JP2013251258A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2013251258A5
JP2013251258A5 JP2013108815A JP2013108815A JP2013251258A5 JP 2013251258 A5 JP2013251258 A5 JP 2013251258A5 JP 2013108815 A JP2013108815 A JP 2013108815A JP 2013108815 A JP2013108815 A JP 2013108815A JP 2013251258 A5 JP2013251258 A5 JP 2013251258A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
intermediate vacuum
ion beam
chamber
focused ion
pressure
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2013108815A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6238570B2 (ja
JP2013251258A (ja
Filing date
Publication date
Application filed filed Critical
Publication of JP2013251258A publication Critical patent/JP2013251258A/ja
Publication of JP2013251258A5 publication Critical patent/JP2013251258A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6238570B2 publication Critical patent/JP6238570B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (19)

  1. 集束イオン・ビーム・カラムを備える集束イオン・ビーム・システムであって、
    プラズマを収容するプラズマ室と、
    プラズマをバイアスするための源電極と、
    前記プラズマ室からイオンを引き出し、前記イオンを加工物に向かって加速する引出し電極と、
    前記イオンを、前記加工物上に1マイクロメートル未満のスポットを有するビームに集束させる集束レンズと、
    前記加工物を収容するための試料室であり、真空ポンプに接続された試料室と、
    前記プラズマ室の一端に接続され、第1の真空ポンプに接続された第1の中間真空室と、
    第2の真空ポンプに接続された第2の中間真空室と、
    前記第1の中間真空室と前記第2の中間真空室を接続する第1の差動排気絞りと、
    前記第2の中間真空室を、前記試料室または1または複数の追加の中間真空室に接続する第2の差動排気絞りと、
    を備え、
    動作時に、集束イオン・ビームが、前記試料室に至るまでに、前記第1の中間真空室から前記第2の中間真空室を通過する
    集束イオン・ビーム・システム。
  2. 前記追加の中間真空室がそれぞれ、直前の前記中間真空室よりも低い圧力を有する、請求項1に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  3. 前記追加の中間真空室がそれぞれ、直前の前記中間真空室の圧力の1/10よりも低い圧力を有する、請求項1または2に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  4. 前記第1の中間真空室は、前記プラズマ室内の圧力の1/5以下の圧力を有する、請求項1から3のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  5. 前記第1の差動排気絞りの長さが、直径の少なくとも2倍である、請求項1から4のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  6. 前記試料室の圧力が直前の前記中間真空室の圧力よりも高い、請求項1からのいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  7. 前記第1、第2および1または複数の追加の中間真空室と前記試料室のそれぞれは所定の圧力を有しており、
    前記第1、第2および1または複数の追加の中間真空室と前記試料室のそれぞれを通る所定の経路長があり、
    前記所定の圧力と、前記第1、第2および1または複数の追加の中間真空室と前記試料室の前記所定の経路長との積和が、3×10 -3 ミリバール・mm未満である、請求項1から6のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  8. 前記所定の圧力と、前記第1、第2および1または複数の追加の中間真空室と前記試料室の前記所定の経路長との積和が、3×10 -5 ミリバール・mm未満である、請求項7に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  9. 高エネルギー中性粒子が生成される確率は1%未満である、請求項1から8のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  10. 高エネルギー中性粒子が生成される確率は0.01%未満である、請求項1から9のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  11. 前記プラズマ室から放出されるイオンのエネルギー幅を10eV未満に低減する手段をさらに備える、請求項1から10のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  12. 前記第1の差動排気絞りおよび前記第2の差動排気絞りが、必要なイオン電流を通す十分な大きさであり、かつ、前記差動排気絞りによって接続された前記室間の圧力差を維持する十分な小ささである直径を有する、請求項1から11のいずれか一項に記載の集束イオン・ビーム・システム。
  13. プラズマ・イオン源を使用した集束イオン・ビーム処理を、加工物に衝突する高エネルギー中性粒子の数を低減させることによって改良する方法であって、
    プラズマを生成するために、第1の圧力に維持されているプラズマ室内のガスにエネルギーを供給することと、
    前記プラズマ室からイオンを引き出して第1の中間真空室に入れることであって、前記第1の中間真空室が、前記第1の圧力より低い第2の圧力に維持されていることと、
    集束イオン・ビーム・カラム内で前記イオンをイオン・ビームに形成することであって、前記集束イオン・ビーム・カラムが前記第1の中間真空室、第2の中間真空室、第1の差動排気絞り、および第2の差動排気絞りを備えることと、
    前記イオン・ビームを、前記第1の中間真空室から前記第1の差動排気絞りを通して前記第2の中間真空室に入れることであって、前記第2の中間真空室が、前記第2の圧力より低い第3の圧力に維持されていることと、
    前記イオン・ビームを、前記第2の差動排気絞りを通して試料室に入れること、および、前記イオン・ビームを、前記集束イオン・ビーム・カラム内に配置された集束レンズを使用して、前記試料室内の前記加工物上の1マイクロメートル未満のスポットに集束させることと、
    前記加工物を前記集束イオン・ビームで処理すること、
    を含む方法。
  14. 前記第1および第2の中間真空室と前記試料室のそれぞれの圧力と経路長の積和が、3×10 -3 ミリバール・mm未満である、請求項13に記載の方法。
  15. 前記第1および第2の中間真空室と前記試料室のそれぞれの圧力と経路長の積和が、3×10 -5 ミリバール・mm未満である、請求項14に記載の方法。
  16. 前記第1の中間真空室から前記加工物までに前記高エネルギー中性粒子が生成される確率は1%未満である、請求項13から15のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記第1の中間真空室から前記加工物までに前記高エネルギー中性粒子が生成される確率は0.01%未満である、請求項13から16のいずれか一項に記載の方法。
  18. 前記第1の中間真空室が10 -5 ミリバールから10 -6 ミリバールの間の圧力に維持され、前記第2の中間真空室が5×10 -7 ミリバールから10 -7 ミリバールの間の圧力に維持される、請求項13から17のいずれか一項に記載の方法。
  19. 前記プラズマ室からイオンを引き出して前記第1の中間真空室に入れることが、10eV未満のエネルギー幅を有するイオンを引き出すことを含む、請求項13から18のいずれか一項に記載の方法。
JP2013108815A 2012-05-31 2013-05-23 プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理 Active JP6238570B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201261653930P 2012-05-31 2012-05-31
US61/653,930 2012-05-31

