実施形態に係る半導体パッケージ１０は、従来技術に係る半導体パッケージ１１０においては接着されていない基板１１の中央付近、換言すると、半導体チップ１２の周辺が蓋１に接着される。よって、本実施形態に係る半導体パッケージ１０は、従来技術に係る半導体パッケージ１１０に比べると、基板１１の反りを矯正する効果が高い。

すなわち、本実施形態に係る半導体パッケージ１０は、基板１１の反りが矯正されているため、基板の中央部分が蓋に接着されていない従来技術に係る半導体パッケージ１１０
に比べて、基板の反りに起因する半田ボールの先端の高さのばらつきが小さい。よって、各半田ボールの先端の高さの誤差が、製品としての半導体パッケージに許容されている誤差の範囲を逸脱する可能性が低くなり、不良品の発生を減らすことが可能である。

図１５は、放熱フィン２０を取り付けた半導体パッケージ１０の内部構造の一例を示した図の一例である。半導体パッケージ１０には、例えば、図１５に示すように、蓋１及び他の部品１３に熱伝導材料１４で接着される放熱フィン２０を取り付けることも可能である。半導体パッケージ１０に放熱フィン２０を取り付けた場合、半導体チップ１２及び他の部品１３で発生する熱は、放熱フィン２０によって効果的に放熱される。

半導体パッケージ１０に放熱フィン２０を取り付ける場合、多数のフィンが設けられた基材２１の下面のうち他の部品１３と対応する位置に、例えば、他の部品１３の熱を基材２１に伝熱する凸部２２を設けることが望ましい。凸部２２を設けることにより、他の部品１３で発生する熱についても、放熱フィン２０から放熱させることが可能となる。なお、半導体パッケージ１０には、放熱フィン２０に代わり、例えば、水冷式の放熱部材やその他各種の放熱部材を取り付けることも可能である。

図１６は、変形例に係る放熱フィン２０Ａを取り付けた半導体パッケージ１０の内部構造図の一例である。例えば、他の部品１３が放熱フィン２０による放熱を必要としない部品である場合、上記放熱フィン２０に取り付けられていた凸部２２は、省略することも可能である。

図１７は、放熱フィン１２０を取り付けた従来技術に係る半導体パッケージ１１０の内部構造図の一例である。半導体パッケージ１１０には、例えば、図１７に示すように、蓋１０１に熱伝導材料１１４で接着される放熱フィン１２０を取り付けることも可能である。半導体パッケージ１１０に放熱フィン１２０を取り付けた場合、半導体チップ１１２で発生する熱は、放熱フィン１２０によって効果的に放熱される。しかし、他の部品１１３については、熱伝導材料で蓋１０１に接着されていないため、他の部品１１３で発生する熱については、放熱フィン１２０に放熱されない。

また、仮に、他の部品１１３を、熱伝導材料で蓋１０１に接着した場合、次のような問題が生じ得る。例えば、半導体チップ１１２よりも発熱量の少ない他の部品１１３を、熱伝導材料で蓋１０１に接着した場合、蓋１０１が熱伝導材料の役割を果たし、半導体チップ１１２の熱が他の部品１１３へ伝達される可能性がある。このため、他の部品１１３を熱伝導材料で蓋１０１に接着すると、他の部品１１３を更に高温にする虞がある。

一方、本実施形態に係る半導体パッケージ１０であれば、他の部品１３の熱を放熱フィン２０へ直接伝達させることが可能である。よって、従来技術に係る半導体パッケージ１１０に比べて、半導体チップ１２から他の部品１３へ熱が伝達される可能性を抑制することが可能である。なお、図１５で示したように、蓋１及び他の部品１３を熱伝導材料１４で放熱フィン２０に接着した場合、半導体チップ１２の熱が他の部品１３へ放熱フィン２０を介して伝達され得る。しかし、放熱フィン２０は、空気で冷却されている。よって、半導体チップ１２から放熱フィン２０を介して他の部品１３へ伝達される熱の量は、半導体チップ１１２から蓋１０１を介して他の部品１１３へ伝達される熱の量に比べて少ないと考えられる。従って、熱に対する耐性が異なる部品同士を半導体パッケージ１０に搭載した場合であっても、耐熱性の低い部品に与える熱的な影響を緩和することが可能である。

