JP2013247143A5 - - Google Patents
Download PDFInfo
- Publication number
- JP2013247143A5 JP2013247143A5 JP2012117676A JP2012117676A JP2013247143A5 JP 2013247143 A5 JP2013247143 A5 JP 2013247143A5 JP 2012117676 A JP2012117676 A JP 2012117676A JP 2012117676 A JP2012117676 A JP 2012117676A JP 2013247143 A5 JP2013247143 A5 JP 2013247143A5
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- insulating film
- oxide
- charge storage
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 11
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims 2
- 150000004767 nitrides Chemical group 0.000 claims 1
Claims (7)
- 順に積層された、導電層、トンネル絶縁膜、電荷蓄積層、酸化物絶縁膜、酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記電荷蓄積層は酸化物絶縁物によって周囲を囲まれていることを特徴とする半導体装置。 - 順に積層された、導電層、トンネル絶縁膜、電荷蓄積層、酸化物絶縁膜、酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及びゲート電極層と、
前記酸化物半導体膜に電気的に接するソース電極層及びドレイン電極層とを有し、
前記電荷蓄積層は、酸化物絶縁物である前記トンネル絶縁膜及び前記酸化物絶縁膜によって周囲を囲まれていることを特徴とする半導体装置。 - 請求項１又は請求項２において、前記導電層は絶縁表面上に接して設けられることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１又は請求項２において、前記ゲート電極層は絶縁表面上に接して設けられることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は導電層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は半導体層であることを特徴とする半導体装置。
- 請求項１乃至４のいずれか一項において、前記電荷蓄積層は窒化物絶縁層であることを特徴とする半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012117676A JP2013247143A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012117676A JP2013247143A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2013247143A JP2013247143A (ja) | 2013-12-09 |
| JP2013247143A5 true JP2013247143A5 (ja) | 2015-06-25 |
Family
ID=49846722
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2012117676A Withdrawn JP2013247143A (ja) | 2012-05-23 | 2012-05-23 | 半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2013247143A (ja) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9401432B2 (en) | 2014-01-16 | 2016-07-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and electronic device |
| KR102329498B1 (ko) | 2014-09-04 | 2021-11-19 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 반도체 장치 |
| KR102481037B1 (ko) | 2014-10-01 | 2022-12-27 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 배선층 및 그 제작 방법 |
| US9991393B2 (en) * | 2014-10-16 | 2018-06-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device, module, and electronic device |
| TWI699897B (zh) | 2014-11-21 | 2020-07-21 | 日商半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置 |
| US10553690B2 (en) * | 2015-08-04 | 2020-02-04 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| US20170063112A1 (en) * | 2015-08-31 | 2017-03-02 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power storage device with monitoring ic |
| US10096718B2 (en) | 2016-06-17 | 2018-10-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Transistor, electronic device, manufacturing method of transistor |
| JP7137913B2 (ja) * | 2017-06-23 | 2022-09-15 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 半導体装置 |
| CN117581380A (zh) * | 2021-07-09 | 2024-02-20 | 索尼半导体解决方案公司 | 保护电路和半导体器件 |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH02310970A (ja) * | 1989-05-25 | 1990-12-26 | Nec Corp | 不揮発性記憶装置 |
| JP3424427B2 (ja) * | 1995-07-27 | 2003-07-07 | ソニー株式会社 | 不揮発性半導体メモリ装置 |
| JP2004039965A (ja) * | 2002-07-05 | 2004-02-05 | Renesas Technology Corp | 不揮発性半導体記憶装置 |
| JP5781720B2 (ja) * | 2008-12-15 | 2015-09-24 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
| CN102903758B (zh) * | 2009-12-28 | 2015-06-03 | 株式会社半导体能源研究所 | 半导体装置 |
| JP5705559B2 (ja) * | 2010-06-22 | 2015-04-22 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置、及び、半導体装置の製造方法 |
-
2012
- 2012-05-23 JP JP2012117676A patent/JP2013247143A/ja not_active Withdrawn
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2013247143A5 (ja) | ||
| JP2011029635A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011216878A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014099429A5 (ja) | ||
| JP2014199406A5 (ja) | ||
| JP2013042154A5 (ja) | ||
| JP2013102149A5 (ja) | ||
| JP2011086927A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013038399A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011054951A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014017477A5 (ja) | ||
| JP2011054949A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013102134A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013165260A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2013168639A5 (ja) | ||
| JP2015181151A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2011181906A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014057049A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2015053477A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2014082388A5 (ja) | ||
| JP2015130487A5 (ja) | ||
| JP2012049513A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012023360A5 (ja) | ||
| JP2015084411A5 (ja) | 半導体装置 | |
| JP2012023359A5 (ja) |