JP2013251258A - プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 - Google Patents
プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013251258A JP2013251258A JP2013108815A JP2013108815A JP2013251258A JP 2013251258 A JP2013251258 A JP 2013251258A JP 2013108815 A JP2013108815 A JP 2013108815A JP 2013108815 A JP2013108815 A JP 2013108815A JP 2013251258 A JP2013251258 A JP 2013251258A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- chamber
- pressure
- vacuum
- plasma
- additional
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000012545 processing Methods 0.000 title claims description 12
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 title description 4
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 79
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 claims abstract description 77
- 238000010884 ion-beam technique Methods 0.000 claims abstract description 58
- 238000000605 extraction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 claims abstract description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 58
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 9
- 230000009977 dual effect Effects 0.000 claims description 4
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 51
- 239000000523 sample Substances 0.000 description 51
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 7
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 7
- 238000009616 inductively coupled plasma Methods 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 108010083687 Ion Pumps Proteins 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000003795 desorption Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000000284 extract Substances 0.000 description 1
- 230000009931 harmful effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000006386 neutralization reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000004904 shortening Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 239000003039 volatile agent Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/026—Means for avoiding or neutralising unwanted electrical charges on tube components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/08—Ion sources; Ion guns
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
- H01J37/10—Lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/16—Vessels; Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/18—Vacuum locks ; Means for obtaining or maintaining the desired pressure within the vessel
- H01J37/185—Means for transferring objects between different enclosures of different pressure or atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/3002—Details
- H01J37/3007—Electron or ion-optical systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/30—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects
- H01J37/317—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation
- H01J37/3171—Electron-beam or ion-beam tubes for localised treatment of objects for changing properties of the objects or for applying thin layers thereon, e.g. for ion implantation for ion implantation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/04—Means for controlling the discharge
- H01J2237/049—Focusing means
- H01J2237/0492—Lens systems
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/06—Sources
- H01J2237/08—Ion sources
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/18—Vacuum control means
- H01J2237/188—Differential pressure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31701—Ion implantation
- H01J2237/31706—Ion implantation characterised by the area treated
- H01J2237/3171—Ion implantation characterised by the area treated patterned
- H01J2237/31713—Focused ion beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/30—Electron or ion beam tubes for processing objects
- H01J2237/317—Processing objects on a microscale