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2013251258A JP2013251258A (ja) 2013-12-12
JP2013251258A5 true JP2013251258A5 (ja) 2016-11-10
JP6238570B2 JP6238570B2 (ja) 2017-11-29

Family

ID=48520813

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2013108815A Active JP6238570B2 (ja) 2012-05-31 2013-05-23 プラズマ・イオン源に対する改良された画像化および処理

Country Status (4)

Country Link
US (2) US9105438B2 (ja)
EP (1) EP2669925B1 (ja)
JP (1) JP6238570B2 (ja)
CN (1) CN103456588B (ja)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5481401B2 (ja) * 2011-01-14 2014-04-23 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
JP6584786B2 (ja) * 2015-02-13 2019-10-02 株式会社日立ハイテクノロジーズ プラズマイオン源および荷電粒子ビーム装置
DE102018203096B9 (de) * 2018-03-01 2020-02-27 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Drucksystems für eine Vorrichtung zum Abbilden, Analysieren und/oder Bearbeiten eines Objekts und Vorrichtung zum Ausführen des Verfahrens
CN109243952B (zh) * 2018-10-26 2024-02-27 长沙埃福思科技有限公司 双真空室离子束修形加工系统及修形加工方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5288900A (en) * 1976-01-19 1977-07-25 Matsushita Electric Ind Co Ltd Ion beam machine tool
US4670685A (en) 1986-04-14 1987-06-02 Hughes Aircraft Company Liquid metal ion source and alloy for ion emission of multiple ionic species
DE4018954A1 (de) 1989-06-15 1991-01-03 Mitsubishi Electric Corp Trockenaetzgeraet
GB9105073D0 (en) 1991-03-11 1991-04-24 Vg Instr Group Isotopic-ratio plasma mass spectrometer
US5188705A (en) 1991-04-15 1993-02-23 Fei Company Method of semiconductor device manufacture
JPH05326452A (ja) * 1991-06-10 1993-12-10 Kawasaki Steel Corp プラズマ処理装置及び方法
US5313067A (en) 1992-05-27 1994-05-17 Iowa State University Research Foundation, Inc. Ion processing apparatus including plasma ion source and mass spectrometer for ion deposition, ion implantation, or isotope separation
AU1932095A (en) * 1994-02-28 1995-09-11 Analytica Of Branford, Inc. Multipole ion guide for mass spectrometry
GB9820210D0 (en) 1998-09-16 1998-11-11 Vg Elemental Limited Means for removing unwanted ions from an ion transport system and mass spectrometer
US7034292B1 (en) * 2002-05-31 2006-04-25 Analytica Of Branford, Inc. Mass spectrometry with segmented RF multiple ion guides in various pressure regions
US7169625B2 (en) 2003-07-25 2007-01-30 Applied Materials, Inc. Method for automatic determination of semiconductor plasma chamber matching and source of fault by comprehensive plasma monitoring
EP1515359A1 (en) * 2003-09-12 2005-03-16 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Chamber with low electron stimulated desorption
US7820981B2 (en) * 2003-12-12 2010-10-26 Semequip, Inc. Method and apparatus for extending equipment uptime in ion implantation
US7241361B2 (en) 2004-02-20 2007-07-10 Fei Company Magnetically enhanced, inductively coupled plasma source for a focused ion beam system
EP1630849B1 (en) * 2004-08-27 2011-11-02 Fei Company Localized plasma processing
JP4751635B2 (ja) * 2005-04-13 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁界重畳型電子銃
JP4878135B2 (ja) 2005-08-31 2012-02-15 エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社 荷電粒子ビーム装置及び試料加工方法
JP5371142B2 (ja) 2006-07-14 2013-12-18 エフ・イ−・アイ・カンパニー マルチソース型のプラズマ集束イオン・ビーム・システム