図１８は、変形例に係る放熱フィン２０Ａ１，２０Ａ２を取り付けた半導体パッケージ１０の一例を示した上面図の一例である。半導体チップ１２から放熱フィンを介して他の
部品１３へ伝達される半導体チップ１２の熱量を抑制したい場合、放熱フィンを、例えば、以下のようにすることも可能である。すなわち、例えば、図１８に示すように、他の部品１３を冷却する放熱フィン２０Ａ１を、半導体チップ１２の熱を除去する放熱フィン２０Ａ２と別体にしてもよい。

図１９は、図１８において符号Ｅ−Ｅで示す線で本変形例に係る半導体パッケージ１０を切断した場合の断面図の一例である。他の部品１３を冷却する放熱フィン２０Ａ１を、半導体チップ１２の熱を除去する放熱フィン２０Ａ１と別体とする場合、放熱フィン２０Ａ１と放熱フィン２０Ａ１との間には、放熱フィン２０Ａ１を形成する部材よりも熱伝導率の低い空隙が介在することになる。よって、半導体チップ１２から放熱フィン２０Ａ１，２０Ａ２を介して他の部品１３へ伝達される熱の量は、半導体パッケージ１０に放熱フィン２０を取り付けた場合よりも減少させることが可能である。

図２０は、放熱フィンを取り付けた従来技術に係る半導体パッケージの内部構造を示した図の一例である。例えば、半導体チップ１１２Ａを覆い、他の部品１１３Ａについては覆わない蓋１０１Ａを取り付けた半導体パッケージ１１０Ａの場合、図２０に示すように、蓋１０１Ａと他の部品１１３Ａを熱伝導材料１１４で蓋１０１Ａに接着することも可能である。この場合、半導体パッケージ１１０に存在する放熱の問題は解消可能である。しかし、半導体パッケージ１１０Ａの蓋１０１Ａは、基板１１１Ａの中央部分に接着されているため、基板１１１Ａの反りを矯正することは構造的に不可能となる。

図２１は、第一変形例に係る半導体パッケージ１０Ａの上面図の一例である。上記実施形態に係る半導体パッケージ１０は、例えば、基板に２つの半導体チップ１２Ａ１，１２Ａ２を搭載可能なように変形してもよい。例えば、図２１に示す半導体パッケージ１０Ａの蓋１Ａには、他の部品１３Ａを収容する貫通孔部５Ａが設けられている。よって、半導体パッケージ１０Ａは、蓋１Ａを外すことなく、他の部品１３Ａへ物理的にアクセス可能である。

図２２は、図２１において符号Ｆ−Ｆで示す線で半導体パッケージ１０Ａを切断した場合の断面図の一例である。基板１１Ａに２つの半導体チップ１２Ａ１，１２Ａ２を搭載する場合、半導体パッケージ１０Ａに用いる蓋１Ａには、例えば、半導体チップ１２Ａ１，１２Ａ２をそれぞれ収容可能な大きさを有する２つの凹部４Ａ１，４Ａ２を形成するようにしてもよい。

図２３は、図２１において符号Ｇ−Ｇで示す線で半導体パッケージ１０Ａを切断した場合の断面図の一例である。凹部４Ａ１と凹部４Ａ２との間には、凹部４Ａ１と凹部４Ａ２とを仕切るように、基板１１Ａに当接する部材が残されており、基板１１Ａに接着されている。よって、本変形例に係る半導体パッケージ１０Ａは、従来技術に係る半導体パッケージ１１０に比べると、基板１１の反りを矯正する効果が高い。