- H01J2237/31749—Focused ion beam
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electron Sources, Ion Sources (AREA)
Abstract
【解決手段】プラズマ室201、イオン化アンテナ、エネルギー幅を狭める手段、およびビーム引出し電極と集束機構を備え、プラズマ室と試料室218との間に、プラズマ室の1/5以下の圧力を有する真空ポンプに接続された第1真空室とを有し、第1真空室と試料室との間にコンダクタンス絞りを介して直列に接続され、直前の真空室の1/10以下の圧力を有する少なくとも一つの追加の真空室を備える。
【選択図】図2
Description
201 プラズマ室
204 流れ絞り
205 出口絞り
218 試料室
Claims (12)
- 少なくとも20,000ボルトにバイアスされたプラズマ室と、
RF電気源によって励振されてプラズマをイオン化するアンテナと、
イオン・ビーム中のイオンのエネルギー幅を狭める手段と、
イオン化された前記プラズマを引き出してビームにする引出し電極と、
前記ビームを集束させる集束機構と、
前記プラズマ室および真空ポンプに接続された排気された第1の真空室であり、前記プラズマ室内の圧力の1/5以下の圧力を有する排気された第1の真空室と、
加工物を収容するための試料室であり、真空ポンプに接続された試料室と、
前記排気された第1の真空室と前記試料室の間に直列に接続された少なくとも1つの追加の真空室であり、それぞれが、コンダクタンス制限絞りによって、前記排気された第1の真空室、前記試料室、または前記少なくとも1つの追加の真空室のうちの別の真空室に接続されており、前記直前の排気された室の圧力の1/10以下の圧力をそれぞれが有する少なくとも1つの追加の真空室と
を備え、
前記複数の真空室が、前記イオン・ビームと中性ガス粒子との衝突を減らし、それによって前記加工物に衝突する高エネルギー中性粒子の生成を低減させる
集束イオン・ビーム・システム。 - 直列に接続された前記少なくとも1つの追加の真空室の最後の真空室と前記試料室との間の前記コンダクタンス制限絞りの長さが、前記コンダクタンス制限絞りの直径の少なくとも2倍である、請求項1に記載の集束イオン・ビーム・システム。
- 前記少なくとも1つの追加の真空室が2つの追加の真空室を含み、前記追加の第1の真空室が、前記排気された第2の真空室および前記追加の第2の真空室に接続され、前記追加の第2の真空室が、前記追加の第1の真空室および前記試料室に接続された、請求項1または2に記載の集束イオン・ビーム・システム。
- プラズマ・イオン源を使用したイオン・ビーム処理を改良する方法であって、
プラズマ室内においてプラズマを生成するステップと、
プラズマ室からイオンを引き出して第1の真空室に入れるステップであり、イオンのエネルギー幅が10eVよりも小さく、前記第1の真空室が真空ポンプに接続されており、前記第1の真空室の圧力が前記プラズマ室内の圧力の約1/10よりも低いステップと、
前記イオンを、圧力制限絞りを通して第2の真空室に入れるステップであり、前記第2の真空室が真空ポンプに接続されており、前記第2の真空室の圧力が前記第1の真空室内の圧力の約1/10よりも低いステップと、
イオン・ビームを加工物の表面に集束させるステップと、
前記イオンを、圧力制限絞りを通して試料室に入れるステップであり、前記試料室内の圧力が前記第2の真空室内の圧力よりも高く、前記イオンを、前記加工物の表面の1ミクロン未満のスポットに集束させるステップと
を含む方法。 - プラズマ室と、
RF電気源によって励振されてプラズマをイオン化するアンテナと、
ビームを集束させる集束レンズと、
前記プラズマ室および真空ポンプに接続された第1の中間室であり、前記プラズマ室内よりも低圧の第1の中間真空を収容するための第1の中間室と、
加工物を収容するための試料室であり、真空ポンプに接続された試料室と、
コンダクタンス制限絞りによって前記第1の中間室と前記試料室の間に直列に接続された少なくとも1つの追加の中間室であり、直前の室の圧力よりも低い圧力をそれぞれが有する少なくとも1つの追加の中間室と
を備え、
前記複数の中間室が、前記イオン・ビームと中性ガス粒子との衝突を減らし、それによって加工物に衝突する高エネルギー中性粒子の生成を低減させる
荷電粒子ビーム・システム。 - 前記試料室の圧力が最後の中間室の圧力よりも高い、請求項5に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- プラズマ室と、
前記プラズマ室および真空ポンプに接続された第1の中間室であり、前記プラズマ室内よりも低圧の第1の中間真空を収容するための第1の中間室と、
加工物を収容するための試料室であり、真空ポンプに接続された試料室と、
前記第1の中間室と前記試料室の間に直列に接続された少なくとも1つの追加の中間室と
を備え、
前記複数の中間室が、イオン・ビームと中性ガス粒子との衝突を減らし、それによって加工物に衝突する高エネルギー中性粒子の生成を低減させる
デュアル・ビーム・システム。 - 前記プラズマ室の圧力が最も高く、後続の中間室がそれぞれ、直前の室よりも低い圧力を有する、請求項7に記載のデュアル・ビーム・システム。
- プラズマ源と、
前記プラズマ室および真空ポンプに接続された第1の中間室であり、前記プラズマ室内の圧力よりも低い圧力を有する第1の中間真空を収容するための第1の中間室と、
加工物を収容するための試料室であり、真空ポンプに接続された試料室と、
前記第1の中間室と前記試料室の間に直列に接続された少なくとも1つの追加の中間室であり、ポンプにそれぞれ接続された少なくとも1つの追加の中間室と
を備え、
前記複数の中間室が、イオン・ビームと中性ガス粒子との衝突を減らし、それによって加工物に衝突する高エネルギー中性粒子の生成を低減させる
荷電粒子ビーム・システム。 - 前記第1の中間室の圧力が、前記少なくとも1つの追加の中間室の圧力よりも高く、前記少なくとも1つの追加の中間室がそれぞれ、直前の室よりも低い圧力を有する、請求項9に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記少なくとも1つの追加の中間室がコンダクタンス制限絞りによって接続された、請求項9または10に記載の荷電粒子ビーム・システム。
- 前記プラズマ源が、電子サイクロトロン共鳴源を備える、請求項9から11のいずれか一項に記載の荷電粒子ビーム・システム。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201261653930P | 2012-05-31 | 2012-05-31 | |
US61/653,930 | 2012-05-31 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2013251258A true JP2013251258A (ja) | 2013-12-12 |
JP2013251258A5 JP2013251258A5 (ja) | 2016-11-10 |
JP6238570B2 JP6238570B2 (ja) | 2017-11-29 |
Family
ID=48520813
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013108815A Active JP6238570B2 (ja) | 2012-05-31 | 2013-05-23 | プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US9105438B2 (ja) |
EP (1) | EP2669925B1 (ja) |
JP (1) | JP6238570B2 (ja) |
CN (1) | CN103456588B (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5481401B2 (ja) * | 2011-01-14 | 2014-04-23 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 走査電子顕微鏡 |
JP6584786B2 (ja) * | 2015-02-13 | 2019-10-02 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置 |
CN109243952B (zh) * | 2018-10-26 | 2024-02-27 | 长沙埃福思科技有限公司 | 双真空室离子束修形加工系统及修形加工方法 |