US8507850B2 (en) * 2007-05-31 2013-08-13 Perkinelmer Health Sciences, Inc. Multipole ion guide interface for reduced background noise in mass spectrometry
US8749053B2 (en) * 2009-06-23 2014-06-10 Intevac, Inc. Plasma grid implant system for use in solar cell fabrications
US8053725B2 (en) 2009-06-29 2011-11-08 Fei Company Beam quality in FIB systems
US8253118B2 (en) 2009-10-14 2012-08-28 Fei Company Charged particle beam system having multiple user-selectable operating modes
EP2341525B1 (en) 2009-12-30 2013-10-23 FEI Company Plasma source for charged particle beam system
US8124942B2 (en) 2010-02-16 2012-02-28 Fei Company Plasma igniter for an inductively coupled plasma ion source
EP2612342B1 (en) 2010-08-31 2018-08-22 FEI Company Navigation and sample processing using an ion source containing both low-mass and high-mass species
JP6219019B2 (ja) 2011-02-25 2017-10-25 エフ・イ−・アイ・カンパニー 荷電粒子ビーム・システムにおいて大電流モードと小電流モードとを高速に切り替える方法
US8283629B1 (en) 2011-04-15 2012-10-09 Fei Company Aberration-corrected wien ExB mass filter with removal of neutrals from the Beam
US8294093B1 (en) 2011-04-15 2012-10-23 Fei Company Wide aperature wien ExB mass filter
US8835866B2 (en) 2011-05-19 2014-09-16 Fei Company Method and structure for controlling magnetic field distributions in an ExB Wien filter
US8728587B2 (en) 2011-06-24 2014-05-20 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Closed loop process control of plasma processed materials
US8633452B2 (en) 2011-07-13 2014-01-21 Fei Company Methods and structures for rapid switching between different process gases in an inductively-coupled plasma (ICP) ion source
US9111715B2 (en) 2011-11-08 2015-08-18 Fei Company Charged particle energy filter
US8716673B2 (en) 2011-11-29 2014-05-06 Fei Company Inductively coupled plasma source as an electron beam source for spectroscopic analysis
US8822913B2 (en) 2011-12-06 2014-09-02 Fei Company Inductively-coupled plasma ion source for use with a focused ion beam column with selectable ions
US9275823B2 (en) 2012-03-21 2016-03-01 Fei Company Multiple gas injection system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6717990B2 (ja) イオン化装置およびそれを有する質量分析計
US9153405B2 (en) Ion source device and ion beam generating method
JP2013251258A5 (ja)
RU2009146299A (ru) Способ и устройство для изготовления трехмерных объектов
JP2012138354A5 (ja)
JP2012525672A5 (ja)
JP5498958B2 (ja) 質量分析におけるイオンフラグメンテーション
JP2007128694A (ja) 質量分析装置
JP5802566B2 (ja) 質量分析装置
JP2016009562A (ja) イオン輸送装置及び質量分析装置
US8933415B2 (en) Laser ion source and heavy particle beam therapy equipment
JP5809890B2 (ja) イオンビーム装置
JP6544430B2 (ja) 質量分析装置
JP2017503172A (ja) 高効率イオンガイドを用いる真空dms
WO2013031777A1 (ja) イオン源
CN103456588B (zh) 聚焦离子束系统及改进聚焦粒子束加工的方法
TW201130008A (en) Electron gun and the vacuum evacuation apparatus
CN204497191U (zh) 一种带防静电涂层的考夫曼电源
JP5861775B2 (ja) 質量分析装置
US9773636B2 (en) Apparatus and method for generating high current negative hydrogen ion beam
WO2013002954A3 (en) Windowless ionization device
US20130228699A1 (en) Ion source
JP6441702B2 (ja) イオン源、イオンビーム装置および試料の加工方法
JP6320197B2 (ja) イオン発生装置およびガス分析器
RU2650101C1 (ru) Способ генерации и вывода электронного пучка в область высокого давления газа, до атмосферного