図２４は、第二変形例に係る半導体パッケージ１０Ｂの上面図の一例である。例えば、図２４に示すように、半導体チップ１２Ｂの周囲に配置される他の部品１３Ｂの数が比較的少ない場合、貫通孔部５Ｂは、他の部品１３Ｂの収容に必要な大きさに制限してもよい。貫通孔部５Ｂを他の部品１３Ｂの収容に必要な大きさに制限すると、蓋１Ｂと基板との接着部分の面積が増加し、また、蓋１Ｂの剛性も向上するため、基板の反りを矯正する効果を高めることが可能である。

図２５は、図２４において符号Ｈ−Ｈで示す線で本変形例に係る半導体パッケージ１０Ｂを切断した場合の断面図の一例である。蓋１Ｂには、凹部４Ｂと貫通孔部５Ｂとを連通する連通部６Ｂが形成されている。よって、例えば、揮発性の溶剤に熱伝導性の粉末材料
等を配合したものを熱伝導材料１４Ｂとして用いた場合であっても、凹部４Ｂ内で揮発した成分は、連通部６Ｂおよび貫通孔部５Ｂを介して外部へ放出される。よって、凹部４Ｂ内の圧力が外部より高い状態で保たれることが無い。

図２６は、図２４において符号Ｉ−Ｉで示す線で本変形例に係る半導体パッケージ１０Ｂを切断した場合の断面図の一例である。凹部４Ｂと連通部６Ｂとの間には、凹部４Ｂと連通部６Ｂとを仕切るように、基板１１Ｂに当接する部材が残されており、基板１１Ｂに接着されている。よって、本変形例に係る半導体パッケージ１０Ｂは、従来技術に係る半導体パッケージ１１０に比べると、基板１１Ｂの反りを矯正する効果が高い。

１，１Ａ，１Ｂ，１０１，１０１Ａ・・蓋：２，１０２・・板材：３，１０３・・接着面：４，４Ａ１，４Ａ２，４Ｂ，１０４・・凹部：５，５Ａ，５Ｂ・・貫通孔部：６，６Ｂ・・連通部：１０，１０Ａ，１０Ｂ，１１０，１１０Ａ・・半導体パッケージ：１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１１，１１１Ａ・・基板：１２，１２Ａ１，１２Ａ２，１２Ｂ，１１２，１１２Ａ・・半導体チップ：１３，１３Ａ，１３Ｂ，１１３，１１３Ａ・・他の部品：１４，１４Ｂ，１１４・・熱伝導材料：１５，１１５・・接着部分：２０，２０Ａ，２０Ａ１，２０Ａ２，１２０，１２０Ａ・・放熱フィン：２１・・基材：２２・・凸部：

Claims (6)

1. 半導体チップ及び他の部品が搭載された基板を覆う半導体パッケージ用の蓋であって、
   前記基板に接着される板材と、
   前記板材の前記基板が接着される面に形成され、前記半導体チップを収容する凹部と、
   前記板材の両面に開口させて前記凹部と異なる位置に形成され、前記他の部品を収容する貫通孔部と、を備える、
   半導体パッケージ用の蓋。
2. 前記板材に形成され、前記凹部と前記貫通孔部とを連通する連通部を更に備える、
   請求項１に記載の半導体パッケージ用の蓋。
3. 前記板材は、前記基板に接着される面のうち前記板材の縁の部分および前記凹部と前記貫通孔部との間の少なくとも一部分を含む領域が前記基板に接着される、
   請求項１または２に記載の半導体パッケージ用の蓋。
4. 前記貫通孔部は、前記凹部の周囲に形成される、
   請求項１から３の何れか一項に記載の半導体パッケージ用の蓋。
5. 半導体チップ及び他の部品が搭載される基板と、
   前記基板に接着される板材と、
   前記板材の前記基板が接着される面に形成され、前記半導体チップを収容する凹部と、
   前記板材の両面に開口させて前記凹部と異なる位置に形成され、前記他の部品を収容する貫通孔部と、を備える、
   半導体パッケージ。
6. 前記板材に接着される第一の放熱部材と、
   前記貫通孔部に収容された前記他の部品に接着される第二の放熱部材と、を更に備える、
   請求項５に記載の半導体パッケージ。

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