US11469072B2 (en) * | 2021-02-17 | 2022-10-11 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Charged particle beam apparatus, scanning electron microscope, and method of operating a charged particle beam apparatus |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5288900A (en) * | 1976-01-19 | 1977-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ion beam machine tool |
US5313067A (en) * | 1992-05-27 | 1994-05-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation |
JP2011100722A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-05-19 | Fei Co | ユーザが選択可能な複数の動作モードを有する荷電粒子ビーム・システム |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4670685A (en) | 1986-04-14 | 1987-06-02 | Hughes Aircraft Company | Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species |
DE4018954A1 (de) | 1989-06-15 | 1991-01-03 | Mitsubishi Electric Corp | Trockenaetzgeraet |
GB9105073D0 (en) * | 1991-03-11 | 1991-04-24 | Vg Instr Group | Isotopic-ratio plasma mass spectrometer |
US5188705A (en) | 1991-04-15 | 1993-02-23 | Fei Company | Method of semiconductor device manufacture |
JPH05326452A (ja) * | 1991-06-10 | 1993-12-10 | Kawasaki Steel Corp | プラズマ処理装置及び方法 |
JP3671354B2 (ja) * | 1994-02-28 | 2005-07-13 | アナリチカ オブ ブランフォード,インコーポレーテッド | 質量分析用の多重極イオンガイド |
GB9820210D0 (en) | 1998-09-16 | 1998-11-11 | Vg Elemental Limited | Means for removing unwanted ions from an ion transport system and mass spectrometer |
US7034292B1 (en) * | 2002-05-31 | 2006-04-25 | Analytica Of Branford, Inc. | Mass spectrometry with segmented RF multiple ion guides in various pressure regions |
US7169625B2 (en) | 2003-07-25 | 2007-01-30 | Applied Materials, Inc. | Method for automatic determination of semiconductor plasma chamber matching and source of fault by comprehensive plasma monitoring |
EP1515359A1 (en) * | 2003-09-12 | 2005-03-16 | ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH | Chamber with low electron stimulated desorption |
CN1894763B (zh) * | 2003-12-12 | 2010-12-08 | 山米奎普公司 | 用于在离子植入中延长设备正常运行时间的方法及装置 |
US7241361B2 (en) | 2004-02-20 | 2007-07-10 | Fei Company | Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system |
EP1630849B1 (en) * | 2004-08-27 | 2011-11-02 | Fei Company | Localized plasma processing |
JP4751635B2 (ja) * | 2005-04-13 | 2011-08-17 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 磁界重畳型電子銃 |
JP4878135B2 (ja) | 2005-08-31 | 2012-02-15 | エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 | 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法 |
US8076650B2 (en) | 2006-07-14 | 2011-12-13 | Fei Company | Multi-source plasma focused ion beam system |
US8507850B2 (en) * | 2007-05-31 | 2013-08-13 | Perkinelmer Health Sciences, Inc. | Multipole ion guide interface for reduced background noise in mass spectrometry |
US8749053B2 (en) * | 2009-06-23 | 2014-06-10 | Intevac, Inc. | Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications |
US8053725B2 (en) | 2009-06-29 | 2011-11-08 | Fei Company | Beam quality in FIB systems |
EP2341525B1 (en) | 2009-12-30 | 2013-10-23 | FEI Company | Plasma source for charged particle beam system |
US8124942B2 (en) | 2010-02-16 | 2012-02-28 | Fei Company | Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source |
EP2612342B1 (en) | 2010-08-31 | 2018-08-22 | FEI Company | Navigation and sample processing using an ion source containing both low-mass and high-mass species |
JP6219019B2 (ja) | 2011-02-25 | 2017-10-25 | エフ・イ−・アイ・カンパニー | 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法 |
US8283629B1 (en) | 2011-04-15 | 2012-10-09 | Fei Company | Aberration-corrected wien ExB mass filter with removal of neutrals from the Beam |
US8294093B1 (en) | 2011-04-15 | 2012-10-23 | Fei Company | Wide aperature wien ExB mass filter |
US8835866B2 (en) | 2011-05-19 | 2014-09-16 | Fei Company | Method and structure for controlling magnetic field distributions in an ExB Wien filter |
US8728587B2 (en) | 2011-06-24 | 2014-05-20 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Closed loop process control of plasma processed materials |
US8633452B2 (en) | 2011-07-13 | 2014-01-21 | Fei Company | Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source |
US9111715B2 (en) | 2011-11-08 | 2015-08-18 | Fei Company | Charged particle energy filter |
US8716673B2 (en) | 2011-11-29 | 2014-05-06 | Fei Company | Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis |
US8822913B2 (en) | 2011-12-06 | 2014-09-02 | Fei Company | Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions |
US9275823B2 (en) | 2012-03-21 | 2016-03-01 | Fei Company | Multiple gas injection system |
-
2013
- 2013-05-10 US US13/891,545 patent/US9105438B2/en active Active
- 2013-05-23 JP JP2013108815A patent/JP6238570B2/ja active Active
- 2013-05-31 CN CN201310211268.5A patent/CN103456588B/zh active Active
- 2013-05-31 EP EP13169946.4A patent/EP2669925B1/en active Active
-
2015
- 2015-07-07 US US14/792,771 patent/US9691583B2/en active Active
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5288900A (en) * | 1976-01-19 | 1977-07-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Ion beam machine tool |
US5313067A (en) * | 1992-05-27 | 1994-05-17 | Iowa State University Research Foundation, Inc. | Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation |
JP2011100722A (ja) * | 2009-10-14 | 2011-05-19 | Fei Co | ユーザが選択可能な複数の動作モードを有する荷電粒子ビーム・システム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US9105438B2 (en) | 2015-08-11 |
EP2669925A2 (en) | 2013-12-04 |
US20150380204A1 (en) | 2015-12-31 |
CN103456588A (zh) | 2013-12-18 |
EP2669925A3 (en) | 2015-03-04 |
CN103456588B (zh) | 2016-09-07 |
JP6238570B2 (ja) | 2017-11-29 |
US9691583B2 (en) | 2017-06-27 |
EP2669925B1 (en) | 2020-08-26 |
US20130320229A1 (en) | 2013-12-05 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5586118B2 (ja) | 荷電粒子ビームシステムの操作方法 | |
US9478388B2 (en) | Switchable gas cluster and atomic ion gun, and method of surface processing using the gun | |
US20110163068A1 (en) | Multibeam System | |
US20090200484A1 (en) | Dual mode gas field ion source | |
US7772564B2 (en) | Particle-optical apparatus equipped with a gas ion source | |
EP2372743A2 (en) | Charged particle beam system with an ion generator | |
JP6128746B2 (ja) | イオンビームカラム | |
JP6238978B2 (ja) | 多種イオン源 | |
JP2013120750A (ja) | 選択可能なイオンを有する集束イオン・ビーム・カラム用の誘導結合プラズマ・イオン源 | |
JP6238570B2 (ja) | プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 | |
JP2014165174A (ja) | 集束イオン・ビームの低kV強化 | |
US9206504B2 (en) | Low energy ion milling or deposition | |
US8993982B2 (en) | Switchable ion gun with improved gas inlet arrangement | |
JP6433515B2 (ja) | ミラーイオン顕微鏡およびイオンビーム制御方法 | |
WO2005027175A1 (en) | Chamber with low electron stimulated desorption | |
JP2018181790A (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
JP7253647B2 (ja) | 電子ビーム・イオン発生装置および電子ビーム・イオン発生方法 | |
JP7313499B2 (ja) | 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法 | |
US20230341341A1 (en) | Particle-induced x-ray emission (pixe) using hydrogen and multi-species focused ion beams |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20160519 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160922 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20170317 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20170328 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20170627 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20170628 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20171003 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20171031 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6238570 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |